JP2007075931A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電極13は、半導体基板11上に形成されている。第2の電極18は、記第1の電極と所定間隔離間して形成され、少なくとも1つの開口部20を有している。アクチュエータ層16は、第2の電極18に接続され、第2の電極18を駆動する。
【選択図】 図1
Description
図1、図2は、第1の実施形態に係る半導体装置、例えば可変容量を示すものであり、図1は平面図、図2は図1のII−II線に沿った断面図である。
この後、図18に示すように、開口部19を介して例えば充填材21がウェットエッチングにより除去され、層間絶縁膜14内に開口部14aが形成される。充填材21の除去方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。充填材21が例えばポリシリコンの場合、ケミカルドライエッチング(CDE)を用いて除去することも可能である。
図20に示すように、このレジストパターン23及び上部電極18をマスクとして、例えばRIEにより、層間絶縁膜17及び支持部16−1が除去され、ダミーパターン15に対応した開口部20が形成される。これと共に、層間絶縁膜17、アクチュエータ層16のうち、開口部14aの長手方向に沿った両端部が、開口部14aの短手方向の幅より若干内側で平行に除去される。このため、図1に示すように、アクチュエータ層16が開口部14aを跨ぐように形成される。
次に、図22乃至図29を参照して、第2の実施形態について説明する。
次に、図23に示すように、層間絶縁膜上に上部電極18の電極材料18aが形成される。この後、図24に示すように、電極材料18aがCMPにより平坦化され、上部電極18が形成される。
この後、図28に示すように、開口部19を介して例えば充填材21がウェットエッチングにより除去され、層間絶縁膜14内に開口部14aが形成される。充填材21の除去方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。充填材21が例えばポリシリコンの場合、ケミカルドライエッチング(CDE)を用いて除去することも可能である。
図30は、変形例を示している。上記第1、第2の実施形態は、本発明を可変容量に適用した場合を示した。これに対して、図30は、第1の実施形態を例えばリレーに適用した例を示している。
Claims (5)
- 半導体基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極と所定間隔離間して形成され、少なくとも1つの開口部を有する第2の電極と、
前記第2の電極に接続され、前記第2の電極を駆動するアクチュエータ層と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の電極と第2の電極の間に形成された少なくとも1つのダミーパターンをさらに具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ダミーパターンは、前記開口部と対応した位置に形成されることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 半導体基板上に少なくとも1つのダミーパターンを形成し、
前記ダミーパターンを充填材により覆い、
前記充填材の表面を前記ダミーパターンと同等の高さに平坦化し、
前記充填材上にアクチュエータ層を形成し、
前記アクチュエータ層の前記充填材と対応する位置に第1の開口部を形成し、
前記第1の開口部から前記充填材を除去し、
前記ダミーパターンに対応する位置に前記ダミーパターンが挿入可能な少なくとも1つの第2の開口部を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に少なくとも1つのダミーパターンを形成し、
前記ダミーパターンを充填材により覆い、
前記充填材表面を前記ダミーパターンと同等の高さに平坦化し、
前記充填材上にアクチュエータ層を形成し、
前記アクチュエータ層の前記充填材と対応する位置に第1の開口部を形成し、
前記第1の開口部から前記充填材を除去し、
前記第1の開口部から前記ダミーパターンを除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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