JP2005243604A - 有機エレクトロルミネセンス装置及びそれを製造する方法 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 6
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 5
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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Abstract
【課題】アノードおよびカソードを異なった基板の上に形成し、電極の電気導電性及び透明度を最適化し、電極の下の有機材料層の一体性を保持した有機エレクトロルミネセンス装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基板と、導電層と第2の基板とからなる有機エレクトロルミネセンス装置を提供する。第1の電極層と有機機能層とが第1の基板上に順次配置され、第2の電極層が第2の基板上に配置されている。導電層が機機能層と第2の電極層との間に挟まれている。第2の電極層は該導電層を介して有機機能層に電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】第1の基板と、導電層と第2の基板とからなる有機エレクトロルミネセンス装置を提供する。第1の電極層と有機機能層とが第1の基板上に順次配置され、第2の電極層が第2の基板上に配置されている。導電層が機機能層と第2の電極層との間に挟まれている。第2の電極層は該導電層を介して有機機能層に電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機エレクトロルミネセンス装置に関する。更に詳しく述べると、本発明は、電気的性質が改良された有機エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法に関する。
現代社会では、マルチメディアの人気は、半導体およびディスプレイ装置を製造する技術に多大に依存し、まさにその結果である。近年、高画質で、最適に空間を利用し、かつ低電力消費で放射線がなく作動できる点も含め多数の特別な品質のため、フラットパネルディスプレイが主流のディスプレイ製品として広く採用されるようになってきている。
多くのタイプのディスプレイは、フラットパネルディスプレイに属している。これらのものには、液晶ディスプレイ(LCD)、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ(OELD)及びプラズマディスプレイ(PDP)が含まれる。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、自己発光ドットマトリックスディスプレイタイプである。OELDの主要な特徴は、視角上の制限がなく、製造費が安く、応答速度が速く(液晶の応答速度の100倍までになる)、電力消費が少なく、DC駆動電圧が低く、作動温度範囲が高く、重量が軽く、小型化が容易でかつ迅速に行える。したがって、OELDは次世代のフラットパネルディスプレイの主流タイプとなる可能性が一番高い。
典型的には、有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、底部発光タイプと頂部発光タイプに分類することができる。OELDの底部発光タイプのものは透明アノードと、有機材料層と金属カソード層を基板上に順次形成している。有機材料層からの光は可能なあらゆる方向に放出されるが、頂部に向かった光は金属カソード層によって下方に反射される。最終的には、大部分の光は、透明なアノード層を通過後にOELDの底部から放出される。逆に、カソードを透明な材料から形成し、アノードを金属で形成すれば、有機材料層から底部に向かったいずれの光も金属アノード層によって上方に放出される。したがって、大部分の光は、透明なカソード層を通過後にOELDの頂部から放出される。さらに、透明な材料を用いて上部及び下部電極層を形成して光をディスプレイの両面から放出するようにすることもできる。このタイプのOELDは、しばしば両面OELDと呼ばれる。
一般に、金属は電気伝導度が大きいので、電極を形成するのに適した材料である。可視光に対する金属層の透過率は小さいので、有機エレクトロルミネセンスディスプレイにおいては、光が電極を出ることができるように、電極の厚さは厳格に制限されなければならない。電極の電気伝導度はその厚さに直接比例するので、電極の厚さを小さくすると、電気伝導度が低下することになる。
上記問題を解決するために、透明な導電性酸化物(TCO)を用いて、有機エレクトロルミネセンスディスプレイの導電性電極を作成する。しかしながら、TCO物質は結合力が強く融点が高いので、熱蒸発法を実施してTCOフィルムを作成するのは困難である。高エネルギーの電子流あるいはスパッタリング法を用いてTCOフィルムを形成すると、TCOフィルムと有機材料層との界面に欠陥が含まれる可能性が大きくなる。したがって、フィルムをゆっくりと析出しなければならないが、プロセスの時間が長くなってしまう。有機材料層をバッファー層によって保護することもできるが、新たに設けたバッファー層によって発光層からの電子ホール結合位置をずらし、その結果発光効率が低下する可能性がある。レーザ蒸発方法を展開する場合には、該物質のレーザ吸収特性を考慮しなければならない。したがって、コーティング速度に制限を設けなければならない。
さらに、電気導電性が大きく透明性が高いTCO材料を作成するには、温度及び環境因子を注意深く検討する必要がある。このことは、導電性が大きく透明なTCO材料は、非常に高温でかつ水素あるいは他の反応性ガスを供給することによってのみ成長する。なお、これらの処理条件において、電極の下の有機材料層のある部分ははがれて、装置の性能に影響がでる可能性がある。
したがって、本発明の少なくとも一つの目的は、アノードおよびカソードを異なった基板の上に形成し、電極の電気導電性及び透明度を最適化し、電極の下の有機材料層の一体性を保持した有機エレクトロルミネセンス装置を提供することを目的とする。
本発明の少なくとも第2の目的は、他のフィルムに損傷を与えることなく電気導電性が高くかつ光透明性が大きい電極を形成でき、有機エレクトロルミネセンス装置の発光効率を向上することができる、有機エレクトロルミネセンスの製造方法を提供することにある。
これらの利点及び他の利点を達成するため、本発明の目的によれば、本明細書で具体化されかつ広く記載されているように、本発明は有機エレクトロルミネセンス装置を提供するものである。有機エレクトロルミネセンス装置は、主として第1の基板と、導電層と第2の基板とからなる。第1の基板はその上に積層された第1の電極層と有機機能層とを有する。第2の基板は第2の電極層を有する。導電層は機機能層と第2の電極層との間に挟まれて位置している。第2の電極層は該導電層を介して有機機能層に電気的に接続されている。
本発明は、また有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法を提供するものである。第1に、第1の電極層を第1の基板上に形成し、次に有機機能層を第1の電極層上に形成する。そして、有機機能層に対する損傷を防止するために第2の基板上に第2の電極層を形成する。最後に第1の基板と第2の基板とを一緒にくっ付け、第2の電極層と有機機能層とを電気的に接続する。
本発明の実施態様によれば、低作業機能物質層を有機機能層上に形成することによって、有機機能層へのキャリヤの注入エネルギーバリアが低減され、装置の性能が改善される。
本発明の実施態様によれば、有機エレクトロルミネセンス装置が能動発光装置である。第1の基板は、例えばデータライン及び走査ラインを介して連結される薄いフィルムトランジスタ等の能動装置のアレイを有する基板である。第1の電極層は第1の基板上にあり、能動有機エレクトロルミネセンス装置のピクセル電極であり、第2の電極層は例えば共通電極である。
本発明の実施態様によれば、有機エレクトロルミネセンス装置は、例えば受動発光装置である。第1の電極層は複数の帯状電極からなり、第2の電極層は複数の第2の帯状電極層からなる。第1の帯状電極は互いに平行になっている。同様に、第2の帯状電極は互いに平行となっている。しかしながら、第1の帯状電極は、第2の帯状電極と異なった方向に延びている。好ましくは、各第1の帯状電極は、第2の帯状電極に対して直角に交差し、各重複領域は長方形の発光領域を形成する。
本発明の実施態様によれば、導電層を、第2の電極層を有機機能層に電気的に連結することを可能とする異方性導電性フィルム(ACF)あるいは他のタイプのフィルムとする。
本発明の実施態様によれば、第1の電極層と第2の電極層とを、例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウムあるいは酸化スズ等の透明な導電物質を用いて形成する。
本発明の実施態様によれば、第1の基板と第2の基板とを一緒にくっ付ける方法は、第2の電極層と有機機能層との間に導電層を形成する工程を含む。その後で、第2の電極層と導電層とを互いにプレス接着し、第2の電極層を有機機能層に対して導電層を介して電気的に接続する。
本発明の実施態様によれば、第2の電極層を形成する方法は、化学的蒸着法あるいは物理的蒸着法を行う工程を含む。さらに、有機機能層は低分子量化合物あるいは高分子量化合物物質層からなる。低分子量化合物材料を形成する方法は、蒸着、プラズマ重合、ディップコーティングあるいはスピンコーティングによる。前記高分子量化合物材料を形成する方法は、インクジェット、ディップコーティング、あるいはスピンコーティングとする。
本発明では、有機エレクトロルミネセンス装置の両電極は2つの別々の基板に形成するので、電極形成工程は下のフィルム層に損傷を与えないようにとの要請によってなんら制限されることはない。したがって、より良好な電気特性を有する電極層が形成され、究極的に、有機エレクトロルミネセンス装置の発光効率が向上することになる。
発明の上記一般的な記載及び以下の詳細な説明は例示的なもので、請求項記載の本発明を更に説明することを意図するものである。
図面は本発明を更によく理解するために添付しており、本明細書の中に組み入れられ本明細書の一部を構成するものである。本図面は本発明の実施態様を図示するもので、明細書の記載と相俟って本発明の原理を説明することを意図されている。
以下に、本発明の現在好ましいとされる実施態様について詳細に説明を加える。実施態様の例が添付する図面に図示されている。可能であればいつでも、図中同一の参照番号を用いて、以下の説明で同一あるいは類似の部材に言及する。
本発明において、有機エレクトロルミネセンス装置の2つの電極は2つの別々の基板に形成されるので、電極形成工程は下のフィルム層に損傷がでることを防止することができる。以下に、本発明の実施態様を用いて、有機エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法を説明する。しかしながら、本発明の範囲は、それらのものに限定されない。
図1は、本発明の好ましい一実施態様に係る有機エレクトロルミネセンス装置を製造する工程を示す模式的な横断面図である。図1Aに示すように、第1の電極層104及び有機機能層106は、基板102の上に順次形成される。第1の電極層104は、例えば、化学的蒸着(CVD)法あるいは熱蒸発法、電子ビームコーティング法あるいはスパッタリング法等の物理的蒸着(PVD)法を行うことによって形成する。本実施態様では、低作業機能材料層312をさらに有機機能層の上に形成することによって、有機機能層へキャリヤの注入エネルギーバリアを低減し、装置の性能を改善することもできる。カルシウム(Ca)、マグネシウム銀合金(Mg:Ag)、アルミニウムリチウム合金(Al:Li)あるいはリチウムフッ化物/アルミニウム複合合金を用いて、例えば物理的蒸着方法により低作業機能材料層312を形成する。
特に、第1の電極層104は、有機エレクトロルミネセンス装置が底部発光タイプかあるいは頂部発光タイプかにより、金属材料あるいは透明な導電性材料によって形成することができる。いわゆる透明な導電性材料は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウムあるいは酸化スズとすることができる。さらに、透明導電材料は融点が高くかつ接着強度が大きいので、電子ビームコーティング法あるいはスパッタリング法あるいは高温フィルム形成法によって他のフィルム層に損傷を与えることなく第1の基板102の上に第1の電極層104を形成することができる。析出工程後に、高温で透明導電性層をアニールして、第1の電極層104の電気特性を改良することができる。
例えば、真空あるいは熱蒸発法、スピンコーティング法あるいは他の析出法を行うことによって、有機機能層106を形成する。当業者であれば、選択した材料により適当な析出法を選択することができる。例えば、低分子量化合物を用いて有機機能層106を形成した場合、選択する方法は、ドライ真空蒸発法あるいはウエットディップコーティング法あるいはウエットスピンコーティング法となる。逆に、有機機能層106を高分子量化合物で形成した場合は、選択する方法はディップコーティング法、スピンコーティング法あるいは他のタイプのコーティング法となる。
本実施態様では、第1の電極層104はアノード層であり、有機機能層106は第1の電極層の上にある複合積層体であり、底部から頂部に渡って、ホールインジェクション層(HIL)112、ホール移送層(HTL)114、発光層(EL)116、電子移送層(ETL)118と電子インジェクション層(EIL)120とからなる。しかしながら、本発明の他の実施態様では、有機機能層106を単一層(図2Aに示すような双極発光層216a)、2重層(図2Bに示すようなホール移送層114と電子移送発光層216bとからなる)あるいは3重層(図2Cに示すようにホール移送層114と、発光層116と電子移送層118からなる)とすることもできる。当業者であれば、主として種々の物質の層のエネルギーレベル分布によって、有機機能層106の積層層の数を決定できることに気づくであろう。したがって、本発明の有機機能層106で用いる積層層の数には特に制限を設けない。一般に、積層層の数は、現実の装置の設計に左右される。
図1Bに示すように、第2の基板122の上に第2の電極層110を形成する。本実施態様では、第2の電極層110は、例えばカソード層である。図1Aに示す第1の電極層104と同様、金属材料あるいは透明な導電材料を用いて第2の電極層110も形成することができるは明らかである。第2の電極層110は第2の基板の上に別に形成するので、有機機能層106に影響を与えずに高エネルギー法を用いて第2の電極層110を形成することができる。したがって、第1の電極層104を形成するのに用いた方法と類似または同一の方法を用いて、第2の電極層110を形成することができる。言い換えると、電子ビームコーティング法あるいはスパッタリング法を用いて、第2の基板122の上に第2の電極層110を形成することができる。高エネルギー法によってフィルムを素早く形成することができるので、第2の電極層110に対する処理時間をかなり短縮することができる。更に、有機機能層の品質が第2の電極層110を形成する際の制限となることはなくなる。その結果、第2の電極層110は、収率を向上させるのにより広い処理ウインドウを有することができる。
図1Cに示すように、第1の基板102と第2の基板122を一緒に接着して、第2の電極層110と有機機能層106とを電気的に結合する。第1の基板102と第2の基板122とを一緒に接着する方法は、第2の電極層110と有機機能層106の間に導電層108を設ける工程を含む。その後で、第1の基板102と第2の基板122とを一緒に一定のかつ適当な圧力及び温度で加圧する。ここでは、導電層108は、第2の電極層110と有機機能層106とを一緒に電気的に連結することが可能なフィルム材料であればいずれのタイプのもの包含する。第2の電極層110と有機機能層106との間の電気的な結合を安定化させるため、異方性導電性フィルム(ACF)あるいは機能的に同様なフィルムを導電層108として選択することができる。一般に、異方性導電性フィルムは、多数の導電性粒子を含む。第2の基板122と第1の基板102とが一緒に接着される際に、導電層108の内部の導電粒子130は第2の電極層110に直接接触し、有機機能層106は低作業機能材料層312を介して間接的に接触する。言い換えると、導電層108は第2の電極層110と有機機能層106の間の導電性媒体として作用する。このようにして、有機エレクトロルミネセンス装置100が製造される。
したがって、上記製造方法によれば、図1Cに示す有機エレクトロルミネセンス装置100を製造する。以下に、有機エレクトロルミネセンス装置100の構造を詳細に開示する。
図1Cに示すように、本発明の有機エレクトロルミネセンス装置100は、主として第1の基板102と、導電層108と第2の基板122とを有する。第1の電極層104と、有機機能層106と低作業機能材料層312が順次第1の基板102の上に積層されている。第2の電極層110が第2の基板122の上に設けられている。導電層108は第2の電極層110と有機機能層106との間に挟まれており、第2の電極層110と有機機能層106は導電層108によって電気的に連結されている。低作業機能材料層312は有機機能層の上に形成されており、有機機能層へのキャリヤの注入エネルギーバリアが低減され、装置の性能が改善される。例えば、導電層108は、異方性導電性フィルム(ACF)とする。
さらに、第1の電極層104と第2の電極層110を形成するのに用いられるタイプの材料は、有機エレクトロルミネセンス装置の発光タイプによっておおむね決定される。例えば、有機エレクトロルミネセンス装置が頂部発光タイプであれば、金属材料を用いて第1の電極層104を形成し、一方透明導電材料を用いて第2の電極層110を形成する。この設計において、有機機能層106からの光は第1の電極層104によって頂部へ反射される。したがって、全ての光線は、第2の基板122から放出される。いわゆる透明導電性材料は、例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウムあるいは酸化スズとすることができる。一方、有機エレクトロルミネセンス装置を底部発光タイプとすれば、透明の導電性材料を用いて第1の電極層104を形成し、一方金属材料を用いて第2の電極層110を形成する。このように設計することによって、有機機能層106からの光は第2の電極層110によって底部に反射される。したがって、全ての光線は第1の基板102から放出される。上記頂部発光タイプあるいは底部発光タイプかは別にして、透明な導電性材料を使用して第1電極層104と第2の電極層110を形成することによって、両面有機エレクトロルミネセンス装置を製造することができる。
有機エレクトロルミネセンス装置100は能動有機エレクトロルミネセンス装置あるいは受動有機エレクトロルミネセンス装置とすることができることに留意すべきである。以下に、能動および受動エレクトロルミネセンス装置について述べる。第1の電極層と、第2の電極層と、有機機能層と、導電層と低作業機能材料層との材料及び形成方法を上記実施態様で記載したので、詳細についてはここでは繰り返さない。
図3は、図1Cにおいて有機エレクトロルミネセンス装置の例として作動する能動有機エレクトロルミネセンス装置の一部の分解図である。図3の能動有機エレクトロルミネセンス装置300は、主として第1の基板302と、第2の基板122と導電層108とからなる。第1の基板302は、その上に能動装置のアレイを有する基板である。例えば、第1の基板302は、基板301と、複数の薄いフィルムトランジスタ306と、複数の走査線308と複数のデータ線309とから薄フィルムトランジスタアレイ基板とすることができる。一般に、第1の電極層304は、ピクセル電極として基板301の上に配置されるアノードである。低作業機能材料層312は、有機機能層106の上に配置されて有機機能層へのキャリヤの注入エネルギーバリアを低減し、装置の性能が改善する。
本発明の薄いフィルムトランジスタ306は、チャネル層(図示せず)を形成する材料によって非晶質シリコン薄フィルムトランジスタと低温ポリシリコン薄フィルムトランジスタとに分類することができることに留意すべきである。さらに、薄フィルムトランジスタ306は、チャネル層とゲートとの間の相関関係によって頂部ゲート薄フィルムトランジスタと底部ゲート薄フィルムトランジスタとに分類することができる。能動有機エレクトロルミネセンス装置において使用できるトランジスタのタイプには制限がない。能動有機エレクトロルミネセンス装置のアノード及びカソードが2つの別の基板に形成される限りは、どのようなものであっても本発明の範囲に含まれる。
図4は、図1Cにおいて有機エレクトロルミネセンス装置の例として作動する受動有機エレクトロルミネセンス装置の一部の分解図である。図4の受動有機エレクトロルミネセンス装置400は、第1の基板402と、第2の基板122と導電層108とからなる。第1の電極層404と、有機機能層106と低作業機能材料層312とが順次第1の基板402に積層される。第2の電極層401は、第2の基板122の上に配置される。第1の電極層404は、複数の第1の帯状電極404aからなり、第2の電極層410は、複数の第2の帯状電極410aからなる。第1の帯状電極404aは互いに平行となっている。同様に、第2の帯状電極410aは互いに平行となっている。しかしながら、第1の帯状電極404aは、第2の帯状電極410aとは異なる方向に延びている。好ましくは、各第1の帯状電極404は、第2の帯状電極410に対して直角に横断し、各重複部分に長方形の発光領域を形成することが好ましい。
本発明では、有機エレクトロルミネセンス装置の両電極を、2つの別の基板に形成して、下にあるフィルム層に損傷を与えないようにする要請によって電極形成プロセスが制限を受けることがないようにしている。したがって、有機作業層の品質によって処理条件はもはや制限されないので、電極形成プロセスは制限を受けず、有機エレクトロルミネセンス装置の処理ウインドは広がる。たとえば、高エネルギーあるいはプラズマコーティングプロセスを用いて、透明な導電性材料を使用した電極をより短い時間で形成することができる。さらに、高温フィルム形成法および高温アニール法を行って電極の電気特性および光透過性を改良することもできる。
要するに、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス装置を製造する方法によって、有機機能層に対して損傷が生ずるのを防止し、したがって生産性が高められる。さらに、本方法によって、より良好な電気特性並びに光透明性を有する電極が製造される。究極的に、有機エレクトロルミネセンス装置からの発光効率を向上する。
本発明の範囲および精神から逸脱することなく本発明の構造に対して種々の変形、変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。上述の内容を考慮すると、特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内に入る限り、本発明は種々の変形および変更を包含することを意図するものである。
102,302・・・基板
104・・・第1の電極層
106・・・有機機能層
108・・・導電層
110・・・第2の電極
112・・・ホールインジェクション層
114・・・ホール移送層
116・・・発光層
118・・・電子移送層
120・・・電子移送層
122・・・第2の基板
312・・・低作業機能材料層
104・・・第1の電極層
106・・・有機機能層
108・・・導電層
110・・・第2の電極
112・・・ホールインジェクション層
114・・・ホール移送層
116・・・発光層
118・・・電子移送層
120・・・電子移送層
122・・・第2の基板
312・・・低作業機能材料層
Claims (18)
- 第1の電極層と有機機能層とを有し、かつ該第1の電極層と該有機機能層とが上に順次配置された第1の基板と、第2の電極層をその上に配置した第2の基板と、有機機能層と第2の電極層との間に設けた導電層とからなり、第2の電極層は該導電層を介して有機機能層に電気的に接続されている、有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記第1の基板はその上に複数の能動素子のアレイを有する基板であり、第1の電極層は複数のピクセル電極を有し、第2の電極層は共通電極として作用する、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記第1の電極層は平行に配列した複数の第1の帯状の電極からなり、前記第2の電極層は平行に配列した複数の第2の帯状の電極からなり、第1の帯状電極は第2の帯状電極と直交する方向に延びている、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記導電層が異方性導電性フィルムからなる、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記第1の電極層は透明な導電性材料からなる、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記透明な導電性材料はインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウムあるいは酸化スズである、請求項5の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記第2の電極層は透明な導電性材料からなる、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記透明な導電性材料はインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化インジウムあるいは酸化スズである、請求項7の有機エレクトロルミネセンス装置。
- さらに有機機能層上に配置した低作業機能物質層を含む、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 前記低作業機能物質層はカルシウム、マグネシウム銀合金、アルミニウムリチウム合金あるいはリチウムフッ化物/アルミニウム複合合金である、請求項1の有機エレクトロルミネセンス装置。
- 第1の基板を準備する工程と、該第1の基板上に順次第1の電極層及び有機機能層を形成する工程と、第2の基板を準備する工程と、該第2の基板上に第2の電極層を形成する工程と、第1の基板と第2の基板とを一緒に接着して、第2の電極層と有機機能層とを電気的に接続する工程からなる、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
- 第1の基板と第2の基板とを一緒に接着する工程は、第2の電極層と有機機能層との間に導電層を入れ第2の電極層と有機機能層とを導電層を介して電気的に接続する、請求項11の方法。
- 第2の基板上に第2の電極層を形成する工程は、化学的蒸着法あるいは物理的蒸着法を行うことによる、請求項11の方法。
- 前記有機機能層は、高分子量化合物材料からなる、請求項11の方法。
- 前記高分子量化合物材料を形成する工程は、ディップコーティング、インクジェットあるいはスピンコーティングによって行う、請求項11の方法。
- 有機機能層は低分子量化合物材料からなる、請求項11の方法。
- 前記低分子量化合物材料を形成する工程は、蒸着、プラズマ重合、ディップコーティングあるいはスピンコーティングによる、請求項11の方法。
- 第1の基板上に順次第1の電極層と有機機能層とを形成した後、さらに低作業機能材料層を該有機機能層上に形成する、請求項11の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW093104548A TWI273710B (en) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005243604A true JP2005243604A (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=34859722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004184781A Pending JP2005243604A (ja) | 2004-02-24 | 2004-06-23 | 有機エレクトロルミネセンス装置及びそれを製造する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050184650A1 (ja) |
JP (1) | JP2005243604A (ja) |
TW (1) | TWI273710B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179020A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-09-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機光電子素子 |
KR20140119626A (ko) * | 2013-04-01 | 2014-10-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 투명 도전 필름 및 전기 디바이스 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721948B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US8044571B2 (en) * | 2005-12-14 | 2011-10-25 | General Electric Company | Electrode stacks for electroactive devices and methods of fabricating the same |
US20070281375A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
KR20080002338A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법 |
US20080174806A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Harpreet Singh | System and method for accessing electronic documents via a document processing device |
AT505688A1 (de) * | 2007-09-13 | 2009-03-15 | Nanoident Technologies Ag | Sensormatrix aus halbleiterbauteilen |
CN111682051A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-18 | 昆明京东方显示技术有限公司 | 硅基有机电致发光显示基板及其制作方法、显示面板 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2004095507A2 (en) * | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Zheng-Hong Lu | Light-emitting devices with an embedded charge injection electrode |
-
2004
- 2004-02-24 TW TW093104548A patent/TWI273710B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-02 US US10/709,850 patent/US20050184650A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-23 JP JP2004184781A patent/JP2005243604A/ja active Pending
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KR101593779B1 (ko) | 2013-04-01 | 2016-02-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 투명 도전 필름 및 전기 디바이스 |
US9645454B2 (en) | 2013-04-01 | 2017-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent conductive film and electric device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200529437A (en) | 2005-09-01 |
TWI273710B (en) | 2007-02-11 |
US20050184650A1 (en) | 2005-08-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |