JP5357528B2 - 半導体ウェハ検査装置 - Google Patents
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Description
2 走査コイル
3 電子ビームを出射する電子銃
4 ステージ
5 ステージ稼動部
6 ウェハ
7 対物レンズ
8 二次電子検出部
9 二次電子
10 画像生成部
11 電子ビーム制御部
12 ステージ制御部
13 高電圧制御電源
14 制御演算部
15 画像処理部
16 AD変換部
17 画像データ並替え部
18 画像演算部
20 並び替えメモリ
21 スキャン制御部
22 基本座標生成部
23 制御回路
24 X座標変換部
25 Y座標変換部
26 回転角座標変換部
27 出力部。
Claims (9)
- 電子ビームをウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して電子ビームにより前記ウェハを照射する手段と、
前記照射手段により前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、
前記ウェハの回転角度を取得する手段と、前記回転角度の情報を基に電子ビームのスキャン方向とスキャン距離を制御する手段と、前記2次電子を検出することによって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 前記取得した回転角度情報から検査対象範囲を算出する手段と、前記算出手段による計算結果を基に前記スキャン方向と前記スキャン距離を制御する手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 電子ビームを矩形のダイが複数形成されたウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して電子ビームを照射する手段と、前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、前記電子ビームのスキャン制御手段と、ウェハの回転角度取得手段と、
前記回転角度の情報を基に、前記矩形のダイを包含し、同一方向に、特定のピッチで特定の距離スキャンする手段と、
前記回転角度情報による取得画像の並べ替え手段と、前記2次電子の検出によって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 前記スキャンの前記特定の距離は前記ダイの1辺の長さよりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記スキャンの前記特定の距離は前記ダイの対角径と等しいことを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記取得した回転角度情報から検査対象範囲を算出する手段を更に設け、
前記検査対象範囲は前記ダイと一致することを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハ検査装置。 - 前記ウェハ外周の同一円上に複数の位置認識用マークを設け、前記マークを認識する手段と、認識した前記マークの位置のずれ量から前記ウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出したずれ量を基に、走査位置を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記ウェハ外周の同一円上に複数の位置認識用マークを設け、前記マークを認識する手段と、認識した前記マーク位置のずれ量から前記ウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出した偏芯量を基に、取得した画像情報を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 回路パターンの画像情報を複数取得する手段を設け、前記画像情報をもとにウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出した偏芯量を基に、取得した画像情報を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317105A JP5357528B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 半導体ウェハ検査装置 |
US13/133,970 US20110279143A1 (en) | 2008-12-12 | 2009-09-18 | Semiconductor wafer testing apparatus |
PCT/JP2009/004722 WO2010067491A1 (ja) | 2008-12-12 | 2009-09-18 | 半導体ウェハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317105A JP5357528B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 半導体ウェハ検査装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013146096A Division JP2013224961A (ja) | 2013-07-12 | 2013-07-12 | 半導体ウェハ検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010141189A JP2010141189A (ja) | 2010-06-24 |
JP5357528B2 true JP5357528B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=42242489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008317105A Expired - Fee Related JP5357528B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 半導体ウェハ検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110279143A1 (ja) |
JP (1) | JP5357528B2 (ja) |
WO (1) | WO2010067491A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8476918B2 (en) * | 2010-04-28 | 2013-07-02 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Apparatus and method for wafer level classification of light emitting device |
JP5451577B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 |
CN102163042B (zh) * | 2011-01-24 | 2012-11-14 | 北京航空航天大学 | 一种液压振动主动隔离平台的控制装置及其控制方法 |
CN109314030B (zh) | 2016-06-23 | 2020-08-14 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子线装置 |
US20210133589A1 (en) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Inverse neural network for particle detection in a solid-state -devices |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62110248A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Toshiba Corp | 回転角度補正方法およびその装置 |
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
US7135676B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
US6529022B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-03-04 | Eaglestone Pareners I, Llc | Wafer testing interposer for a conventional package |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
JP2003166809A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査装置 |
JP3996774B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 |
JP5107506B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2012-12-26 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 欠陥分析器 |
JP4533306B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2010-09-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 |
JP5041937B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-10-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
JP2010080712A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Canon Inc | 情報処理装置、露光装置、デバイス製造方法、情報処理方法およびプログラム |
-
2008
- 2008-12-12 JP JP2008317105A patent/JP5357528B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-18 US US13/133,970 patent/US20110279143A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-18 WO PCT/JP2009/004722 patent/WO2010067491A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010141189A (ja) | 2010-06-24 |
US20110279143A1 (en) | 2011-11-17 |
WO2010067491A1 (ja) | 2010-06-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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