JP2002351685A - 不揮発性メモリのデータ更新方法及び制御装置 - Google Patents

不揮発性メモリのデータ更新方法及び制御装置

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JP2002351685A
JP2002351685A JP2001153139A JP2001153139A JP2002351685A JP 2002351685 A JP2002351685 A JP 2002351685A JP 2001153139 A JP2001153139 A JP 2001153139A JP 2001153139 A JP2001153139 A JP 2001153139A JP 2002351685 A JP2002351685 A JP 2002351685A
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Fumihiko Akaha
史彦 赤羽
Tsutomu Baba
勉 馬場
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Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価かつ確実に不揮発性メモリ内のデータを
保護する。 【解決手段】 更新が必要なデータが属するセクタ５と
少なくとも同じ記憶容量を有するバックアップ領域６を
備えるようにして、不揮発性メモリ１中の必要なデータ
を更新する場合には、当該更新が必要なデータが属する
セクタ５内の更新前データをバックアップ領域６に書き
込み、その後、更新が必要なデータが属するセクタ５を
消去して当該セクタ５に更新後データと当該更新後デー
タの誤り検出用コードとを書き込むようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリの
データ更新方法及び制御装置に関する。さらに詳述する
と、本発明は、不揮発性メモリ内のデータを保護するた
めのデータ更新方法及び制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フラッシュメモリの記憶容量は目
覚しく拡張し、また書き換え回数の耐久も桁違いに大き
く伸びてきている。その結果、フラッシュメモリは、以
前の主用途であった比較的書き換え頻度の小さいプログ
ラムコードを保存するための役割のみならず、書き換え
頻度の極めて大きいデータを保存するための不揮発性メ
モリとしても使用されている。
【０００３】ここで、フラッシュメモリ上のデータの更
新に際しては、フラッシュメモリの特性上、ビットデー
タを「０」から「１」へ更新する場合には、更新するデ
ータが所属するセクタ内の全データを一旦消去（対象の
ビットデータを論理的に「１」にする動作のことを言
う）しなければならず、セクタ中の一部データだけをピ
ンポイントで消去することはできない。したがって、フ
ラッシュメモリのデータ更新処理は、次の手順で行われ
ている（図４参照）。
【０００４】先ず、更新すべきデータが含まれるセクタ
内の全データが消去される前に、揮発性メモリであるＲ
ＡＭ（Random Access Memory）等にマッピングされたワ
ークエリアを用意し、そこに消去される範囲のデータを
コピーして一時退避する（ステップ１０１）。そして、
当該ワークエリア上で更新すべきデータの更新作業を行
う（ステップ１０２）。一方、フラッシュメモリの該当
セクタを消去する（ステップ１０３）。そして、ワーク
エリア上の更新後データを、フラッシュメモリの消去さ
れた該当セクタに書き込み（ステップ１０４）、データ
の更新が完了する。
【０００５】しかしながら、フラッシュメモリの消去作
業は、セクタ内の全データを一旦消去しなければならな
いこともあり、他の処理と比して長時間（例えば秒単
位）を要する場合が多い。フラッシュメモリのセクタサ
イズは数１０バイトから数１０Ｋバイトと製品の種類に
より様々であるが、ものによっては消去動作を開始して
から終了するまで最大１５秒程度要するものもある。
【０００６】このため、フラッシュメモリの消去作業か
ら更新後データの書き込みが終わるまでの間に不測の電
源断が発生した場合に、フラッシュメモリの制御が途中
で中断されるとともに、揮発性メモリであるＲＡＭ上の
データが失われてしまい、重要データの回復不可能な喪
失という深刻な事態が懸念される。
【０００７】そこで従来は、電源がダウンしてきたこと
を検出する回路と、電源が完全にダウンした場合に補助
的に電源を復帰させるためのバックアップ電源などを装
備し、電源ダウンに対処することが行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フラッ
シュメモリ上の重要なデータを不測の電源断から保護す
るために、バックアップ電源等のハードウェアを追加す
るとなると、その分、対象製品のコストは上がってしま
う。また、フラッシュメモリの消去時間に要する最大値
を完全に補うような大きなサイズのバックアップ電源を
対象製品に搭載するとなると、場合によっては当該対象
製品の形状をも変更せざるを得ないことがある。また、
不測の電源断へのハード的な対策がバッテリである場
合、バッテリに充分な充電ができていない場合は当該対
策の効果も無くなってしまうため、充分な充電ができて
いるか否かといったことを予め検出するための仕組みも
別途必要となる。
【０００９】そこで本発明は、安価かつ確実に不揮発性
メモリ内のデータを保護することができる不揮発性メモ
リのデータ更新方法及び制御装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、必要なデータをセクタ毎に
保存する不揮発性メモリのデータ更新方法において、更
新が必要なデータが属するセクタと少なくとも同じ記憶
容量を有するバックアップ領域を備えて、必要なデータ
を更新する場合には、当該更新が必要なデータが属する
セクタ内の更新前データをバックアップ領域に書き込
み、その後、更新が必要なデータが属するセクタを消去
して当該セクタに更新後データと当該更新後データの誤
り検出用コードとを書き込むようにしている。
【００１１】また、請求項５記載の発明は、必要なデー
タをセクタ毎に保存する不揮発性メモリを制御する装置
において、更新が必要なデータが属するセクタと少なく
とも同じ記憶容量を有するバックアップ領域を備えて、
必要なデータを更新する場合には、当該更新が必要なデ
ータが属するセクタ内の更新前データをバックアップ領
域に書き込み、その後、更新が必要なデータが属するセ
クタを消去して当該セクタに更新後データと当該更新後
データの誤り検出用コードとを書き込むように制御する
ようにしている。
【００１２】したがって、不揮発性メモリのデータ更新
処理中に不測の電源断が発生した場合でも、次のように
少なくとも不揮発性メモリを更新前の状態に回復するこ
とができる。即ち、電源復帰後に、更新対象であったセ
クタのデータの正誤を、誤り検出用コードを用いて判断
する。更新対象であったセクタのデータに誤りがあれ
ば、バックアップ領域の更新前データを更新対象であっ
たセクタに書き戻す。
【００１３】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の不揮発性メモリのデータ更新方法において、更新前
データをバックアップ領域に書き込む際に、更新前デー
タの誤り検出用コードをバックアップ領域に書き込むよ
うにしている。したがって、バックアップ領域の更新前
データを更新対象であったセクタに書き戻す処理に先立
って、バックアップ領域のデータの正誤を誤り検出用コ
ードを用いて判断することができる。
【００１４】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の不揮発性メモリのデータ更新方法におい
て、バックアップ領域は、必要なデータが属するセクタ
と同じ大きさを有する不揮発性メモリ内に設けられたバ
ックアップ用のセクタであるものとしている。この場
合、別途バックアップ用の記憶媒体を設ける必要はな
く、安価にバックアップ領域を設けることができる。
【００１５】また、請求項４記載の発明は、請求項１か
ら３のいずれかに記載の不揮発性メモリのデータ更新方
法において、不揮発性メモリは、フラッシュメモリであ
るものとしている。したがって、更新するデータが所属
するセクタ内の全データを消去する必要があるフラッシ
ュメモリにおいて、データ更新処理中に不測の電源断が
発生した場合でも、少なくとも不揮発性メモリを更新前
の状態に回復することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を図面に示す
実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】図１から図３に本発明の不揮発性メモリの
データ更新方法及び制御装置の実施の一形態を示す。本
発明方法は、必要なデータをセクタ毎に保存する不揮発
性メモリ１のデータ更新方法であり、更新が必要なデー
タが属するセクタ５と少なくとも同じ記憶容量を有する
バックアップ領域６を備えるようにして、不揮発性メモ
リ１中の必要なデータを更新する場合には、当該更新が
必要なデータが属するセクタ５内の更新前データをバッ
クアップ領域６に書き込み、その後、更新が必要なデー
タが属するセクタ５を消去して当該セクタ５に更新後デ
ータと当該更新後データの誤り検出用コードとを書き込
むようにしている。
【００１８】また、例えば本実施形態では、更新前デー
タをバックアップ領域６に書き込む際に、更新前データ
の誤り検出用コードをバックアップ領域６に書き込むよ
うにしている。
【００１９】また、例えば本実施形態では、バックアッ
プ領域６は、必要なデータが属するセクタ５と同じ大き
さを有する不揮発性メモリ１内に設けられたバックアッ
プ用のセクタ６であるとしている。
【００２０】また、例えば本実施形態の不揮発性メモリ
１は、フラッシュメモリである。以下、不揮発性メモリ
をフラッシュメモリ１と呼ぶ。
【００２１】本発明方法は、例えばプログラムとして記
述され、当該プログラムは、フラッシュメモリ１に接続
してフラッシュメモリ１に対しデータの書き込みまたは
読み出し処理を行うマイクロコンピュータ１１によって
実行される。これにより、フラッシュメモリ１の制御装
置が実現される。マイクロコンピュータ１１とフラッシ
ュメモリ１とは例えばバスを介して接続され、バス上に
は例えばデータ編集作業用のＲＡＭ９が接続される（図
１参照）。
【００２２】本実施形態のフラッシュメモリ１のメモリ
領域は、例えばプログラムエリア２とデータ用エリア３
とバックアップ用エリア４で構成される。
【００２３】プログラムエリア２は、マイクロコンピュ
ータ１１がリセットされた場合に一番最初にロードされ
て必要な制御を行うプログラムコードや本発明を実行す
るプログラムコード等が記録されており、単数若しくは
複数のセクタからなる。本実施形態においては、プログ
ラムエリア２が消去されることはないものとする。
【００２４】データ用エリア３は、必要なデータが記録
されるメモリ領域であって、適宜に更新可能なエリアで
あり、単数若しくは複数のセクタからなる。本実施形態
では、データ用エリア３中のセクタをデータ用セクタ５
と呼ぶ。
【００２５】バックアップ用エリア４は、データ用エリ
ア３の更新の際に更新前データをバックアップ（コピ
ー）するためのメモリ領域である。例えば、本実施形態
では、データ用エリア３と同一のフラッシュメモリ１内
に、データ用エリア３と同じサイズ（記憶容量）のバッ
クアップ用エリア４を設けるようにしている。本実施形
態では、バックアップ用エリア４中のセクタをバックア
ップ用セクタ６と呼ぶ。なお、本実施形態では、バック
アップ用セクタ６とデータ用セクタ５とは同一サイズ
（記憶容量）である。
【００２６】また、本実施形態では、データ用エリア３
内のデータの誤り有無、バックアップ用エリア４内のデ
ータの誤り有無をチェックすることができるように、デ
ータ用エリア３及びバックアップ用エリア４に誤り検出
用コードを書き込むようにしている。例えば、本実施形
態では、データ用エリア３及びバックアップ用エリア４
の各セクタについてのＢＣＣ（Block Check Characte
r）を各セクタに書き込むようにしている。ＢＣＣとし
ては例えば既知のＣＲＣ（Cyclic Redundancy Check）
を利用する。データ用エリア３及びバックアップ用エリ
ア４の各セクタには、ＣＲＣ値を書き込むための領域を
設けるものとする。
【００２７】図１のように構成されるフラッシュメモリ
１の制御装置では、例えば図２のフローチャートに示す
データ更新処理を行う。先ず、更新対象のデータが含ま
れるデータ用セクタ５のバックアップに先立って、バッ
クアップ用セクタ６を消去する（ステップ１）。そし
て、データ用セクタ５内の更新前データをバックアップ
用セクタ６にコピーする（ステップ２）。また、バック
アップ用セクタ６にコピーした更新前データのＣＲＣ値
を計算し、当該バックアップ用セクタ６に書き込む（ス
テップ３、図１中符号７参照）。データ用セクタ５の更
新前データをＲＡＭ９上のワークエリア１０にコピーす
る（ステップ４）。そして、ＲＡＭ９上のワークエリア
１０にて必要なデータの編集を行う（ステップ５）。ワ
ークエリア１０上に作成された更新後データの書き込み
に先立って、データ用セクタ５を消去する（ステップ
６）。そして、ワークエリア１０上の更新後データをデ
ータ用セクタ５に書き込む（ステップ７）。データ用セ
クタ５に書き込んだ更新後データのＣＲＣ値を計算し、
当該データ用セクタ５に書き込む（ステップ８、図１中
符号８参照）。
【００２８】以上のようなデータ更新処理を行うことに
より、当該データ更新処理中に不測の電源断が発生した
としても、例えば図３のフローチャートに示すデータ回
復処理を行うことで、少なくともフラッシュメモリ１を
データ更新前の状態に回復することができる。
【００２９】即ち電源断後、電源が復帰した場合または
スイッチ等により再び電源が入れられた場合（ステップ
９；Ｎｏ）、先ず、データ用セクタ５のＣＲＣ値を計算
し（ステップ１０）、計算したＣＲＣ値と当該データ用
セクタ５に記録されているＣＲＣ値とを比較する（ステ
ップ１１）。ＣＲＣ値が一致すれば（ステップ１１；Ｙ
ｅｓ）、データ用セクタ５内のデータは正しく、電源断
が発生した時点ではデータ用セクタ５内のデータの更新
は未だ行われていなかった、または無事にデータ更新処
理を終了していた等と想定され、回復処理の必要は無し
と判断できる。
【００３０】一方、ＣＲＣ値が一致しない場合（ステッ
プ１１；Ｎｏ）、データ用セクタ５内のデータに誤りが
ある事が分かり、例えばデータ用セクタ５の消去中（ス
テップ６）、またはデータ用セクタ５への更新後データ
の書き込み中（ステップ７）、若しくはＣＲＣ値を計算
してデータ用セクタ５に書き込む最中（ステップ８）に
電源断が発生してしまい、データ更新が正しく行われな
かったと想定される。
【００３１】そこで、バックアップ用セクタ６に記録さ
れている更新前データのＣＲＣ値を計算し（ステップ１
２）、計算したＣＲＣ値と当該バックアップ用セクタ６
に記録されているＣＲＣ値とを比較する（ステップ１
３）。ＣＲＣ値が一致すれば（ステップ１３；Ｙｅ
ｓ）、バックアップ用セクタ６内の更新前データが正し
いことが確認できる。そこで、当該バックアップ用セク
タ６内の更新前データを該当するデータ用セクタ５にコ
ピーする（ステップ１４）。そして、今回の回復処理に
よりデータ用セクタ５のデータが正常となっている事を
次回電源投入時に判断できるように、データ用セクタ５
に書き込んだ更新前データのＣＲＣ値を計算して当該デ
ータ用セクタ５に書き込んでおく（ステップ１５）。
【００３２】ここで、バックアップ用セクタ６内のデー
タに誤りが発生する原因としては、例えば、バックアッ
プ用セクタ６の消去中（ステップ１）、または更新前デ
ータをバックアップ用セクタ６にコピーしている最中
（ステップ２）、若しくはＣＲＣ値を計算して当該バッ
クアップ用セクタ６に書き込む最中（ステップ３）に、
不測の電源断が発生したことが想定される。ところが、
このような電源断の時点では、データ用セクタ５の消去
（ステップ６）、またはデータ用セクタ５へ更新後デー
タを書き込む（ステップ７）、若しくはＣＲＣ値を計算
して当該データ用セクタ５に書き込む（ステップ８）、
といったデータ用セクタ５への処理は未だ行われておら
ず、データ用セクタ５に電源断の影響は及ばない。した
がって、データ用セクタ５のＣＲＣ値が一致せず（ステ
ップ１１；Ｎｏ）、かつバックアップ用セクタ６のＣＲ
Ｃ値も一致しない（ステップ１３；Ｎｏ）ということ
は、通常は起こり得ない。そこで、本実施形態では、デ
ータ用セクタ５のＣＲＣ値が一致せず（ステップ１１；
Ｎｏ）、かつバックアップ用セクタ６のＣＲＣ値も一致
しない（ステップ１３；Ｎｏ）場合には、回復不能のエ
ラーと判断し、例えばフラッシュメモリ１上のデータを
初期化すべきと判断する（ステップ１６）。
【００３３】以上のように本発明によれば、フラッシュ
メモリ１のデータ更新処理中に不測の電源断が発生した
場合でも、少なくともフラッシュメモリ１を更新前の状
態に回復することができる。したがって、重要データの
回復不可能な喪失という最悪の事態を回避することがで
きる。
【００３４】また、本発明は例えばソフトウェアにより
容易に実現することができる。したがって、バックアッ
プ電源等のハードウェアの追加は不要となる。また、本
発明は、例えば本発明が適用される対象装置のバッテリ
の状況（満充電か否か等）に左右されることなく、フラ
ッシュメモリ１中のデータの保護が可能である。したが
って、バッテリに充分な充電ができているか否か調べる
ための仕組みも不要となる。即ち本発明によれば、十分
な信頼性を維持しつつ不必要なハードウェアを省略し
て、対象装置の大幅なコスト削減が図れる。また、本発
明によれば、ハードウェアの追加によって対象装置の形
状を変更するようなことも無い。
【００３５】なお、上述の実施形態は本発明の好適な実
施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能
である。
【００３６】例えば、更新すべきデータの、更新前の値
と更新後の値をビット単位で比較した場合に変更ビット
がすべて「１」から「０」への変更である場合は、フラ
ッシュメモリ１の機能上可能であれば、消去動作は実施
せずに変更の必要のあるデータのみオーバライトするよ
うにしても良い。
【００３７】また、不揮発性メモリ１は、フラッシュメ
モリに限定されるものではなく、例えば、他の書き換え
可能な不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ（Electrical
ly Erasable Programmable Read Only Memory）やＦＲ
ＡＭ(強誘電性メモリ)等を用いるものとしても良い。
【００３８】また、バックアップ領域６は必ずしも更新
が必要なデータを有するフラッシュメモリ１内に設ける
ものに限定されず、例えば別個のフラッシュメモリに設
けるようにしても良い。また、バックアップ用セクタ６
やバックアップ用エリア４は、それぞれデータ用セクタ
５やデータ用エリア３と同一の記憶容量であるものに限
定されず、例えばそれ以上の記憶容量としても良い。
【００３９】また、誤り検出用コードは、ＣＲＣに限定
されるものではなく、その他の誤り検出用コードであっ
ても良い。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載の不揮発性メモリのデータ更新方法及び請求項５
記載の不揮発性メモリの制御装置によれば、更新が必要
なデータが属するセクタと少なくとも同じ記憶容量を有
するバックアップ領域を備えて、必要なデータを更新す
る場合には、当該更新が必要なデータが属するセクタ内
の更新前データをバックアップ領域に書き込み、その
後、更新が必要なデータが属するセクタを消去して当該
セクタに更新後データと当該更新後データの誤り検出用
コードとを書き込むようにしているので、データ更新処
理中に不測の電源断が発生した場合でも、少なくとも不
揮発性メモリを更新前の状態に回復することができる。
したがって、重要データの回復不可能な喪失という最悪
の事態を回避することができる。
【００４１】また、本発明は、本発明が適用される対象
装置のバッテリの状況（満充電か否か等）に左右される
ことなく不揮発性メモリ中のデータの保護が可能である
から、バッテリに充分な充電ができているか否か調べる
ための仕組みは不要である。また、バックアップ電源等
のハードウェアの追加も不要である。したがって、デー
タ保護の十分な信頼性を維持しつつ不必要なハードウェ
アを省略して、対象装置の大幅なコスト削減が図ること
ができる。また、本発明によれば、ハードウェアの追加
によって対象装置の形状を変更するようなことも無くな
る。
【００４２】さらに、請求項２記載の不揮発性メモリの
データ更新方法によれば、バックアップ領域の更新前デ
ータを更新対象であったセクタに書き戻す処理に先立っ
て、バックアップ領域のデータの正誤を誤り検出用コー
ドを用いて判断することができる。
【００４３】さらに、請求項３記載の不揮発性メモリの
データ更新方法によれば、別途バックアップ用の記憶媒
体を設ける必要はなく、安価にバックアップ領域を設け
ることができる。
【００４４】さらに、請求項４記載の不揮発性メモリの
データ更新方法によれば、不揮発性メモリはフラッシュ
メモリであるものとしているので、更新するデータが所
属するセクタ内の全データを消去する必要があるフラッ
シュメモリにおいて、データ更新処理中に不測の電源断
が発生した場合でも、少なくとも不揮発性メモリを更新
前の状態に回復することができ、重要データの回復不可
能な喪失という最悪の事態を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の不揮発性メモリの制御装置の実施の一
形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の不揮発性メモリのデータ更新方法にお
ける処理の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明の不揮発性メモリのデータ更新方法にお
ける処理の一例を示すフローチャートである。
【図４】従来のフラッシュメモリのデータ更新処理の一
例を示すフローチャートである。
【符号の説明】 １ フラッシュメモリ（不揮発性メモリ） ５ データ用セクタ（更新が必要なデータが属するセク
タ） ６ バックアップ用セクタ（バックアップ領域）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｃ 16/02 Ｇ１１Ｃ 17/00 ６０１Ｑ Ｆターム(参考） 5B001 AA04 AB01 AD03 5B018 GA01 GA04 GA06 HA03 HA13 KA21 NA06 QA15 5B025 AD01 AD04 AD05 AD08 AD13 AE08 5B076 EB02 EB09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 必要なデータをセクタ毎に保存する不揮
    発性メモリのデータ更新方法において、更新が必要なデ
    ータが属するセクタと少なくとも同じ記憶容量を有する
    バックアップ領域を備えて、上記必要なデータを更新す
    る場合には、当該更新が必要なデータが属するセクタ内
    の更新前データを前記バックアップ領域に書き込み、そ
    の後、前記更新が必要なデータが属するセクタを消去し
    て当該セクタに更新後データと当該更新後データの誤り
    検出用コードとを書き込むことを特徴とする不揮発性メ
    モリのデータ更新方法。
  2. 【請求項２】 前記更新前データを前記バックアップ領
    域に書き込む際に、前記更新前データの誤り検出用コー
    ドを前記バックアップ領域に書き込むことを特徴とする
    請求項１記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。
  3. 【請求項３】 前記バックアップ領域は、前記必要なデ
    ータが属するセクタと同じ大きさを有する前記不揮発性
    メモリ内に設けられたバックアップ用のセクタであるこ
    とを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性メモリ
    のデータ更新方法。
  4. 【請求項４】 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモ
    リであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに
    記載の不揮発性メモリのデータ更新方法。
  5. 【請求項５】 必要なデータをセクタ毎に保存する不揮
    発性メモリを制御する装置において、更新が必要なデー
    タが属するセクタと少なくとも同じ記憶容量を有するバ
    ックアップ領域を備えて、上記必要なデータを更新する
    場合には、当該更新が必要なデータが属するセクタ内の
    更新前データを前記バックアップ領域に書き込み、その
    後、前記更新が必要なデータが属するセクタを消去して
    当該セクタに更新後データと当該更新後データの誤り検
    出用コードとを書き込むように制御することを特徴とす
    る不揮発性メモリの制御装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311010A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Samsung Electronics Co Ltd エラー訂正機能を有したフラッシュメモリ装置
JP2009520289A (ja) * 2005-12-20 2009-05-21 ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング データ記憶装置における停電を検出する方法、およびデータ記憶装置を復旧する方法
JP2013080379A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Dainippon Printing Co Ltd セキュリティトークン、データの更新方法及びコンピュータプログラム

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4453323B2 (ja) * 2003-10-02 2010-04-21 株式会社日立製作所 複製データの管理方法、装置、及びプログラム
US8706990B2 (en) 2003-10-28 2014-04-22 Sandisk Technologies Inc. Adaptive internal table backup for non-volatile memory system
DE102004006645A1 (de) * 2004-02-11 2005-09-22 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zum sicheren Berechnen einer Prüfsumme
KR101058007B1 (ko) * 2004-05-18 2011-08-19 삼성전자주식회사 기록 매체에 저장된 데이터를 삭제하는 방법 및 삭제된데이터를 복원하는 방법
WO2006019990A2 (en) * 2004-07-15 2006-02-23 Mastercard International Incorporated Contactless payment card reader with a frusto-conical operating volume
JP4325579B2 (ja) * 2005-03-29 2009-09-02 ヤマハ株式会社 コンテンツデータ再生装置およびコンテンツデータ再生プログラム
US7391237B2 (en) * 2005-04-29 2008-06-24 O2 Micro International Limited Robust and economic solution for FPGA bitfile upgrade
CN200976140Y (zh) * 2005-04-29 2007-11-14 美国凹凸微系有限公司 一种用于现场可编程门阵列位文件升级的***
KR100746198B1 (ko) * 2005-07-08 2007-08-06 삼성전자주식회사 데이터 저장장치, 데이터 저장방법, 및 그 기록매체
US7761732B2 (en) * 2005-12-07 2010-07-20 International Business Machines Corporation Data protection in storage systems
FR2897192A1 (fr) * 2006-02-08 2007-08-10 Gemplus Sa Procede de mise a jour securisee de memoire volatile
KR100889781B1 (ko) 2007-04-30 2009-03-20 삼성전자주식회사 멀티-비트 데이터를 저장하는 메모리 시스템, 그것의프로그램 방법, 그것을 포함한 컴퓨팅 시스템
US7991942B2 (en) 2007-05-09 2011-08-02 Stmicroelectronics S.R.L. Memory block compaction method, circuit, and system in storage devices based on flash memories
US20080282024A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Sudeep Biswas Management of erase operations in storage devices based on flash memories
US7882301B2 (en) * 2007-05-09 2011-02-01 Stmicroelectronics S.R.L. Wear leveling in storage devices based on flash memories and related circuit, system, and method
US8041883B2 (en) * 2007-05-09 2011-10-18 Stmicroelectronics S.R.L. Restoring storage devices based on flash memories and related circuit, system, and method
US20080301355A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Phison Electronics Corp. Flash memory information reading/writing method and storage device using the same
JP2010044504A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Hitachi Cable Ltd フラッシュメモリを用いた装置及びそのフラッシュメモリへのデータの書き込み方法
US9495250B2 (en) * 2008-09-02 2016-11-15 Fujitsu Limited Providing code to a programmable device
JP4819116B2 (ja) * 2008-12-19 2011-11-24 富士通株式会社 制御装置、ストレージ装置および制御方法
US20120246384A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Winbond Electronics Corp. Flash memory and flash memory accessing method
CN102298545B (zh) * 2011-08-23 2014-03-19 晨星软件研发(深圳)有限公司 一种***启动引导处理方法及装置
JP2013222435A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその制御方法
CN103914667B (zh) * 2012-12-29 2017-05-24 北京谊安医疗***股份有限公司 一种安全读写eeprom的方法及其***
CN103455449B (zh) * 2013-08-29 2016-12-28 华为技术有限公司 非易失性存储介质访问方法、数据更新方法及设备
JP2017045405A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 株式会社東芝 メモリシステム
KR102474937B1 (ko) * 2016-03-21 2022-12-07 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10121555B2 (en) * 2016-05-26 2018-11-06 Advanced Micro Devices, Inc. Wear-limiting non-volatile memory
US10261704B1 (en) 2016-06-29 2019-04-16 EMC IP Holding Company LLC Linked lists in flash memory
US10331561B1 (en) 2016-06-29 2019-06-25 Emc Corporation Systems and methods for rebuilding a cache index
US10089025B1 (en) 2016-06-29 2018-10-02 EMC IP Holding Company LLC Bloom filters in a flash memory
US10037164B1 (en) * 2016-06-29 2018-07-31 EMC IP Holding Company LLC Flash interface for processing datasets
US10055351B1 (en) 2016-06-29 2018-08-21 EMC IP Holding Company LLC Low-overhead index for a flash cache
US10146438B1 (en) 2016-06-29 2018-12-04 EMC IP Holding Company LLC Additive library for data structures in a flash memory

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2251324B (en) * 1990-12-31 1995-05-10 Intel Corp File structure for a non-volatile semiconductor memory
GB2251323B (en) * 1990-12-31 1994-10-12 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
JPH05151097A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Fujitsu Ltd 書換回数制限型メモリのデータ管理方式
US5535369A (en) * 1992-10-30 1996-07-09 Intel Corporation Method for allocating memory in a solid state memory disk
JP2856621B2 (ja) * 1993-02-24 1999-02-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
JP3078946B2 (ja) * 1993-03-11 2000-08-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 一括消去型不揮発性メモリの管理方法及び半導体ディスク装置
US5485595A (en) * 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
US5479638A (en) * 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
JPH07219860A (ja) 1994-02-04 1995-08-18 Oki Electric Ind Co Ltd メモリ書換え制御方法と制御装置
US5544312A (en) * 1994-04-29 1996-08-06 Intel Corporation Method of detecting loss of power during block erasure and while writing sector data to a solid state disk
JPH08328762A (ja) * 1995-06-06 1996-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体ディスク装置及びそのメモリ管理方法
US5907856A (en) * 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5875477A (en) * 1995-12-22 1999-02-23 Intel Corporation Method and apparatus for error management in a solid state disk drive using primary and secondary logical sector numbers
US5745418A (en) * 1996-11-25 1998-04-28 Macronix International Co., Ltd. Flash memory mass storage system
TW333648B (en) * 1997-10-30 1998-06-11 Key Technology Corp The connection structure and algorithm for flash memory
JP2001075941A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータおよびその動作方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311010A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Samsung Electronics Co Ltd エラー訂正機能を有したフラッシュメモリ装置
JP2009520289A (ja) * 2005-12-20 2009-05-21 ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング データ記憶装置における停電を検出する方法、およびデータ記憶装置を復旧する方法
US8074120B2 (en) 2005-12-20 2011-12-06 Robert Bosch Gmbh Method for recognizing a power failure in a data memory and recovering the data memory
JP2013080379A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Dainippon Printing Co Ltd セキュリティトークン、データの更新方法及びコンピュータプログラム

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Publication number Publication date
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