JP2007011929A - 不揮発性メモリのデータ更新方法、制御装置、及びデータ更新プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ホストコンピュータ11からのコマンドに基づき所定パターンを記憶するRAM3を用いて、更新が必要なデータが属するセクタを消去するセクタ消去工程を含む不揮発性メモリ(フラッシュROM1)のデータ更新方法であって、そのセクタ消去工程は、複数のセクタ消去手順に分割されるとともに、セクタ消去手順の前後のうち少なくとも一において、所定パターンの真偽を判定するパターン真偽判定工程を含み、パターン真偽判定工程による判定結果が真であるとき、セクタを消去する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリのデータ更新方法を実行するシステムの電気的構成を示すブロック図である。
図2は、本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリのデータ更新方法のうち、セクタ消去工程の流れを示すフローチャートである。図2(a)に示すように、セクタ消去工程は、複数のセクタ消去手順(セクタ消去手順1,セクタ消去手順2,・・・)に分割されている。
2 CPU
3 RAM
4 ROM
5 I/Fポート
10 カードリーダ
11 ホストコンピュータ
Claims (7)
- 上位装置からのコマンドに基づき所定パターンを記憶する記憶手段を用いて、更新が必要なデータが属するセクタを消去するセクタ消去工程を含む不揮発性メモリのデータ更新方法であって、
前記セクタ消去工程は、
複数のセクタ消去手順に分割されるとともに、前記セクタ消去手順の前後のうち少なくとも一において、前記所定パターンの真偽を判定するパターン真偽判定工程を含み、
前記パターン真偽判定工程による判定結果が真であるとき、前記セクタを消去することを特徴とする不揮発性メモリのデータ更新方法。 - 前記セクタ消去工程は、前記複数のセクタ消去手順のうち最後のセクタ消去手順の前に、前記パターン真偽判定工程を含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。
- 前記所定パターンは、前記記憶手段の各記憶領域に複数記憶され、
前記パターン真偽判定工程は、前記所定パターンの真偽を複数回判定するとともに、
前記セクタ消去工程は、前記パターン真偽判定工程による判定結果が全て真であるとき、前記セクタを消去することを特徴とする請求項1又は2記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。 - 前記所定パターンが、前記記憶手段の各記憶領域に複数記憶される場合において、
直前に記憶された所定パターンが正常に記憶されていないときには、前記所定パターンの代わりに予め定められた異常パターンが前記記憶手段の各記憶領域に複数記憶されることを特徴とする請求項3記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。 - 前記所定パターンが、前記記憶手段の各記憶領域に複数記憶される場合において、
所定時間内に前記所定パターンが全て記憶されなかったときには、前記所定パターンの代わりに予め定められた異常パターンが前記記憶手段の各記憶領域に複数記憶されることを特徴とする請求項3又は4記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。 - 請求項1から5のいずれか記載の不揮発性メモリのデータ更新方法を実行する制御手段を備えた不揮発性メモリの制御装置。
- 上位装置からのコマンドに基づき所定パターンを記憶する記憶手段を用いて、更新が必要なデータが属するセクタを消去するセクタ消去工程を含む不揮発性メモリのデータ更新プログラムであって、
前記セクタ消去工程は、
複数のセクタ消去手順に分割されるとともに、前記セクタ消去手順の前後のうち少なくとも一において、前記所定パターンの真偽を判定するパターン真偽判定工程を含み、
前記パターン真偽判定工程による判定結果が真であるとき、前記セクタを消去することを特徴とする不揮発性メモリのデータ更新プログラム。
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