JP2005123571A - トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 45
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 42
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 140
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 25
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
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- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
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Abstract
【課題】従来のレーザアニール法により結晶化された多結晶シリコンは、移動度が等方性を有するので、画素内に移動度が異なるトランジスタを配置する場合に、一方のトランジスタサイズを他方のトランジスタサイズと比較して極端に大きくしなければならなかった。このため、トランジスタが占める面積が大きくなり、開口率を下げていた。
【解決手段】横方向に結晶させた多結晶シリコンをトランジスタの半導体層として用いる。この多結晶シリコンの移動度は異方性を有するので、一方のトランジスタの導電方向と他方のトランジスタの導電方向を異ならせることによって、同層の半導体層を用いながらも移動度の異なるトランジスタを得ることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】横方向に結晶させた多結晶シリコンをトランジスタの半導体層として用いる。この多結晶シリコンの移動度は異方性を有するので、一方のトランジスタの導電方向と他方のトランジスタの導電方向を異ならせることによって、同層の半導体層を用いながらも移動度の異なるトランジスタを得ることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、複数のトランジスタを用いたトランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法に関する。
近年、EL(Electro Luminescence)素子を用いたEL表示装置が、新しい表示装置として注目されている。特に、画素を選択するスイッチング用薄膜トランジスタ(S−TFT)と、そのスイッチングトランジスタの出力に応じてEL素子を駆動するための電力を供給する駆動用薄膜トランジスタ(D−TFT)を各画素内に有するアクティブマトリクス型のEL表示装置は、より高精細な画像を表示することができる。
図12は、一般的なEL表示装置の概略図である。複数のゲート信号線151、ドレイン信号線152ならびに電源線153とが配置され、これらの信号線及び電源線に囲まれた画素がマトリクス状に形成されている。その画素内にS−TFT110、D−TFT120及び補助容量Scが配置されている。
図13は、従来のEL表示装置の一画素を示す平面図である。直列に接続される2つのS−TFT110、及び保持容量電極線154ならびに保持容量電極155の一部が、EL素子の発光が視認される発光領域Eとゲート電極114の間に配置されている。2つのS−TFT110のゲート電極114が、ゲート信号線151にそれぞれ接続されている。ドレイン信号線152側のS−TFT110のドレイン領域112dが、ドレイン信号線152に接続されている。ドレイン信号線152にチャネル領域112cを介して接続されているS−TFT110のソース領域112sが、保持容量電極線154との間で容量をなす保持容量電極155に接続されている。さらに、S−TFT110のソース領域112sが、D−TFT120のゲート電極124に接続されている。D−TFT120のソース領域122sが、電源線153に接続されている。また、D−TFT120のドレイン領域122dが、ドレイン電極126を介してEL素子の画素電極161に接続されている。また、保持容量電極線154は、S−TFT110のソース領域112sに接続された保持容量電極155を兼ねた半導体層112に対向するように形成されている。これにより、保持容量電極線154と保持容量電極155との間で電荷を蓄積して保持容量Scを成している。
図14は、図13のB−B’断面図である。基板130上に、絶縁膜111及び多結晶シリコンや微結晶シリコン(非単結晶シリコン)層からなる半導体層122が形成され、その上にゲート絶縁膜113及びゲート電極124が形成されている。なお、半導体層122には、ドレイン領域122d、ソース領域122s及びその間に位置するチャネル長Ld0のチャネル領域122cが設けられている。さらに、ソース領域122s及びドレイン領域122dに対応する位置にそれぞれコンタクトホールを有する層間絶縁膜115が形成されている。このコンタクトホールを通して、金属からなるドレイン電極126と、駆動電源線153に接続されたソース電極128と、が配置されている。その上に、表面を平坦にするための有機樹脂からなり、ドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールを有する平坦化膜117が積層されている。そのコンタクトホールを通して、ドレイン電極126に接続した画素電極161、ホール輸送層162と発光層163と電子輸送層164との3層からなる発光素子層165、対向電極166がこの順に形成されている。ここで、ホール輸送層162と画素電極161の間には、絶縁樹脂からなる第2平坦化膜167が積層形成されており、画素電極161上に設けられる開口部によって、画素電極161が露出する領域を制限している。
特開2002−157029号公報(主に図10、図11)
以上に述べたEL表示装置においては、S−TFT及びD−TFTという互いに異なる役割を担うTFTが必要とされる。このように2種類またはそれ以上のTFTを必要とするトランジスタ基板または表示装置においては、例えば電流供給能力など各TFTに求められる特性も異なる。
しかしながら、従来のTFTの半導体層を一様に結晶化すると、粒径平均がほぼ等しい、つまり、移動度が等しい非単結晶シリコンとなる。このような非単結晶シリコンを用いたTFTにおいて、TFTサイズ(チャネル幅、チャネル長)を共通にすると、当然ながら全てのTFTの移動度が等しくなる。従って、例えば特性の異なる複数のTFTを形成するために一方のTFTのみチャネル長を極端に長くすることにより、他方のTFTと比べて故意に駆動能力を落としたり、一方のTFTサイズを大きくすることによって他方のTFTより駆動能力を上げる必要があった。そのため、不必要にTFTが肥大化し、スペースを有効に使うことができなかった。
また、EL素子等の電流駆動型の発光素子は、電流が流れるほど劣化する傾向を示す。つまり、このような発光素子の長寿命化という観点において必要以上の電流を流すことは好ましくない。そこで図12に示したように、EL素子に必要最小限の電流を供給するために、D−TFT120のチャネル長Ld0をS−TFT110のチャネル長と比較して極端に長くすることによってD−TFT120に流れる電流を制限する必要がある。しかしながら、D−TFT120のチャネル長Ld0を長くすると、上述のようにスペースの利用効率が低くなる。限られたスペースにTFT等のコンポーネントを配置する必要のある表示装置においては、表示領域のうち視認可能な領域として利用できる面積割合、つまり開口率が低くなるため、輝度や透過率の低下を招いていた。
そこで、本発明は以上の点を鑑みてなされ、以下のような特徴を有する。
請求項1に係る発明は、第1の方向に延在する第1のチャネル領域を有する第1のトランジスタと、第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のチャネル領域を有する第2のトランジスタを含むトランジスタ基板において、
第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層は、第1の方向における移動度と第2の方向における移動度が異なることを特徴とする。
第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層は、第1の方向における移動度と第2の方向における移動度が異なることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層は、第1の方向における粒界の数と第2の方向における粒界の数が異なることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層は、第1の方向における平均結晶長と第2の方向における平均結晶長が異なることを特徴とする。
請求項10に係る発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、
第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層の第1の方向における移動度が第2の方向における移動度より大きいことを特徴とする。
第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層の第1の方向における移動度が第2の方向における移動度より大きいことを特徴とする。
請求項12に係る発明は、第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層の第1の方向における粒界の数が、第2の方向における粒界の数よりも少ないことを特徴とする。
請求項14に係る発明は、第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、半導体層の第1の方向における平均結晶長が、第2の方向における平均結晶長よりも長いことを特徴とする。
請求項17に係る発明は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び画素電極を有し、第1のトランジスタからの出力に応じて、前記第2のトランジスタを介して前記画素電極に電流が供給される表示装置の製造方法において、基板上に非晶質シリコンを積層する第1の工程と、 少なくとも前記第2のトランジスタのチャネル領域となる領域を覆い、第1のトランジスタのチャネルとなる領域を露出するキャップ膜を形成する第2の工程と、前記非晶質シリコンにレーザ照射をすることにより、前記非晶質シリコンを結晶化し、前記第1及び第2のトランジスタの半導体層となる非単結晶シリコンを形成する第3の工程と、を有し、前記第3の工程において、前記第2のトランジスタのチャネル領域は、前記キャップ膜を介して前記レーザ照射が行われることを特徴とする。
請求項20に係る発明は、 基板上に第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するトランジスタ基板の製造方法において、基板上に非晶質シリコンを積層する第1の工程と、少なくとも前記第2のトランジスタのチャネル領域となる領域を覆い、第1のトランジスタのチャネルとなる領域を露出するキャップ膜を形成する第2の工程と、前記非晶質シリコンにレーザ照射をすることにより、前記非晶質シリコンを結晶化し、前記第1及び第2のトランジスタの半導体層となる非単結晶シリコンを形成する第3の工程と、を有し、前記第3の工程において、前記第2のトランジスタのチャネル領域は、前記キャップ膜を介して前記レーザ照射が行われることを特徴とする。
請求項23に記載の発明は、第1トランジスタ及び第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのソース領域に接続されている第1の信号線と、前記第2のトランジスタのドレイン領域に接続されている画素電極とを有し、前記第1のトランジスタのソース領域が前記第2のトランジスタのゲート電極に接続され、前記第1のトランジスタ出力に応じて、前記第1の信号線からの信号を前記第2のトランジスタを介して前記画素電極に供給する表示装置において、前記第1及び第2のチャネル領域の上には絶縁膜が共通に配置され、前記第2のトランジスタのチャネル領域と前記絶縁膜の間にキャップ膜が配置され前記第1のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層の粒径と前記第2のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層との粒径が異なることを特徴とする。
請求項27に記載の発明は、基板上に第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するトランジスタ基板において、前記第1及び第2のチャネル領域の上には絶縁膜が共通に配置され、前記第2のトランジスタのチャネル領域と前記絶縁膜の間にキャップ膜が配置され、前記第1のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層の粒径と前記第2のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層との粒径が異なることを特徴とする。
請求項1、4及び7の発明によれば、移動度に異方性を有する結晶状態にある物質をトランジスタの半導体層に用いることにより、同層の半導体層を用いつつも異なる移動度を有する複数種のトランジスタを1つのトランジスタ基板中に形成することができる。従って、移動度が異なる複数のトランジスタを必要とするトランジスタ基板において、極端に各トランジスタのサイズを異ならせる必要がないので、スペースを有効利用することができる。ゆえに、トランジスタを形成する領域を小さくでき、トランジスタ基板全体も小型化・高精細化が可能となる。
請求項10、12及び14の発明によれば、移動度に異方性を有する結晶状態にある物質をトランジスタの半導体層に用いることにより、同層の半導体層を用いながらも異なる移動度を有する複数種のトランジスタを形成することができる。これにより、極端に各トランジスタのサイズを異ならせる必要がないので、スペースを有効利用することができ、高精細化が可能となる。特に、トランジスタが形成されている側から発光を視認する表示装置の場合は、発光領域として利用できる面積を大きくすることができ、いわゆる開口率を飛躍的に向上させることができる。
請求項20及び27の発明によれば、第2のTFTのチャネル領域上に設けられるキャップ膜の存在により、第1及び第2のTFTの半導体層を一様に結晶化しても、第2のTFTのチャネル領域の非単結晶シリコンの粒径を第1のTFTのチャネル領域の非単結晶シリコンの粒径と異ならせることができる。ゆえに、同層の半導体層を用いながらも異なる異動度を有する複数種のTFTを1つの装置内に形成することができる。さらに、キャップ膜の存在により、チャネル領域とゲート電極の間の絶縁膜の厚みを異ならせることができるので、キャップ膜があるTFTとないTFTとで電流供給能力を意図的に変えることもできる。従って、電流供給能力が異なる複数のTFTを必要とする装置において、極端に各TFTのサイズを異ならせる必要がないので、スペースを有効利用することができる。ゆえに、トランジスタを形成する領域を小さくでき、トランジスタ基板全体も小型化・高精細化が可能となる。
請求項17及び23の発明によれば、上記請求項20及び28で述べた効果に加えて、TFTが形成されている側から発光を視認する表示装置の場合、開口率を飛躍的に向上させることができるため輝度や透過率を向上することができる。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態であるEL表示装置の一画素を示す平面図である。以下、図1を用いてEL表示装置の一画素の平面構造について説明する。なお、EL表示装置の概念図は図6と共通のものを用いることができる。
まず、ゲート信号線51が水平方向に、ドレイン信号線52及び複数の電源線53が垂直方向に配置されている。直列に接続される2つのS−TFT10、及び保持容量電極線54ならびに保持容量電極55の一部が、EL素子の発光が視認される発光領域Eとゲート信号線51の間に配置されている。
スイッチング素子である2つのS−TFT10のゲート電極14が、ゲート信号線51にそれぞれ接続されている。ゲート電極14に覆われている半導体層12の一部の領域はチャネル領域12cとなり、各チャネル領域12cを挟むようにしてソース領域12s及びドレイン領域12dが配置されている。つまり、S−TFT10は図示されているAの方向が導電方向となり、A方向におけるチャネル領域12cの長さがチャネル長Lsとなる。また、ドレイン信号線52に近い方のソース領域12sはドレイン電極16を介してドレイン信号線52に接続されている。ドレイン信号線52にチャネル領域12cを介して接続されているS−TFT10のソース領域12sは、保持容量電極55に接続され、さらにコンタクトパッド19を介して駆動用素子であるD−TFT20のゲート電極24に接続されている。
D−TFT20の半導体層22のうち、ゲート電極24に覆われている領域がチャネル領域22cとなり、このチャネル領域22cを挟むようにしてソース領域22s及びドレイン領域22dが配置されている。つまり、D−TFT20は図示されているBの方向が導電方向となり、B方向におけるチャネル領域22cの長さがチャネル長Ldとなる。また、このソース領域22sはソース電極27を介して電源線53に接続されており、ドレイン領域22dはドレイン電極26を介して有機EL素子の画素電極61に接続されている。
保持容量電極線54は、ゲート絶縁膜13を介して、S−TFT10のソース領域12sに接続された保持容量電極55を兼ねた半導体層12に対向するように形成されている。これにより、保持容量電極線54と保持容量電極55との間で電荷を蓄積して容量を成している。この容量は、D−TFT20のゲート電極24に印加される電圧を保持する保持容量Scとなる。
本発明の特徴は、移動度が異方性を有する物質をトランジスタの半導体層とし、複数のトランジスタを異なる導電方向に配置することにより、同層の半導体層を用いながらも互いに異なる移動度を有するトランジスタが形成・配置されることにある。
このような移動度が異方性を有する物質として横方向に結晶を成長させたp−Siが考えられる。以下、このようなp−Siについて説明する。
図2は、第1のTFT10及び第2のTFT20の半導体層となるp−Siの結晶化状態を示す模式図である。図中に示された線は結晶と結晶の界面、つまり粒界を示している。粒界がA方向に長くB方向に短いという方向性をもって存在していることから、このp−Siは成長方向に異方性を有する横方向成長結晶であることがわかる。また、S−TFT10の導電方向であるA方向は、図中に示したように、結晶の長手方向、即ち粒界をまたぐ回数(粒界の数)が少ない方向に設定されている。一方、D−TFT20の導電方向であるB方向は、結晶の短手方向、即ち粒界の数が多い方向に設定されており、本実施の形態ではA方向に垂直である。
粒界の数が多いほどTFTの移動度μは小さいので、B方向の粒界の数をA方向の粒界の数よりも意図的に多くすることによって、B方向に導電方向を有する第2のTFT20の移動度μdをA方向に導電方向を有する第1のTFT10の移動度μsよりも小さくすることができる。さらに、Ls=Ldであっても、各チャネル幅が極端に異ならなければμs>μdの関係を得ることができる。また、例えば、同じ導電方向に複数の第1のTFT10を形成しても半導体層12の導電方向において粒界をまたぐ回数が異なることがある。この場合、粒界の数の平均を取り、この平均が第2のTFT20の粒界の数(第2のTFT基板側20も複数ある場合は粒界の数の平均)よりも小さくなるようすれば良い。このとき、半導体層を含めたトランジスタの製造ばらつきを全体として小さくするためには、同じ種類のTFTを全て同じ導電方向に配置することが好ましい。
一般的に、TFTの半導体層の導電方向の移動度をμ、TFTのチャネル幅をW及びチャネル長をLとした場合、TFTに流れる電流Iとの関係は、以下のように表される。
(式1) I ∝ μ・W/L
この関係から、第2のTFT20に従来のTFTと同じ値の電流を流すには、移動度μsが従来のTFTの移動度μ0より変化した分(μs/μ0)、第2のTFTのチャネル長Ld(Ld=Ld0・μs/μ0)を変更すればよい。つまり、図2で示したような横方向成長結晶を用い、移動度が遅くなる方向にB方向を配置してμs<μ0という関係を作ることにより、チャネル長Ldを短くすることができる。
この関係から、第2のTFT20に従来のTFTと同じ値の電流を流すには、移動度μsが従来のTFTの移動度μ0より変化した分(μs/μ0)、第2のTFTのチャネル長Ld(Ld=Ld0・μs/μ0)を変更すればよい。つまり、図2で示したような横方向成長結晶を用い、移動度が遅くなる方向にB方向を配置してμs<μ0という関係を作ることにより、チャネル長Ldを短くすることができる。
ここで、本発明に含まれるトランジスタの半導体層として用いる、横方向成長させたp−Siを形成する方法としては、以下の方法等が考えられる。
(1)CLC(CW−Laser Lateral Crystallization)法
CLC法とは、非晶質シリコンにDPSS(Diode−Pumped Solid State)レーザを照射しレーザのスキャン方向に結晶を成長させる方法である。この方法によれば、レーザをスキャンすする速度を制御することによってスキャン方向の結晶長をより長くすることができる。
(2)SELAX(Selectively Enlarging Laser X’tallization)法
SELAX法とは、非晶質シリコンにエキシマレーザを照射して小粒径の多結晶シリコンを形成した後に、固体のパルスレーザを照射することによって、そのスキャン方向を長手方向とする多結晶シリコンを形成する方法である。
(3)SLS(Sequential Lateral Solidification)法
SLS法とは、非晶質シリコンにライン状のエキシマレーザを照射し、そのレーザの両短辺方向に横方向に長い結晶を成長させ、次にレーザ照射したときに成長する結晶とが少しずつ重なるようにすることによって、継続的に結晶を形成する方法である。(1)や(2)では低出力な固体レーザを用いるのに対し、SLS法では固体レーザよりも出力が高いエキシマレーザを照射するため有用な手段であるといえる。
(1)CLC(CW−Laser Lateral Crystallization)法
CLC法とは、非晶質シリコンにDPSS(Diode−Pumped Solid State)レーザを照射しレーザのスキャン方向に結晶を成長させる方法である。この方法によれば、レーザをスキャンすする速度を制御することによってスキャン方向の結晶長をより長くすることができる。
(2)SELAX(Selectively Enlarging Laser X’tallization)法
SELAX法とは、非晶質シリコンにエキシマレーザを照射して小粒径の多結晶シリコンを形成した後に、固体のパルスレーザを照射することによって、そのスキャン方向を長手方向とする多結晶シリコンを形成する方法である。
(3)SLS(Sequential Lateral Solidification)法
SLS法とは、非晶質シリコンにライン状のエキシマレーザを照射し、そのレーザの両短辺方向に横方向に長い結晶を成長させ、次にレーザ照射したときに成長する結晶とが少しずつ重なるようにすることによって、継続的に結晶を形成する方法である。(1)や(2)では低出力な固体レーザを用いるのに対し、SLS法では固体レーザよりも出力が高いエキシマレーザを照射するため有用な手段であるといえる。
以上の方法等であれば、基板全面に対して一様にレーザを照射しても移動度に異方性がある半導体層を得ることができる。そして、粒界の数が少ない方向と第1のTFT10の導電方向であるA方向とが平行になるように第1のTFT10を配置し、そのA方向と第2のTFT20の導電方向であるB方向とが垂直になるように第2のTFT20を配置する。これにより、同層の半導体層を用いながらも移動度の異なるトランジスタを備えたEL表示装置を得ることができる。より好ましい形態としては、粒界の数が最も少ない方向にA方向を配置し、粒界の数が最も多くなる方向にB方向を配置する。この形態によれば、大きな移動度が求められるトランジスタであるS−TFT10の移動度を最大にすることができ、且つ、小さな移動度で良いD−TFT20の移動度を最小にすることができるので、S−TFT10及びD−TFT20のトランジスタサイズを共に最小に形成することができる。
本実施の形態においては、上述のSLS法を用いることによって、従来の移動度が90〜100cm2/VsであったTFTを、上述のA方向に配置した場合は100〜250cm2/Vs、B方向に配置した場合は40〜80cm2/Vsにすることができた。すなわち、μs=(約2.5〜6)×μdという関係を得ることができた。従来のS−TFTとD−TFTのチャネル長の関係はLd0=(約3〜4)×Ls0であったから、上述の式1より、従来のS−TFT及びD−TFTに流れる電流Is0及びId0の関係は、Id0=(約1/4〜1/3)×Is0となる。従って、従来と同じ電流供給能力を有するS−TFT及びD−TFTを形成する場合、S−TFTを従来と同じトランジスタサイズにすると、D−TFTは従来のチャネル長の1/6〜1/2.5の長さで実現される。ゆえに、従来のD−TFTが占有していた領域を1/6〜1/2.5に縮小することができるので、差分を発光領域に使用することにより開口率を増加させることができる。
なお、本発明は第1の実施の形態に限らず、例えばA方向とB方向とが垂直に交わっていなくても良く、A方向におけるTFTの移動度とB方向におけるTFTの移動度の相対関係が逆であっても良い。つまり、A方向とB方向とが異なっていれば良い。さらに、A方向を配置する基準として、粒界の数でなく結晶の長さであっても良い。結晶の長手方向は半導体層全体としてある方向性を有しているが、結晶の長さは各結晶によって異なる。この場合、A方向における結晶の平均の長さ(平均結晶長)がB方向における平均結晶長よりも長くなるように配置することにより、前述の第1の実施の形態と同様なEL表示装置を得ることができる。なお、この場合においても、各方向における平均結晶長の相対関係は第1の実施の形態に限らない。
図3(a)は、図1のX−X断面であり、スイッチング用のトップゲート型TFTであるS−TFT10とそのソース領域12sに接続する保持容量Scの構造を示す図である。以下、図3を用いてこの断面構造について説明する。
基板30上に、例えばSiN膜及びSiO2膜からなる絶縁膜11が積層されている。その上に、上述の方法などにより横方向成長させたp−Si層からなる半導体層12が形成されており、同じp−Si層からなる保持容量電極55に接続されている。半導体層12には、ドレイン領域12d、ソース領域12s及びその間に位置するチャネル長Lsのチャネル領域12cが設けられている。さらに、その半導体層12及び保持容量電極55を覆うようにしてSiO2膜及びSiN膜からなるゲート絶縁膜13が積層されている。その上に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)等の高融点金属からなるゲート電極14及び保持容量電極線54が形成されている。ゲート電極14は、チャネル領域12cをまたぐようにして設けられており、保持容量電極線54は、保持容量電極55に対向するように設けられている。さらに、ゲート電極14及びゲート絶縁膜13上の全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜からなる層間絶縁膜15が形成されている。この層間絶縁膜15のドレイン領域12dに対応する位置に形成したコンタクトホールを通してAL等の金属からなるドレイン電極16が設けられ、さらに全面に、有機樹脂からなり表面を平坦にする平坦化膜17が形成されている。
図3(b)は、図1のY−Y断面であり、有機EL素子の駆動用のトップゲート型TFTであるTFT20の構造を示す図である。以下、図3(b)を用いてこの断面構造について説明する。
基板30上に、例えばSiN膜及びSiO2膜からなる絶縁膜11が積層されている。その上に、S−TFT10の半導体層12と同層のp−Si膜からなる半導体層22が形成されている。なお、半導体層22には、ドレイン領域22d、ソース領域22s及びその間に位置するチャネル長Ldのチャネル領域22cが設けられている。さらに、その半導体層22を覆うようにしてSiO2膜及びSiN膜からなるゲート絶縁膜13が積層されている。その上に、チャネル領域22cをまたぐようにしてCr、Mo等の高融点金属からなるゲート電極24が形成されている。さらに、ゲート電極24及びゲート絶縁膜13上の全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜からなる層間絶縁膜15が形成されている。この層間絶縁膜15のソース領域22s及びドレイン領域22dに対応する位置にそれぞれ形成したコンタクトホールを通して、金属からなるドレイン電極26と、駆動電源線53に接続されたソース電極27とが配置されている。さらに、表面を平坦にするための有機樹脂からなる平坦化膜17が積層され、その平坦化膜17を貫通し、ドレイン電極26に接続したITO(Indium Tin Oxide)等の透明材料からなる画素電極61が平坦化膜17上に形成されている。次いで、画素電極61上に、ホール輸送層62と、発光層63と、電子輸送層64との3層からなる発光素子層65が積層形成され、さらにこの発光素子層65を覆うようにして、アルミニウム合金などからなる対向電極66が形成されている。この画素電極61から対向電極66によりEL素子60が形成されている。ここで、ホール輸送層62と画素電極61の間には、絶縁樹脂からなる第2平坦化膜67が積層形成されており、画素電極61上に設けられる開口部によって、画素電極61が露出する領域を制限している。つまり、図1の発光領域Eは第2平坦化膜67の開口部分によって定義される。
次に、本発明の第2の実施例であるEL表示装置について説明する。図4は、実施例2のEL表示装置の平面図である。図1と共通の層・構造には図1と同じ番号を付し、共通の構造の説明を省略する。
ゲート信号線51の一部をゲート電極14とし、半導体層12の一部をコの字状にすることによってゲート電極14と重畳させる領域をつくり、チャネル領域12cを形成している。さらに、D−TFT20の半導体層22を図1とは垂直になる方向に配置している。図示されたS−TFT10及びD−TFT20の導電方向A’及びB ’は、先に述べたA及びB方向と図面上では逆の関係になっているが、半導体層を結晶化させるためのレーザ等のスキャン方向を変更することにより、図1のA及びB方向と同じ関係にすることができる。
続いて、本発明の第3の実施例であるEL表示装置について説明する。図5は、実施例3のEL表示装置の平面図である。本実施の形態においては、画素内にS−TFT及びD−TFT20をそれぞれ2つずつ配置するような構造である。この構造によれば、D−TFT20を複数配置することによってD−TFT20の製造ばらつきを軽減させることができる。ゆえに、TFTの製造ばらつきが大きい場合に有効な構造である。
なお、本発明は、以上に述べた表示装置という概念に限られるものではなく、さらに広くトランジスタ基板にも適用することができる。例えば、速い動作や応答速度が必要とされるデジタルインターフェースや交流回路などの導電方向を、例えば図2のA方向のように粒界の数が少ない方向に配置し、容量やリークが問題となる抵抗目的のトランジスタなどの導電方向を、例えば図2のB方向のように粒界の数が多い方向に配置することによって、目的に合致するトランジスタを共通の導電層を用いて形成することができる。または、特性の近いトランジスタを同じ導電方向に配置すれば、トランジスタのサイズを多少異ならせることによって特性に差を設けることもできる。
図6は、本発明の第4の実施例であるEL表示装置の一画素を示す平面図である。また、図7は、図6のA−A断面であり、S−TFT10及びD−TFT20の構造を示す図である。図1及び図2と共通の層・構造には同じ番号を付し、共通の構造の説明を省略する。
本実施例は、上述の実施例と異なり、D−TFT20のチャネル領域22cの上にSiO2膜からなるキャップ膜28が形成されている。このキャップ膜28がチャネル領域22cとゲート絶縁膜の間に介在していることによって、後述する結晶化工程において、チャネル領域22cの半導体層に到達するエネルギーが低減される。つまり、チャネル領域22cの半導体層の結晶化が抑制されるので、その結晶粒径は他の領域と比べて小さくなる。粒径が小さければ必然的に粒界が多くなるので移動度が小さくなる。このようにして、チャネル領域22cの半導体層の結晶粒径を小さくして移動度を低減することができるので、D−TFT20から供給される電流をより小さくすることができる。
また、キャップ膜28の存在により、チャネル領域22cとゲート電極24との間にある絶縁膜の膜厚が、チャネル領域12cとゲート電極14との間にある絶縁膜の膜厚よりも厚くなる。ここで、TFTの半導体層の導電方向の移動度をμ、TFTのチャネル幅をW、チャネル長をL、チャネルからゲート電極までの絶縁膜の膜厚をd、絶縁膜の誘電率をεとした場合、TFTが供給できる電流Iとの関係は以下のように表される。
(式2)I ∝ μ・(ε/d)・(W/L)
つまり、式2によれば、絶縁膜の膜厚dが大きいほどTFTが供給する電流が小さくなるため、キャップ膜28の厚み分D−TFT20の方が供給する電流Iが小さくなる。ゆえに、キャップ膜28は半導体層の移動度を低減させ、さらに絶縁膜の膜厚を変えることによって電流供給能力をより低減させることができる。
つまり、式2によれば、絶縁膜の膜厚dが大きいほどTFTが供給する電流が小さくなるため、キャップ膜28の厚み分D−TFT20の方が供給する電流Iが小さくなる。ゆえに、キャップ膜28は半導体層の移動度を低減させ、さらに絶縁膜の膜厚を変えることによって電流供給能力をより低減させることができる。
次に、本実施例のEL表示装置の製造方法を図10(a)〜(e)に沿って説明する。
図10(a)は、その第1の工程を示す図である。まず、基板30上にSiN膜及びSiO2膜からなる絶縁膜11を積層し、その上に非晶質シリコン(a-Si)膜を積層する。次に、a-Si膜上に、例えばSiO2膜のような絶縁膜からなるキャップ膜材料をCVD(Chemical Vapor Deposition)法やスピンコート法等により80nm積層する。続いて、後にD-TFT20のチャネル領域22cとなる領域上にあるキャップ膜材料を残すように、フォトリソグラフィ法などによりキャップ膜28を形成する。なお、キャップ膜材料としては、SiO2やSiNに限らず、その他の絶縁膜やこれらの組み合わせが考えられるが、SiO2は半導体層との相性が良いため、少なくともSiO2が半導体層と接触する構成とすることが好ましく、より好ましくは製造工程の簡略化の観点から、SiO2単層とする。
図10(b)は、その第2の工程を示す図である。まず、キャップ膜28が形成された領域も含め、a-Si膜全面にエキシマレーザ等のレーザで一様にアニールすることにより、a-Si膜を結晶化させる。なお、結晶化の際、キャップ膜28が形成されている領域は、キャップ膜28によってエキシマレーザのエネルギーが一部吸収される。従って、キャップ膜28に覆われた領域(チャネル領域22c)にあるa-Si膜に到達するレーザエネルギーが減少するため、結晶化のときにその領域の半導体層だけ、他の領域よりも結晶粒径が小さくなる。具体的には、チャネル領域22cの結晶粒径は0.2μm程度、それ以外の領域の結晶粒径は0.3〜0.4μm程度であった。これはレーザのビーム強度を約540mJにしてレーザアニールした時の結果である。なお、キャップ膜28の膜厚を増加させたり、結晶化条件を最適化したりすることにより、半導体層の結晶粒径を微結晶レベル(0.01〜0.05μm程度)にすることも可能である。
図10(c)は、その第3の工程を示す図である。まず、パターニングによってS-TFT10及びD-TFT20の半導体層12及び22を形成する。次に、絶縁膜11、半導体層12及び22、ならびにキャップ膜28の上からSiO2膜及びSiN膜からなるゲート絶縁膜13を積層する。続いて、ゲート絶縁膜13上にCr、Mo等の高融点金属をスパッタ法等によって積層し、チャネル領域12c及び22cを覆うようにパターニングし、ゲート電極14及び24を形成する。さらに、S-TFT10のゲート電極14に覆われている領域以外の領域にリン等のN型の不純物イオンを注入する。これによって、ソース領域12s及びドレイン領域12dが形成され、その間の領域がチャネル領域12cとなる。また、D-TFT20のゲート電極24に覆われている領域以外の領域にホウ素等のP型のイオンを注入する。これによって、ソース領域22s及びドレイン領域22sが形成され、その間の領域がチャネル領域22cとなる。以上の工程により、基板上にTFTを形成したTFT基板が形成される。
図10(d)は、その第4の工程を示す図である。まず、ゲート絶縁膜13ならびにゲート電極14及び24の上からSiO2膜、SiN膜及びSiO2膜からなる層間絶縁膜15を積層し、層間絶縁膜15のドレイン領域12d、22d及びソース領域22sに対応する領域にそれぞれコンタクトホールを形成する。これらの各コンタクトホールを通してAl等の金属をスパッタ法によって層間絶縁膜全面に積層し、所望の形状にパターニングすることによって、ドレイン電極16、26及びソース電極27を形成する。
図10(e)は、その第5の工程を示す図である。まず、層間絶縁膜15、ドレイン電極16、26及びソース電極27の上から平坦化膜17を積層し、平坦化膜17のドレイン電極26に対応する領域にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを通して平坦化膜全面にITO等の透明電極材料をスパッタ法などにより積層し、画素毎で独立するようにパターニングすることによって、画素電極61を形成する。次に、平坦化膜17及び画素電極61の上から感光性の有機樹脂材料をスピンコート法などによって積層し、露光・現像によって第2平坦化膜67を形成する。これにより、発光領域Eに対応する形状と位置に、第2平坦化膜67の開口部が形成され、その開口部には画素電極61が露出する。続いて、露出した画素電極61を覆うようにして平坦化膜67上にホール輸送層62、発光層63及び電子輸送層64を基板全面にそれぞれ蒸着する。以上より形成された3層からなる発光素子層65上に対向電極66を蒸着する。
なお、本実施例における製造方法は、以上の方法に限られるものではない。例えば、a-Si膜をパターニングしてから結晶化しても良いし、ゲート電極14及び24を形成した後に半導体層12及び14を形成するいわゆるボトムゲート型にも適用可能である。また、結晶化する際のアブレーション等の不具合を解消するために、結晶化の前に脱水素工程を設けてもよい。
また、結晶化工程後にキャップ膜28を除去する工程を設けても良い。この時、製造されたEL表示装置のS-TFT10及びD-TFT20のゲート絶縁膜は、共にゲート絶縁膜13のみとなるのでその誘電率はほぼ等しくなる。ゆえに、各チャネル領域を形成する非単結晶シリコンの結晶粒径の違い、すなわち移動度の違いのみによってD-TFT20が供給する電流が小さくなる。この方法は、キャップ膜の膜厚制御が困難である場合に特に有効であり、結晶粒径を制御するためのパラメータを減らすことができるので、制御しやすくなるという利点がある。
また、本実施例では、キャップ膜の膜厚及びレーザのエネルギー強度を制御することによって、キャップ膜の下層にある半導体層の結晶粒径を制御することができる。以下、図8及び図9を用いて、非単結晶シリコンの粒径の制御について説明する。
図8はキャップ膜を膜厚80nmで形成した領域と形成しなかった領域におけるレーザのエネルギー強度と半導体層の結晶粒径の関係を示したものである。この図から、キャップ膜を形成しない場合は、エネルギー強度が上がると、ある地点から急激に粒径が大きくなり始めるが、キャップ膜28を形成した場合は、エネルギー強度が上がると徐々に粒径が大きくなる。ゆえに、あるエネルギー強度(I0)以上ではキャップ膜を形成した領域の粒径を小さくすることができる。
図9は、キャップ膜の膜厚を変化させたときのレーザのエネルギー強度と非単結晶シリコンの結晶粒径の関係を示したものである。この図から、キャップ膜を厚くするほど、同じエネルギー強度のレーザを照射した時に得られる粒径が小さくなることがわかる。本実施例では、キャップ膜を形成しない領域(例えばS-TFT10)に求められる移動度を満足するような結晶粒径となる通常の結晶化条件で得られる非単結晶シリコン粒径よりも、キャップ膜を形成したチャネル領域の非単結晶シリコン粒径を小さくしなければならない。よって、レーザ強度が540mJのレーザを用いる場合は70nm以上、誤差等を考慮すると80nm以上のキャップ膜を積層形成することが好ましい。さらに、0.05μm以下の微結晶レベルの半導体層を得る場合には100nm以上のキャップ膜を積層形成することが好ましい。
続いて、本発明の第5の実施例のEL表示装置について説明する。図11は、実施例5に係るEL表示装置の平面図である。本実施例においては、画素内にS-TFTを2つ、D-TFT20を1つ配置するような構造である。この構造によれば、D-TFT20を1つしか配置しないので、実施例1よりも開口率をより向上させることができる。本実施例では、D-TFT20のチャネル領域22cを微結晶レベルとすることが好ましい。このとき、300nm程度の結晶粒径の場合と比較して、微結晶レベルの方が結晶性のばらつきが小さくなるので、それに伴ってトランジスタ特性のばらつきも小さくなる。このため、上述のようにキャップ膜28の膜厚を100nmとした。
なお、本発明は、本実施例に限らず、少なくともD-TFT20のチャネル領域22c上にキャップ膜を設け、S-TFT10のチャネル領域12c上に設けなければ良い。従って、D-TFT20の半導体層22の上部全体のみにキャップ膜を形成しても良いし、それ以外の領域に形成しても良い。
以上の実施例では、画素内にS−TFT10を2つ、D−TFT20を1つまたは2つ有するEL表示装置を例示したが、本発明はこれに限らず、S−TFT10及びD−TFT20をそれぞれいくつ配置しても構わない。ただし、同種のトランジスタは製造ばらつきの観点から導電方向を平行に配置することが望ましい。さらに、発光層からの光がTFT基板側を通して裏面側へ出力されるボトムエミッション型のEL表示装置に限らず、発光層からの光をTFT基板表面側から出力するトップエミッション型のEL表示装置にも適用できる。また、本発明はEL素子以外の電流駆動型の発光素子を用いる表示装置、または1つの画素領域に役割の異なる複数のトランジスタを必要とする表示装置であっても良い。さらに、互いに特性の異なるトランジスタを3個以上必要とする表示装置の場合、互いに異なる3方向以上に各トランジスタの導電方向を配置しても良いし、キャップ膜の膜厚を異ならせて形成してもよい。
10、20 TFT
11、13、15、21、23、25 絶縁膜
12、22 半導体層
12c、22c チャネル領域
14、24 ゲート電極
16、26 ドレイン電極
17、67 平坦化膜
19 コンタクトパッド
27 ソース電極
28 キャップ膜
51 ゲート信号線
52 ドレイン信号線
53 電源線
54 保持容量電極線
61 画素電極
62 ホール輸送層
63 発光層
64 電子輸送層
66 陰極
11、13、15、21、23、25 絶縁膜
12、22 半導体層
12c、22c チャネル領域
14、24 ゲート電極
16、26 ドレイン電極
17、67 平坦化膜
19 コンタクトパッド
27 ソース電極
28 キャップ膜
51 ゲート信号線
52 ドレイン信号線
53 電源線
54 保持容量電極線
61 画素電極
62 ホール輸送層
63 発光層
64 電子輸送層
66 陰極
Claims (30)
- 第1の方向に延在する第1のチャネル領域を有する第1のトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のチャネル領域を有する第2のトランジスタを含むトランジスタ基板において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、
前記半導体層は、前記第1の方向における移動度と前記第2の方向における移動度が異なることを特徴とするトランジスタ基板。 - 前記第1のトランジスタのソース領域又はドレイン領域は、前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記半導体層の前記第1の方向における移動度は、前記第2の方向における移動度よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ基板。 - 前記第1の方向は、前記半導体層の移動度が最も大きくなる方向であり、前記第2の方向は、前記第1の方向と垂直に交差することを特徴とする請求項2に記載のトランジスタ基板。
- 第1の方向に延在する第1のチャネル領域を有する第1のトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のチャネル領域を有する第2のトランジスタを含むトランジスタ基板において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、
前記半導体層は、前記第1の方向における粒界の数と前記第2の方向における粒界の数が異なることを特徴とするトランジスタ基板。 - 前記第1のトランジスタのソース領域又はドレイン領域は、前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記半導体層の前記第1の方向における粒界の数は、前記第2の方向における粒界の数よりも少ないことを特徴とする請求項4に記載のトランジスタ基板。 - 前記第1の方向は、前記粒界の数が最も少なくなる方向であり、前記第2の方向は、前記第1の方向と垂直に交差することを特徴とする請求項5に記載のトランジスタ基板。
- 第1の方向に延在する第1のチャネル領域を有する第1のトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のチャネル領域を有する第2のトランジスタを含むトランジスタ基板において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、
前記半導体層は、前記第1の方向における平均結晶長と前記第2の方向における平均結晶長が異なることを特徴とするトランジスタ基板。 - 前記第1のトランジスタのソース領域又はドレイン領域は、前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記半導体層の前記第1の方向における平均結晶長は、前記第2の方向における平均結晶長よりも長いことを特徴とする請求項7に記載のトランジスタ基板。 - 前記第1の方向は、前記平均結晶長が最も長くなる方向であり、前記第2の方向は、前記第1の方向と垂直に交差することを特徴とする請求項8に記載のトランジスタ基板。
- 表示素子と、第1の信号線と、前記第1の信号線と交わる第2の信号線と、第3の信号線と、
第1の方向を導電方向とする第1のチャネル領域、及び第1のソース領域ならびにドレイン領域を有する第1のトランジスタと、
前記第1の方向と交差する第2の方向を導電方向とする第2のチャネル領域、及び第2のソース領域ならびにドレイン領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第1の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第2の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第2のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第3の信号線に接続され、前記第2のソース領域ならびにドレイン領域の他方は前記表示素子に接続される表示装置において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、
前記半導体層の前記第1の方向における移動度が前記第2の方向における移動度より大きいことを特徴とする表示装置。 - 前記第1のトランジスタのソース領域又はドレイン領域は、前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記半導体層の前記第1の方向における移動度は、前記第2の方向における移動度よりも大きいことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。 - 表示素子と、第1の信号線と、前記第1の信号線と交わる第2の信号線と、第3の信号線と、
第1の方向を導電方向とする第1のチャネル領域、及び第1のソース領域ならびにドレイン領域を有する第1のトランジスタと、
前記第1の方向と交差する第2の方向を導電方向とする第2のチャネル領域、及び第2のソース領域ならびにドレイン領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは前記ゲート線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第1の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第3の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の他方は前記表示素子に接続される表示装置において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、
前記半導体層の前記第1の方向における粒界の数が、前記第2の方向における粒界の数よりも少ないことを特徴とする表示装置。 - 前記第1の方向は、前記粒界の数が最も少なくなる方向であり、前記第2の方向は、前記第1の方向と垂直に交差することを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
- 表示素子と、第1の信号線と、前記第1の信号線と交わる第2の信号線と、第3の信号線と、
第1の方向を導電方向とする第1のチャネル領域、及び第1のソース領域ならびにドレイン領域を有する第1のトランジスタと、
前記第1の方向と交差する第2の方向を導電方向とする第2のチャネル領域、及び第2のソース領域ならびにドレイン領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは前記ゲート線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第1の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の一方は前記第3の信号線に接続され、前記第1のソース領域ならびにドレイン領域の他方は前記表示素子に接続される表示装置において、
前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、前記半導体層の前記第1の方向における平均結晶長が、前記第2の方向における平均結晶長よりも長いことを特徴とする表示装置。 - 前記第1の方向は、前記平均結晶長が最も長くなる方向であり、前記第2の方向は、前記第1の方向と垂直に交差することを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
- 前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項10から請求項15のいずれかに記載の表示装置。
- 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び画素電極を有し、
第1のトランジスタからの出力に応じて、前記第2のトランジスタを介して前記画素電極に電流が供給される表示装置の製造方法において、
基板上に非晶質シリコンを積層する第1の工程と、
少なくとも前記第2のトランジスタのチャネル領域となる領域を覆い、第1のトランジスタのチャネルとなる領域を露出するキャップ膜を形成する第2の工程と、
前記非晶質シリコンにレーザ照射をすることにより、前記非晶質シリコンを結晶化する第3の工程と、を有し、
前記第3の工程において、前記第2のトランジスタのチャネル領域に前記キャップ膜を介して前記レーザ照射が行われることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第3の工程の後に、前記キャップ膜を除去する第4の工程をさらに有することを特徴とする請求項17に記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャップ膜は酸化シリコンからなることを特徴とする請求項17または請求項18に記載の表示装置の製造方法。
- 基板上に第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するトランジスタ基板の製造方法において、
基板上に非晶質シリコンを積層する第1の工程と、
少なくとも前記第2のトランジスタのチャネル領域となる領域を覆い、第1のトランジスタのチャネルとなる領域を露出するキャップ膜を形成する第2の工程と、
前記非晶質シリコンにレーザ照射をすることにより、前記非晶質シリコンを結晶化する第3の工程と、を有し、
前記第3の工程において、前記第2のトランジスタのチャネル領域に前記キャップ膜を介して前記レーザ照射が行われることを特徴とするトランジスタ基板の製造方法。 - 前記第3の工程の後に、前記キャップ膜を除去する第4の工程をさらに有することを特徴とする請求項20に記載のトランジスタ基板の製造方法。
- 前記キャップ膜は、酸化シリコンからなることを特徴とする請求項20または21に記載のトランジスタ基板の製造方法。
- 第1トランジスタ及び第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのソース領域に接続されている第1の信号線と、
前記第2のトランジスタのドレイン領域に接続されている画素電極とを有し、
前記第1のトランジスタのソース領域が前記第2のトランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1のトランジスタ出力に応じて、前記第1の信号線からの信号を前記第2のトランジスタを介して前記画素電極に供給する表示装置において、
前記第1及び第2のチャネル領域の上には絶縁膜が共通に配置され、
前記第2のトランジスタのチャネル領域と前記絶縁膜の間にキャップ膜が配置され
前記第1のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層の粒径と前記第2のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層との粒径が異なることを特徴とする表示装置。 - 前記キャップ膜の膜厚が80nm以上であることを特徴とする請求項23に記載の表示装置。
- 前記キャップ膜の膜厚が100nm以上であることを特徴とする請求項23に記載の表示装置。
- 前記キャップ膜は酸化シリコンからなることを特徴とする請求項23から請求項25のいずれかに記載の表示装置。
- 基板上に第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するトランジスタ基板において、
前記第1及び第2のチャネル領域の上には絶縁膜が共通に配置され、
前記第2のトランジスタのチャネル領域と前記絶縁膜の間にキャップ膜が配置され、
前記第1のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層の粒径と前記第2のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体層との粒径が異なることを特徴とするトランジスタ基板。 - 前記キャップ膜の膜厚が80nm以上であることを特徴とする請求項27に記載のトランジスタ基板。
- 前記キャップ膜の膜厚が100nm以上であることを特徴とする請求項27に記載のトランジスタ基板。
- 前記キャップ膜は酸化シリコンからなることを特徴とする請求項27から請求項29のいずれかに記載のトランジスタ基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004201925A JP2005123571A (ja) | 2003-09-22 | 2004-07-08 | トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法 |
TW093126139A TWI244357B (en) | 2003-09-22 | 2004-08-31 | Transistor substrate, display device, and method for manufature |
CNA2004100781765A CN1604330A (zh) | 2003-09-22 | 2004-09-17 | 晶体管基板与显示装置及其制造方法 |
KR1020040075558A KR20050029709A (ko) | 2003-09-22 | 2004-09-21 | 트랜지스터 기판, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US10/945,782 US20050062047A1 (en) | 2003-09-22 | 2004-09-21 | Transistor substrate, display device, and method of manufacturing transistor substrate and display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330123 | 2003-09-22 | ||
JP2004201925A JP2005123571A (ja) | 2003-09-22 | 2004-07-08 | トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005123571A true JP2005123571A (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=34315701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004201925A Withdrawn JP2005123571A (ja) | 2003-09-22 | 2004-07-08 | トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050062047A1 (ja) |
JP (1) | JP2005123571A (ja) |
KR (1) | KR20050029709A (ja) |
CN (1) | CN1604330A (ja) |
TW (1) | TWI244357B (ja) |
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- 2004-08-31 TW TW093126139A patent/TWI244357B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-17 CN CNA2004100781765A patent/CN1604330A/zh active Pending
- 2004-09-21 KR KR1020040075558A patent/KR20050029709A/ko active IP Right Grant
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JP2022176991A (ja) * | 2009-10-09 | 2022-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7198964B2 (ja) | 2009-10-09 | 2023-01-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW200513149A (en) | 2005-04-01 |
TWI244357B (en) | 2005-11-21 |
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KR20050029709A (ko) | 2005-03-28 |
US20050062047A1 (en) | 2005-03-24 |
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