JP7329141B2 - 集積半導体サンプルにおける3d構造間の接触領域のサイズ決定 - Google Patents
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Description
少なくとも第1の断面像(cross section image:断面イメージ、断面画像)および第1の断面像に平行な第2の断面像を取得するステップであって、
第1の断面像および第2の断面像を取得するステップが、その後、結像(imaging:画像化、イメージング)のためにアクセス可能(accessible:接近可能、利用可能)な新たな断面を作るために集束イオンビームを用いて集積半導体サンプルの断面表面層を除去して、集積半導体サンプルの新たな断面を結像装置により結像することを含む、
ステップと、
得られた断面像の像レジストレーションを実行し、3Dデータセットを取得するステップと、
3Dデータセットにおいて第1の3D構造および第2の3D構造を表現する3Dモデルを決定するステップと、
3Dモデルに基づいて、第1の3D構造と第2の3D構造との相対的な重なり(relative overlap:対応する(関係する)重なり(オーバーラップ))を決定するステップと、
を含む。
集束イオンビーム装置と、
電子を用いて(with electrons:電子とともに、電子で)動作し、集積半導体サンプルの新たな断面の結像に適合した荷電粒子操作装置であって、集束イオンビームと電子ビームとが互いに対して角度をなして配置されて操作され、集束イオンビームのビーム軸と電子ビームのビーム軸とが互いに交差している、荷電粒子操作装置と、
を備える。
2 第2の3D構造
4 視線
5 第1の3D構造の輪郭線
6 第2の3D構造の輪郭線
7 3D構造
8 3D構造
10 サンプル
11 断面表面
15 強調表示されたコンタクト
16 強調表示されたコンタクト
17 強調表示されたコンタクト
20 形が崩れた3D構造
21 3D構造
26 3D構造
27 3D構造
28 隣の(隣接した)3D構造
29 3D構造27と28との間の距離
50 FIBカラム
51 集束イオン粒子ビーム
52 第1の断面表面
53 第2の断面表面
54 第3の断面表面
55 サンプル頂面
82 結像ライン
100 断面像
1000 一連の断面像
dz 2つの続く像スライス間の距離
d 3D構造の直径
h、h2 3D構造の高さ
w2 3D構造の幅
L2 3D構造の長さ
A 接触領域
M ミスアライメント
Claims (18)
- 集積半導体サンプルにおける第1の3D構造と第2の3D構造との間の接触領域のサイズを決定する方法であって、
少なくとも第1の断面像および前記第1の断面像に平行な第2の断面像を取得するステップであり、
前記第1および第2の断面像を取得するステップが、その後、結像のためにアクセス可能な新たな断面を作るために集束イオンビームを用いて前記集積半導体サンプルの断面表面層を除去して、前記集積半導体サンプルの前記新たな断面を結像装置により結像することを含む、
ステップと、
前記取得された断面像の像レジストレーションを実行し、3Dデータセットを取得するステップと、
前記3Dデータセットにおいて前記第1の3D構造および前記第2の3D構造を表現する3Dモデルを決定するステップと、
前記3Dモデルに基づいて、前記第1の3D構造と前記第2の3D構造との相対的な重なりを決定するステップと、
を含む方法。 - 前記相対的な重なりを決定するステップが、前記3Dモデルから前記第1および第2の3D構造の輪郭を抽出するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記相対的な重なりを決定するステップが、前記第2の3D構造に対する前記第1の3D構造のミスアライメントを決定するステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の3D構造または前記第2の3D構造と、隣の3D構造との間の距離を決定するステップをさらに含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 目標配置位置に対する前記第1および/または第2の3D構造の位置ずれを決定するステップをさらに含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記位置ずれがエッジ配置のばらつきである、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の3D構造および/または第2の3D構造の形状に基づいて、ならびに/あるいは、前記第1の3D構造と前記第2の3D構造との前記相対的な重なりに基づいて、前記第1の3D構造および/または前記第2の3D構造を欠陥として、または欠陥なしとして分類することをさらに含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
- 分類された欠陥を特定のタイプの欠陥として細分類するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の3D構造および/または前記第2の3D構造が、金属線、ビア、コンタクト、フィン、HAR構造、HARチャネル、またはゲート構造のうちの1つである、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の3D構造がビアまたはコンタクト構造であり、
前記第2の3D構造が金属線またはゲート構造である、
請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の3D構造と前記第2の3D構造との間の前記相対的な重なりを決定するステップが、前記第1および/または前記第2の3D構造の一部を示す少なくとも1つの仮想断面を分析するステップを含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの仮想断面を可視化するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- コンタクト抵抗を計算するステップをさらに含む、請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を実行するように適合された半導体検査装置。
- 集束イオンビーム装置と、
電子を用いて動作し、前記集積半導体サンプルの前記新たな断面の結像に適合した荷電粒子操作装置であって、
前記集束イオンビームと電子ビームとが互いに対して角度をなして配置されて操作され、前記集束イオンビームのビーム軸と前記電子ビームのビーム軸とが互いに交差している、荷電粒子操作装置と、
を備える、請求項15に記載の半導体検査装置。 - 前記集束イオンビームおよび前記電子ビームが互いに約90°の角度を形成する、
請求項16に記載の半導体検査装置。 - 集積半導体回路の製造におけるプロセスの特性評価、プロセスの最適化、または/およびプロセスの制御のために、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を使用することを含む方法。
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