JP2007086741A - プラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リセット期間のリセット放電を、より易しく効果的に発生させるための、プラズマディスプレイ装置及び駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明は第１電極及び第２電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドで電圧が漸進的に増加する立上り信号以前に、アドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号を前記第１電極に供給する第１電極駆動部及び第１立下り信号が供給されるうちに第２電極に前記第１立下り信号の極性と反対される極性を持つ第２信号を供給する第２電極駆動部を含む。
【選択図】図１

Description

本発明はプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法に関する。

プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルに駆動電圧を供給するための駆動部を含む。

プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルを通じて映像を表示する。プラズマディスプレイパネルは前面パネルと背面パネルの間に形成された隔壁によって形成されるセルを含む。各セル内にはネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノンを含む不活性ガスが充填される。プラズマディスプレイパネルに形成された電極に駆動信号が供給される時放電が起きる。放電の形成を助けてプラズマディスプレイパネルに形成された電極を保護するためにＭｇｏ層のような保護膜が形成される。放電が起きればセル内の不活性ガスは真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生させて真空紫外線が隔壁の間に形成された蛍光体を発光させて映像が具現される。

プラズマディスプレイパネルは、フレームを構成するサブフィールドの組合によって階調を具現する。すなわち、一つのフレームは複数個のサブフィールドを含み、各サブフィールドはセルを初期化するリセット期間、セルを選択するアドレス期間及び選択されたセルを発光させるサステイン期間を含む。サブフィールドの組合によってサステイン期間の合も変わるから階調が具現される。

サブフィールドのリセット期間では、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極にリセット信号が供給されてプラズマディスプレイパネルの全体セルが初期化される。アドレス期間ではスキャン電極にスキャン信号が供給されて、アドレス電極にデータ信号が供給されてセルが選択される。サステイン期間では、スキャン電極とサステイン電極とに交互にサステイン信号が供給されて選択されたセルでサステイン放電が起きる。

プラズマディスプレイパネルで起きる放電は多くの要因の影響を受けて、特にプラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極とサステイン電極の構造に影響を大きく受ける。

本発明の目的は、リセット期間のリセット放電をより易しく効果的に発生させるためのプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、最初サブフィルド以後のサブフィルドで安定的なリセット放電を発生させるためのプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することにある。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１電極及び第２電極が形成されたプラズマディスプレイパネル、フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドで電圧が漸進的に増加する立上り信号以前に、アドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号を前記第１電極に供給する第１電極駆動部及び前記第１立下り信号が供給されるうちに前記第２電極に前記第１立下り信号の極性と反対の極性を持つ第２信号を供給する第２電極駆動部を含む。

前記第１立下り信号または前記第２信号は一番目サブフィールドで供給されることができる。

前記第１立下り信号の電圧大きさは前記スキャン電圧大きさの３倍以下であることがある。

前記第２信号の電圧大きさは前記アドレス期間以後のサステイン期間に前記第１電極または前記第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいとか小さいことがある。

前記立上り信号はセットアップ基準電圧から立上りすることができる。

前記セットアップ基準電圧の大きさはアドレス期間に前記第１電極に供給されるスキャン電圧大きさと実質的に等しいことがある。

前記立上り信号の電圧は、サステイン期間に前記第１電極または第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと、アドレス期間に前記第１電極に供給されるスキャン基準電圧の大きさの合計と実質的に等しいことがある。

前記第１電極駆動部は、前記少なくとも一つのサブフィールドで前記立上り信号の印加以後に漸進的に立下りする少なくとも一つの立下り信号を前記第１電極に供給することができる。

前記少なくとも一つの立下り信号の電圧大きさは、サステイン期間に前記第１電極または第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいことがある。
前記少なくとも一つの立下り信号は、前記立上り信号と等しい極性を持って電圧が漸進的に減少する第２立下り信号と、前記立上り信号と反対極性を持って電圧が漸進的に減少する第３立下り信号を含むことができる。

前記一つの以上の立下り信号は、アドレス期間に前記第１電極に印加されるスキャン電圧大きさより小さな電圧大きさのネガチブ電圧を持つことができる。

前記第２電極駆動部は、第１サステインバイアス電圧を前記少なくとも一つの立下り信号が供給される全体区間の一部区間で前記第２電極に供給して、前記第１サステインバイアス電圧の電圧大きさは少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に第２電極に供給される第２サステインバイアス電圧の電圧大きさより小さいことがある。

前記第１サステインバイアス電圧は、前記少なくとも一つの立下り信号の電圧がグラウンドレベル電圧より小さな区間で前記第２電極に供給されることができる。

前記第１サステインバイアス電圧の電圧大きさは前記第２サステインバイアス電圧の電圧大きさの４０％乃至６０％であることがある。

前記第２サステインバイアス電圧は、前記少なくとも一つの立下り信号の供給終了時点からアドレス期間に最初に供給されるスキャン信号の供給時点の間の期間で供給を開始されることができる。

前記第２サステインバイアス電圧の電圧大きさは、サステイン期間に前記第１電極または前記第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいとか小さいことがある。

前記第１電極と前記第２電極の間の間隔は９０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下であることがある。

前記第１電極と前記第２電極の間の間隔は１２０ｕｍ以上１５０ｕｍ 以下であることがある。

前記第２電極駆動部は、前記アドレス期間以後のサステイン期間でサステイン信号の電圧を前記第２電極で供給するサステインエネルギー回収回路部を含み、前記サステインエネルギー回収回路部に含まれた少なくとも一つのキャパシター に充電された電圧を使って前記アドレス期間以前に所定電圧を供給することができる。

前記所定電圧の大きさは前記サステイン信号の電圧大きさの１／２と実質的に同じなことがある。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドでは電圧が漸進的に減少する第１立下り信号をリセット期間以前に前記第１電極に供給する段階と、前記第１立下り信号が供給される間に前記第２電極に前記第１立下り信号と反対極性を持つ第２信号を供給する段階及び前記リセット期間以後のアドレス期間に前記第１立下り信号の電圧大きさより小さな電圧大きさを持つスキャン信号を前記第１電極に供給する段階を含む。

前記第１立下り信号が供給される全体期間は前記第２信号が供給される一部期間と重なることができる。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、９０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下の間隔を形成するスキャン電極及びサステイン電極が形成されたプラズマディスプレイパネル、フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドで電圧が漸進的に増加する立上り信号以前に、アドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号を前記スキャン電極に供給するスキャン駆動部及び前記第１立下り信号が供給されるうちに前記サステイン電極に前記第１立下り信号の極性と反対の極性を持つ第２信号を供給するサステイン駆動部を含む。

本発明はプリリセット期間でスキャン電極及びサステイン電極上に壁電荷を形成することでリセット放電をより易しく効果的に発生させる。

本発明は最初サブフィルドのリセット期間で安定的なリセット放電を起こすことで最初サブフィルド以後のサブフィルドでも安定的なリセット放電を発生させる。

以下では本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照してより詳しく説明する。

図１は本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示すものである。 図１に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００、データ駆動部１０１、スキャン駆動部１０２、及びサステイン駆動部１０３を含む。

プラズマディスプレイパネル１００は、アドレス電極（Ｘ１乃至Ｘｍ）、スキャン電極（Ｙ１乃至Ｙｎ）及びサステイン電極（Ｚ）を含む。

データ駆動部１０１はアドレス電極（Ｘ１乃至Ｘｍ）を駆動する。すなわち、サブフィールドのリセット期間以後アドレス期間にセルを選択するためのデータ信号をアドレス電極（Ｘ１乃至Ｘｍ）に供給する。

スキャン駆動部１０２はプラズマディスプレイパネル１００のスキャン電極（Ｙ１乃至 Ｙｎ）を駆動させる。すなわち、スキャン駆動部１０２はフレームを構成するサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号をリセット期間以前にスキャン電極（Ｙ１乃至Ｙｎ）に供給する。 スキャン駆動部１０２に対するさらに詳しい説明は後述する。

サステイン駆動部１０３はプラズマディスプレイパネル１００のサステイン電極（Ｚ）を駆動する。すなわち、サステイン駆動部１０３はスキャン電極（Ｙ１乃至Ｙｎ）に第１立下り信号が供給されるうちに、サステイン電極（Ｚ）に第１立下り信号の極性と反対の極性を持つ第２信号を供給する。 サステイン駆動部１０３に対するさらに詳しい説明は後述する。

図２は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置で供給する駆動信号を示すものである。図２に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、セルを初期化させるためのリセット期間、セルを選択するためのアドレス期間、選択された放電セルの放電を維持させるためのサステイン期間に分けられて駆動される。特に、フレームの複数のサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドでは、リセット期間以前にリセット放電を助けるためのプリリセット期間（Ｐｒｅ−Ｒｅｓｅｔ Ｐｅｒｉｏｄ：予備リセット期間）がさらに含まれる。

図１のスキャン駆動部１０２は、スキャン電極（Ｙ）に図２に示すような波形を持った駆動信号を供給して、図１のサステイン駆動部１０３は、サステイン電極（Ｚ）に図２に示すような波形を持った駆動信号を供給する。

特に、図１のスキャン駆動部１０２は、プリリセット期間に第１立下り信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。スキャン駆動部１０２は、アドレス期間のスキャン電圧（−Ｖｙ）よりさらに低い電圧（−Ｖｐｒ）まで漸進的に立下りする第１立下り信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。また図１のサステイン駆動部１０３は、スキャン電極（Ｙ）に第１立下り信号が供給される間に、サステイン電極（Ｚ）には正極性の電圧（Ｖ１）を持つ第２信号を供給する。第１立下り信号が供給される全体期間は、第２信号が供給される一部期間と重なる。 すなわち、第２信号が供給される期間の内に第１立下り信号が供給される。

図３ａ及び図３ｂは、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってプリリセット期間の間スキャン電極に供給される電圧を示すものである。図３ａに示すプリリセット期間にスキャン電極（Ｙ）に供給される第１立下り信号の電圧（−Ｖｐｒ）の大きさは、図３ｂに示すアドレス期間にスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン信号のスキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさより大きい。第１立下り信号の電圧（−Ｖｐｒ） の大きさは、スキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさの３倍以下である。従って、第１立下り信号の電圧（−Ｖｐｒ） の大きさは、スキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさの１倍より大きくかつ３倍より小さい。

図４は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってプリリセット期間の間サステイン電極に供給される電圧を示すものである。図４に示すように、図１のサステイン駆動部１０３は、プリリセット期間にサステイン電極（Ｚ）で第２信号を供給する。第２信号の電圧大きさ（Ｖ１）は、サステイン期間に供給されるサステイン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさと実質的に等しいか又は小さい。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プリリセット期間にスキャン電極上に正極性の壁電荷を形成して、サステイン電極上に負極性の壁電荷を形成してリセット期間のリセット放電をより易しく発生させて、リセット期間でスキャン電極〔Ｙ〕に供給されるリセット信号の電圧大きさを減らしてもリセット放電を効果的に発生させる。

図５ａ乃至図５ｄは、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動のためのプリリセット期間を説明するためのものである。

図５ａに示すように、６０ｕｍ以上８０ｕｍ以下のように狭い間隔を形成するスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）がプラズマディスプレイパネルに形成されて、漸進的に立上りする電圧を持った立上り信号がスキャン電極（Ｙ）に供給されると仮定する。

スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の間隔が狭いからスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間で面放電形態のリセット放電が先に発生する。面放電形態のリセット放電が発生した後、スキャン電極（Ｙ）とデータ電極（Ｘ）の間に対向放電形態のリセット放電が発生する。

スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間で発生する面放電形態のリセット放電の強さは、ＭｇＯ層のような保護膜が放出する二次電子によってスキャン電極（Ｙ）とデータ電極（Ｘ）の間で発生する対向放電形態のリセット放電の強さより大きい。これによって、プリリセット期間でスキャン電極（Ｙ）に供給される第１立下り信号の電圧を大きくないとしてもリセット期間で安定的なリセット放電が発生する。

図５ｂに示すように、１２０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下のように広い間隔を形成するスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）がプラズマディスプレイパネルに形成されて、漸進的に立上りする電圧を持った立上り信号がスキャン電極（Ｙ）に供給されると仮定する。

図５ｂのスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の間隔は図５ａのスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の間隔より大きいので放電開始電圧が大きくなる。 これによって、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間に面放電形態のリセット放電が先に起きるのではなくスキャン電極（Ｙ）とデータ電極（Ｘ）の間に対向放電形態のリセット放電が先に発生する。また、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間に発生する面放電形態のリセット放電の強さは、スキャン電極（Ｙ）とデータ電極（Ｘ）の間に発生する対向放電形態のリセット放電の強さより小くなる可能性が大きい。

これによって、対向放電形態のリセット放電が先に起きればリセット放電の効率が落ちる。すなわち、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）上には酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層のような保護層が形成されて、データ電極（Ｘ）上には保護層が形成されない。陽イオンが保護層に衝突すれば、保護層は放電を助ける二次電子を放出する。したがって、リセット放電の効率が増加するためには面放電形態のリセット放電が先に起きなければならない。

対向放電形態のリセット放電が先に起きれば保護膜から二次電子の放出が発生しないのでリセット放電の効率が減って、電荷がデータ電極（Ｘ）上に形成された蛍光体とぶつかるので蛍光体の寿命を縮めさせる。また赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体の発光特性が互いに異なるから電荷の衝突によって各蛍光体が放出する光の量が変わってプラズマディスプレイ装置の画質を悪化させる可能性がある。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の間隔が図５ｂのようにに大きい場合、プリリセット期間でスキャン電極（Ｙ）に供給される第１立下り信号の電圧の大きさをアドレス期間でスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン電圧（−Ｖｙ）よりさらに大きくする。これによって対向放電形態のリセット放電が先に発生しないで、面放電形態のリセット放電が先に発生して安定的なリセット放電が発生する。

このように、プリリセット期間にスキャン電極（Ｙ）に供給される第１立下り信号の電圧（−Ｖｐｒ）の大きさがアドレス期間でスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン電圧（−Ｖｙ）より大きければ、９０ｕｍ 以上１５０ｕｍ以下の間隔を形成するスキャン電極（Ｙ）及びサステイン電極（Ｚ）で面放電形態のリセット放電が先に起きる。

図５ｃに示すように、スキャン電極（Ｙ）でスキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさより大きい電圧大きさを持った第１立下り信号を供給すれば、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の間隔が９０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下でもスキャン電極（Ｙ）上に多い負の壁電荷（−）が積もって、サステイン電極（Ｚ）上にはさらに多い陽の壁電荷（＋）が積もることで図５ｄに示すように面放電形態のリセット放電が先に発生する。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、複数個のサブフィールドの内で最初サブフィールドのプリリセット期間にスキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさより大きい電圧大きさを持った第１立下り信号をスキャン電極（Ｙ）に供給して、サステイン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさと実質的に同じ第２信号をサステイン電極（Ｚ）に供給する。これによって、最初サブフィールドのリセット期間で安定的なリセット放電が成り立つことで、以後のサブフィールドでも安定的なリセット放電が成り立つ。

図６は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセットアップ期間に供給されるセットアップ基準電圧を説明するためのものである。図６の （ａ）に示すセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）の大きさは、図６の（ｂ）に示すアドレス期間にスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）の大きさと実質的に同じである。すなわち、Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ ＝ Ｖｓｃ の関係が成り立つ。セットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）が供給された以後立上り信号は、セットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）から立上りする。スキャンバイアス電圧は、スキャン基準電圧「Ｖｓｃ」とスキャン電圧（−Ｖｙ）の合計（＝ Ｖｓｃ−Ｖｙ）である。

図６のように、立上り信号の供給以前にスキャン電極（Ｙ）の電圧をセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）まで急激に上昇させることができる理由は、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ） の間の間隔が広い場合、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の放電開始電圧が高くなるのでスキャン電極（Ｙ）の電位がセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）まで急激に上昇しても過度な光の発生が抑制されることができる。

図７は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセットアップ期間に供給される立上り信号の電圧を説明するためのものである。

図７の（ａ）に示すリセット期間のセットアップ期間でスキャン電極（Ｙ）に供給される立上り信号の電圧の大きさ（Ｖ２）は、図７の（ｃ）に示すサステイン期間で供給されるサステイン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさと、図７の（ｂ）に示すアドレス期間でスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）の大きさの合計（＝ Ｖｓ＋ Ｖｓｃ）と実質的に同じである。

セットアップ期間の立上り信号によってセル内でセットアップ放電が起きて、図５ａ乃至図５ｄを通じて説明したように、面放電形態のセットアップ放電が先に起きる。 セットアップ放電によってデータ電極（Ｘ）とサステイン電極（Ｚ）上には正極性壁電荷が形成されて、スキャン電極（Ｙ）上には負極性の壁電荷が形成される。

図８は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間がセッダウン期間に供給される第１セッダウン基準電圧と第２セッダウン基準電圧を説明するためのものである。図８の（ａ）に示すように、セッダウン期間で第１セッダウン基準電圧（Ｖ３）の大きさは、図８の（ｂ）に示されたサステイン期間で供給されるサステイン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさと実質的に同じである。

第１セッダウン基準電圧（Ｖ３）の大きさがサステイン信号の電圧（Ｖｓ）大きさと実質的に同じ理由は、第２立下り信号の供給の前にサステイン信号の電圧（Ｖｓ）をスキャン電極（Ｙ）に供給すれば駆動回路の安全性が向上するからである。

また第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧と実質的に同じである。第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）が実質的にグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）のように設定される理由は、スキャン電極（Ｙ）の電圧がグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ） 以下に落ちる前にスキャン電極（Ｙ）にグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）を供給すれば駆動回路の安全性が向上するからである。

図９は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセッダウン期間に供給される第３セッダウン基準電圧を説明するためのものである。図９に示すように、第３セッダウン基準電圧の大きさ（Ｖ５）は、アドレス期間でスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン電圧の大きさ（Ｖｙ）より小さく、第３セッダウン基準電圧の大きさ（Ｖ５）とスキャン電圧の大きさ（Ｖｙ）の差はｄｖである。

第３セッダウン基準電圧（−Ｖ５）のレベルがスキャン電圧（−Ｖｙ）のレベルよりさらに高い理由は、第３セッダウン基準電圧（−Ｖ５）によってアドレス放電が発生することを防止するためである。

図２、図８及び図９に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は第２立下り信号及び第３立下り信号が複数個のサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）に供給される。また第２立下り信号及び第３立下り信号がセットダウン区間で供給されることもできて、少なくとも一つの立下り信号がセットダウン区間に供給されることもできる。

図１０は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってセッダウン期間に供給されるサステインバイアス電圧を説明するためのものである。図１０に示すように、第３立下り信号がスキャン電極（Ｙ）に供給される間にアドレス期間に供給される第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）の大きさより小さな大きさを持った第１サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ１）がサステイン電極（Ｚ）に供給される。第１サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ１）の大きさは、第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）の大きさの０．４倍以上０．６倍以下である。

また、第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）は、第３立下り信号の供給終了時点からアドレス期間に最初に供給されるスキャン信号の供給時点の間の期間で供給を開始される。第２サステインバイアス電圧の大きさ（Ｖｚｂ２）は、サステイン期間で供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しい。また、第１サステインバイアス電圧の大きさ（Ｖｚｂ１）は第３立下り信号の電圧の大きさ（Ｖ５）より小さい。

第２サステインバイアス電圧の大きさより小さな大きさを持った第１サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ１）が供給される理由は、セッダウン期間とアドレス期間の境界付近で誤放電の発生を防止するためである。

例えば、スキャン電極（Ｙ）に第３立下り信号が供給される間にサステイン電極（Ｚ）にグラウンドレベルの電圧が供給されれば、セッダウン期間とアドレス期間の境界付近でスキャンバイアス電圧（Ｖｓｃ−Ｖｙ）がスキャン電極（Ｙ）に供給される時、第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）がサステイン電極（Ｚ）に急激に供給されなければならない。 第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）がサステイン電極（Ｚ）に急激に供給される時、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極(Z) の間に予期しない放電が発生する可能性がある。

第２サステインバイアス電圧の大きさより小さな大きさを持った第１サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ１）が供給されれば、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間に予期しない放電の発生を防止することができる。

第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）の大きさがサステイン信号の電圧大きさと実質的に同じ理由は、第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）を発生させるための別途の回路が必要ないからである。これによってプラズマディスプレイ装置の製造費用が減る。

第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）の大きさがサステイン信号の電圧大きさと実質的に同じであるから、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の過度な電圧差による誤放電の発生を防止するためにスキャンバイアス電圧（Ｖｓｃ−Ｖｙ）の大きさが小さく設定されることもできる。

図１１は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部及びサステイン駆動部を示すものである。図１１に示すように、スキャン駆動部１０２は、スキャンドライブＩＣ１３１、第１立下り信号供給部１３１ａ、スキャン基準電圧供給部１３２、立上り信号供給部１３３、セッダウン信号供給部１３４、スキャン信号電圧供給部１３５、スキャンエネルギー回収回路部１３６を含む。

スキャンドライブＩＣ１３１は、スキャントップスイッチ（Ｓｃａｎ Ｔｏｐ Ｓｗｉｔｃｈ ： Ｑ９）と、スキャンボトムスイッチ（Ｓｃａｎ Ｂｏｔｔｏｍ Ｓｗｉｔｃｈ ： Ｑ１０）を含み、スキャントップスイッチ（Ｑ９）とスキャンボトムスイッチ（Ｑ１０）の共通端はスキャン電極（Ｙ）と接続される。

第１立下り信号供給部１３１ａは、第１立下り信号をスキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。第１立下り信号供給部１３１ａは、立上り信号供給部１３３とセッダウン信号供給部１３４の間に配置される。 第１立下り信号供給部１３１ａは、第１立下り信号を形成するための電圧源（−Ｖｐｒ）と接続されるプリリセットランプスイッチ(Ｑ１１)と、プリリセットランプスイッチ（Ｑ１１）のゲート（Ｇａｔｅ） 端子に接続されてチャンネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）幅を調節するための可変抵抗（ＶＲ３）を含む。

スキャン基準電圧供給部１３２は、スキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）にリセット期間のセットアップ期間にセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）を供給して、アドレス期間にスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）を供給する。スキャン基準電圧供給部１３２は、スキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）と、第６スイッチ（Ｑ６）を含み、スキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）のゲート端と第６スイッチ（Ｑ６）のゲート端はＮＯＴ−ＧＡＴＥ論理素子と繋がれる。スキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）のゲート端にはＮＯＴ−ＧＡＴＥ論理素子の入力側が接続されており、第６スイッチ（Ｑ６）のゲート端にはＮＯＴ−ＧＡＴＥ論理素子の出力側が接続されている。

立上り信号供給部１３３は、セットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）から漸進的に立上りする立上り信号をスキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。

セッダウン信号供給部１３４は、セッダウン期間に第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）まで漸進的に立下りする第２立下り信号と、第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）から第３セッダウン基準電圧（−Ｖ５）まで漸進的に立下りする第３立下り信号をスキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。

スキャン信号電圧供給部１３５は、アドレス期間にスキャン電圧（−Ｖｙ）をスキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。

パススイッチ（Ｑｐａｓｓ）は、スキャンエネルギー回収回路部１３３と、第１立下り信号供給部１３１ａとの間の電気的接続を選択的に遮断する。

スキャンエネルギー回収回路部１３６は、サステイン期間にサステイン信号をスキャンドライブＩＣ１３１を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。

サステイン駆動部１０３は図１２を参照して詳しく説明する。

図１２は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部を示すものである。図１２に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部１０３は、サステイン電圧（Ｖｓ）を供給するためのサステイン電圧源とグラウンドレベルの電圧を供給するための基底電圧源とを含む。

サステイン駆動部１０３は、サステイン期間にサステイン信号の電圧（Ｖｓ）をサステイン電極（Ｚ）に供給して、サステイン電極（Ｚ）からエネルギーを回収する。サステイン駆動部１０３は、エネルギー格納部１４０、エネルギー供給制御部１４１、エネルギー回収制御部１４２、インダクター部１４３、サステイン電圧供給制御部１４４、及び基底電圧供給制御部１４５を含む。

エネルギー格納部１４０はエネルギー格納用キャパシター（Ｃ３）を含む。
エネルギー供給制御部１４１は、第１２スイッチ（Ｑ１２）を含む。第１２スイッチ（Ｑ１２）のターンオン/ターンオフ動作によって、エネルギーがエネルギー格納部１４０からサステイン電極（Ｚ）に供給される。エネルギー供給制御部１４１は、第１２スイッチ（Ｑ１２）を通じてエネルギー格納部１４０に向かう逆電流を防止するための逆電流防止部（Ｄ４）をさらに含むこともできる。

エネルギー回収制御部１４２は第１３スイッチ（Ｑ１３）を含む。 第１３スイッチ（Ｑ１３）のターンオン/ターンオフ動作によって、エネルギーがサステイン電極(Z)からエネルギー格納部１４０に回収される。エネルギー回収制御部１４２は、第１３スイッチ（Ｑ１３）を通じてエネルギー格納部１４０から向かう逆電流を防止するための逆電流防止部（Ｄ５）をさらに含むことができる。

インダクター部１４３は、第１２スイッチ（Ｑ１２）または第１３スイッチ（Ｑ１３）がターンオンすれば共振を形成する。

サステイン電圧供給制御部１４４は第１４スイッチ（Ｑ１４）を含む。第１４スイッチ（Ｑ１４）のターンオン/ターンオフ動作によって、サステイン電圧源が供給するサステイン電圧（Ｖｓ）がサステイン電極（Ｚ）に供給される。

基底電圧供給制御部１４５は第１５スイッチ（Ｑ１５）を含む。第１５スイッチ（Ｑ１５）のターンオン（Ｏｎ）／ターンオフ（Ｏｆｆ）動作によって基底電圧源が供給するグラウンドレベルの電圧をサステイン電極（Ｚ）に供給される。

図１３は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部及びサステイン駆動部のスイチングタイミング図である。

ｔ１時点に、図１１のスキャン駆動部１０２の第４スイッチ（Ｑ４）がターンオンされて第１立下り信号供給部１３１ａのプリリセットランプスイッチ（Ｑ１１）がターンオンされれば、スキャン電極（Ｙ）にグラウンドレベルの電圧が供給される。以後、第１立下り信号供給部１３１ａのプリリセットランプスイッチ（Ｑ１１）のゲート端子に接続された可変抵抗（ＶＲ３）によってチャンネル幅が調節されれば、第１立下り信号が供給されて第１立下り信号はスキャン電圧（−Ｖｙ）の大きさより大きい大きさを持つ。

図１２に示すサステイン電圧供給制御部１４５の第１４スイッチ（Ｑ１４）がターンオンすれば、サステイン電圧（Ｖｓ）がサステイン電極（Ｚ）に供給される。サステイン電極（Ｚ）の電圧がサステイン電圧（Ｖｓ）まで立上りすることを易しくするためにエネルギー供給制御部１４１の第１２スイッチ（Ｑ１２）が時点ｔ１で瞬間的にターンオンされることができる。

また、ｔ２時点直前に第１４スイッチ（Ｑ１４）がターンオフしてエネルギー回収制御部１４２の第１３スイッチ（Ｑ１３）が瞬間的にターンオンすれば、エネルギーがエネルギー格納部１４０に回収される。

これによってｔ２時点でスキャン電極（Ｙ）に供給される第１下降波形の供給が終わって、サステイン電極（Ｚ）に供給されるサステイン電圧（Ｖｓ）の供給が終わる。また、ｔ２時点でスキャンエネルギー回収回路部１３６の第４スイッチ（Ｑ４）とパススイッチ（Ｑｐａｓｓ）がターンオンして基底電圧供給制御部１４５の第１５スイッチ（Ｑ１５）がターンオンすれば、スキャン電極（Ｙ） 及びサステイン電極（Ｚ）にグラウンドレベルの電圧が供給される。

ｔ３時点で第１５スイッチ（Ｑ１５）がターンオンした状態でパススイッチ（Ｑｐａｓｓ）、スキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）及び第5スイッチ（Ｑ５）がターンオンして、ＮＯＴ ＧＡＴＥ 論理素子によって第６スイッチ（Ｑ６）がターンオフする。 これによって、スキャン電極（Ｙ）にはスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）の大きさのような電圧大きさを持つセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）が供給される。

また、第5スイッチ（Ｑ５）がオンされると可変抵抗（ＶＲ１）によってチャンネル幅が調節されてセットアップ基準電圧（Ｖｓｅｔｕｐ−ｂａｓｅ）から漸進的に立上りする立上り信号がスキャン電極（Ｙ）に供給される。第１５スイッチ（Ｑ１５）が続いてターンオンすることでグラウンドレベルの電圧がサステイン電極（Ｚ）に続いて供給される。

ｔ４時点で第１５スイッチ（Ｑ１５）はターンオンした状態でパススイッチ（Ｑｐａｓｓ）、第５スイッチ（Ｑ５）及びスキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）がターンオフして、第３スイッチ（Ｑ３）及びプリリセットランプスイッチ（Ｑ１１）がターンオンしてＮＯＴ ＧＡＴＥ 論理素子によって第６スイッチ（Ｑ６）がターンオンする。

第３スイッチ（Ｑ３）のターンオンによってサステイン電圧（Ｖｓ）がスキャン電極（Ｙ）に供給される。そして、可変抵抗（ＶＲ３）によってチャンネル幅が調節されてスキャン電極（Ｙ）には第２立下り信号が供給される。第１５スイッチ（Ｑ１５）が続いてターンオンすることでグラウンドレベルの電圧が続いてサステイン電極（Ｚ）に供給される。

ｔ５時点が始まる直前に第２スイッチ（Ｑ２）が瞬間的にターンオンしてスキャン電極（Ｙ）からキャパシター（Ｃ１）に回収される。

ｔ５時点では第１５スイッチ（Ｑ１５）、第３スイッチ（Ｑ３）及びプリリセットランプスイッチ（Ｑ１１）がターンオフする。また、第４スイッチ（Ｑ４）、第７スイッチ(Ｑ７）、第１２スイッチ（Ｑ１２）及び第１３スイッチ（Ｑ１３）がターンオンする。

ｔ５時点でパススイッチ（Ｑｐａｓｓ）が瞬間的にターンオンすることでスキャン電極（Ｙ）に瞬間的にグラウンドレベルの電圧が供給されることでスキャン電極（Ｙ）の電圧は第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）になる。可変抵抗（ＶＲ２）によってチャンネル幅が調節されて第２セッダウン基準電圧（Ｖ４）から電圧が漸進的に立下りする第３立下り信号がスキャン電極（Ｙ）に供給される。

図１４は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部の動作を説明するためのもことである。図１４に示すように、サステイン駆動部１０３の第１２スイッチ（Ｑ１２）と第１３スイッチ（Ｑ１３）がターンオンすれば、エネルギー格納部（Ｃ３）からサステイン電極（Ｚ）に電流パス（Ｐａｔｈ）が形成される同時に、サステイン電極（Ｚ）からエネルギー格納部（Ｃ３）に電流パスが形成される。

これによってサステイン電極（Ｚ）の電圧がエネルギー格納部（Ｃ３）に格納されたエネルギーの電圧と等しくなるので図１３のｔ５時点以後にＶｓ／２の電圧がサステイン電極（Ｚ）に供給される。

ｔ６ 時点では、第４スイッチ（Ｑ４）が続いてターンオンして、パススイッチ（Ｑｐａｓｓ）が続いてターンオフする。また、第７スイッチ(Ｑ７）、第１２スイッチ（Ｑ１２）及び第１３スイッチ（Ｑ１３）がターンオフして、第１４スイッチ（Ｑ１４）、第８スイッチ（Ｑ８）及びスキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）がターンオンする。第６スイッチ（Ｑ６）は ＮＯＴ ＧＡＴＥ 論理素子によってターンオフする。

これによってスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）とスキャン電圧（−Ｖｙ）がスキャン電極（Ｙ）に供給されることでスキャン電極（Ｙ）の電圧は、スキャンバイアス電圧（＝ Ｖｓｃ−Ｖｙ）になる。またｔｓｃ１時点からｔｓｃ２時点の間、スキャン/セットアップ共通スイッチ（Ｑｃｏｍ）がターンオフして、第８スイッチ（Ｑ８）のターンオン状態が維持されるによってスキャン電圧（−Ｖｙ）がスキャン電極（Ｙ）に供給される。スキャン電極（Ｙ）の電圧はスキャンバイアス電圧（Ｖｓｃ−Ｖｙ）からスキャン電圧（−Ｖｙ）まで立下りする。これによってスキャン電極（Ｙ）にスキャン信号が供給される。また、第１４スイッチ（Ｑ１４）のターンオンによって第２サステインバイアス電圧（Ｖｚｂ２）にサステイン電圧（Ｖｓ）が供給される。

このように、前述した本発明の技術的構成は、本発明が属する技術分野の当業者が本発明のその技術的思想や必須特徴を変更しなくても他の具体的な形態で実施されることができるということを理解することができるであろう。

したがって、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なことで限定的なのではないこととして理解されなければならないし、本発明の範囲は前述の詳細な説明よりは特許請求範囲によって現わされて、特許請求範囲の意味及び範囲そしてその均等概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれると解釈されなければならない。

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示す図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置で供給する駆動信号を示す図。 ａ及びｂは本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってプリリセット期間の間スキャン電極に供給される電圧を示す図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってプリリセット期間の間サステイン電極に供給される電圧を示す図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動のためのプリリセット期間を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動のためのプリリセット期間を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動のためのプリリセット期間を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動のためのプリリセット期間を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセットアップ期間に供給されるセットアップ基準電圧を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセットアップ期間に供給される立上り信号の電圧を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセッダウン期間に供給される第１セッダウン基準電圧と第２セッダウン基準電圧を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってリセット期間のセッダウン期間に供給される第３セッダウン基準電圧を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置によってセッダウン期間に供給されるサステインバイアス電圧を説明するための図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部及びサステイン駆動部を示す図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部を示す 図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部及びサステイン駆動部のスイチングタイミング図。 本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部の動作を説明するための図。

Claims (23)

1. 第１電極及び第２電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
   フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドで電圧が漸進的に増加する立上り信号以前に、アドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号を前記第１電極に供給する第１電極駆動部と、
   前記第１立下り信号が供給されるうちに前記第２電極に前記第１立下り信号の極性と反対の極性を持つ第２信号を供給する第２電極駆動部と、
   を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. 前記第１立下り信号または前記第２信号は一番目サブフィールドから供給されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
3. 前記第１立下り信号の電圧大きさは前記スキャン電圧大きさの３倍以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
4. 前記第２信号の電圧大きさは、前記アドレス期間以後のサステイン期間に前記第１電極または前記第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいか又は小さいことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
5. 前記立上り信号はセットアップ基準電圧から立上りすることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
6. 前記セットアップ基準電圧の大きさは、アドレス期間に前記第１電極に供給されるスキャン基準電圧の大きさと実質的に等しいことを特徴とする、請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
7. 前記立上り信号の電圧は、
   サステイン期間に前記第１電極または第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさとアドレス期間に前記第１電極に供給されるスキャン基準電圧の大きさの合計と実質的に等しいことを特徴とする、請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
8. 前記第１電極駆動部は、
   前記少なくとも一つのサブフィールドで前記立上り信号の印加以後に漸進的に立下りする少なくとも一つの立下り信号を前記第１電極に供給することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
9. 前記少なくとも一つの立下り信号の電圧大きさは、サステイン期間に前記第１電極または第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
10. 前記少なくとも一つの立下り信号は、
    前記立上り信号と等しい極性を持って電圧が漸進的に減少する第２立下り信号と、前記立上り信号と反対極性を持って電圧が漸進的に減少する第３立下り信号とを含むことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
11. 前記一つの以上の立下り信号は、アドレス期間に前記第１電極に印加されるスキャン電圧大きさより小さな電圧大きさのネガチブ電圧を持つことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
12. 前記第２電極駆動部は、
    第１サステインバイアス電圧を前記少なくとも一つの立下り信号が供給される全体区間の一部区間で前記第２電極に供給して、
    前記第１サステインバイアス電圧の電圧大きさは、少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に第２電極に供給される第２サステインバイアス電圧の電圧大きさより小さいことを特徴とする、請求項８記載のるプラズマディスプレイ装置。
13. 前記第１サステインバイアス電圧は、前記少なくとも一つの立下り信号の電圧がグラウンドレベル電圧より小さな区間で前記第２電極に供給されることを特徴とする、請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
14. 前記第１サステインバイアス電圧の電圧大きさは、前記第２サステインバイアス電圧の電圧大きさの４０％乃至６０％であることを特徴とする、請求項１２記載の電極プラズマディスプレイ装置。
15. 前記第２サステインバイアス電圧は、前記少なくとも一つの立下り信号の供給終了時点からアドレス期間に最初に供給されるスキャン信号の供給時点の間の期間から供給を開始されることを特徴とする、請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
16. 前記第２サステインバイアス電圧の電圧大きさは、サステイン期間に前記第１電極または前記第２電極に供給されるサステイン信号の電圧大きさと実質的に等しいか又は小さいことを特徴とする、請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
17. 前記第１電極と前記第２電極の間の間隔は９０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
18. 前記第１電極と前記第２電極の間の間隔は１２０ｕｍ以上１５０ｕｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
19. 前記第２電極駆動部は
    前記アドレス期間以後のサステイン期間でサステイン信号の電圧を前記第２電極に供給するサステインエネルギー回収回路部を含み、
    前記サステインエネルギー回収回路部に含まれた少なくとも一つのキャパシターに充電された電圧を使って前記アドレス期間以前に所定電圧を供給することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
20. 前記所定電圧の大きさは前記サステイン信号の電圧大きさの１／２と実質的に同じことを特徴とする、請求項１９記載のプラズマディスプレイ装置。
21. 第１電極及び第２電極が形成されたプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
    フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドでは電圧が漸進的に減少する第１立下り信号をリセット期間以前に前記第１電極に供給する段階と、
    前記第１立下り信号が供給される間に前記第２電極に前記第１立下り信号と反対極性を持つ第２信号を供給する段階と、
    前記リセット期間以後のアドレス期間に前記第１立下り信号の電圧大きさより小さな電圧大きさを持つスキャン信号を前記第１電極に供給する段階を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
22. 前記第１立下り信号が供給される全体期間は前記第２信号が供給される一部期間と重なることを特徴とする、請求項２１記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
23. ９０ｕｍ以上１５０ｕｍ 以下の間隔を形成するスキャン電極及びサステイン電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
    フレームのサブフィールドの内で少なくとも一つのサブフィールドで電圧が漸進的に増加する立上り信号以前に、アドレス期間に印加されるスキャン電圧大きさより大きい電圧大きさを持つ第１立下り信号を前記スキャン電極に供給するスキャン駆動部と、
    前記第１立下り信号が供給されるうちに前記サステイン電極に前記第１立下り信号の極性と反対される極性を持つ第２信号を供給するサステイン駆動部と、
    を含むプラズマディスプレイ装置。