JP4675980B2 - 不正行為防止方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係る不正行為防止方法にて使用する電子機器装置1のブロック図である。
図3は、正常時において電子機器装置1にて実行される処理ルーチンを示すフローチャートである。
図4は、不正行為時において電子機器装置1にて実行される処理ルーチンを示すフローチャートである。
以下、EEPROM12内に格納されている電子情報をRAM11に格納して、EEPROM12の電子情報をRAM11に退避した後に、EEPROM12内に格納されている電子情報を消去する例について説明する。なお、電子情報の退避は、EEPROM12内に格納されている電子情報の全てであってもよく、EEPROM12内に格納されている電子情報の一部(例えば、鍵データ)であってもよい。EEPROM12内に格納されている電子情報の全部又は一部を消去するのは、EEPROM12内の電子情報を特定することができないようにするためであり、以下では、電子情報の一部である鍵データを退避させて消去する例を説明する。
鍵データの他に、実行プログラムの一部もRAM11に格納して、RAM11とEEPROM12とに格納された実行プログラムで運用することもできる、この場合、電源切断許可コマンドを受信することなく電源が切断されたときは、実行プログラムの一部も消失されてしまうため、以後正常に動作できなくなる。EEPROM12からRAM11に移動する実行プログラムの一部としては、各割り込みのジャンプ先が指定されているテーブルや、モニタ管理されるタスクが指定されているタスクテーブルなどがある。
10 CPU
11 RAM(揮発性メモリ)
12 EEPROM(不揮発性メモリ)
Claims (2)
- 機密データを含む電子情報が格納された不揮発性メモリと、各種動作に必要な作業データが格納される揮発性メモリと、が備えられた機密データを取り扱う電子機器装置の不正操作を防止する不正操作防止方法であって、
電子機器装置は、その通電状態において、
前記不揮発性メモリ内に格納されている電子情報の内容が正しいか否かを判断する工程と、
電子情報の内容が正しい場合に、
前記不揮発性メモリ内に格納されている電子情報を、前記揮発性メモリに格納する工程と、
前記不揮発性メモリから揮発性メモリに格納された電子情報を、当該不揮発性メモリ内から消去する工程と、
上位装置から電源を切ることを許可する電源切断許可コマンドを受信後、前記揮発性メモリ内に格納されている電子情報を前記不揮発性メモリに格納する工程と、
を有し、
電子機器装置は、前記電源切断許可コマンドを受信することなく通電状態から非通電状態となった後、再度の通電状態において、前記不揮発性メモリ内に格納されている電子情報の内容が誤りであると判断して上位装置にエラーを通知することを特徴とする不正行為防止方法。 - 前記電子情報には実行プログラムを含むことを特徴とする請求項1記載の不正行為防止方法。
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