JP2007081140A - Mosイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板50表面の受光面に複数の光電変換素子51がマトリクス状に形成され奇数行の光電変換素子が偶数行の光電変換素子に対して1/2ピッチづつずらして配列されたMOSイメージセンサにおいて、受光面に渡って設けられ光電変換素子を避けるように形成された配線60,61,63,64であって各光電変換素子対応に設けられた信号読出回路に接続される配線のうち所定配線60,61を導電性ポリシリコン膜で形成する。導電性ポリシリコンは金属膜より低反射率のため、配線間の多重反射を抑制することができる。
【選択図】 図10
Description
(1)ハニカム配列のCMOSイメージセンサが容易に形成できる。
(2)ハニカムCCDにおいて使用した信号処理回路が適用できる。
(3)入射光の一部が金属配線層上で反射し迷光となって隣接画素に進入することを防止でき、混色や色再現性の劣化が無くなり、高画質の撮像が可能になる。
(5)下層のグローバル配線が平坦化されているので、その上に積層する信号線、カラーフィルタ、マイクロレンズ等のパターニング精度が向上し、歩留まりが向上し、微細化が容易になる。
(6)単位画素(ピクセル)内のコンタクト数が減少するので、フォトダイオード部の面積が圧迫されず、高感度化、画素微細化に適する。
31,50 半導体基板
32 受光領域
33 単位画素
33a フォトダイオード
34 雑音抑制回路
35 水平走査回路
36 制御パルス生成回路
37 垂直走査回路
41 水平方向のグローバル配線
42 垂直方向のグローバル配線
51 n領域
53 ゲート絶縁膜
54 素子分離領域
55,56 ソース,ドレイン
57 ゲート電極
59,60,61 低反射率導電性ポリシリコンでなるグローバル配線
62,65,67,69 平坦化膜
63,64 金属配線でなるグローバル配線
66 遮光膜
68 カラーフィルタ層
70 マイクロレンズ
Claims (13)
- 半導体基板表面の受光面に複数の光電変換素子がマトリクス状に形成され奇数行の前記光電変換素子が偶数行の前記光電変換素子に対して1/2ピッチづつずらして配列されたMOSイメージセンサにおいて、前記受光面に渡って設けられ前記光電変換素子を避けるように形成された配線であって各光電変換素子対応に設けられた信号読出回路に接続される配線のうち所定配線を導電性ポリシリコン膜で形成したことを特徴とするMOSイメージセンサ。
- 前記所定配線は制御信号線であることを特徴とする請求項1に記載のMOSイメージセンサ。
- 前記制御信号線は、信号読出回路が3トランジスタ構成の場合にはリセット線と行選択線、信号読出回路が4トランジスタ構成の場合にはリセット線と行選択線と行読出線であることを特徴とする請求項2に記載のMOSイメージセンサ。
- 前記所定配線以外の前記配線として電源線と出力信号線を金属線で形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 前記所定配線を複数本隣接して形成するとき配線間絶縁を前記導電性ポリシリコン膜の表面に形成した酸化膜で行う構成としたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 前記所定配線は前記光電変換素子を分離する素子分離領域の上に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 前記信号読出回路を構成するMOSトランジスタのゲート電極と前記所定配線とが一体に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 前記光電変換素子を避けるように水平方向または垂直方向に蛇行して形成された複数の前記配線の間が、前記受光面の周辺部に設けられた所要回路に接続される部分で等ピッチに形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 前記導電性ポリシリコンの代わりにシリサイドまたはサリサイドを用いることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のMOSイメージセンサ。
- 請求項1記載の所定配線を複数本隣接して製造するMOSイメージセンサの製造方法であって、第1層の前記導電性ポリシリコン膜を形成し、該導電性ポリシリコン膜を配線形状にパターニングし、配線形状にパターニングされた前記導電性ポリシリコン膜の表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に第2層の導電性ポリシリコン膜を積層し、該第2層の導電性ポリシリコン膜を配線形状にパターニングすることを特徴とするMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第2層の導電性ポリシリコン膜を形成した後に前記第1層の導電性ポリシリコン膜と重なる部分をCMPにより平坦化し、その後に前記第2層の導電性ポリシリコン膜をパターニングすることを特徴とする請求項10記載のMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記導電性ポリシリコンの代わりにシリサイドまたはサリサイドを用いることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のMOSイメージセンサの製造方法。
- 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のMOSイメージセンサを搭載したことを特徴とするデジタルカメラ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005267153A JP4832034B2 (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | Mosイメージセンサ |
US11/519,087 US7880787B2 (en) | 2005-09-14 | 2006-09-12 | MOS image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005267153A JP4832034B2 (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | Mosイメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081140A true JP2007081140A (ja) | 2007-03-29 |
JP4832034B2 JP4832034B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=37941114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005267153A Expired - Fee Related JP4832034B2 (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | Mosイメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4832034B2 (ja) |
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-
2005
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JP4832034B2 (ja) | 2011-12-07 |
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