JP5858597B2 - タングステン配線半導体用洗浄剤 - Google Patents
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Description
従来より、このCMP工程後の洗浄方法として、アンモニア・過酸化水素水溶液や塩酸・過酸化水素水溶液を希フッ酸水溶液と組合せて用いる方法が知られている。しかしこれらの方法では、配線金属に対する腐食が大きいために、微細化の進んだ近年の配線形成プロセスには適用できなくなっている。
この方法によれば金属配線を腐食させることなく砥粒や金属残渣を除去できるとされており、近年多くのCMPプロセスに適用されているが、ウェハ表面の構成材料によっては砥粒の除去性が十分でないという課題が顕在化してきている。
半導体製造工程におけるCMP工程の後の工程において本発明の洗浄剤を用いることにより、接触抵抗に優れ、かつ配線の短絡がない半導体基板又は半導体素子が容易に得られる。
鎖状アミンとしては、鎖状モノアミンと鎖状ポリアミンが挙げられる。
鎖状モノアミンとしては、炭素数1〜6の鎖状アルキルモノアミン、炭素数2〜6の鎖状アルカノールアミン(A1)があげられる。
また、鎖状ポリアミン(A2)としては、炭素数2〜5のアルキレンジアミン、炭素数2〜6のポリアルキレンポリアミン等が挙げられる。
アミン系キレート剤(C2)としては、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルグリオキシム、8−オキシキノリン、ポルフィリンなどが挙げられる。
アミノカルボン酸系キレート剤(C3)としては、エチレンジアミン二酢酸およびその金属塩(金属は、ナトリウム、カリウムなど)中和物、エチレンジアミン四酢酸およびその金属塩中和物、ヘキシレンジアミン二酢酸およびその金属塩中和物、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸およびその金属塩中和物、ニトリロ三酢酸三ナトリウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウム、トリエチレントトラミン六酢酸六ナトリウム、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシン、L−グルタミン酸二酢酸四ナトリウムなどが挙げられる。
カルボン酸系キレート剤(C4)としては、シュウ酸、マレイン酸ニナトリウム、エチレンジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、グルコン酸、グルコン酸ナトリウムなどが挙げられる。
ケトン系キレート剤(C5)としては、アセチルアセトン、ヘキサン−2,4−ジオン、3−エチルノナン−4,7−ジオンなどが挙げられる。
高分子キレート剤(C6)としては、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリ[2−ヒドロキシアクリル酸ナトリウム]などが挙げられる。
なお、電気伝導率は、JIS K0400−13−10:1999に準拠して測定される。
このような界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤が挙げられる。
界面活性剤を添加する場合、界面活性剤の含有量は、洗浄剤の表面張力を低下させるのに必要な量でよく、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤の重量に基づいて、通常0.0001〜1重量%、好ましくは0.001〜0.1重量%、特に好ましくは0.001〜0.01重量%である。
混合する方法としては、特に限定されないが、容易かつ短時間で均一に混合できるという観点等から、水(W)と有機アミン(A)、第4級アンモニウムヒドロシキド(B)を混合し、続いてキレート剤(C)、必要によりその他の成分(E)を混合する方法が好ましい。
混合装置としては、撹拌機又は分散機等が使用できる。撹拌機としては、メカニカルスターラー及びマグネチックスターラー等が挙げられる。分散機としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル及びビーズミル等が挙げられる。
ポリエチレン製300ml容器に、テトラエチレンペンタミン(A−1)(商品名:AFR−AN6、純度99.2%、東ソー株式会社製)0.14部、25%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(B−1)(商品名:25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液、純度25%水溶液、多摩化学社製)0.240部、エチレンジアミン四酢酸(C−1)(商品名:キレスト3A、純度98.0%、キレスト株式会社製)0.002部を加えた後、合計重量が100部になるように水(W)99.8部加えた。マグネチックスターラーで撹拌し、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤(D−1)を得た。得られた洗浄剤のpHは、13.2であった。
実施例1において、(A−1)の代わりに、モノエタノールアミン(A−2)(純度99%、和光純薬製)0.14部を用い、(B−1)の配合量を0.200部に変更、(C−1)の配合量を0.004部に変更し、合計重量が100部になるように水を加えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤(D−2)を得た。得られた洗浄剤のpHは、12.5であった。
実施例1において、(B−1)の代わりに、25%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(B−2)(商品名:25%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド溶液、純度25%水溶液、和光純薬製)を用いた以外は実施例1と同様の操作を行い、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤(D−3)を得た。得られた洗浄剤のpHは、12.4であった。
実施例1において、(C−1)の代わりに、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(C−2)(純度98.0%、和光純薬製)を用い、0.004部とした以外は実施例1と同様の操作を行い、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤(D−4)を得た。得られた洗浄剤のpHは、12.9であった。
実施例4において、(A−1)の配合量を0.07部、(B−1)の配合量を0.08部、(C−1)の配合量を0.006部にそれぞれ変更し、合計重量が100部になるように水を加えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、本発明のタングステン配線半導体用洗浄剤(D−5)を得た。得られた洗浄剤のpHは、9.2であった。
実施例1において、(A−1)を配合しない以外は、実施例1と同様な操作を行い、比較のためのタングステン配線半導体用洗浄剤(D’−1)を得た。得られた洗浄剤のpHは、10.4であった。
実施例1において、(B−1)を配合しない以外は、実施例1と同様な操作を行い、比較のためのタングステン配線半導体用洗浄剤(D’−2)を得た。得られた洗浄剤のpHは、9.1であった。
実施例1において、(C−1)を配合しない以外は、実施例1と同様な操作を行い、比較のためのタングステン配線半導体用洗浄剤(D’−3)を得た。得られた洗浄剤のpHは、13.4であった。
エチレンジアミン四酢酸(C−1)0.100部とシュウ酸(純度99%、和光純薬製)5.00部を加えた後、合計重量が100部になるように水を加えた以外は、実施例1と同様な操作を行い、比較のためのタングステン配線半導体用洗浄剤(D’−4)を得た。得られた洗浄剤のpHは、4.5であった。
タングステン耐腐食性の評価は、タングステン単層膜を有するウェハをタングステン配線半導体用洗浄剤中に浸漬させた後、洗浄剤中にウェハから溶出したタングステンの濃度を定量することによって行った。単位面積あたりのタングステンの溶出量が少ないほど、タングステン耐腐食性が優れていると判定した。
以下に、評価方法の手順を示す。
タングステン単層膜を有するウェハ(アドバスマテリアルズテクノロジー製、シリコン基板にタングステン金属を膜厚2μmで蒸着したもの)を、縦1.0cm×横2.0cmの切片に切断し、10%酢酸水溶液に1分間浸漬した後、水で洗浄した。
前処理したタングステン単層膜を有するウェハの切片を、タングステン配線半導体用洗浄剤各10gに浸漬し、25℃で3分間静置した後、洗浄剤から取り出した。
タングステン単層膜を有するウェハの切片を浸漬させた後のタングステン配線半導体用洗浄剤を5g取り出し、硝酸水溶液でpHを3.0に調整した。その後、全量が10gになるまで水を加えて測定液とした。
測定液中のタングステンの濃度を、ICP−MS分析装置(誘導結合プラズマ質量分析装置)(アジレントテクノロジー社製、Agilent7500cs型)を用いて測定した。
タングステンの濃度を下記数式(1)に代入し、タングステン溶出量(ng/cm2)を算出した。
F1:試験片を浸漬させたタングステン配線半導体用洗浄剤の液量(g)
F2:pH調整前に取り出したタングステン配線半導体用洗浄剤の液量(g)
F3:測定液の液量(g)
SW:タングステンの単層膜を有するウェハにおけるタングステン単層膜の面積(cm2)
△:15ng/cm2〜20ng/cm2
×:20ng/cm2以上
金属残渣除去性の評価は、酸化シリコン単層膜を有するウェハを、亜鉛、鉄、およびマグネシウム金属イオンを含有する水溶液に浸漬して汚染させた後、タングステン配線半導体用洗浄剤中に浸漬させることによって洗浄し、ウェハの表面から洗浄剤中に溶出した亜鉛、鉄、およびマグネシウム金属イオンの濃度をICP−MS分析装置(誘導結合プラズマ質量分析装置;アジレントテクノロジー社製、Agilent7500cs型)で定量することによって行った。
ウェハ単位面積あたりの金属イオンの溶出量が多いほど、金属残渣除去性が優れていると判定した。
酸化シリコン単層膜を有するシリコンウェハ(アドバンテック社製、「P−TEOS1.5μ」、酸化シリコンの膜厚=1.5μm。)を、縦1.0cm×横2.0cmの切片に切断し、10%酢酸水溶液に1分間浸漬した後、水で洗浄した。
硝酸亜鉛0.1部、硝酸鉄0.1部および硝酸マグネシウム0.1部に、全量が100gになるように水を加え、亜鉛、鉄、マグネシウムの金属イオンをそれぞれ0.1%含有する水溶液を調製した。
前処理した酸化シリコン単層膜を有するウェハの切片を、金属イオンを含有する水溶液10gに1分間浸漬した後、窒素ブローで乾燥させることにより、ウェハの表面に金属イオンを付着させた。
汚染処理した酸化シリコン単層膜を有するウェハの切片を、タングステン配線半導体用洗浄剤各10gに浸漬した。25℃で3分間静置した後、洗浄剤から取り出した。
浸漬させた後のタングステン配線半導体用洗浄剤を5g取り出し、硝酸水溶液でpHを3.0に調整した。その後、全量が10gになるまで水を加えて測定液とした。測定液中に含有する亜鉛、鉄、およびマグネシウム金属イオンの濃度を、ICP−MS分析装置を用いて測定した。
以下の式を用いて各金属イオンの溶出量を計算した。
G1:試験片を浸漬させたタングステン配線半導体用洗浄剤の液量(g)
G2:pH調整前に取り出したタングステン配線半導体用洗浄剤の液量(g)
G3:測定液の液量(g)
SSiO2:酸化シリコンの単層膜を有するウェハにおける酸化シリコン膜の面積(cm2)
○:15ng/cm2以上
△:10ng/cm2〜15ng/cm2
×:10ng/cm2未満
砥粒除去性の評価は、窒化シリコン単層膜を有するウェハをタングステン配線のCMP工程で使用されているCMPスラリーに浸漬して汚染させた後、タングステン合金配線半導体用洗浄剤中に浸漬させた。
洗浄後のウェハを乾燥した後にSEM(走査型電子顕微鏡)を用いて視野あたりの砥粒の残存度合いを観察した。視野あたりの残存砥粒数が少ないほど、砥粒除去性が優れていると判定した。
窒化シリコン単層膜を有するウェハ(アドバスマテリアルズテクノロジー製、「PE−CVDSiN1.5μ」、窒化シリコンの膜厚=1.0μm。)を、10%酢酸水溶液に1分間浸漬した後、水で洗浄した。
窒化シリコン単層膜を有するウェハを、CMPスラリー(キャボット製、W7000、砥粒の主成分SiO2、平均粒子径0.2μm)に1分間浸漬した後、窒素ブローで乾燥させた。得られた汚染処理後ウェハを縦1.0cm×横1.5cmに切断した。
窒化シリコン単層膜を有するウェハを、本発明と比較用のタングステン配線半導体用洗浄剤各10gに浸漬し、25℃で3分間静置した後、窒化シリコン単層膜を有するウェハを洗浄剤から取り出し、窒素ブローにて乾燥させた。
洗浄後の窒化シリコン単層膜を有するウェハの表面を、SEM(日立ハイテクノロジー社製、機種名S−4800)を用い、10,000倍の倍率で観察した。
ウェハの表面のSEM画像から、視野あたりの残存砥粒数を確認し、以下の判定基準で砥粒除去性を判定した。
○:10個未満
△:10個〜20個
×:20個以上
一方、有機アミン(A)を含まない比較例1は、金属残渣除去性が不良であり砥粒除去性も不十分であった。また、第4級アンモニウムヒドロキシド(B)を含まない比較例2は砥粒除去性が不良であり、キレート剤(C)を含まない比較例3は、金属残渣除去性が不良であった。さらに、キレート剤(C)とシュウ酸しか含まない比較例4は、タングステン耐腐食性が不十分であり、また砥粒除去性能が不良であった。
Claims (9)
- タングステンまたはタングステン合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、必須成分としての鎖状ポリアミン(A2)、第4級アンモニウムヒドロキシド(B)、キレート剤(C)、および水(W)からなり、pHが7.0〜14.0であり、
前記鎖状ポリアミン(A2)は、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、2−ヒドロキシエチルアミノプロピルアミン、ジエタノールアミノプロピルアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、ペンタエチレンヘキサミン、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、キシリレンジアミン、メチレンジアニリン、ジフェニルエーテルジアミン、ナフタレンジアミン、アントラセンジアミン、イソホロンジアミン、シクロヘキシレンジアミン、ピペラジン、N−アミノエチルピペラジン、及び1,4−ジアミノエチルピペラジンからなる群から選択される、
半導体工程用洗浄剤(D)。 - 該鎖状ポリアミン(A2)がテトラエチレンペンタミンである請求項1記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 該第4級アンモニウムヒドロキシド(B)と該鎖状ポリアミン(A2)のモル比(B)/(A2)が、0.1〜5.0である請求項1〜3いずれか記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 該キレート剤(C)と該鎖状ポリアミン(A2)のモル比(C)/(A2)が、0.001〜5.0である請求項1〜4いずれか記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 該第4級アンモニウムヒドロキシド(B)は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、(ヒドロキシアルキル)トリアルキルアンモニウムヒドロキシド、ビス(ヒドロキシアルキル)ジアルキルアンモニウムヒドロキシド、及びトリス(ヒドロキシアルキル)アルキルアンモニウムヒドロキシドからなる群から選択される、請求項3に記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 該第4級アンモニウムヒドロキシド(B)は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、及び(ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群から選択される、請求項3に記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 該キレート剤(C)は、ピロリン酸ナトリウム、トリポリリン酸ナトリウム、トリメタリン酸カリウム、テトラメタリン酸ナトリウム、ジメチルグリオキシム、8−オキシキノリン、ポルフィリン、エチレンジアミン二酢酸およびその金属塩中和物、エチレンジアミン四酢酸およびその金属塩中和物、ヘキシレンジアミン二酢酸およびその金属塩中和物、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸およびその金属塩中和物、ニトリロ三酢酸三ナトリウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウム、トリエチレントトラミン六酢酸六ナトリウム、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシン、L−グルタミン酸二酢酸四ナトリウム、シュウ酸、マレイン酸ニナトリウム、アジピン酸、セバシン酸、アセチルアセトン、ヘキサン−2,4−ジオン、3−エチルノナン−4,7−ジオン、ポリアクリル酸ナトリウム、及びポリ[2−ヒドロキシアクリル酸ナトリウム]からなる群から選択される1種を含む、請求項1〜4いずれか記載の半導体工程用洗浄剤(D)。
- 化学的機械的研磨の後に続く半導体を洗浄する方法であって、該方法は、研磨剤由来の砥粒及び絶縁膜上の金属残差を除去するために、請求項1〜8いずれか記載の洗浄剤を前記半導体の表面に接触させることを含み、前記半導体の前記表面はタングステンまたはタングステン合金配線を含む、方法。
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