JP2007065503A - Resist composition - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a resist composition having dry etching resistance, that is less likely to cause collapse of a resist pattern, capable of preventing acid leaching, and is superior in basic properties as a resist. <P>SOLUTION: The resist composition contains a polymer, having at least one kind of repeating unit derived from an acrylic ester derivative or the like and having an acid dissociable group which increases the solubility with respect to alkali developer by the action of an acid, and a crosslinking agent or a crosslinking initiator. The polymer, having the acid dissociable group, is a compound containing an oxygen-containing monocyclic derivative or a sulfur-containing cyclic derivative inside a molecule. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はレジスト組成物に関し、特に化学増幅型のレジスト組成物に関する。   The present invention relates to a resist composition, and more particularly to a chemically amplified resist composition.

近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィ技術の進歩により急速に微細化が進んでいる。微細化の手法としては一般に露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来はｇ線やｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在ではＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）に代表される遠紫外線が量産に導入されている。   In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, miniaturization has rapidly progressed due to advances in lithography technology. As a technique for miniaturization, the wavelength of an exposure light source is generally shortened. Specifically, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used in the past, but now far-ultraviolet rays typified by KrF excimer laser (248 nm) and ArF excimer laser (193 nm) have been introduced into mass production. ing.

これらを線源とするレジストには、微細な寸法のパターンを再現可能な高解像性と、感度の高さが求められている。このような条件を満たすレジストの１つとして酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するベース樹脂と、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物が知られている。   A resist using these as a radiation source is required to have high resolution and high sensitivity capable of reproducing a pattern with a fine dimension. As one of the resists satisfying such conditions, a chemically amplified positive resist composition containing a base resin whose alkali solubility is increased by the action of an acid and an acid generator that generates an acid upon exposure is known.

化学増幅型ポジ型レジストでは、露光によりレジスト中の酸発生剤から酸が発生し、その酸とベース樹脂との反応が生じる。露光後のベーク処理により、酸触媒連鎖反応が進行し、ベース樹脂のアルカリ溶液に対する溶解性が変化する。これにより従来の非化学増幅型レジストと比較して非常に高い感度を出すことができる。   In a chemically amplified positive resist, an acid is generated from an acid generator in the resist by exposure, and a reaction between the acid and the base resin occurs. The acid-catalyzed chain reaction proceeds by baking after exposure, and the solubility of the base resin in the alkaline solution changes. Thereby, very high sensitivity can be obtained as compared with the conventional non-chemically amplified resist.

レジストには解像度のほか、感度やドライエッチ耐性、パターンの低ラインエッジラフネス、パターンの低粗密依存性などの諸特性が要求されている。特に、微細なパターンほど、レジストのアスペクト比が高くなるため、レジストパターンの倒れが顕著になる。さらに、レジストパターン倒れ防止のためには、レジストの膜厚を減少させる必要があることから、レジストのドライエッチング耐性が求められている。   In addition to resolution, resists are required to have various characteristics such as sensitivity, dry etch resistance, low line edge roughness of the pattern, and low density dependency of the pattern. In particular, the finer the pattern, the higher the aspect ratio of the resist. Furthermore, in order to prevent the resist pattern from collapsing, it is necessary to reduce the film thickness of the resist, so that resistance to dry etching of the resist is required.

レジストのパターン倒れ防止には、現像処理後のリンス処理に表面張力の少ない界面活性剤を使用する方法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。また、酸解離性基含有重合体の構造からパターン倒れ防止やドライエッチング耐性向上を行う開発も行われている（例えば、特許文献２を参照。）。
特開２００４−１８４６４８号公報 特開２００５−３１５６４号公報 In order to prevent resist pattern collapse, a method is known in which a surfactant having a low surface tension is used for rinsing after development (see, for example, Patent Document 1). Further, development for preventing pattern collapse and improving dry etching resistance from the structure of the acid-dissociable group-containing polymer has been carried out (see, for example, Patent Document 2).
JP 2004-184648 A JP 2005-31564 A

しかしながら、特許文献１に示されるような方法においては、本来のリソグラフィプロセスに対して工程数が多くなり、半導体製造における時間とコストを要する等の問題がある。また、特許文献２に示されるような方法においては、本来レジストに必要な感度、解像度などの諸特性を満たし、且つ十分にパターン倒れ防止且つドライエッチング耐性向上を可能とするには不十分であるという問題がある。   However, the method disclosed in Patent Document 1 has a problem that the number of steps is larger than that of the original lithography process, and time and cost are required in semiconductor manufacturing. In addition, the method disclosed in Patent Document 2 is insufficient to satisfy various characteristics such as sensitivity and resolution originally required for a resist, and to sufficiently prevent pattern collapse and improve dry etching resistance. There is a problem.

本発明は、前記従来の問題を解決し、ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにすることを目的とする。   The present invention solves the above-mentioned conventional problems, has dry etch resistance, resist patterns are not easily collapsed, can prevent acid elution, sensitivity, resolution, dry etch resistance, pattern shape, line edge roughness, etc. An object of the present invention is to realize a resist composition having excellent basic characteristics as a resist.

前記の目的を達成するため、本発明はレジスト組成物を、分子内又は分子間に架橋を形成する重合体を含有する構成とする。   In order to achieve the above object, the present invention comprises a resist composition containing a polymer that forms a crosslink within or between molecules.

具体的に本発明のレジスト組成物は、（Ａ）一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体及び（Ｂ）架橋剤又は架橋開始剤を含有し、重合体（Ａ）は、分子内に含酸素単環系誘導体又は含硫黄環系誘導体を含む化合物であることを特徴とする。   Specifically, the resist composition of the present invention comprises (A) a polymer having at least one repeating unit represented by the general formula (I) and having an acid-dissociable group that increases the solubility in an alkali developer and ( B) A crosslinking agent or crosslinking initiator is contained, and the polymer (A) is a compound containing an oxygen-containing monocyclic derivative or a sulfur-containing ring derivative in the molecule.

本発明のレジスト組成物は、（Ａ）重合体及び（Ｃ）架橋剤又は架橋開始剤を含有しているため、任意の温度で加熱することにより、（Ａ）重合体が架橋反応を起こす。従って、後に続く露光処理及び現像処理により得られるレジストパターンの未露光部は、樹脂のが架橋反応により硬化しているので、アスペクト比が高いレジストパターンにおいても倒れにくくなる。また架橋反応により未露光部の樹脂の分子量が大きくなるためドライエッチング耐性も向上する。一方で、露光部は架橋基ごと脱保護反応をするため、感度及び解像度とも架橋による影響は無く、従来のレジスト組成物と同等の特性が得られる。その結果レジストが持つ諸特性に加えて、ドライエッチ耐性向上、パターン倒れ防止、酸の溶出防止などの諸特性を満たすことができる。   Since the resist composition of the present invention contains (A) a polymer and (C) a crosslinking agent or a crosslinking initiator, the (A) polymer causes a crosslinking reaction by heating at an arbitrary temperature. Accordingly, the unexposed portion of the resist pattern obtained by the subsequent exposure processing and development processing is hard to fall even in a resist pattern having a high aspect ratio because the resin is cured by a crosslinking reaction. Further, since the molecular weight of the resin in the unexposed area is increased by the crosslinking reaction, the dry etching resistance is also improved. On the other hand, since the exposed portion undergoes a deprotection reaction together with the crosslinkable group, sensitivity and resolution are not affected by the crosslinkage, and characteristics equivalent to those of conventional resist compositions can be obtained. As a result, in addition to the various characteristics of the resist, various characteristics such as improved dry etch resistance, prevention of pattern collapse and prevention of acid elution can be satisfied.

本発明のレジスト組成物は、一般式（Ｉ）において、Ｒ₁は水素原子又は炭素数が４以下のアルキル基であり、Ｒ₂は、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、アントラセニル基、ヒドロキシエチル基、シンナミル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基、エチルアダマンチル基、イソボルニル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシエトキシル基、オキソテトラヒドロフラン基、ヒドロキシトリメチルプロピル基、オキソ−オキサトリシクロノニル基、ナフチル基、フェニルエチル基及びフェニル基からなる群から選択されたいずれか１つの基であることが好ましい。。 In the resist composition of the present invention, in general formula (I), R ₁ is a hydrogen atom or an alkyl group having 4 or less carbon atoms, and R ₂ is an isobutyl group, a tert-butyl group, a tert-amyl group, a benzyl group, Group, cyclohexyl group, anthracenyl group, hydroxyethyl group, cinnamyl group, adamantyl group, methyladamantyl group, ethyladamantyl group, isobornyl group, ethoxyethyl group, methoxypropyl group, methoxyethoxyl group, oxotetrahydrofuran group, hydroxytrimethylpropyl group, It is preferably any one group selected from the group consisting of an oxo-oxatricyclononyl group, a naphthyl group, a phenylethyl group, and a phenyl group. .

本発明のレジスト組成物において、架橋剤又は架橋開始剤（Ｂ）はアミンを含有する化合物であることが好ましい。このような構成とすることにより、重合体（Ａ）の分子内又は分子間に架橋を確実に形成することができる。   In the resist composition of the present invention, the crosslinking agent or crosslinking initiator (B) is preferably a compound containing an amine. By setting it as such a structure, bridge | crosslinking can be reliably formed in the molecule | numerator of a polymer (A) or between molecules.

本発明のレジスト組成物は、添加剤をさらに含有することが好ましい。また、本発明のレジスト組成物は、溶剤をさらに含有することが好ましい。   The resist composition of the present invention preferably further contains an additive. Moreover, it is preferable that the resist composition of this invention further contains a solvent.

本発明のレジスト組成物は、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤をさらに含有していることが好ましい。   The resist composition of the present invention preferably further contains an acid generator that generates an acid upon irradiation with light or radiation.

本発明のレジスト組成物によれば、ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できる。   According to the resist composition of the present invention, resist having dry etch resistance, resist pattern is not easily collapsed, acid elution can be prevented, and sensitivity, resolution, dry etch resistance, pattern shape, line edge roughness, and the like are resisted. As a result, a resist composition having excellent basic characteristics can be realized.

以下に、本発明に使用する化合物について詳細に説明する。   Below, the compound used for this invention is demonstrated in detail.

−酸解離性基を有する重合体（Ａ成分）−
重合体（Ａ）は、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体である。さらに、重合体（Ａ）は、後述する架橋剤又は架橋開始剤により分子内又は分子間に架橋を形成することができる重合体である。 -Polymer having acid dissociable group (component A)-
A polymer (A) is a polymer which has an acid dissociable group which has a repeating unit represented by general formula (I), and the solubility with respect to an alkali developing solution increases. Furthermore, the polymer (A) is a polymer that can form crosslinks within or between molecules by a cross-linking agent or a cross-linking initiator described later.

具体的に重合体（Ａ）は、式（Ｉ）で示される群から選ばれた少なくとも１種の繰り返し単位を含んでいる。式（Ｉ）においてＲ₁は水素原子及びメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基からなる群から選択され、Ｒ₂はイソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、アントラセニル基、ヒドロキシエチル基、シンナミル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基、エチルアダマンチル基、イソボルニル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシエトキシル基、オキソテトラヒドロフラン基、ヒドロキシトリメチルプロピル基、オキソ−オキサトリシクロノニル基、ナフチル基、フェニルエチル基、フェニル基等からなる群から選択される。 Specifically, the polymer (A) contains at least one repeating unit selected from the group represented by the formula (I). In the formula (I), R ₁ is selected from the group consisting of a hydrogen atom and a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, R ₂ is an isobutyl group, tert-butyl group, tert-amyl group, benzyl group, cyclohexyl group, anthracenyl group, hydroxyethyl group, cinnamyl group, adamantyl group, methyladamantyl group, ethyladamantyl group, isobornyl group, ethoxyethyl group, methoxypropyl group, methoxyethoxyl Selected from the group consisting of a group, an oxotetrahydrofuran group, a hydroxytrimethylpropyl group, an oxo-oxatricyclononyl group, a naphthyl group, a phenylethyl group, a phenyl group and the like.

さらに、重合体（Ａ）は一般式（Ｉ）のＲ₂が含酸素単環系誘導体又は含硫黄単環系誘導体である少なくとも１種の繰り返し単位を含んでいる。含酸素単環系誘導体としては、エチレンオキシド（オキシラン）、プロピレンオキシド（メチルオキシラン）、スチレンオキシド（フェニルオキシラン）、スチルベンオキシド（１，２−ジフェニルオキシラン）、アレンオキシド（メチリデンオキシラン）、グリシジル（オキシラニルメチル）、グリシドール（オキシラニルメタノール）、グリシド酸（オキシランカルボン酸）、エピクロロヒドリン（（クロロメチル）オキシラン）、エピブロモヒドリン（（ブロモメチル）オキシラン）、エピシアノヒドリン（オキシラニルアセトニトリル）の３員環誘導体、トリメチレンオキシド（オキセタン）、β−プロピオラクトン（オキセタン−２−オン、プロパノ−３−ラクトン）、ジケテン（４−メチリデンオキセタン−２−オン）、マロン酸無水物（オキセタン−２，４−ジオン）の４員環誘導体があげられる。 Furthermore, the polymer (A) includes at least one repeating unit in which R _{2 in the} general formula (I) is an oxygen-containing monocyclic derivative or a sulfur-containing monocyclic derivative. Examples of oxygen-containing monocyclic derivatives include ethylene oxide (oxirane), propylene oxide (methyl oxirane), styrene oxide (phenyl oxirane), stilbene oxide (1,2-diphenyl oxirane), allene oxide (methylidene oxirane), and glycidyl (oxy). Ranylmethyl), glycidol (oxiranylmethanol), glycidic acid (oxirane carboxylic acid), epichlorohydrin ((chloromethyl) oxirane), epibromohydrin ((bromomethyl) oxirane), epicyanohydrin (oxiranyl) Acetonitrile) 3-membered ring derivative, trimethylene oxide (oxetane), β-propiolactone (oxetane-2-one, propano-3-lactone), diketene (4-methylideneoxetane-2-one), malon 4-membered ring derivative anhydride (oxetane-2,4-dione) and the like.

また、ジグリコール酸無水物（１，４−ジオキサン−２，６−ジオン）、ラクチド、ジラクチド（３，６−ジメチル−１，４−ジオキサン−２，５−ジオン）、パラアルデヒド（２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリオキサン）、シアメリド（１，３，５−トリオキサン−２，４，６−トリイミン）の６員環誘導体であってもよい。   Diglycolic anhydride (1,4-dioxane-2,6-dione), lactide, dilactide (3,6-dimethyl-1,4-dioxane-2,5-dione), paraaldehyde (2,4) , 6-trimethyl-1,3,5-trioxane) and 6-membered ring derivatives of siamellid (1,3,5-trioxane-2,4,6-triimine).

ε−カプロラクトン（オキセパン−２−オン、ヘキサノ−６−ラクトン）、エキサルトリド（オキサシクロヘキサデカン−２−オン、ペンタデカノ−１５−ラクトン）、１２−クラウン−４（１，４，７，１０−テトラオキサシクロドデカン）、１５−クラウン−５（１，４，７，１０，１３−ペンタオキサシクロペンタデカン）、１８−クラウン−６（１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン）の７員環以上の誘導体であってもよい。   ε-caprolactone (oxepan-2-one, hexano-6-lactone), exaltolide (oxacyclohexadecan-2-one, pentadecano-15-lactone), 12-crown-4 (1,4,7,10-tetraoxa Cyclododecane), 15-crown-5 (1,4,7,10,13-pentaoxacyclopentadecane), 18-crown-6 (1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane) It may be a 7-membered or higher derivative.

フラン、フリル（フラニル）、フルフリル（２−フリルメチル）、フルフリリデン（２−フリルメチリデン）、フルフリリジン（２−フリルメチリジン）、フルフリルアルコール（フラン−２−メタノール）、フルフラール（フラン−２−カルバルデヒド）、２，２’−フリル（ジ（２−フリル）エタンジオン）、２，２’−フロイン（１，２−ジ（２−フリル）−２−ヒドロキシエタン−１−オン）、フロ酸（２−ないし３−）（フランカルボン酸）、フロイル(２−ないし３−)（フランカルボニル）、ピロ粘液酸（フラン−２−カルボン酸）、ピロムシル（フラン−２−カルボニル）、デヒドロ粘液酸（２，５−ジカルボン酸）、フリル酸（ジ（２−フリル）ヒドロキシ酢酸）、γ−ブチロラクトン（テトラヒドロフラン−２−オン、ブタノ−４−ラクトン）、γ−バレロラクトン（５−メチルテトラヒドロフラン−２−オン、ペンタノ−４−ラクトン）、γ−カプロラクトン（５−エチルテトラヒドロフラン−２−オン、ヘキサノ−４−ラクトン）、パントラクトン（３−ヒドロキシ−４,４−ジメチルテトラヒドロフラン−２−オン）、ホモセリンラクトン（３−アミノテトラヒドロフラン−２−オン）、テトロン酸（テトラヒドロフラン−２，４−ジオン）、無水コハク酸（テトラヒドロフラン−２，５−ジオン）、無水マレイン酸（２，５−ジヒドロフラン−２，５−ジオン）、シトラコン酸無水物（３−メチル−２,５−ジヒドロフラン−２,５−ジオン）、ムスカリン（（２Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−４−ヒドロキシ−Ｎ，Ｎ，Ｎ，５−テトラメチルテトラヒドロフラン−２−メタンアミニウム）、２Ｈ−フリリウム（２Ｈ−１λ４−フラン−１−イリウム）、２Ｈ−ピラン、ピロン（２−ないし４−）（ピラノン）、マルトール（３−ヒドロキシ−２−メチル−４Ｈ−ピラン−４−オン）、コウジ酸（５−ヒドロキシ−２−（ヒドロキシメチル）−４Ｈ−ピラン−４−オン）、デヒドロ酢酸（３−アセチル−６−メチル−３,４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２，４−ジオン）、δ−バレロラクトン（テトラヒドロピラン−２−オン、ペンタノ−５−ラクトン）、δ−カプロラクトン（６−メチルテトラヒドロピラン−２−オン、ヘキサノ−５−ラクトン）、メバロノラクトン（４−ヒドロキシ−４−メチルテトラヒドロピラン−２−オン）、グルタル酸無水物（テトラヒドロピラン−２，６−ジオン）、クマル酸（２−オキソ−２Ｈ−ピラン−５−カルボン酸）、ケリドン酸（４−オキソ−４Ｈ−ピラン−２，６−ジカルボン酸）、メコン酸（３−ヒドロキシ−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−２，６−ジカルボン酸）、セコロガニン（メチル＝（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）−４−(ホルミルメチル)−２−（β−Ｄ−グルコピラノシルオキシ）−３−ビニル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−５−カルボキシラート、（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）−４−（ホルミルメチル）−２−（β−Ｄ−グルコピラノシルオキシ）−３−ビニル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−５−カルボン酸メチル）、セコロガン酸（（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）−４−(ホルミルメチル)−２−（β−Ｄ−グルコピラノシルオキシ）−３−ビニル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−５−カルボン酸）、ピリリウム等であってもよい。   Furan, furyl (furanyl), furfuryl (2-furylmethyl), furfurylidene (2-furylmethylidene), furfurylidine (2-furylmethylidyne), furfuryl alcohol (furan-2-methanol), furfural (furan-2-carba) Rudehydr), 2,2′-furyl (di (2-furyl) ethanedione), 2,2′-furoin (1,2-di (2-furyl) -2-hydroxyethane-1-one), furoic acid ( 2- to 3-) (furancarboxylic acid), furoyl (2- to 3-) (furancarbonyl), pyromucic acid (furan-2-carboxylic acid), pyromucyl (furan-2-carbonyl), dehydromucic acid ( 2,5-dicarboxylic acid), furylic acid (di (2-furyl) hydroxyacetic acid), γ-butyrolactone (tetrahydrofuran-2-one, porcine) No-4-lactone), γ-valerolactone (5-methyltetrahydrofuran-2-one, pentano-4-lactone), γ-caprolactone (5-ethyltetrahydrofuran-2-one, hexano-4-lactone), pantolactone (3-hydroxy-4,4-dimethyltetrahydrofuran-2-one), homoserine lactone (3-aminotetrahydrofuran-2-one), tetronic acid (tetrahydrofuran-2,4-dione), succinic anhydride (tetrahydrofuran-2, 5-dione), maleic anhydride (2,5-dihydrofuran-2,5-dione), citraconic anhydride (3-methyl-2,5-dihydrofuran-2,5-dione), muscarinic ((2S , 4R, 5S) -4-hydroxy-N, N, N, 5-tetramethyltetrahydrofuran-2-me Tanaminium), 2H-furylium (2H-1λ4-furan-1-ylium), 2H-pyran, pyrone (2- or 4-) (pyranone), maltol (3-hydroxy-2-methyl-4H-pyran-4- ON), kojic acid (5-hydroxy-2- (hydroxymethyl) -4H-pyran-4-one), dehydroacetic acid (3-acetyl-6-methyl-3,4-dihydro-2H-pyran-2,4) -Dione), δ-valerolactone (tetrahydropyran-2-one, pentano-5-lactone), δ-caprolactone (6-methyltetrahydropyran-2-one, hexano-5-lactone), mevalonolactone (4-hydroxy- 4-methyltetrahydropyran-2-one), glutaric anhydride (tetrahydropyran-2,6-dione), coumaric acid (2-o Xo-2H-pyran-5-carboxylic acid), keridonic acid (4-oxo-4H-pyran-2,6-dicarboxylic acid), meconic acid (3-hydroxy-4-oxo-4H-pyran-2,6- Dicarboxylic acid), secoroganine (methyl = (2S, 3R, 4S) -4- (formylmethyl) -2- (β-D-glucopyranosyloxy) -3-vinyl-3,4-dihydro-2H-pyran -5-carboxylate, (2S, 3R, 4S) -4- (formylmethyl) -2- (β-D-glucopyranosyloxy) -3-vinyl-3,4-dihydro-2H-pyran-5 -Carboxylic acid methyl), secoroganoic acid ((2S, 3R, 4S) -4- (formylmethyl) -2- (β-D-glucopyranosyloxy) -3-vinyl-3,4-dihydro-2H- Pyran-5-carboxylic acid), pyririu Or the like.

含酸素単環系誘導体としては、エチレンスルフィド（チイラン）、トリメチレンスルフィド（チエタン）、チオクト酸、α−リポ酸、リポ酸（１，２−ジチオラン−３−ペンタン酸）、テトラチアフルバレン（２，２’−ビ（１，３−ジチオール−２−イリデン））、レンチオニン（１，２，３，５，６−ペンタチエパン）、チオフェン、チエニル（２−ないし３−）（チオフェンイル）、テニル（２−チエニルメチル）、テニリデン（２−チエニルメチリデン）、テニリジン（２−チエニルメチリジン）、テノ酸（２−ないし３−）（チオフェンカルボン酸）、テノイル（２−ないし３−）（チオフェンカルボニル）、テトラメチレンスルフィド（テトラヒドロチオフェン、チオラン）、テトラメチレンスルホキシド（テトラヒドロチオフェン１−オキシド）、スルホラン、テトラメチレンスルホン（テトラヒドロチオフェン１，１−ジオキシド）、３−スルホレン（２，５−ジヒドロチオフェン１，１−ジオキシド）、２Ｈ−チオピラン、チオピリリウム等があげられる。   Examples of the oxygen-containing monocyclic derivative include ethylene sulfide (thiirane), trimethylene sulfide (thietane), thioctic acid, α-lipoic acid, lipoic acid (1,2-dithiolane-3-pentanoic acid), tetrathiafulvalene (2 , 2′-bi (1,3-dithiol-2-ylidene)), lenthionine (1,2,3,5,6-pentathiepane), thiophene, thienyl (2- to 3-) (thiophenyl), tenenyl ( 2-thienylmethyl), tenylidene (2-thienylmethylidene), tenilidine (2-thienylmethylidyne), tenoic acid (2- to 3-) (thiophenecarboxylic acid), tenoyl (2- to 3-) (thiophenecarbonyl) ), Tetramethylene sulfide (tetrahydrothiophene, thiolane), tetramethylene sulfoxide (tetrahydrothiop) Down 1-oxide), sulfolane, tetramethylene sulfone (tetrahydrothiophene 1,1-dioxide), 3-sulfolene (2,5-dihydro-thiophene 1,1-dioxide), 2H-thiopyran, thiopyrylium and the like.

含酸素単環系誘導体ないし，含硫黄単環系誘導体を含む繰り返し単位の一例を式（II）に示す。式（II）中のＸは酸素原子又は硫黄原子のどちらであってもよい。   An example of a repeating unit containing an oxygen-containing monocyclic derivative or a sulfur-containing monocyclic derivative is shown in Formula (II). X in the formula (II) may be either an oxygen atom or a sulfur atom.

−架橋剤又は架橋開始剤（Ｂ）−
架橋剤及び架橋開始剤（Ｂ）は、重合体（Ａ）の含酸素単環系誘導体又は含硫黄単環系誘導体を開裂させ、架橋することが可能な化合物であればよい。通常、架橋反応には、５０℃〜２００℃の加熱を行い、好ましくは７０℃〜１８０℃の加熱を行う。 -Crosslinking agent or crosslinking initiator (B)-
The crosslinking agent and crosslinking initiator (B) may be any compound that can cleave and crosslink the oxygen-containing monocyclic derivative or sulfur-containing monocyclic derivative of the polymer (A). Usually, in the crosslinking reaction, heating at 50 ° C. to 200 ° C. is performed, preferably heating at 70 ° C. to 180 ° C. is performed.

架橋剤又は架橋開始剤（Ｂ）の構造は具体的にはアミノ基を有する化合物であり、次のような化合物であればよい。エチルアザン、エタンアミン、エチルアミン、フェニルアザン、ベンゼンアミン、フェニルアミン、アニリン、ベンジルアザン、１−フェニルメタンアミン、ベンジルアミン、ベンゼンメタンアミン、１−ベンゾフラン−２−イルアザン、１−ベンゾフラン−２−アミン、１−ベンゾフラン−２−イルアミン、２−ベンゾフランアミン、４−キノリルアザン、キノリン−４−アミン、４−キノリルアミン、４−キノリンアミン、４−アミノキノリン、エチレンビス（アザン）、エタン−１，２−ジアミン、エチレンジアミン、１，２−エタンジアミン、ペンタン−１，２，５−トリイルトリス（アザン）、ペンタン−１，２，５−トリアミン、ペンタン−１，２，５−トリイルトリアミン、１，２，５−ペンタントリアミン、ベンゼン−１，２，４，５−テトライルテトラキス（アザン）、ベンゼン−１，２，４，５−テトラアミン、ベンゼン−１，２，４，５−テトライルテトラアミン、１，２，４，５−ベンゼンテトラアミン等の１級アミン化合物。   The structure of the crosslinking agent or crosslinking initiator (B) is specifically a compound having an amino group and may be any of the following compounds. Ethylazane, ethanamine, ethylamine, phenylazane, benzeneamine, phenylamine, aniline, benzylazane, 1-phenylmethanamine, benzylamine, benzenemethanamine, 1-benzofuran-2-ylazane, 1-benzofuran-2-amine, 1 -Benzofuran-2-ylamine, 2-benzofuranamine, 4-quinolylazane, quinolin-4-amine, 4-quinolylamine, 4-quinolinamine, 4-aminoquinoline, ethylenebis (azane), ethane-1,2-diamine, Ethylenediamine, 1,2-ethanediamine, pentane-1,2,5-triyltris (Azan), pentane-1,2,5-triamine, pentane-1,2,5-triyltriamine, 1,2,5- Pentanetriamine, benzene-1, , 4,5-tetrayltetrakis (azane), benzene-1,2,4,5-tetraamine, benzene-1,2,4,5-tetrayltetraamine, 1,2,4,5-benzenetetraamine Primary amine compounds such as

また、ジエチルアザン、ジエチルアミン、Ｎ−エチルエタンアミン、ブチル(エチル)メチルアザン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルブタン−１−アミン、ブチル(エチル)メチルアミン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルブチルアミン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−１−ブタンアミン、Ｎ−ジエチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−エチルジシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルジシクロヘキシルアミンなどの２級アミン化合物であってもよい。   Further, diethylazane, diethylamine, N-ethylethanamine, butyl (ethyl) methylazane, N-ethyl-N-methylbutan-1-amine, butyl (ethyl) methylamine, N-ethyl-N-methylbutylamine, N-ethyl Secondary amine compounds such as -N-methyl-1-butanamine, N-diethylcyclohexylamine, N-ethyldicyclohexylamine, N, N-dimethylhexylamine and N-methyldicyclohexylamine may also be used.

トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；トリエタノールアミン、ジエタノールアニリンなどのアルカノールアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンテトラメチレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等の３級アミン化合物であってもよい。   Triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, cyclohexyldimethylamine, tricyclohexylamine Tri (cyclo) alkylamines such as; alkanolamines such as triethanolamine and diethanolaniline; N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (2- Hydroxypropyl) ethylenediamine, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzenetetramethylenediamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) ) -2- (4-aminophenyl) propane, 2- (4- Minophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methyl Tertiary amine compounds such as ethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether It may be.

ジエチレントリアミン、４−ドデシルジアエイレントリアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、１，２，４−ベンゼントリアミン、１，１，４，７，７−ペンタメチルジエチレントリアミン等のトリアミン類であってもよい。   Triamines such as diethylenetriamine, 4-dodecyldiaeylenetriamine, bis (hexamethylene) triamine, 1,2,4-benzenetriamine, 1,1,4,7,7-pentamethyldiethylenetriamine may be used.

Ｎ−（２−アミノエチル）−１，３―プロパンジアミン、Ｎ−イソプロピルエチレンジアミン、Ｎ−イソプロピル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−２−ヒドロキシエチル）―２メチルフェニルジアミン、エチレジアミン、４−（４−エトキシフェニルアゾ）−ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、クロロ−フェニレンジアミン、ジメチルエチルジアミン、１,４−ジアザビシクロ[２,２,２]オクタン等のジアミン類であってもよい
架橋剤の使用量は、組成物中の固形物１００重量部あたり、０．０１〜１０重量部であり、好ましくは０．１〜１重量部である。架橋剤の使用量が少ないと、酸解離性基含有重合体の架橋反応が進行せず、所望の諸特性が得られない。また、多過ぎると酸解離性基含有重合体の架橋反応が進行し過ぎるため感度が悪くなる。 N- (2-aminoethyl) -1,3-propanediamine, N-isopropylethylenediamine, N-isopropyl-1,3-propanediamine, N-ethylethylenediamine, 4- (N-ethyl-N-2-hydroxyethyl) ) -2 Methylphenyldiamine, Ethylenediamine, 4- (4-Ethoxyphenylazo) -m-phenylenediamine, m-xylenediamine, chloro-phenylenediamine, dimethylethyldiamine, 1,4-diazabicyclo [2,2,2] Diamines such as octane may be used. The amount of the crosslinking agent used is 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight, per 100 parts by weight of the solid in the composition. If the amount of the crosslinking agent used is small, the crosslinking reaction of the acid-dissociable group-containing polymer does not proceed, and desired properties cannot be obtained. On the other hand, if the amount is too large, the cross-linking reaction of the acid-dissociable group-containing polymer proceeds excessively, resulting in poor sensitivity.

−酸発生剤−
酸発生剤は、高エネルギーの光又は高エネルギーの放射線を露光することにより酸を生成する化合物である。好ましい酸発生剤として、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン及びＮ−スルホニルオキシイミドをあげることができる。これらの酸発生剤は、単独で又は２種以上を混合して使用できる。酸発生剤の含有量は、組成物中の固形物１００重量部あたり０．１〜２５重量部であり、好ましくは１〜１５重量部である。この場合、酸発生剤の使用量が少な過ぎると、感度及び解像度が低下する。一方、多過ぎると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得にくくなる傾向がある。 -Acid generator-
An acid generator is a compound that generates acid upon exposure to high-energy light or high-energy radiation. Preferred acid generators include sulfonium salts, iodonium salts, sulfonyldiazomethane and N-sulfonyloxyimide. These acid generators can be used alone or in admixture of two or more. Content of an acid generator is 0.1-25 weight part per 100 weight part of solids in a composition, Preferably it is 1-15 weight part. In this case, if the amount of the acid generator used is too small, the sensitivity and resolution are lowered. On the other hand, when the amount is too large, transparency to radiation is lowered, and it tends to be difficult to obtain a rectangular resist pattern.

具体的に好ましい酸発生剤を例示すると、トリフェニルスルホニウム塩化合物である、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスフホニウム２−ビシクロ[２．２．１]ヘプト−２―イル−１，１，２，２テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート等がある。   Specific examples of preferred acid generators include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2. 1] hept-2-yl-1,1,2,2 tetrafluoroethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, and the like.

また、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物である、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シクロヘキサルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム−２−ビシクロ[２.２.１]ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等であってもよい。   Also, 4-cyclohexylphenyl diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-, which are 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium salt compounds. Octanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium-2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate, etc. It may be.

４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物である、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等であってもよい。   4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium salt compounds, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octane Sulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate, etc. May be.

ジフェニルヨードニウム塩化合物である、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等であってもよい。   Diphenyliodonium salt compounds such as diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl -1,1,2,2-tetrafluoroethane sulfonate, diphenyl iodonium camphor sulfonate, and the like may be used.

ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩化合物である、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート等であってもよい。   Bis (4-t-butylphenyl) iodonium salt compounds, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4 -T-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetra Fluoroethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonate, and the like may be used.

１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物である、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等であってもよい。   1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium salt compound, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4- n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- ( 4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n -Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate, etc. It may be.

１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物である、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等であってもよい。   1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, which is a 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium salt compound, n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- ( 6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (6-n -Butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate It may be.

１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物である、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等であってもよい。   1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium salt compound, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (3 5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- ( 3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (3,5 -Dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium It may be a far-sulfonates.

ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド類化合物等である、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１．１］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等であってもよい。   N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2, such as a bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide compound , 3-dicarboximide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (perfluoro-n-octanesulfonyl) Oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2 -Tetrafluoroethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2- (3-tetracyclo [4.4.0.1.1.1] dodecanyl) -1 1-difluoroethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2 , 3-dicarboximide or the like.

−添加剤−
本発明のレジスト組成物には、必要に応じて酸拡散制御剤、酸解離性基を有する脂環族添加剤、酸解離性基を有しない脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤などの各種の添加剤を配合してよい。 -Additives-
The resist composition of the present invention includes an acid diffusion controller, an alicyclic additive having an acid dissociable group, an alicyclic additive not having an acid dissociable group, a surfactant, and a sensitizer as necessary. You may mix | blend various additives, such as.

酸拡散制御剤は、照射により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非照射領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上する。さらに照射から現像処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。   The acid diffusion control agent is a component having an action of controlling a diffusion phenomenon of an acid generated from an acid generator upon irradiation in a resist film and suppressing an undesirable chemical reaction in a non-irradiated region. By blending such an acid diffusion controller, the storage stability of the resulting radiation-sensitive resin composition is improved, and the resolution as a resist is further improved. Furthermore, a change in the line width of the resist pattern due to fluctuations in the holding time (PED) from irradiation to development processing can be suppressed, and a composition excellent in process stability can be obtained.

酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の照射や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機化合物としては、「３級アミン化合物」、「アミド基含有化合物」、「４級アンモニウムヒドロキシド化合物」、「含窒素複素環化合物」等があげられる。   As the acid diffusion controller, a nitrogen-containing organic compound whose basicity does not change by irradiation or heat treatment during the resist pattern forming process is preferable. Examples of such nitrogen-containing organic compounds include “tertiary amine compounds”, “amide group-containing compounds”, “quaternary ammonium hydroxide compounds”, “nitrogen-containing heterocyclic compounds”, and the like.

「３級アミン化合物」としては、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；トリエタノールアミン、ジエタノールアニリンなどのアルカノールアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンテトラメチレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等があげられる。   Examples of the “tertiary amine compound” include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n. -Tri (cyclo) alkylamines such as octylamine, cyclohexyldimethylamine, tricyclohexylamine; alkanolamines such as triethanolamine, diethanolaniline; N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, N, N , N ′, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzenetetramethylenediamine, 2,2-bis (4-amino) Phenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4) Aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1 -(4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2 -Diethylaminoethyl) ether and the like.

「アミド基含有化合物」としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピロリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシ−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−モルホリン等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等があげられる。   Examples of the “amide group-containing compound” include Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-decylamine, N- t-butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-1-adamantylamine N, N-di-t-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, N, N′-di-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine N, N, N ′, N′-tetra-t-butoxycarbonylhexamethyl Range amine, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,7-diaminoheptane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N′-di-t- Butoxycarbonyl-1,9-diaminononane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,12-diaminododecane, N, N '-Di-t-butoxycarbonyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, Nt-butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenz Imidazole, Nt-butoxycarbonyl-pyrrolidine, Nt-butoxycarbonyl-piperidine, Nt-butoxy In addition to Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as carbonyl-4-hydroxy-piperidine, Nt-butoxycarbonyl-morpholine, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methyl Examples include acetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone and the like.

「４級アンモニウムヒドロキシド化合物」としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等があげられる。「含窒素複素環化合物」としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン等があげられる。   Examples of the “quaternary ammonium hydroxide compound” include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-propylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and the like. Examples of the “nitrogen-containing heterocyclic compound” include imidazoles such as imidazole, 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole; In addition to piperazines such as piperazine and 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, 3-piperidino-1,2-propanediol, morpholine, 4-methylmorpholine, Examples include 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane.

含窒素複素環化合物のうち、３級アミン化合物、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合物が好ましく、また、アミド基含有化合物の中ではＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物が好ましく、含窒素複素化合物の中ではイミダゾール類が好ましい。   Of the nitrogen-containing heterocyclic compounds, tertiary amine compounds, amide group-containing compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds are preferred, and among the amide group-containing compounds, Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds are preferred, and nitrogen-containing compounds are preferred. Among the complex compounds, imidazoles are preferable.

酸拡散制御剤は、単独で又は２種以上を混合して使用できる。酸拡散制御剤の配合量は、アクリル系重合体１００重量部に対して、通常、１５重量部以下、好ましくは１０重量部以下、さらに好ましくは５重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量部をこえると、レジストとしての感度及び放射線照射部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１重量部未満であると、プロセス条件によってはレジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。   The acid diffusion controller can be used alone or in admixture of two or more. The compounding amount of the acid diffusion controller is usually 15 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, and more preferably 5 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer. In this case, when the compounding amount of the acid diffusion controller exceeds 15 parts by weight, the sensitivity as a resist and the developability of the radiation irradiated part tend to be lowered. If the amount of the acid diffusion controller is less than 0.001 part by weight, the pattern shape and dimensional fidelity as a resist may be lowered depending on the process conditions.

また、酸解離性基を有する脂環族添加剤又は酸解離性基を有しない脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。   In addition, an alicyclic additive having an acid dissociable group or an alicyclic additive not having an acid dissociable group is a component that further improves dry etching resistance, pattern shape, adhesion to a substrate, and the like. is there.

このような脂環族添加剤としては、例えば、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１−アダマンタンカルボン酸αブチロラクトンエステル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル，２，５−ジメチル−２，５−ジ（アダマンチルカルボニルオキシ）ヘキサン等のアダマンタン誘導体類がある。   Examples of such alicyclic additives include 1-adamantanecarboxylic acid t-butyl, 1-adamantanecarboxylic acid t-butoxycarbonylmethyl, 1-adamantanecarboxylic acid α-butyrolactone ester, 1,3-adamantane dicarboxylic acid diester. -T-butyl, 1-adamantane acetate t-butyl, 1-adamantane acetate t-butoxycarbonylmethyl, 1,3-adamantanediacetate di-t-butyl, 2,5-dimethyl-2,5-di (adamantylcarbonyl There are adamantane derivatives such as oxy) hexane.

また、デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類；リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類であってもよい。   Also, t-butyl deoxycholate, t-butoxycarbonylmethyl deoxycholate, 2-ethoxyethyl deoxycholate, 2-cyclohexyloxyethyl deoxycholate, 3-oxocyclohexyl deoxycholate, tetrahydropyranyl deoxycholate, Deoxycholic acid esters such as deoxycholic acid mevalonolactone ester; t-butyl lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, 2-ethoxyethyl lithocholic acid, 2-cyclohexyloxyethyl lithocholic acid, 3-oxocyclohexyl lithocholic acid And lithocholic acid esters such as tetrahydropyranyl lithocholic acid and mevalonolactone ester of lithocholic acid.

アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジｎ−ブチル、アジピン酸ジｔ−ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類等であってもよい。   Alkyl carboxylic acid esters such as dimethyl adipate, diethyl adipate, dipropyl adipate, di-n-butyl adipate, and di-t-butyl adipate may also be used.

これらの脂環族添加剤は、単独で又は２種以上を混合して使用できる。脂環族添加剤の配合量は、アクリル系重合体１００重量部に対して、通常、５０重量部以下であり、好ましくは３０重量部以下である。この場合、脂環族添加剤の配合量が５０重量部をこえると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。   These alicyclic additives can be used alone or in admixture of two or more. The compounding quantity of an alicyclic additive is 50 parts weight or less normally with respect to 100 weight part of acrylic polymers, Preferably it is 30 parts weight or less. In this case, when the blending amount of the alicyclic additive exceeds 50 parts by weight, the heat resistance as a resist tends to decrease.

また、添加剤としての界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。   Further, the surfactant as an additive is a component having an effect of improving coating property, striation, developability and the like.

このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤があげられる。   Examples of such surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, and polyethylene glycol dilaurate. And nonionic surfactants such as polyethylene glycol distearate.

また、添加剤としての増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。   Further, the sensitizer as an additive has an action of absorbing radiation energy and transmitting the energy to the acid generator, thereby increasing the amount of acid generated. The radiation-sensitive resin composition It has the effect of improving the apparent sensitivity.

このような増感剤としては、例えば、カルバゾール類、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アントラセン類、フェノール類等があげられる。   Examples of such a sensitizer include carbazoles, benzophenones, rose bengals, anthracenes, phenols and the like.

これらの増感剤は、単独で又は２種以上を混合して使用できる。増感剤の配合量は、アクリル系重合体１００重量部に対して、好ましくは５０重量部以下である。
さらに、上記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等があげられる。 These sensitizers can be used alone or in admixture of two or more. The blending amount of the sensitizer is preferably 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer.
Further, additives other than those mentioned above include antihalation agents, adhesion assistants, storage stabilizers, antifoaming agents and the like.

−溶剤−
本発明のレジスト脂組成物は、普通、その使用に際して、全固形分濃度が、通常、３〜５０重量％、好ましくは５〜２５重量％となるように、溶剤に溶解した後、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過し溶液に調製される。 -Solvent-
The resist fat composition of the present invention is usually dissolved in a solvent so that the total solid content is usually 3 to 50% by weight, preferably 5 to 25% by weight. The solution is prepared by filtering with a filter of about 2 μm.

溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状又は分岐状のケトン類；シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状のケトン類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル等の２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類があげられる。   Examples of the solvent used for preparing the solution include linear or branched ketones such as 2-pentanone, 2-hexanone, 2-heptanone, and 2-octanone; cyclic ketones such as cyclopentanone and cyclohexanone. Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; 2-hydroxypropionic acid alkyls such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; 3-methoxy Examples thereof include alkyl 3-alkoxypropionates such as methyl propionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate.

また、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ｎ−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等があげられる。   Also, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, n-butyl acetate, pyrubin Examples thereof include methyl acid, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, and γ-butyrolactone.

これらの溶剤は、単独で又は２種以上を混合して使用できるが、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチルから選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。ただし、シクロヘキサノンは溶解性の点からは、有効な溶剤であるが、その毒性からは使用はできるだけ避けることが好ましい。   These solvents can be used alone or in admixture of two or more, but propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 2-heptanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, ethyl 2-hydroxypropionate, 3-ethoxy It is preferable to contain at least one selected from ethyl propionate. However, cyclohexanone is an effective solvent from the viewpoint of solubility, but its use is preferably avoided as much as possible because of its toxicity.

以下に、本発明のレジスト組成物によるレジストパターンの形成方法を説明する。   Below, the formation method of the resist pattern by the resist composition of this invention is demonstrated.

レジストパターン形成方法は、溶液としたレジスト組成物を塗布後に加熱しレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行う工程と、パターン露光が行われた前記レジスト膜に対して現像を行ってレジストパターンを形成する工程とからなる。   The resist pattern forming method includes a step of forming a resist film by heating after applying a resist composition as a solution, a step of performing pattern exposure by selectively irradiating exposure light to the resist film, and pattern exposure. And developing the resist film to form a resist pattern.

本発明のレジスト組成物からレジストパターンを形成する際には、レジスト組成物を溶解した溶液を回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハーや、予め下層膜を形成した基板等の上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理（以下、ＰＢ処理という。）を行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。   When forming a resist pattern from the resist composition of the present invention, a solution in which the resist composition is dissolved is coated with, for example, a silicon wafer or aluminum by an appropriate application means such as spin coating, cast coating, or roll coating. A resist film is formed by coating on a wafer or a substrate on which a lower layer film has been formed in advance, and a predetermined resist pattern is formed after performing a heat treatment (hereinafter referred to as PB treatment) in some cases. Then, the resist film is exposed to light.

その際に使用される放射線としては、波長２００ｎｍ以下の放射線が好ましく、特に、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が好ましい。ＰＢ処理温度は５０℃〜２００℃、好ましくは７０℃〜１８０℃である。このＰＢ処理により、レジスト中は架橋反応を起こし、レジスト全体の分子量が上がり，樹脂が硬化する。例えば、式（III）で表される化合物とオクタメチレンジアミンは式（ＩＶ）に示す反応を生じる。このため後に続く露光、露光後ベーク、現像処理により得られるレジストパターンは倒れにくくなり、且つエッチング耐性が得られる。   The radiation used at that time is preferably radiation having a wavelength of 200 nm or less, and particularly ArF excimer laser (wavelength 193 nm) is preferred. The PB treatment temperature is 50 ° C to 200 ° C, preferably 70 ° C to 180 ° C. By this PB treatment, a crosslinking reaction is caused in the resist, the molecular weight of the entire resist is increased, and the resin is cured. For example, the compound represented by the formula (III) and octamethylenediamine cause the reaction represented by the formula (IV). For this reason, the resist pattern obtained by subsequent exposure, post-exposure bake, and development processing is not easily collapsed, and etching resistance is obtained.

本発明のレジスト組成物を用いる場合には、露光後に加熱処理（以下、ＰＥＢ処理という。）を行うことが好ましい。ＰＥＢ処理の加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１７０℃である。このとき、露光部は脱保護反応が起こるが、架橋部ごと脱離するため、後に続く現像特性には影響しない。また、使用される基板上に有機系あるいは無機系の下層膜を形成しておくことができ、またレジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。   When using the resist composition of the present invention, it is preferable to perform a heat treatment (hereinafter referred to as PEB treatment) after exposure. The heating conditions for the PEB treatment vary depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but are usually 30 to 200 ° C, preferably 50 to 170 ° C. At this time, the exposed portion undergoes a deprotection reaction, but since the entire crosslinked portion is detached, subsequent development characteristics are not affected. Further, an organic or inorganic lower layer film can be formed on the substrate to be used, and a protective film can be provided on the resist film.

次に、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、有機溶媒や界面活性剤を添加することもできる。   Next, a predetermined resist pattern is formed by developing the exposed resist film. Examples of the developer used for development include sodium hydroxide, potassium hydroxide, aqueous ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo. An alkaline aqueous solution in which at least one of alkaline compounds such as [5.4.0] -7-undecene and 1,5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-nonene is dissolved is preferable. Further, an organic solvent or a surfactant can be added to the developer composed of the alkaline aqueous solution.

なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥
する。 In addition, after developing with the developing solution which consists of alkaline aqueous solution, generally it wash | cleans with water and dries.

（一実施形態）
以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。 図１は本実施形態のレジスト組成物によりレジストパターンを形成する工程を示している。 (One embodiment)
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a step of forming a resist pattern from the resist composition of this embodiment.

本実施形態においてレジスト組成物は、重合体（Ａ）が式（Ｖ）で表される重合体であ
り、架橋剤（Ｂ）が１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンであり、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフレートを含有する。この場合ポジ型レジストとなる。 In this embodiment, the resist composition is a polymer in which the polymer (A) is represented by the formula (V), and the crosslinking agent (B) is 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane. It contains triphenylsulfonium nonaflate as an acid generator. In this case, a positive resist is formed.

図１（ａ）に示すように基板１１の上に本実施形態の化学増幅型レジスト組成物を塗布して、０．２０〜１．０μｍの厚さを持つレジスト膜１２を形成する。ここで、塗布後のベーク温度は５０℃〜２００℃にする。好ましくは７０℃〜１８０℃にする。塗布後のベークにより、図１（ｂ）に示すように分子内又は分子間架橋を起こした架橋レジスト膜１３を形成する。   As shown in FIG. 1A, the chemically amplified resist composition of this embodiment is applied on a substrate 11 to form a resist film 12 having a thickness of 0.20 to 1.0 μm. Here, the baking temperature after application is set to 50 ° C to 200 ° C. Preferably, the temperature is set to 70 ° C to 180 ° C. As shown in FIG. 1B, a crosslinked resist film 13 that has undergone intramolecular or intermolecular crosslinking is formed by baking after coating.

次に、図１（ｃ）に示すように露光光１５をマスク１４を介して架橋レジスト膜１３に照射してパターン露光を行う。これにより、図１（ｄ）に示すように、架橋レジスト膜１３に未露光部分１３ｂと露光部分１３ａとが形成される。   Next, as shown in FIG. 1C, pattern exposure is performed by irradiating the cross-linked resist film 13 with exposure light 15 through a mask 14. Thereby, as shown in FIG.1 (d), the unexposed part 13b and the exposed part 13a are formed in the bridge | crosslinking resist film 13. FIG.

次に、図１（ｅ）に示すようにパターン露光が行われた架橋レジスト膜１３に対して、ホットプレートにより加熱した後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行い露光部分１３ａを溶解除去し、未露光部１３ｂをレジストパターン１６として残す。   Next, the crosslinked resist film 13 subjected to pattern exposure as shown in FIG. 1E is heated with a hot plate, and then 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide developer (alkaline developer). The exposed portion 13a is dissolved and removed, and the unexposed portion 13b is left as a resist pattern 16.

露光にはｇ線、Ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ₂エキシマレーザー、電子線、Ｘ線又はＥＵＶ等が使用できる。 For exposure, g-line, I-line, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F ₂ excimer laser, electron beam, X-ray, EUV or the like can be used.

露光後のベークや現像処理など、諸工程における温度、時間などの条件は任意でよい。   Conditions such as temperature and time in various steps such as baking after exposure and development treatment may be arbitrary.

現像処理後にウェハ上に残るレジストパターン１６は樹脂が硬化しているため、従来の酸解離性基含有重合体よりもレジスト倒れ防止とエッチング耐性ならびに、酸の溶出耐性に優れた特性を保持している。   Since the resist pattern 16 remaining on the wafer after the development processing is hardened, the resist pattern 16 retains characteristics superior in resist collapse prevention, etching resistance, and acid elution resistance than conventional acid-dissociable group-containing polymers. Yes.

なお、本実施形態においてはポジ型レジストについて一例を示したが、これに限定されるものではない。   In the present embodiment, an example of a positive resist is shown, but the present invention is not limited to this.

本発明のレジスト組成物は、ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるという効果を有し、レジスト組成物、特に化学増幅型のレジスト組成物等として有用である。。   The resist composition of the present invention has dry etch resistance, resist patterns are not easily collapsed, and can prevent acid elution, as well as resists such as sensitivity, resolution, dry etch resistance, pattern shape, and line edge roughness. It has an effect that a resist composition having excellent basic characteristics can be realized, and is useful as a resist composition, particularly a chemically amplified resist composition. .

本発明の一実施形態に係るレジスト組成物によるレジストパターンの形成例を工程順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of formation of the resist pattern by the resist composition which concerns on one Embodiment of this invention in process order.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 基板
１２ レジスト膜
１３ 架橋レジスト膜
１３ａ 露光部分
１３ｂ 未露光部分
１４ マスク
１５ 露光光
１６ レジストパターン
11 Substrate 12 Resist film 13 Cross-linked resist film 13a Exposed portion 13b Unexposed portion 14 Mask 15 Exposure light 16 Resist pattern

Claims (6)

（Ａ）一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体及び
（Ｂ）架橋剤又は架橋開始剤を含有し、
前記重合体（Ａ）は、分子内に含酸素単環系誘導体又は含硫黄環系誘導体を含む化合物であることを特徴とするレジスト組成物。

(A) a polymer having at least one repeating unit represented by formula (I) and having an acid-dissociable group that increases the solubility in an alkali developer; and (B) a crosslinking agent or a crosslinking initiator. ,
The resist composition, wherein the polymer (A) is a compound containing an oxygen-containing monocyclic derivative or a sulfur-containing ring derivative in a molecule.

前記一般式（Ｉ）において、Ｒ₁は水素原子又は炭素数が４以下のアルキル基であり、Ｒ₂は、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、アントラセニル基、ヒドロキシエチル基、シンナミル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基、エチルアダマンチル基、イソボルニル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシエトキシル基、オキソテトラヒドロフラン基、ヒドロキシトリメチルプロピル基、オキソ−オキサトリシクロノニル基、ナフチル基、フェニルエチル基及びフェニル基からなる群から選択されたいずれか１つの基であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。 In the general formula (I), R ₁ is a hydrogen atom or an alkyl group having 4 or less carbon atoms, and R ₂ is an isobutyl group, a tert-butyl group, a tert-amyl group, a benzyl group, a cyclohexyl group, or an anthracenyl group. , Hydroxyethyl group, cinnamyl group, adamantyl group, methyladamantyl group, ethyladamantyl group, isobornyl group, ethoxyethyl group, methoxypropyl group, methoxyethoxyl group, oxotetrahydrofuran group, hydroxytrimethylpropyl group, oxo-oxatricyclononyl group The resist composition according to claim 1, wherein the resist composition is any one group selected from the group consisting of naphthyl group, phenylethyl group, and phenyl group. 前記架橋剤又は架橋開始剤（Ｂ）はアミンを含有する化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 1, wherein the crosslinking agent or crosslinking initiator (B) is an amine-containing compound. 添加剤をさらに含有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising an additive. 溶剤をさらに含有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising a solvent. 光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤をさらに含有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
The resist composition according to claim 1, further comprising an acid generator that generates an acid upon irradiation with light or radiation.

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