JP2007035698A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体撮像素子1の製造時には、半導体基板20のゲート酸化膜21上に光透過性の材料によって光透過膜を形成した後、形成された光透過膜の一部を選択的に除去することによって、受光部23と対向するように配置される光導波路部30が形成される。その後、光導波路部30の外周側壁を覆うように、反射膜32が形成される。このような製造方法によれば、光導波路部30の形成時のボイドの発生が減少し、反射膜32のカバレッジ性が向上する。
【選択図】 図1
Description
81は、受光部23が光電変換することによって出力した信号電荷を検出部24aに転送し、検出部24aが検出する電位の変化によって信号を出力する。各画素を構成する固体撮像素子81は、受光部23と、転送用トランジスタと、増幅用トランジスタ17と、リセット用トランジスタ18とを備える。転送用トランジスタは、半導体基板20と、半導体基板20の内部に形成されたN型拡散領域である受光部23及び検出部24aと、半導体基板20の表面における受光部23及び検出部24aの間の部分において、ゲート酸化膜21上に形成された転送ゲート電極22とから構成されている。受光部23及び検出部24aの各々は、転送用トランジスタのソース及びドレインに対応する。また、検出部24bは、LDD(Light Doped Drain)である。転送ゲート電極22の側面には、シリコン酸化膜26が形成されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像素子を示す断面図である。図1に示される固体撮像素子1は、P型の半導体基板20と、受光部23と、光導波路部30と、反射膜32と、シリコン窒化膜よりなる反射防止膜34とを備える。受光部23は、半導体基板20表面の分離部27によって区画された領域に、N-型拡散領域として形成されている。受光部23の表面には、P++型の拡散領域である表面P型層25が形成されている。また、半導体基板20の表面には、N+型拡散領域である検出部24aと、N型拡散領域である検出部24bとが形成されている。更に、半導体基板20の表面を覆うように、ゲート酸化膜21が形成されている。
3SiH2Cl2+4NH3→SiN3+6HCL+6H2 … (1)
20 半導体基板
21 ゲート酸化膜
22 転送ゲート電極
23 受光部
24 検出部
25 表面P型層
26 シリコン酸化膜
27 分離部
28 絶縁膜
29 配線
30 光導波路部
31 絶縁性薄膜
32 反射膜
33 光透過膜
34 反射防止膜
35 開口
36 保護膜
37 シリコン酸化膜
38 層間絶縁膜
39 マスクパターン
40 平坦化層
50 カラーフィルター層
60 マイクロレンズ
Claims (6)
- 固体撮像素子であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成される受光部と、
前記受光部の少なくとも一部と対向し、前記半導体基板の前記表面から遠ざかるにつれて径が小さくなるテーパー形状に形成される光導波路部と、
前記光導波路部の外周側壁を覆うように形成される反射膜とを備える、固体撮像素子。 - 前記反射膜は、チタン、タングステン、タンタルの少なくとも一つ、または、これらの少なくとも一つの酸化物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記固体撮像素子は、前記受光部と前記光導波路部との間に形成されるシリコン窒化膜を更に備えることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子。
- 固体撮像素子の製造方法であって、
半導体基板の表面に受光部を形成する受光部形成工程と、
前記半導体基板の前記表面に、光を透過する材料によって所定の厚みを有する光透過膜を形成する光透過膜形成工程と、
前記形成された前記光透過膜の一部を選択的に除去することによって、前記受光部の少なくとも一部と対向する柱形状の光導波路部を形成する光導波路部形成工程と、
前記光導波路部の外周側壁を覆う反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記光導波路部と前記反射膜とが埋め込まれるように、前記半導体基板の前記表面に前記所定の厚みより深い第1の絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記形成された第1の絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程とを備える、固体撮像素子の製造方法。 - 前記反射膜形成工程は、
前記光導波路部の外面に前記反射膜を形成する工程と、
前記形成された前記反射膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記光導波路部の前記外周側壁以外に形成された前記反射膜と前記第2の絶縁膜とを選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする、請求項4に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記固体撮像素子は、前記半導体基板に形成され、前記受光部と同一の導電型を有する検出部と、前記半導体基板における前記受光部と前記検出部とによって挟まれる部分と対向するように配置されるゲート電極とを備え、
前記光導波路部形成工程は、前記ゲート電極を形成する工程の後であって、かつ、前記検出部を形成する工程の前に行われることを特徴とする、請求項4または請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
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