JP2007016110A - 化学機械的研磨用洗浄剤組成物および該洗浄剤組成物を用いる洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カチオン性化合物を含有することを特徴とするCMP用洗浄剤組成物およびこの洗浄剤組成物を用いてCMP研磨に使用される半導体ウエハまたは研磨パッドを洗浄する洗浄方法。
【選択図】なし
Description
本発明のCMP用洗浄剤組成物は、カチオン性化合物を含有し、CMP用研磨スラリーに含有され、ウエハまたは研磨パッドに付着しているアニオン性界面活性剤由来の残渣を除去するものとして特に好適である。
0.4質量%のアデカカチオエースPD−50(ポリ塩化ジメチルメチレンピペリジニウム:旭電化工業社製)水溶液を調製し、本発明のCMP用洗浄剤組成物とした。該組成物中に、室温下で、3cm×3cmのシリコン基板を30秒浸漬後、純水で洗い流し、乾燥させた。ただし、前記シリコン基板は、CMP研磨後のもので、銅薄膜、タンタル薄膜およびp−TEOS(テトラエトキシシラン)膜の付いたものを試験片として使用した。
洗浄後、得られた試験片の表面を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察し、アニオン性界面活性剤由来の残渣による表面粗さがないものを○、前記表面粗さがあるものを×とした。結果を表1に示す。
実施例1のCMP用洗浄剤組成物に、キレート剤としてエチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩を0.1質量%加えて本発明のCMP用洗浄剤組成物とした。該組成物を用いた以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板の試験片を洗浄して評価を行なった。結果を表1に示す。
実施例1のCMP用洗浄剤組成物の代わりに純水を用いた以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板の試験片を洗浄して評価を行なった。結果を表1に示す。
CMP研磨して銅配線を形成するために使用したポリウレタンタイプの研磨パッドを、3cm×3cmの大きさに切り取り試験片を作成した。得られた試験片を、実施例1のCMP用洗浄剤組成物に30秒浸漬後、純水で洗い流し、乾燥させた。洗浄後、得られた試験片の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、スラリー、研磨剤などに由来する残渣がないものを○、前記残渣があるものを×とした。結果を表2に示す。
実施例1のCMP用洗浄剤組成物の代わりに純水を用いた以外は、実施例3と同様にして試験片を洗浄し評価を行なった。結果を表2に示す。
よって、本発明のCMP用洗浄剤組成物は、半導体ウエハおよび研磨パッドの洗浄剤として優れていることが確認できた。
Claims (5)
- カチオン性化合物を含有することを特徴とする化学機械的研磨用洗浄剤組成物。
- 上記カチオン性化合物が、カチオン性ポリマーである請求項1に記載の化学機械的研磨用洗浄剤組成物。
- 上記カチオン性ポリマーが、下記一般式(I)または(II)で表される構造を持つ請求項2に記載の化学機械的研磨用洗浄剤組成物。
(式中、R11およびR12はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基またはフェニル基を表し、R13およびR14はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜22のアルキル基、フェニル基などのアリール基を表し、アルキル基は水酸基、アミド基、シアノ基、アルコキシ基またはカルボアルコキシ基によって置換されていてもよく、R15は、水素原子または炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、Xはハロゲンイオン、硫酸イオン、アルキル硫酸イオン、スルホン酸イオン、リン酸イオン、硝酸イオンまたは有機酸イオンを表し、A1は−NH2、−OR16または−NR17R18を表す。R16は炭素原子数1〜24のアルキル基を表し、R17およびR18はそれぞれ独立に、炭素原子数1〜3のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を表す。mは1〜50の数であり、pは0〜50の数であり、aは150〜8,000の数である。)
(式中、R21およびR22は前記R11およびR12と同じであり、R23およびR24は前記R13およびR14と同じであり、R25は前記R15と同じであり、Yは前記Xと同じであり、A2は前記A1と同じであり、nは前記mと同じであり、qは前記pと同じであり、bは前記aと同じである。) - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学機械的研磨用洗浄剤組成物を用いることを特徴とする化学機械的研磨に使用された半導体ウエハを洗浄する洗浄方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学機械的研磨用洗浄剤組成物を用いることを特徴とする化学機械的研磨に使用されたパッドを洗浄する洗浄方法。
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