JP2006506816A - 欠陥分析器 - Google Patents
欠陥分析器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006506816A JP2006506816A JP2004552102A JP2004552102A JP2006506816A JP 2006506816 A JP2006506816 A JP 2006506816A JP 2004552102 A JP2004552102 A JP 2004552102A JP 2004552102 A JP2004552102 A JP 2004552102A JP 2006506816 A JP2006506816 A JP 2006506816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- tool
- defects
- analysis
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 542
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 154
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 55
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 36
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 23
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 claims 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 90
- 238000012549 training Methods 0.000 description 24
- 238000012552 review Methods 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 238000013515 script Methods 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000012015 optical character recognition Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000013479 data entry Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000012942 design verification Methods 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
Description
本発明は、一般的には、微細加工方法に関するが、より詳細には、本発明は欠陥分析システムに関する。
トラブルショットを行い、調整し、微細加工方法を改善するために、技術者は微細加工中の欠陥や他の不良を分析する必要がある。例えば、欠陥分析は設計検証診断や製品診断や微細回路研究開発の他のアスペクトを含む半導体製造の全てのアスペクトにおいて有用である。デバイスジオメトリが引き続き小さくなり新たな材料が導入されるので、今日の半導体の構造上の複雑さは指数関数的に増大する。これらの新規な材料によって創り出された多くの構造は、以前に形成された層を貫通するような凹部を形成する。このように、欠陥とデバイス不良の構造的な原因は、度々、表面の下に隠されている。
従って、必要なのは、改良された欠陥分析方法とそのシステムである。
本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥を特性評価(キャラクタライズ)する方法を提供する。その方法は部分的に又は完全に自動化されており、プロセス技術者に早急のフィードバックを提供してトラブルシュートを行わせる又はプロセスを改善するために、ウェファ製造施設内で行うことが可能である。
A概観
本発明は、半導体ウェファ上に製造された集積回路又は他の構造のようなアイテム内の微細な欠陥を部分的に若しくは完全に位置決めして特徴評価(キャラクタライゼーション)することを提供する。欠陥の自動的な特徴評価(キャラクタライゼーション)は、頂面画像を形成し、一又はそれ以上の断面をミリングし、その一又はそれ以上の断面の画像を形成し、X線分光器分析(例えば、エネルギー分散型分光、以下「EDS」とする)を行って表面上若しくは断面内に存在する材料のタイプを決定し、欠陥の特徴評価(キャラクタライゼーション)データを格納する各工程を有する。部分的若しくは完全に自動化されることによって、本発明はプロセスエンジニアに対して迅速なフィードバックを提供する。本発明の各実施の形態は、研究機関において行われる労働集約的な時間の掛かる方法からトラブルシューティング又は製造改善のためにプロセスエンジニアに対してタイムリーにフィードバックを提供する製造方法へと欠陥分析方法を変化させる。
図1Aに関連して、一つの実施の形態において、欠陥分析システム105は、ネットワーク100を介して各リモートインタフェースコンピュータ103に接続されたものが図示されている。欠陥分析システム105は、一般に複式ビーム欠陥分析器109とデータベースシステム111に操作可能に接続され(又はそれらと一体になった)欠陥分析器コンピュータ(以下「DAコンピュータ」という)107を有する。DAコンピュータ107と複式ビームシステム109は、欠陥分析と特徴評価(キャラクタライゼーション)を実現するためのソフトウェア108を用いる。
図2は欠陥分析アプリケーションの一つの実施の形態を実行するためのスクリーンインタフェースを図示する。この実施の形態において、欠陥分析器アプリケーション113は、ジョブビルダーアプリケーション115とシーケンサーアプリケーション116と欠陥エクスプローラアプリケーション117と共に、FEIカンパニー社製のxP(商標)ベースの複式ビームシステムに組み込まれている。この欠陥分析アプリケーション113は、そのシステムソフトウェアの一つの機能部分であり、イメージ部分205とサイトステータス部分215とツール部分225とナビゲーション部分235と専用欠陥分析器部分245による複数に分割されたディスプレイを提供する。これらの部分のそれぞれの目的と動作を以下に詳細に説明する。ツール部分225と専用欠陥分析器部分245から、利用者はジョブインタフェース又はシーケンサーインタフェース若しくは欠陥エクスプローラインタフェースを表示することができる。(表示された図においては、ジョブビルダー/レシピビルダー画面が表示されている。)一つの実施の形態においては、特定のジョブタイプのためのシステムを構築するための自動調整セットアップページも利用者に対して利用可能にする。欠陥エクスプローラ又はシーケンサー若しくはジョブビルダー若しくはツールコンポーネントのいずれかを呼び出すために、利用者は欠陥分析器アプリケーション113をオープンして図2に示されたものと同様のスクリーンインタフェースを介して所望のモジュールにアクセスする。これらのモジュール(例えば欠陥エクスプローラ)の全て又は一部が、別途又は個別に、スタンドアローンインタフェース及び/又は異なるコンピュータデバイスにおいてアクセス可能になるようにしてもよい。
ジョブビルダーアプリケーション115は、利用者が欠陥サイトを分析するための「各ジョブ」を構築することを可能にする。このことは又利用者が各ジョブを編集し、(例えば自動調整セットアップアプリケーションが提供されていない場合には)サイトを構築し、そして、サイトにプロセスを割り当てることを可能にする。各ジョブは、特定の欠陥サイトで実行されるべきワークを定義する一又はそれ以上のレシピからなる。3つの基本的なジョブ構造が存在する。すなわち、(1)各サイトにおける同じサイトシーケンスと、(2)異なるサイトにおける異なるサイトシーケンスと、(3)同じプロセスを有する一群のサイトである。このようなワークは、例えば、基点(フィデューシャル)によってそのサイトをマークすること、又は、断面をミリングすること、若しくは、一つの画像又は組み合わせをセーブすることを具備していてもよい。各レシピとツール(予め定義されたシステムレシピ/ツールと利用者が定義したレシピ/ツールを含む)を配列して定義することによって、利用者はジョブを構築する。各ツールはツールコンポーネント118に由来し、シーケンサー116によって初期化されたり及び/又は実行されるソフトウェア命令と関連付け(例えば、対応したり呼び出したり)される。シーケンサーはジョブビルダーによって生成された各ジョブを実行する。このことには、分析情報を書き込むこととデータベースシステム111に記憶され管理された欠陥分析ファイルデータベースに及び/又はそこから記憶された画像を転送することも含まれている。ジョブビルダーは、又、一つの実施の形態においては、各ジョブや各レシピによって使用され、そして、それらのために生成されたデータを管理するためのスタンドアローンのプロダクトマネージャを具備する。
シーケンサーは、指定されたサイトのジョブで定義された、例えば、指定されたサイト/タスクシーケンスに従って、アクションとツールタスクを実行する。本質的に、それは各サイトとそれらに対して実行しているツールの間の調整と通信を提供する。欠陥分析器内のシーケンサーは、次のような動作の組み合わせをサポートすることができる。すなわち、(1)指定された複数サイトでのジョブを実行することができることと、(2)異なるウェファにおいて同じサイトリストとサイトシーケンスを実行することができることと、(3)たとえ複数のジョブが実行された場合でもデータをウェファと各サイトに対して関連付けを続行することができることと、(4)カセット内で各ウェファに対して異なるジョブを順次実行するができることと、(5)異なるサイトにおいて異なるサイトシーケンスを実行することができることである。加えて、いくつかのシステムに関して、欠陥ファイルは、手動で濾過されることもあり、若しくは、欠陥ファイルによって指定された全てのサイトが加工されることもある。
図5に関連して、欠陥エクスプローラは、記憶された画像を検討することや改定された欠陥ファイルを検討することや処理するために物理的に欠陥サイトに再び訪れるためそして自動欠陥転移検証のためのタグを設定することを含む異なる利用の場合において利用者が各種のタスクを行うことを可能にする。それは又データと欠陥の画像を検討するために、データベースシステム111に対するユーザーインタフェースを提供する。それは、利用者/検査員がデータベースシステムをナビゲートするのに役立ち、それによって使い勝手のよい検討を容易にすると共に関連するサイトのデータのフィルタと、例えば、収量管理システムへのエクスポートも容易にする。加えて、欠陥分析器によって行われたジョブの結果を検討するためのツールとしても役立つ。
いくつかのツールコンポーネントを説明する。ツールコンポーネントは、特定のツールを制御するための適切なユーザーインタフェースを利用者に提供するソフトウェアからなる。それらはツールに割り当てられた機能を実行するために関連するハードウェア(例えば、電子ビーム、イオンビーム、ステージ、ガス噴射プローブ)を制御するためのコードオブジェクトコールを含んでいる。
ある実施の形態において、電子ビームとイオンビームは同じ垂直面内にあるが一方のビームはほぼ直立しているが他方のビームは傾斜しているので、2つのビームが交差する点が存在する。ステージを昇降してこの交差点がウェファ表面にくるようにすることによって、2つのビームは合致することが可能となる。ウェファは大抵歪んでおり厚みもバラバラであるので、ステージがX又はY方向に移動されたときにはウェファの頂面はビームの光学カラムから異なる高さとなり、ビームはもはや合致するものではなくなる。好適な実施の形態において、容量性のセンサのようなセンサがステージからイオン又は電子ビームカラムまでの距離を測り、両ビームが合致するようにステージを昇降して一定の差を維持する。
図8Aはコンピュータ支援調整ツールが選択されたときに現れるスクリーンインタフェースの一例を示し、図8Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。コンピュータ支援調整ツールは、ステージを移動するか又はビームをシフトすることによって、基点がミリングされた後で問題の領域を再調整する。この問題の領域は、大抵、適切な倍率である視野の中心に調整される。校正目的のために、画像の中心と基点の中心の間のずれを測定するために、追加オプションが利用されることもありうる。
図9Aは、断面ツールスクリーンインタフェースを図示しており、図9Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。各グループに対する共通の制御がまず列挙され、次いで、特定のグループに対して固有の制御が列挙される。基点ツールによって設定された視野を使って、金属堆積やバルクミリングや断面クリーニングを含む各種の処理に対して完全な断面を生成するために、断面ツールが複式ビーム装置を制御する。このツ−ルの一つの特徴は、それが関連タスクパラメータに基づいて適切なビームセッティングを自動的に決定することである。堆積及び断面パターンに関する図示の実施の形態においては、X軸寸法とY軸寸法が視野のパーセンテージとして利用者によって指定され、深さがミクロンで指定される。バルクミリングのためには、その幅が視野のパーセンテージとして利用者によって指定され,高さと深さ(Y軸とZ軸)は欠陥分析システムによって計算される。
欠陥が最初に位置決めされた後で、一又はそれ以上の基準マークを提供してその欠陥が以後の処理のために容易に再び見つけることができるようにすると有効である。欠陥マークすなわち基点は好適には欠陥が最初に位置決めされた後にイオンビームを用いてミリングされる。本発明の一つの側面において、欠陥特定情報を含む基点が実現される。例えば、この基点は欠陥のサイズによって変わるサイズで作られる。すなわち、大きな欠陥は大きな基点によってマークされる。加えて、画像認識ソフトウェアによって容易に認識されうる形状で作られると共に、周囲の特徴から目立つように変更することもできる。以後の検査時に基点の向きが決定されるように、基点は、好適には、回転対称ではない。実際には、基点の形状はイオンビームによってミリングされるべきである。より正確な向きで調整が望まれる場合には、複数の基点がミリングされる。
図11Aは、再調整ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示しており、図11Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。再調整ツールは単数又は複数の基点がミリングされた後で、問題の領域の中心を再び位置決めする。このツールはビーム合致を確定し、視野内の欠陥の中心を位置決めするために使用される。利用者はいかなるパターンツールにも先立って再調整ツールを実行することができ、確実に各パターンが基点(単数又は複数)に対して正確に配置されるようにする。アパーチャが変わったとき、又は、基点マークがドリフトされた信じられるとき、例えば、GISニードルが抜き差しされているときはいつでも、再調整ツールはステージを動かしながら電子ビームを再調整すると共に、ビームシフトしながらイオンビームを再調整することができる場合がある。
EDSツールは利用者に手動(又は自動で)EDSスペクトラムを集めてそのスペクトラムをカレントサイトと関連付けし、それをデータベースに加える方法を提供する。(これは中断ツールの拡張である。)実行モード中、EDSツールダイアログボックスは、自動化された処理を続行する前に、EDSスペクトラムを集めるために利用者に特定の情報を提供する。EDSツールは、大抵材料が知られていない場合の欠陥をキャラクタライズするために使用される。ある実装例においては、デホルトのディレクトリがEDSソフトウェアからの各画面を保存するように構成されている。そして、EDSツールはそのディレクトリからスペクトラム画像を取り込むで、それらをデータベースに入れる。
図13Aは「システム設定始動」(Get System Setting)ツールのスクリーンインタフェースを図示し、図13Bはこのコマンドとフィールドの説明を列挙した表である。このシステム設定始動ツールは利用者にシステム設定の断片(snapshot)を保存させる。設定セット(Set Setting)ツールは、既に定義された設定をリストアさせるために使用される。このツールは、システム設定の断片(snapshot)を定義してリストアするために設定セットツールと共同で使用されることもある。これらのツールは、他のツール若しくは設定の手動による変更のような、システム設定の変更が起こりそうないかなるイベントの前後においても使用されうる。
図13Cは「画像取り込み」(Grab Image)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図13Dはこのコマンドとフィールドの説明を列挙した表である。画像取り込みツールは画像を集めて保存するために用いられる。このツールは適正なシステム設定をセットし、画像を取り込み、それを保存する。この画像は、標準的な名前を付された従来のファイルネームと共に、予め定義されたホルダ内に保存される。
最短の移動軸を使用してダイ移動ツールはウェファ中心に近接する一つのダイを移動する。このツールは、例えば、システム設定始動ツールや設定セットツールと共同して使用されて、隣接するダイに移動しそのサイトで処理を行って、前の位置に戻る。
図14Aは「パターン化」(Pattern)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図14Bはパターン化ツールのコマンド/フィールドを説明と共に列挙した表である。パターン化ツールは、断面パターンのような、ツール範囲外のパターンを生成する。それはミリング又は材料堆積若しくはエチングのために使用されうる。
図15Aはセットアップ段階の「停止」(Pause)ツールのスクリーンインタフェースを図示し、図15Bはそのコマンド/フィールドオプションとそれに関連する説明の表である。図15Cは、実行段階の「停止」(Pause)ツールのスクリーンを図示し、図15Dはそのコマンド/フィールドオプションとそれに関連する説明の表である。停止ツールは利用者が手動で欠陥分析器のユーザーインタフェースの範囲外でアクションを指定させる。レシピが自動化されていたとしても、利用者は停止ツールを使用して、オペレータの干渉を可能にすることができる。利用者は停止ツールのメッセージエリアにテキストを加えておき、自動化された処理を続行する前にあるアクションを行うジョブをその利用者が実行するようにすることもできる。利用者は、所望に応じて多くの停止ダイアログボックスを定義することがかのうである。ジョブ実行中、ダイアログボックス(図15C)はセットアップ中に利用者(管理者である利用者)によって定義されたメッセージを表示する。停止ツールに対するオペレータである利用者のアクションは制限されて停止を却下してシーケンスを続行するか若しくはそのサイトの試行を停止する。
図16は、設定セット(Set Setting)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示している。設定セットツールはシステム設定始動ツールによって予め定義されたシステム設定の断片(snapshot)をリストアする。設定セットツールのスクリーンインタフェースは、リストアされるべき一組のシステム設定を示す設定始動識別子(Get Setting Identifier)を有する。
図17Aは「スライスアンドビュー」(Slice and View)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図17Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。スライスアンドビューツールはミリングアンド撮像ツールの高度のものである。それは小さなボックスパターンをミリングし画像を収集して、選択された領域上でその工程を繰り返して表面構造についての3次元情報を集める。このツールは、断面化及び3次元による特徴構造の位置決め及び再構築化、更に、埋設された特徴構造物の調査のために用いられることもある。
図18Aは「自動スクリプト」(Auto Script)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図17Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。自動スクリプトツールは、新しく固有のツールの迅速且つ簡単な開発のための一般的なスクリプト/プロトタイプツールを提供する。それは、利用者がスクリプトとログファイルを指定することができるようにすることによって、欠陥分析器システムの多くの機能を自動化するためにも使用されうる。例えば、このツールを使用することによって、利用者がスクリプトを書いてミリングやスキャンニングや画像認識やステージ移動やイオンビーム電流やガス噴入や他の多くの機能を制御することができる。
図19Aは「システム設定」(System Setting)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図19Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。システム設定ツールは、レシピの特定のポイントで利用者にシステム設定を指定させる。このツールは他のいかなるツールを実行するのにも先だってシステムをセットアップするために使用される。
このツールは「スライスアンドビュー」ツールとEDSツールの組み合わせに類似するものである。それは欠陥の元素成分に関する3次元情報を提供する。3つのビームが合致したサイトにおいて、埋設された特徴構造はイオンビームによって繰り返し断面化され新しい表面を露出する。各断面がカットされた後で、電子ビームが用いられて露出された表面からEDS元素データを収集する。このデータが集められて埋設された特徴構造についての3次元成分情報を提供する。断面サイズとビーム条件とEDS収集パラメータは欠陥のサイズと形状に基づいて自動的に設定される。
図20乃至図23に関連して、特性評価と推奨を装備した自動欠陥再配置(ADR)ツールの一実施の形態が説明される。ADRツールは欠陥ファイルにおいて報告されたその位置に基づいて欠陥を位置決めすると共に点検する。そして、それはシステムパラメータを更新して、他のツールが以後の操作のためにより効率的に且つより正確にその欠陥を位置決めできるようにする。例えば、それは視野(FOV)の設定可能なパーセンテージ内で欠陥の中心を再び合わせることができるが、他の自動化された再配置や処理ジョブを行うことを可能にする。
図20AはADRツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示する。簡単には、図示されたADRツールは、(欠陥を有するダイに隣接するダイの)基準となる画像と欠陥の画像とを集め、それらの画像を比較して欠陥を特定(又は分離)し、例えば、終了する前にその画像の限定可能なパーセンテージ内でその検出された欠陥を中心にくるように調節する。
欠陥が位置決めされた後で、それは自動的に特徴評価(キャラクタライズ)される。特徴評価(キャラクタライゼーション)は、イオンビームを使用することによって欠陥表面の「上から下への(top−down)」画像を形成することも含んでいる。電子ビームは表面画像を形成するためにも使用されることがあるが、しかし、電子ビームは大抵表面に対してある角度で配向しており、画像はソフトウェアで修正されない限り歪んでいる。特徴評価(キャラクタライゼーション)は、画像処理してデホルトのアウトラインと中心を決めることも含んでいる。ある実施の形態においては、欠陥を特徴評価してその欠陥をどのようにして断面取りするかを決めるときに、欠陥のアウトラインが一工程として特徴評価(キャラクタライズ)される。ある種の実施の形態においては、アウトラインは、それを膨らませて以後の計算を過度に複雑にするようなエッジ効果とエッジ形状を取り除くことによって単純化される。それとは別に、欠陥は単純にボックスにより取り囲まれてアウトラインを決めることもある。他の実施の形態においては、実際の欠陥アウトラインが使用されることもある。アウトラインデータは欠陥のサイズや位置や形状や向きやアスペクト比などを含む情報を提供するために用いられる。
標準的なセットの試験構造物がウェファにミリングされて、ADR実装の再配置精度を試験する。ADR構成部分が修正されたときには、このウェファは自動的に戻されて再配置精度の基本的な基準値を提供する。更に、画像ライブラリも構成されることがある。試験のためのリソースを提供するために、利用者は典型的な最悪ケースの画像のライブラリを作ることもできる。
欠陥分析システムに一般的に関連した異なる利用ケースが以下に説明されるが、ここではADR実証利用ケースがADRの一機能として説明される。欠陥エクスプローラの興味のある一使用例は、自動欠陥再配置(ADR)の実証である。(ADRは以下に説明する。)ADR実証は、一般的に、自動欠陥再配置操作を行うことと、欠陥エクスプローラを用いてその結果を検討することと、適切にADR機能を調節することからなる。このことには、引き続いて、欠陥のデータを変更してミリングレシピを割り当てることもできる。
ある実施の形態において、以下の仕様がADRソフトウェア構成部分のために使用された。検出可能な欠陥の最小サイズは、9ピクセル(3×3)である。(30mmの視野において、このことは1乃至10nmの欠陥に相当する。)検出可能な欠陥の最大サイズは、通常視野領域の<35%である。信頼性に関しては、電子ビーム可視欠陥に対して80%を越える成功レートである。アウトライン精度は、欠陥ピクセルの80%以上がアウトライン化され、そして、アウトライン化されたピクセルのたった20%が欠陥ピクセルではないようにすべきである。処理時間は5秒未満とし、システムは特徴構造の存在しない背景に対する欠陥設定を特定することができるべきである。(システムは、ベアーウェファ用にも使用されるし、製造された構造物を有するウェファにも使用される。)更に、ソフトウェアは、複雑な(ベクトル若しくはそれと均等な表現)欠陥アウトラインを返すこともできる。重心や囲繞ボックスや回転配向性を返すオプションも可能である。ソフトウェアは、又、アウトライン化された欠陥の信頼性レベルを報告することもできる。このことは、欠陥ピクセルと基準画像の対応するピクセルの間のコントラストの差異の質的な指標を提供する。断てば、ソフトウェアは全ての位置決めされた欠陥のアウトラインデータ及び信頼性データを少なくとも9ピクセルの大きさで返すことができる。更に、制限されたサーチ領域も定義可能である。例えば、欠陥の画像のエッジの25ピクセルで欠陥のためのサーチしないことは有利である。任意の角度で構造物を回転することもサポートされるべきである。それらの画像にとって、視野はアレイの単位セルの長軸の少なくとも3倍にすることができる。
ある実施の形態において、ADRが実際の欠陥ウェファの欠陥を位置決めするのに使用される前に、新たな製品がシステム内に導入された場合には多くのウェファ固有の校正がトレーニングされることを一般的に必要とする。トレーニングモジュールは、利用者がシステムにどのようにウェファを調整するか、すなわち、どのようにして調整ポイントにドライブして画像を取り出し、パターンの起源を認識発見することを教授することを可能にする。トレーニングモジュールは、又、2つのビームが合致するステージ高さを(容量プローブの電圧出力から)判定すると共に、電圧対高さ曲線を校正して容量センサの電圧出力がワークピースの頂面とイオンビーム又は電子ビームの間の距離の変化に対して適応するために使用されるようにする。
図24は、欠陥分析方法の一実施の形態を図示している。ワークフロー手順は、3つの基本的な層を有する。ジョブセットアップ層2400とサイトセットアップ層2430とサイトプロセス層2450である。ジョブセットアップ層において、利用者は(欠陥ファイルを指定するような)パラメータを定義し、所望のジョブを行うために必要なレシピを作成する。サイトセットアップ層2430においては、ウェファが搭載されて調整され、そして、欠陥が特定されて基点でマークされ、欠陥分析器システムがサイトプロセス層で自動的に欠陥を位置決めしてビームを調整する。サイトプロセス層2450において、システムはジョブ内で各欠陥に向かってドライブし、プロセスレシピを実行する。この層は、ある種の実施の形態において他の層の一部又はその全てと共に、自動化されている。
ここから、システムは工程2442に移行してセットアップレシピが存在しているか否かを判定する。存在するのであれば、工程244においてセットアップレシピが既に実行されているか否かを判定する。しかし、セットアップレシピが存在しないのであれば、直接にサイトプロセスセクション2450に移行して工程2452においてそのレシピ(プロセス)を実行する。
本発明の欠陥分析システムは前記プロセスの全て又はその一部を組み込んだ様々な方法において使用されうる。このシステムを使用する多くの方法が存在するが3つの利用ケースの例が提示される。(一つの利用ケースは単純に欠陥分析システムのパーツの全て又はそれらの組み合わせが使用される方法である。例えば、上記のADR実証プロセスは利用ケースである。)ここで説明される3つの基本的な利用ケースは、検討と分析と検討/分析である。
欠陥分析器システムの各実施の形態は、欠陥検討機能と3次元分析機能の双方を提供することができる。手動計測のために半自動式で使用されることもある完全に自動化された欠陥分析ツールである。X線分析は欠陥分析ツールの一機能である。それは銅デュアルダマシン(copper dual damascene)や化学機械研磨や高アスペクト比を含む0.13μm以下の処理マーケットのための高品質欠陥分類データを配信する。
Claims (31)
- トラブルシューティングをするために又は微細加工方法を改良するために、迅速なフェードバックを提供する欠陥特性評価(キャラクタライゼーション)システムであって、
半導体ウェファ内で欠陥の位置を決めて、その欠陥を特性評価(キャラクタライズ)して適切な分析方法を決め、自動的に決定された分析方法を実行する構成要素を有する欠陥特性評価(キャラクタライゼーション)システム。 - 前記分析が、ウェファ内の一又はそれ以上の埋設面を露呈して、その露呈された面を撮像することを含むことを特徴とする前記請求項1に記載のシステム。
- 前記分析が、露呈された表面で化学的な分析を行うことを含むことを特徴とする前記請求項1に記載のシステム 。
- 複数の欠陥が欠陥ファイルを作成する検査システムによってまず見つけられるが、その欠陥ファイルは、高分解能映像システムを用いてそれらの欠陥の位置を見つけるために使用され、その位置を見つけられた欠陥を特性評価(キャラクタライズ)して分析方法を決めるのにも使用され、該分析方法は自動的にそのシステムによって実行されることを特徴とする前記請求項1に記載のシステム。
- 高分解能映像システムが、イオンビーム撮像システム、走査電子顕微鏡、光学顕微鏡のうちの少なくとも一つを有していることを特徴とする前記請求項1に記載のシステム。
- 前記分析方法がウェファの複数の断面部分をカットし、それらの部分をEDS分析によって試験して3次元の元素情報を提供することを特徴とする前記請求項1に記載のシステム。
- 半導体製造施設内での製造中にウェファの欠陥を特性評価(キャラクタライズ)する方法であって、
(a)半導体ウェファを検査して複数の欠陥の位置を決める工程と、
(b)位置決めされた複数の欠陥に対応する各位置を欠陥ファイルに格納する工程と、
(c)複式荷電粒子ビームシステムを、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートする工程と、
(d)欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る工程と、
(e)荷電粒子ビーム画像を分析して、その欠陥を特性評価(キャラクタライズ)する工程と、
(f)その欠陥の更なる分析のためのレシピを決定する工程と、
(g)該レシピを自動的に実行して、荷電粒子ビームを用いて、欠陥部分をカットするが、そのカット部分が荷電粒子ビーム画像の分析に基づくものである工程と、
(h)荷電粒子ビームカットによって露呈された面を撮像して前記欠陥についての別の情報を得る工程とからなる方法。 - 更に、自動的にレシピを実行する前に荷電粒子ビーム画像の分析結果に関連して荷電粒子ビームパラメータを自動的に調節する工程を有することを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- 荷電粒子ビーム画像を分析し、その欠陥を特性評価(キャラクタライズ)する工程がその欠陥のアウトライン又はその欠陥の中心若しくはその欠陥のアウトラインと中心の双方を自動的に決定することを含んでいることを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- 欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る工程が、その欠陥の近傍のワークピースに基点(フィデューシャル)をカットすることを含んでいることを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- レシピを実行する工程が、基点(フィデューシャル)の位置決めをし、基点(フィデューシャル)のイオンビーム画像と電子ビーム画像の重ね合わせによって電子ビームとイオンビームを調整し、前記基点(フィデューシャル)からの既知の変位によってその欠陥の位置を見つけることを含んでいることを特徴とする前記請求項10に記載の方法。
- 複数のウェファが検査され、複数の欠陥が欠陥ファイル内に格納され、複数の欠陥が特定されて荷電粒子ビームシステムを用いて撮像され、それらの欠陥を分析するための複数のレシピが決定され、そして、それらの欠陥がウェファ上で再配置(リロケート)されてそれらのレシピが複数のウェファ上で実行されることを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- 問題の特徴構造(フューチャ)を分析する工程が、EDS又は同様の分析技術を用いた最適元素分析のために欠陥のサイズと形状に基づいて荷電粒子ビームパラメータを自動的に調節することを含んでいることを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- 自動的に欠陥を特定する工程が、欠陥を含んでいると判断された領域の荷電粒子ビーム画像を得ることと、基準ダイの欠陥を含んでいない対応する領域の荷電粒子ビーム画像を得ることと、それらの画像を比較してその欠陥を特定することを含んでいることを特徴とする前記請求項7に記載の方法。
- オブジェクト内の欠陥を分析するシステムであって、
(a)そのオブジェクトを撮像する電子ビームと、
(b)そのオブジェクトをミリングするイオンビームであって、電子ビームとイオンビームがオブジェクトの所望の位置で衝突することができるものと、
(c)(i)それを制御して所望の画像部分を撮像する電子ビームと、(ii)それを制御して所望のミリング部分をミリングするイオンビームに通信可能に接続されるように適合された処理デバイスと、
(d)前記処理デバイスによって実行されたときに、前記撮像とミリングをし、欠陥ファイルからの情報を用いて欠陥を特定し、電子ビーム又はイオンビームによって形成される欠陥の画像に基づいて欠陥を特性評価(キャラクタライズ)し、その欠陥の特性評価(キャラクタライゼーション)に基づいて欠陥を覆っている材料部分を取り除いて欠陥を露呈し、欠陥の露呈部分を分析するためにシステムを制御する各命令を含んでいるコンピュータ読み取り可能な媒体とからなるシステム。 - 前記命令が、更に、イオンビームが欠陥近傍のオブジェクトに基点(フィデューシャル)をミリングする命令を含んでおり、該基点(フィデューシャル)がシステムに欠陥についての物理的な情報を搬送する物理的性質を有するものであることを特徴とする前記請求項15に記載のシステム。
- イオンビームと電子ビームが重複した位置でオブジェクトに衝突するように調整されることを特徴とする前記請求項15に記載のシステム。
- イオンビームと電子ビームが異なる位置でオブジェクトに衝突するように調整され、前記命令がワークピース表面上のポイントがイオンビームの又は電子ビームの下に来るようにそのポイントを再配置(リロケート)して、いずれかのビームがそのワークピースの同じポイントを撮像するか若しくはミリングするために使用されるようにすることを特徴とする前記請求項15に記載のシステム。
- オブジェクト内の欠陥を分析するシステムであって、
(a)そのオブジェクトを撮像する電子ビームと、
(b)そのオブジェクトをミリングするイオンビームであって、電子ビームとイオンビームがオブジェクトの所望の位置で衝突することができるものと、
(c)(i)それを制御して所望の画像部分を撮像する電子ビームと、(ii)それを制御して所望のミリング部分をミリングするイオンビームに通信可能に接続されるように適合された処理デバイスであって、前記撮像とミリングが前記プロセッサデバイスによって実行される命令に基づくものであり、その命令がイオンビームを制御して報告された欠陥の近くのオブジェクトに基点(フィデューシャル)マークをミリングする命令を含んでおり、該基点(フィデューシャル)がシステムに欠陥についての物理的な情報を搬送する物理的性質を有するものとからなるシステム。 - 基点(フィデューシャル)マークのサイズが欠陥のそれに比例しており、それによって、システムが基点(フィデューシャル)マークのサイズを決定することによって欠陥の相対的な大きさを決定することができることを特徴とする前記請求項19に記載のシステム。
- 前記命令が、欠陥分析器アプリケーションと、利用者が基点(フィデューシャル)をミリングすることを制御可能にする基点(フィデューシャル)ツールを含む欠陥分析ツールを利用者に対して提供するためのツールコンポーネントを有することを特徴とする前記請求項19に記載のシステム。
- ツールコンポーネントが、基点(フィデューシャル)マークを用いて電子ビームとイオンビームを自動的に集束することによってビームの合致を達成する自動合致ツールを有することを特徴とする前記請求項19に記載のシステム。
- 半導体ウェファ内の欠陥を分析する欠陥分析システムであって、
ウェファ内の欠陥を分析する少なくとも2つの荷電粒子ビームと、
該少なくとも2つの荷電粒子デバイスを用いて欠陥の分析を行う、ソフトウェアコンポーネントを装備した少なくとも一つの処理デバイスであって、前記ソフトウェアコンポーネントが実行時にジョブビルダーとシーケンサーと欠陥エクスプローラを提供するものとからなる欠陥分析システム。 - 前記ジョブビルダーが、前記シーケンサーによって実行されるべき欠陥分析方法を利用者が構築することを可能にするインタフェースを提供すること特徴とする前記請求項23に記載のシステム。
- 前記ジョブビルダーインタフェースが、スライスアンドビューツールコンポーネントを含むツールコンポーネントにアクセスすることができること特徴とする前記請求項24に記載のシステム。
- 前記ジョブビルダーインタフェースが、利用者がシーケンサーによって実行されるときに停止すべき分析方法の条件を定義することを可能にするポーズツールコンポーネントを含むツールコンポーネントにアクセスすることができること特徴とする前記請求項24に記載のシステム。
- 更に、ウェファの分析から得られたデータを格納するデータベースを有し、該データベースが欠陥エクスプローラを通じて前記データにアクセスされるローカルとリモートのコンピュータに接続されていること特徴とする前記請求項23に記載のシステム。
- 半導体ウェファ内の欠陥を分析するための欠陥分析システムであって、
ウェファ内の欠陥を分析する少なくとも2つの荷電粒子ビームと、
該少なくとも2つの荷電粒子デバイスを用いてウェファ内の欠陥の分析を行う、ソフトウェアコンポーネントを装備した少なくとも一つの処理デバイスであって、前記ソフトウェアコンポーネントがシステムに(1)以前に特定された欠陥を自動的に再配置(リロケート)させ、(2)その欠陥のサイズと形状を決定させ、(3)欠陥の画像倍率を適切な値に調整させ、(4)荷電粒子ビームパラメータを調節させ、(5)ビームパラメータの変動によって必要に応じて少なくとの2つのビームの調整を維持させるようにするものとからなる欠陥分析システム。 - 前記ソフトウェアコンポーネントが、更に、システムに欠陥のサイズと形状に応じて自動的に適切なビームアパーチャを選択させてビームサイズと電流を制御するようにすること特徴とする前記請求項28に記載のシステム。
- 半導体ウェファ内の欠陥を分析するための欠陥分析システムであって、
複数のダイを有するウェファ内の欠陥を分析する少なくとも2つの荷電粒子ビームと、
該少なくとも2つのビームに関連して前記ウェファを受け取って位置決めする制御可能なステージと、
前記少なくとも2つの荷電粒子デバイスを用いて前記ウェファ内の分析を行う、ソフトウェアコンポーネントを装備した少なくとも一つの処理デバイスであって、前記ソフトウェアコンポーネントが前記複数のダイにおいて自動的に行われるべき分析ジョブを利用者が定義することを可能にするジョブビルダーとその定義されたジョブを実行しその定義されたジョブに応じてダイを分析するシーケンサーを提供し、個々のダイを分析するために利用者がステージによって移動される通路を指定することを前記ジョブビルダーが可能にするものとからなる欠陥分析システム。 - 個々のダイを分析するためにステージ移動の曲がりくねった通路が指定されること特徴とする前記請求項30に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42540702P | 2002-11-12 | 2002-11-12 | |
US60/425,407 | 2002-11-12 | ||
PCT/US2003/036017 WO2004044596A2 (en) | 2002-11-12 | 2003-11-12 | Defect analyzer |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011147754A Division JP5411211B2 (ja) | 2002-11-12 | 2011-07-01 | 欠陥分析器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006506816A true JP2006506816A (ja) | 2006-02-23 |
JP5107506B2 JP5107506B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=32312986
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004552102A Expired - Lifetime JP5107506B2 (ja) | 2002-11-12 | 2003-11-12 | 欠陥分析器 |
JP2011147754A Expired - Lifetime JP5411211B2 (ja) | 2002-11-12 | 2011-07-01 | 欠陥分析器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011147754A Expired - Lifetime JP5411211B2 (ja) | 2002-11-12 | 2011-07-01 | 欠陥分析器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7103505B2 (ja) |
EP (1) | EP1563381A4 (ja) |
JP (2) | JP5107506B2 (ja) |
CN (1) | CN100458712C (ja) |
AU (1) | AU2003290752A1 (ja) |
WO (1) | WO2004044596A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139379A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Fei Co | デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー |
JP2012146421A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び画像データ管理方法 |
WO2012157160A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 欠陥レビュー装置 |
KR20140108662A (ko) * | 2011-11-29 | 2014-09-12 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 표면-아래 결함 검토를 위한 샘플들의 준비를 위한 시스템들 및 방법들 |
WO2019065607A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 特定検査向け支援システム、特定検査向け支援方法およびプログラム |
Families Citing this family (111)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4155496B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2008-09-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 分類支援装置、分類装置およびプログラム |
US7738693B2 (en) * | 2002-12-24 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | User interface for wafer data analysis and visualization |
WO2004044596A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Fei Company | Defect analyzer |
US9159527B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
US8110814B2 (en) | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
GB0325560D0 (en) * | 2003-10-31 | 2003-12-03 | Seebyte Ltd | Intelligent integrated diagnostics |
US7006886B1 (en) * | 2004-01-12 | 2006-02-28 | Kla Tencor-Technologies Corporation | Detection of spatially repeating signatures |
MXPA06013286A (es) * | 2004-05-21 | 2007-07-19 | Pressco Tech Inc | Interfaz de configuracion de usuario de re-inspeccion grafica. |
US7593565B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-09-22 | Rudolph Technologies, Inc. | All surface data for use in substrate inspection |
WO2006011185A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-02 | Fujitsu Limited | 半導体装置の検査方法、その検査装置及びその検査に適した半導体装置 |
JP2006059701A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム装置およびそれを用いた狭ギャップ電極形成方法 |
US7230240B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-06-12 | Credence Systems Corporation | Enhanced scanning control of charged particle beam systems |
US20060064262A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for detecting a semiconductor manufacturing defect |
US8532949B2 (en) * | 2004-10-12 | 2013-09-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen |
JP5134188B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2013-01-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 試料上の欠陥を分析する装置 |
JP5006520B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
US7312448B2 (en) * | 2005-04-06 | 2007-12-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Method and apparatus for quantitative three-dimensional reconstruction in scanning electron microscopy |
US7348556B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-03-25 | Fei Company | Method of measuring three-dimensional surface roughness of a structure |
WO2007035834A2 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for creating a recipe for a defect review process |
JP4245595B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-25 | 株式会社東芝 | パターン観察装置、パターン観察方法およびプログラム |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
JP4533306B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2010-09-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 |
JP2007164992A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Sii Nanotechnology Inc | 複合荷電粒子ビーム装置 |
EP1801593A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of imaging biological specimens using inorganic nanoparticles as label agents |
JP2007212288A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム |
JP5600371B2 (ja) | 2006-02-15 | 2014-10-01 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム処理のための保護層のスパッタリング・コーティング |
US8577119B2 (en) * | 2006-02-24 | 2013-11-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer surface observing method and apparatus |
US7324863B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-01-29 | Intel Corporation | Automatically selecting wafers for review |
US8190650B2 (en) * | 2006-05-02 | 2012-05-29 | Microsoft Corporation | Efficiently filtering using a web site |
US7945083B2 (en) * | 2006-05-25 | 2011-05-17 | Carestream Health, Inc. | Method for supporting diagnostic workflow from a medical imaging apparatus |
JP5283830B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2013-09-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 欠陥検査方法 |
JP4851253B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2012-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置、及び描画装置におけるエラー検出方法 |
EP1890136A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-20 | FEI Company | Method for obtaining images from slices of a specimen |
JP4709168B2 (ja) * | 2007-01-04 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レポート検索方法,レポート検索システム、およびレビュー装置 |
JP5295526B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-09-18 | オリンパス株式会社 | 計測用内視鏡装置 |
US8200042B2 (en) * | 2007-01-31 | 2012-06-12 | Olympus Corporation | Endoscope apparatus and program |
US20080270845A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Kristin Petersen | Methods and Apparatus That Enable a Viewer to Distinguish Different Test Data Entries and Test Data Items |
JP2009130287A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
US20090265137A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Computer-based methods and systems for failure analysis |
US20090296073A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Lam Research Corporation | Method to create three-dimensional images of semiconductor structures using a focused ion beam device and a scanning electron microscope |
CN101295008B (zh) * | 2008-06-19 | 2010-06-23 | 电子科技大学 | 一种基于离散粒子群算法的多目标故障测试优化方法 |
WO2009155275A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Carl Zeiss Smt. Inc. | Sample imaging with charged particles |
WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
US8195533B1 (en) | 2008-12-08 | 2012-06-05 | Amazon Technologies, Inc. | Self healing andon system and method |
JP5357528B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハ検査装置 |
US8068662B2 (en) * | 2009-03-30 | 2011-11-29 | Hermes Microvision, Inc. | Method and system for determining a defect during charged particle beam inspection of a sample |
JP5292348B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-09-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
US8350237B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-01-08 | Fei Company | Automated slice milling for viewing a feature |
KR20110114026A (ko) * | 2010-04-12 | 2011-10-19 | 삼성전자주식회사 | 시편 제조 장치 및 방법 |
US20110271257A1 (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-03 | International Business Machines Corporation | Defect management in integrated development environments |
US10354405B2 (en) * | 2010-05-17 | 2019-07-16 | Kla-Tencor Corporation | Run-time correction of defect locations during defect review |
CN102269712A (zh) * | 2010-06-04 | 2011-12-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片缺陷检测方法 |
US8392136B2 (en) * | 2010-07-09 | 2013-03-05 | Kla-Tencor Corporation | In-place management of semiconductor equipment recipes |
US8841933B2 (en) * | 2010-09-09 | 2014-09-23 | International Business Machines Corporation | Inspection tool and methodology for three dimensional voltage contrast inspection |
CN102566527B (zh) * | 2010-12-30 | 2015-06-10 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 半导体制造设备前端模块的传输控制平台化实现方法 |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
JP5751935B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-07-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料作製方法 |
US8989478B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for visualization of semiconductor wafer inspection data acquired in a photovoltaic cell production process |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
CN102593048B (zh) * | 2012-02-28 | 2014-01-29 | 上海华力微电子有限公司 | 一种铝线腐蚀缺陷的处理方法 |
JP2013217903A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Horiba Ltd | 試料分析装置及び試料分析プログラム |
CN103324380A (zh) * | 2012-03-20 | 2013-09-25 | 赵盾 | 一种摄像头模件组测试结果的计算机显示方法 |
US9041793B2 (en) * | 2012-05-17 | 2015-05-26 | Fei Company | Scanning microscope having an adaptive scan |
US8588509B1 (en) * | 2012-06-28 | 2013-11-19 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Efficient scanning for EM based target localization |
US8995745B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-03-31 | Fei Company | Sequencer for combining automated and manual-assistance jobs in a charged particle beam device |
US9053390B2 (en) * | 2012-08-14 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Automated inspection scenario generation |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
CN102980897A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 检测方法及检测装置 |
US9164043B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-10-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Detecting method and detecting device |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
JP6383522B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2018-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物を発塵させる装置および発塵要因分析装置 |
WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) * | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
JP6355909B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-07-11 | 三菱重工業株式会社 | 検査記録装置及び検査記録評価方法 |
JP6490938B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法、断面加工装置 |
JP2015090890A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
US20160042914A1 (en) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Frederick Wight Martin | Achromatic dual-fib instrument for microfabrication and microanalysis |
US9766186B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
US10019335B2 (en) * | 2014-08-29 | 2018-07-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods for processing test results |
US9696268B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
US10030965B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-07-24 | Kla-Tencor Corporation | Model-based hot spot monitoring |
US9619728B2 (en) * | 2015-05-31 | 2017-04-11 | Fei Company | Dynamic creation of backup fiducials |
US10312091B1 (en) * | 2015-10-13 | 2019-06-04 | Multibeam Corporation | Secure permanent integrated circuit personalization |
KR101759878B1 (ko) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 |
US10242842B2 (en) * | 2016-03-25 | 2019-03-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Method for cross-section processing and observation and apparatus therefor |
US10620618B2 (en) * | 2016-12-20 | 2020-04-14 | Palantir Technologies Inc. | Systems and methods for determining relationships between defects |
US10249033B1 (en) | 2016-12-20 | 2019-04-02 | Palantir Technologies Inc. | User interface for managing defects |
JP7113613B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2022-08-05 | エフ イー アイ カンパニ | 欠陥分析 |
US11237119B2 (en) * | 2017-01-10 | 2022-02-01 | Kla-Tencor Corporation | Diagnostic methods for the classifiers and the defects captured by optical tools |
US10692690B2 (en) * | 2017-03-27 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Care areas for improved electron beam defect detection |
US10957608B2 (en) * | 2017-04-28 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Guided scanning electron microscopy metrology based on wafer topography |
US11275361B2 (en) * | 2017-06-30 | 2022-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for predicting defects and critical dimension using deep learning in the semiconductor manufacturing process |
JP2019020292A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
US11314721B1 (en) | 2017-12-07 | 2022-04-26 | Palantir Technologies Inc. | User-interactive defect analysis for root cause |
FI129412B (en) * | 2018-04-13 | 2022-01-31 | Maillefer Sa | Arrangement and procedure for detecting faults in a cable surface |
US11970313B2 (en) | 2018-12-12 | 2024-04-30 | Yeti Coolers, Llc | Insulating container |
US10766672B2 (en) | 2018-12-12 | 2020-09-08 | Yeti Coolers, Llc | Insulating container |
TWI689869B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-04-01 | 致茂電子股份有限公司 | 影像檢測方法 |
KR20220082802A (ko) * | 2019-06-07 | 2022-06-17 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 개선된 3d 체적 이미지 재구성 정확도를 갖는 단면 이미징 |
CN110288247A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 重庆回形针信息技术有限公司 | 产品质量分析***及方法 |
US11880193B2 (en) * | 2019-07-26 | 2024-01-23 | Kla Corporation | System and method for rendering SEM images and predicting defect imaging conditions of substrates using 3D design |
KR102221447B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2021-03-02 | 주식회사 커미조아 | 판재결함 검출방법 및 장치 |
JP7308710B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2023-07-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP7329141B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 集積半導体サンプルにおける3d構造間の接触領域のサイズ決定 |
KR20220132604A (ko) * | 2020-03-30 | 2022-09-30 | 주식회사 히타치하이테크 | 진단 시스템 |
CN111737131B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-08-08 | 南京大学 | 一种基于概率对齐的代码错误定位方法 |
CN113592770B (zh) * | 2021-06-23 | 2024-02-23 | 中国科学院南京地理与湖泊研究所 | 一种去除水草影响的藻华遥感识别方法 |
US11959961B2 (en) | 2022-04-08 | 2024-04-16 | Orbotech Ltd. | Method of determining an X and Y location of a surface particle |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03266718A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 車載用空気清浄器 |
JPH11265679A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Ltd | プロセス管理システム及び集束イオンビーム装置 |
JP2000268768A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002090312A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | 欠陥分析システム |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5673028A (en) * | 1993-01-07 | 1997-09-30 | Levy; Henry A. | Electronic component failure indicator |
GB2282895B (en) * | 1993-09-21 | 1998-04-08 | Advantest Corp | IC analysis system having charged particle beam apparatus |
JP3266718B2 (ja) | 1993-11-10 | 2002-03-18 | 日本電子株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
JPH07280890A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Advantest Corp | Ic試験装置並びにそれに使われるイオンビームテスタ及びこの装置を用いたicの不良部分の特定方法 |
JP3221797B2 (ja) | 1994-06-14 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 試料作成方法及びその装置 |
DE19526194C2 (de) * | 1994-07-18 | 2002-11-07 | Advantest Corp | Verfahren zur Feststellung eines Fehlers eines ICs unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen |
JPH09245714A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Hitachi Ltd | 制御方法およびそれに用いる集束イオンビーム装置 |
US5852793A (en) * | 1997-02-18 | 1998-12-22 | Dme Corporation | Method and apparatus for predictive diagnosis of moving machine parts |
JPH10270535A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3677968B2 (ja) | 1997-10-01 | 2005-08-03 | 株式会社日立製作所 | 試料解析方法および装置 |
US6337533B1 (en) * | 1998-06-05 | 2002-01-08 | Denso Corporation | Spark plug for internal combustion engine and method for manufacturing same |
US6476913B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
US6539106B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Feature-based defect detection |
US6466895B1 (en) * | 1999-07-16 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Defect reference system automatic pattern classification |
AU1553601A (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Defect inspecting system |
US6445199B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures |
US6566885B1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-05-20 | Kla-Tencor | Multiple directional scans of test structures on semiconductor integrated circuits |
FR2806527B1 (fr) * | 2000-03-20 | 2002-10-25 | Schlumberger Technologies Inc | Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique |
EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
EP1273907A4 (en) * | 2000-11-17 | 2006-08-30 | Ebara Corp | METHOD AND INSTRUMENT FOR WAFER INSPECTION AND ELECTRON BEAM |
KR100389135B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 디펙트 소스의 성분별 불량칩수 표시 방법 |
US6423557B1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-07-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | ADC based in-situ destructive analysis selection and methodology therefor |
US6635872B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | Defect inspection efficiency improvement with in-situ statistical analysis of defect data during inspection |
US7337088B2 (en) * | 2001-05-23 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Intelligent measurement modular semiconductor parametric test system |
WO2003019523A1 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-06 | Fei Company | Graphical automated machine control and metrology |
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
US6670610B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-12-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for directing a miller |
TW558789B (en) | 2002-05-02 | 2003-10-21 | Hitachi High Tech Corp | Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device |
JP3980948B2 (ja) | 2002-06-25 | 2007-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良解析方法及び不良解析システム |
WO2004044596A2 (en) | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Fei Company | Defect analyzer |
US6882745B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-04-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data |
JP3709886B2 (ja) | 2004-06-07 | 2005-10-26 | 株式会社日立製作所 | 試料解析方法および装置 |
-
2003
- 2003-11-12 WO PCT/US2003/036017 patent/WO2004044596A2/en active Application Filing
- 2003-11-12 US US10/706,304 patent/US7103505B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-12 AU AU2003290752A patent/AU2003290752A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-12 JP JP2004552102A patent/JP5107506B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-12 EP EP03783335A patent/EP1563381A4/en not_active Withdrawn
- 2003-11-12 CN CNB2003801085971A patent/CN100458712C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-01 US US11/497,565 patent/US7474986B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-01-05 US US12/348,771 patent/US7987072B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-06-22 US US13/166,547 patent/US8249828B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2011-07-01 JP JP2011147754A patent/JP5411211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03266718A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 車載用空気清浄器 |
JPH11265679A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Ltd | プロセス管理システム及び集束イオンビーム装置 |
JP2000268768A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002090312A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | 欠陥分析システム |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139379A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Fei Co | デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー |
JP2014167474A (ja) * | 2007-12-06 | 2014-09-11 | Fei Co | デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー |
JP2012146421A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び画像データ管理方法 |
WO2012157160A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 欠陥レビュー装置 |
JP2012242146A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及び試料作成方法 |
KR20140108662A (ko) * | 2011-11-29 | 2014-09-12 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 표면-아래 결함 검토를 위한 샘플들의 준비를 위한 시스템들 및 방법들 |
JP2014534452A (ja) * | 2011-11-29 | 2014-12-18 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 表面下欠陥検査用のサンプル作製のためのシステム及び方法 |
KR101887730B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2018-08-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 표면-아래 결함 검토를 위한 샘플들의 준비를 위한 시스템들 및 방법들 |
WO2019065607A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 特定検査向け支援システム、特定検査向け支援方法およびプログラム |
JP2019060741A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 特定検査向け支援システム、特定検査向け支援方法およびプログラム |
US11561184B2 (en) | 2017-09-27 | 2023-01-24 | Hitachi High-Tech Corporation | Support system for specified inspection, support method for specified inspection, and non-transitory computer readable medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070067131A1 (en) | 2007-03-22 |
US20040158409A1 (en) | 2004-08-12 |
US20110251713A1 (en) | 2011-10-13 |
JP5107506B2 (ja) | 2012-12-26 |
WO2004044596A2 (en) | 2004-05-27 |
JP2011199323A (ja) | 2011-10-06 |
US7474986B2 (en) | 2009-01-06 |
EP1563381A2 (en) | 2005-08-17 |
EP1563381A4 (en) | 2009-10-28 |
AU2003290752A8 (en) | 2004-06-03 |
CN100458712C (zh) | 2009-02-04 |
US8249828B2 (en) | 2012-08-21 |
AU2003290752A1 (en) | 2004-06-03 |
US7103505B2 (en) | 2006-09-05 |
US7987072B2 (en) | 2011-07-26 |
US20090230303A1 (en) | 2009-09-17 |
WO2004044596A3 (en) | 2004-11-11 |
CN1735866A (zh) | 2006-02-15 |
JP5411211B2 (ja) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5107506B2 (ja) | 欠陥分析器 | |
US5777327A (en) | Pattern shape inspection apparatus for forming specimen image on display apparatus | |
JP3993817B2 (ja) | 欠陥組成分析方法及び装置 | |
US6476913B1 (en) | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern | |
US7570797B1 (en) | Methods and systems for generating an inspection process for an inspection system | |
JP5103058B2 (ja) | 欠陥観察装置及び欠陥観察方法 | |
US6334097B1 (en) | Method of determining lethality of defects in circuit pattern inspection method of selecting defects to be reviewed and inspection system of circuit patterns involved with the methods | |
US9129237B2 (en) | Integrated interfacing system and method for intelligent defect yield solutions | |
US20060274932A1 (en) | Inspecting method, inspecting system, and method for manufacturing electronic devices | |
US20090268959A1 (en) | Method and apparatus for reviewing defects | |
US8462352B2 (en) | Surface inspection tool and surface inspection method | |
JP2000057349A (ja) | 欠陥の分類方法およびその装置並びに教示用データ作成方法 | |
TWI660249B (zh) | 缺陷圖案分組方法及系統 | |
JP2011228731A (ja) | ウェーハについての不均一性の定量化および有意性の図解化のためのユーザインタフェース | |
US20140177940A1 (en) | Recipe generation apparatus, inspection support apparatus, inspection system, and recording media | |
US6987874B2 (en) | Method and apparatus for managing surface image of thin film device, and method and apparatus for manufacturing thin film device using the same | |
JP2000306964A (ja) | 検査データ処理方法および検査データ処理装置 | |
KR20180072565A (ko) | 결함 분석 | |
JP2001155979A (ja) | 製造情報管理システム | |
JP4209156B2 (ja) | 検査条件データ管理方法及びシステム並びにプログラム、コンピュータ読取り可能な記録媒体 | |
JP4146655B2 (ja) | 欠陥源候補抽出プログラム | |
JP2006515468A (ja) | ウェーハについての不均一性の定量化および有意性の図解化のためのユーザインタフェース |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060712 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100330 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100406 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100531 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110701 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110711 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110729 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110912 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120117 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120123 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120227 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120319 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120326 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5107506 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |