JP2007080806A - 有機発光表示装置及び蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sと、基板S上に形成された薄膜トランジスタ170と、薄膜トランジスタ170上に形成された第1電極110と、第1電極110上に形成された有機物層130と、有機物層130上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してArガスにArより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層150とを備えている。
【選択図】図7
Description
すなわち、現在Alの熱蒸発蒸着工程に使用されるBN、PBNボート(boat)などは、1300℃でAlと反応を起こしたり高温冷却の時るつぼ内の均一がよく発生されるので、るつぼの安全性及び長期間使用が難しいという問題点がある。そして、1300℃の高温によって金属マスクや基板整列に影響を及ぼして蒸発源から基板までの距離を最大限離隔して工程を遂行するが蒸着速度が顕著に低下されるという問題点がある。
すなわち、結果的に螺旋運動によってターゲット1とターゲット2の間を往復運動するようになってプラズマ生成效率が極大化、すなわち、高密度のプラズマが生成される。
スパッタされた粒子も同様に重い非活性ガスと衝突してエネルギーを失うようになって低いエネルギーを持って有機物層上に蒸着される。このような低いエネルギーを持って蒸着される粒子によって有機物層には蒸着工程の時にも損傷が発生しない。
10,110,210 第1電極
30,130,230 有機物層
50、150、250 第2電極層
70,170,270 薄膜トランジスタ
171 ペッシベーション層
Claims (22)
- 基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第1電極と、
前記第1電極上に形成される有機物層と、
前記有機物層上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してArガスにArより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層と、
を備えたことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記Arより重い非活性ガスは、Kr、Xe及びRnのグループから選ばれる1種以上の物質であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記Arと前記Arより重い非活性ガスの混合比は、1:0.001〜1であることを特徴とする請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記Arに比べて前記Arより重い非活性ガスの混合比は、1:0.001〜0.55であることを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法の工程圧力は、0.1〜100mTorrであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法のターゲットは、Mg、Ag、Al、Li及びCa物質のグループから選ばれる1種以上の物質であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法のターゲットは、透明伝導性物質のグループから選ばれる1種以上の物質であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記透明伝導性物質は、ITOとドーピングされたITO、IZOと、ドーピングされたIZO及びZnOとドーピングされた ZnOを含む物質であることを特徴とする請求項7に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機物層上に蒸着される第2電極層は、多層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記多層で形成される第2電極層は、透明、 不透明及び透明/不透明混合のグループから選ばれる1種以上の物質から多層で形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法を利用してArガスにArより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着されて形成されるペッシベーション層と、
前記ペッシベーション層上に形成される第1電極と、
前記第1電極上に形成される有機物層と、
前記有機物層上に形成される第1電極層と、
を備えたことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記Arより重い非活性ガスは、Kr、Xe及びRnのグループから選ばれる1種以上の物質であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記Arに比べて前記Arより重い非活性ガスの混合比は、1:0.001〜1であることを特徴とする請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記Arと前記Arより重い非活性ガスの混合比は、1:0.001〜0.55であることを特徴とする請求項13に記載の有機発光表示装置。
- 前記ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法の工程圧力は、0.1〜100mTorrであることを特徴とする請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法のターゲットは、Si、Si酸化物系列、Si窒化物系列及びAl酸化物系列物質のグループから選ばれる1種以上の物質であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記Si酸化物系列は、SiO2を含み、前記Si窒化物系列はSiNxを含むことを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記ペッシベーション層は、多層で形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記多層で形成されるペッシベーション層は、Si、Si酸化物系列、Si窒化物系列及びAl酸化物系列物質のグループから選ばれる1種以上の物質が相互に多層で形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- Arガスを利用してターゲットをスパッタさせて基板上に蒸着させる蒸着方法において、
前記ArガスにArより重い非活性ガスを混合させたガスを使用し、前記スパッタリング法は、ボックスカソードスパッタリング法または対向ターゲットスパッタリング法であることを特徴とする蒸着方法。 - 前記ターゲットは、複数のペアが対向配列され、前記基板は、前記複数のペアのターゲットのそれぞれでスパッタされた物質が蒸着されるように並進運動または往復運動可能に構成されることを特徴とする請求項20に記載の蒸着方法。
- 前記基板は、その蒸着される面上に蒸着物質が多層で蒸着されることを特徴とする請求項21に記載の蒸着方法。
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