JP2006332281A - 半導体ウェーハの製造方法および両面研削方法並びに半導体ウェーハの両面研削装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
シリコンウェーハ1の外周部1Rを保護部材としてのキャリア13によって保護した状態で両面研削を行う。シリコンウェーハ1の一方の面1aに水を供給することによりシリコンウェーハ1の一方の面1aをパッド11から浮かせつつ、シリコンウェーハ1の他方の面1bを把持することによりキャリア13からシリコンウェーハ1を取り出す。両面研削工程後に(ウェーハ取り出し後に)面取り工程を実施する。
【選択図】 図1
Description
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
半導体ウェーハ取り出し工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
前記両面研削工程は、半導体ウェーハの両面を粗研削する工程であり、
前記面取り工程後に、半導体ウェーハの両面をさらに研削する工程を実施することを特徴とする。
前記両面研削工程の前に、半導体ウェーハの外周部を粗面取りする工程を実施すること
を特徴とする含む。
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
を含む半導体ウェーハの両面研削方法であることを特徴とする。
半導体ウェーハの両面を研削する半導体ウェーハの両面研削装置であって、
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハの両面に設けられたパッドと、
半導体ウェーハの外周部を保護する保護部材と、
保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させる回転駆動手段と、
半導体ウェーハの両面を挟んで、半導体ウェーハの両面を研削する研削用砥石と、
半導体ウェーハの面に流体を供給する流体供給手段と、
半導体ウェーハの面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す取り出し手段と、
前記流体供給手段と前記取り出し手段とを制御して、半導体ウェーハの両面研削後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す制御手段と
を備えたことを特徴とする。
まず、CZ法によって、シリコンインゴットが引上げ成長される。
シリコンインゴットは、ワイヤソー装置によって切断されて、シリコンウェーハ1が取得される。
砥石15、16が、互いに反対方向に回転するとともに、回転ローラ14が回転する。これによりシリコンウェーハ1の面1a、1bが全面にわたり砥石15、16によって平面研削される。平面研削中、流体供給手段17は、両パッド11、12に形成された孔からシリコンウェーハ1の両面1a、1bに水を供給して、両パッド11、12間の静圧を所定の値に維持して、シリコンウェーハ1を非接触状態で支持し、鉛直方向に立てた姿勢に保持する。
両面研削加工が終了すると、コントローラ19は、以下のように、流体供給手段17とハンド18とを制御して、シリコンウェーハ1を平面研削装置10から取り出す(搬出する)。
以上のように両面研削装置1からシリコンウェーハ1が搬出されると、つぎにシリコンウェーハ1の外周部1Rが面取りされる。
上述した第1実施例の両面研削工程を、シリコンウェーハ1の両面を粗研削する工程(第1次平面研削)として実施し、面取り工程後に、更にシリコンウェーハ1の両面を仕上げ研削する工程(第2次平面研削)を行うという実施も可能である。
また第1実施例の面取り工程を、ウェーハ外周部1Rを本面取りする工程として実施し、両面研削工程の前に、シリコンウェーハ1の外周部1Rを粗面取りする工程を行うという実施も可能である。
Claims (6)
- 半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
半導体ウェーハ取り出し工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 前記両面研削工程は、半導体ウェーハの両面を粗研削する工程であり、
前記面取り工程後に、半導体ウェーハの両面をさらに研削する工程を実施することを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 前記両面研削工程の前に、半導体ウェーハの外周部を粗面取りする工程を実施すること
を特徴とする含む請求項1または2記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの両面研削方法。 - 半導体ウェーハの両面を研削する半導体ウェーハの両面研削装置であって、
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハの両面に設けられたパッドと、
半導体ウェーハの外周部を保護する保護部材と、
保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させる回転駆動手段と、
半導体ウェーハの両面を挟んで、半導体ウェーハの両面を研削する研削用砥石と、
半導体ウェーハの面に流体を供給する流体供給手段と、
半導体ウェーハの面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す取り出し手段と、
前記流体供給手段と前記取り出し手段とを制御して、半導体ウェーハの両面研削後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す制御手段と
を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの両面研削装置。
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