JP2006332246A - 回路基板、回路基板の接続構造および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子部品を実装可能な部位を新設可能な回路基板、回路基板の接続構造および電子機器を提供する。
【解決手段】 回路基板の接続構造３０は、基材３２の表面３２Ａに表面回路パターン３３が形成された第１回路基板３１と、基材３６の表面３６Ａに表面回路パターン３７が形成された第２回路基板３５と、表面回路パターン３３の第１接続面３４および表面回路パターン３７の第２接続面３８と、第１、第２の接続面３４，３８間に介装された異方性導電性接着剤４０と、第１回路基板３１，第２回路基板３５を熱圧着して設けた接続部４１とを備える。この回路基板の接続構造３０は、第１回路基板３１において、基材３２の裏面３２Ｂに裏面回路パターン４３を設け、裏面回路パターン４３を外部露出したものである。
【選択図】 図３

Description

本発明は、第１回路基板および第２回路基板を異方性導電性接着剤で接続した回路基板、回路基板の接続構造、この回路基板の接続構造を用いた電子機器に関する。

携帯電話等の電子機器は、筐体の小型化・薄型化・軽量化が求められており、筐体に収容される回路基板として、軟質の基材に沿って回路パターンが形成されたフレキシブル基板が多用されている。
フレキシブル基板同士を接続させるにあたって、コネクタを介して接続すると、コネクタのハウジングが筐体の小型化・薄型化・軽量化を妨げる原因となる。

このため、互いの回路パターンに設けられた接続面が対面するように、各フレキシブル基板を積層させるとともに、各接続面間に異方性導電接着剤を介装させ、各フレキシブル基板を厚み方向に加圧するとともに加熱することにより接続部を介して各フレキシブル基板を接続する回路基板の接続構造が多用されている（例えば、特許文献１）。
特開２００３−２４９７３４号公報

特許文献１は、一対のフレキシブル基板を接続するにあたって、あらかじめ一方のフレキシブル基板における接続面に対応する裏面にダミーパターンが設けられていて、各接続部に対する加圧時に各フレキシブル基板の変形を防止する。
このような回路基板の接続構造においては、各フレキシブル基板が厚み方向に加圧されるとともに加熱されるため、ダミーパターンに電子部品が実装されることはない。

ところで、近年では、電子機器に対する要望が高度化しつつあるため、従来に比較して小型の回路基板が採用されている。
すなわち、近年の回路基板は、電子部品を実装可能な面積が小さくなりつつあるため、電子部品を実装可能な部位の拡大が求められている。

本発明は、電子部品を実装可能な部位を新設可能な回路基板、回路基板の接続構造および電子機器を提供することにある。

本発明の回路基板の接続部は、面状に形成された基材の表面に回路パターンが形成された第１回路基板および第２回路基板と、前記第１回路基板の表面回路パターンに設けられた第１接続面および前記第２回路基板の表面回路パターンに設けられた第２接続面と、前記第１接続面および前記第２接続面間に介装された異方性導電性接着剤と、前記第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿って相互加圧するとともに加熱する接続工程により設けられた接続部とを備える回路基板の接続構造であって、前記第１回路基板の裏面に設けられた裏面回路パターンを有し、裏面回路パターンが外部露出していることを特徴とする。

第１回路基板の裏面に設けられた裏面回路パターンを有し、この裏面回路パターンを外部露出することで、実装面積が拡大される。そして、実装面積が拡大した裏面回路パターンを、電子部品を実装する部位や、回路基板を接続する部位として利用する。
これにより、実装面積が拡大した裏面回路パターンに、電子部品を良好に実装できる。
加えて、実装面積が拡大した裏面回路パターンに、他の回路基板を接続することが可能となり、複数の回路基板を多層に積層できる。

また、本発明の回路基板の接続構造は、前記第１接続面における前記表面回路パターンが前記裏面回路パターンに対応していることを特徴とする。

第１接続面における表面回路パターンを裏面回路パターンに対応させることで、第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿って相互加圧する際に、表面回路パターンを裏面回路パターンで補強できる。
これにより、第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿って効率よく加圧できる。

また、本発明の回路基板の接続構造は、前記第１接続面における前記第１回路基板の厚み方向に沿った前記表面回路パターンおよび前記裏面回路パターンの重複面積が、前記表面回路パターンの面積の半分以上であることを特徴とする。

表面回路パターンおよび裏面回路パターンの重複面積を、表面回路パターンの面積の半分以上とすることで、第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿って相互加圧する際に、裏面回路パターンによる表面回路パターンの補強効果を増大できる。
これにより、第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿ってより一層効率よく加圧できる。

また、本発明の回路基板の接続構造は、前記異方性導電性接着剤が、鉛フリーのはんだ付け可能な熱硬化型高耐熱性エポキシ樹脂をベースとしていることを特徴とする。

異方性導電性接着剤として、鉛フリーのはんだ付け可能な熱硬化型高耐熱性エポキシ樹脂をベースとしたものを用いることで、後工程で、電子部品の実装や、回路基板を接続する際に、異方性導電性接着剤に熱履歴が加わっても高い接続信頼性を保持できる。
これにより、異方性導電性接着剤を高い接続信頼性を保持した状態で、裏面回路パターンに電子部品をはんだ付け工程（リフロー法等）で実装できる。

また、本発明の回路基板は、面状に形成された基材の表面に形成された表面回路パターンと、前記基材の裏面に形成されて外部露出する裏面回路パターンと、前記表面回路パターンの所定位置に配置された異方性導電性接着剤とを有することを特徴とする。

基材の裏面に裏面回路パターンを形成し、この裏面回路パターンを外部に露出することで、実装面積が拡大される。そして、実装面積が拡大した裏面回路パターンを、電子部品を実装する部位や、回路基板を接続する部位として利用する。
これにより、実装面積が拡大した裏面回路パターンに、電子部品を良好に実装できる。
加えて、実装面積が拡大した裏面回路パターンに、他の回路基板を接続することが可能となり、複数の回路基板を多層に積層できる。

また、本発明の電子機器は、前記本発明の回路基板および回路基板の接続構造のうちのいずれかが用いられていることを特徴とする。

本発明の回路基板および回路基板の接続構造はコンパクト化されている。このコンパクト化された回路基板および回路基板の接続構造のうちのいずれかを電子機器に用いることで、電子機器の小型化・薄型化・軽量化が図れる。

本発明によれば、実装面積が拡大した裏面回路パターンを、電子部品を実装する部位や、回路基板を接続する部位として利用することで、裏面回路パターンに、電子部品を良好に実装でき、あるいは他の回路基板を接続して複数の回路基板を多層に積層できる効果を有する。

図１に示すように、第１実施形態の電子機器１０は、上筐体１１および下筐体１２と、上筐体１１および下筐体１２の境界線に沿って配置された回動軸１３を中心として上筐体１１および下筐体１２を相対的に回動可能に連結する連結部１４と、上下の筐体に収容されて各機器を電気的に接続する回路基板の接続構造３０とを備える携帯電話である。

上筐体１１は、表面１１Ａの略中央に表示部１６を備え、表示部１６の上方に自分撮りカメラ１７やレシーバ１８を備え、裏面１１Ｂに相手撮りカメラ（図示せず）を備える。

下筐体１２は、表面１２Ａの略中央に操作部２１のキー２２を備え、操作部２１の下方にマイクロフォン２３を備える。
連結部１４は、上筐体１１の下端部と下筐体１２の上端部とを回動自在に支持するものである。

図２〜図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１実施形態の回路基板の接続構造３０は、面状に形成された基材３２の表面３２Ａに表面回路パターン（回路パターン）３３が形成された第１回路基板３１と、面状に形成された基材３６の表面３６Ａに表面回路パターン（回路パターン）３７が形成された第２回路基板３５と、第１回路基板３１の表面回路パターン３３に設けられた第１接続面３４および第２回路基板３５の表面回路パターン３７に設けられた第２接続面３８と、第１接続面３４および第２接続面３８間に介装された異方性導電性接着剤４０と、第１回路基板３１および第２回路基板３５を厚み方向に沿って相互加圧するとともに加熱する接続工程により設けられた接続部４１とを備える。

この回路基板の接続構造３０は、第１回路基板３１において、基材３２の裏面３２Ｂに設けられた裏面回路パターン４３を有し、裏面回路パターン４３を外部露出したものである。

第１回路基板３１は、面状に形成された軟質の基材３２と、この基材３２の表面３２Ａに沿って形成された表面回路パターン３３と、基材３２の裏面３２Ｂに形成されて外部露出する裏面回路パターン４３と、表面回路パターン３３の所定位置（すなわち、第１接続面）３４に配置された異方性導電性接着剤４０とを有するフレキシブル基板である。

第１回路基板３１は、第１接続面３４における表面回路パターン３３が裏面回路パターン４３に対応している。
すなわち、第１回路基板３１は、表面回路パターン３３と裏面回路パターン４３とが互いに平行に、かつ重なり合わされた状態に配置されている。

表面回路パターン４３と裏面回路パターン３３との重なり面積は、各パターン１本、１本が異方性導電性接着剤４０で接続される接続面積、すなわち第１接続面３４の５０％以上である。
なお、表面回路パターン４３と裏面回路パターン３３との重なり面積を第１接続面３４の５０％以上にした理由は図４（ａ）、（ｂ）で詳しく説明する。

この第１回路基板３１は、基材３２の表面３２Ａ側に、異方性導電性接着剤４０を用いて第２回路基板３５と接続する接続エリア４５を備え、裏面３２Ｂ側に、接続エリア４５に対応する裏面エリア４６を備える。接続エリア４５および裏面エリア４６にはレジストまたはカバーレイ４８が設けられていない。
すなわち、第１回路基板３１は、接続エリア４５および裏面エリア４６を回避してレジストまたはカバーレイ４８が形成されている。

第２回路基板３５は、面状に形成された軟質の基材３６と、この基材３６の表面３６Ａに沿って形成された表面回路パターン３７と、基材３６の裏面３６Ｂに形成された裏面回路パターン３９とを有するフレキシブル基板である。

また、第２回路基板３５は、表面回路パターン３７と裏面回路パターン３９とが互いに平行に、かつ重なり合わされた状態に配置されている。
この第２回路基板３５は、表面３６Ａ側に、異方性導電性接着剤４０を用いて第１回路基板３１と接続する接続エリアを備える。この接続エリアにはレジストまたはカバーレイが設けられていない。
すなわち、第２回路基板３５は、この接続エリアを回避してレジストまたはカバーレイが形成されている。

基材３２，３６は、エポキシ、ポリイミド、液晶ポリマー、ビスマレイミドトリアジン、ポリエーテルエーテルケトンといった、有機材料をベースとして厚さ１０〜１００μｍのフイルム基材を形成し、このフイルム基材を１枚または、２層、４層、６層、８層・・・と積層し、多層化されたものである。

この基材３２，２６に、厚さ１０〜２０μｍの内層配線（圧延または電解Ｃｕ箔）と、厚さ１０〜３５μｍの外層配線（同じくＣｕをベースにＮｉ、Ａｕメッキを付けたもの）を形成して第１回路基板を得る。
第１回路基板３１，第２回路基板３５の厚さは、２０〜５００μｍである。

第１回路基板３１，第２回路基板３５は、ソルダーレジストとして、インクまたはシート形状の熱硬化型または感光性のエポキシ樹脂またはウレタン変性エポキシ樹脂が用いられており、カバーレイとして、ポリイミドをベースとしたフイルムをエポキシ等の熱硬化型接着剤で貼りあわせたものが用いられている。

異方性導電性接着剤４０は、ベースとなる樹脂成分が、熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂であり、ペースト状態またはＢステージ状態で用いられる。
これらの樹脂の特徴としては、イオンコンタミが極端に少ないこと（数ｐｐｍのオーダー）と、高耐熱性を持っていることである。
具体的には、通常の熱衝撃試験の高温側である１２５℃よりもガラス転移温度が高ければよく、１５０℃程度のガラス転移温度であることが望ましい。

この異方性導電性接着剤４０は、導電粒子を一定量（５〜２０ｗｔ％）を、凝集することなく分散された状態で含有している。
この導電性粒子は、回路基板パターンのメッキ皮膜と同じ硬度、あるいは、それ以上の硬度を有する金属粉や樹脂粉であり、２〜１０μｍの球形または不定形をしている。
金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ等の高融点のものである。樹脂粉は、コアが樹脂で形成され、コアの表面をＮｉ／Ａｕメッキ処理したものである。

さらに、異方性導電性接着剤４０は、接着剤硬化物物性として、弾性率が１〜２ＧＰａ程度、線膨張係数は、４０〜１００℃において２０〜６０ｐｐｍ／℃である。
線膨張係数を小さくする目的で、無機フィラーとして、シリカ等を１０〜５０％含有する。無機フィラーサイズは、導電性粒子サイズ以下である。

次に、図４（ａ）、（ｂ）に基づいて第１回路基板３１について詳説する。
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第１回路基板３１の裏面エリア４６に裏面回路パターン４３を有し、裏面回路パターン４３が外部露出されている。
露出された裏面回路パターン４３のうち、一部の部位に、電子部品（チップ部品）５６（図８参照）等をはんだ付けするための電極ランド５５が設けられている。
この電子部品（チップ部品）５６等を鉛フリーではんだ付けをおこなう際に、異方性導電性接着剤４０に影響がないように、異方性導電性接着剤４０は熱硬化型高耐熱性エポキシ樹脂をベースとしている。

ここで、露出された裏面回路パターン４３について説明する。露出された裏面回路パターン４３は、第１回路基板３１の表面回路パターン３３と同じ方向に向けて配線されている。
また、裏面回路パターン４３は、表面３２Ａ側の表面回路パターン３３と重なり合っている。
さらに、裏面回路パターン４３と、表面回路パターン３３との重なり面積は、第１接続面３４の５０％以上（半分以上）である。

この理由について以下に説明する。
すなわち、異方性導電性接着剤４０の信頼性を確保するためには、１端子あたりに必要な最低面積がある。例えば、１００μｍピッチで配線幅と配線間スペースが１：１（各々５０μｍとなる）の第１回路基板３１において、異方性導電性接着剤４０で接続する場合に必要な接続幅が１ｍｍ以上である場合、１端子あたりの面積は５０，０００平方μｍである。

したがって、この異方性導電性接着剤４０を用いる場合、１００μｍピッチで線幅と配線間スペースが１：１（各々５０μｍとなる）の第１回路基板３１とすると、異方性導電性接着剤で接着する部分、すなわち接続エリア４５の幅Ｗを２．０ｍｍとする。
そして、異方性導電性接着剤４０で接続される配線面積の５０％以上の裏面回路パターン４３，５５を設けることで、各端子の接続を受ける回路パターン（配線）が１ｍｍ以上確保される。
この部分は、異方性導電性接着剤４０での接続が平坦な面でなされるので、高い接続信頼性が確保される。

次に、回路基板の接続工程を図５〜図６に基づいて説明する。
図５（ａ）に示すように、第１回路基板３１について、基材３２の表面３２Ａに表面回路パターン３３が形成され、接続エリア４５を回避させてレジスト４８が形成され、基材３２の裏面３２Ｂに裏面回路パターン４３が形成され、裏面エリア４６を回避させてレジスト４８が形成されている。

図５（ｂ）に示すように、接続エリア４５に、ジェル状の異方性導電性接着剤４０を塗布する。
異方性導電性接着剤４０の塗布条件は、ペーストの場合、室温〜５０℃程度に基板を加熱し、濡れ広がりをよくする（粘度では５〜３０Ｐａ・ｓ）。また、膜（例えばＢステージ状態のフイルム）の場合、５０〜９０℃程度に膜を加熱し、ラミネート法により基板３２へ転写する。

図５（ｃ）に示すように、異方性導電性接着剤４０に第２回路基板３５を載せる。
第２回路基板３５について、基材３６の表面３６Ａに表面回路パターン３７が形成され、接続エリア４５を回避させてレジストが形成され、基材３６の裏面３６Ｂに裏面回路パターン３９およびレジスト４９が形成されている。
表面回路パターン３７の第２接続面３８を、表面回路パターン３３の第１接続面３４にアライメントする。

図６（ａ）に示すように、第１回路基板３１の裏面回路パターン４３を受けステージ５１に載せる。次に、第２回路基板３５の裏面３６Ｂに形成したレジスト４９に、緩衝シート（例えばシリコーン製のシート）５２を載せ、緩衝シート５１にボンディングヒータヘッド５３を載せる。
次いで、ボンディングヒータを加熱することにより、第１回路基板３１および第２回路基板３５を厚み方向に沿って相互加圧するとともに加熱する。

ここで、緩衝シート５２の役割は、均等な圧縮力の保持や、ボンディングヒータ５３への異方性導電性接着剤４０の付着防止を主たる目的とする。
また、受けステージ５１は、裏面エリア４６に収まる寸法に設定されている。よって、受けステージ５１は、第１回路基板３１の裏面３２Ｂに形成したレジストまたはカバーレイ４８に干渉しない。
これにより、第１回路基板３１の裏面回路パターン４３は、受けステージ５１から均等な圧着力を受ける。

加えて、受けステージ５１がレジストまたはカバーレイ４８に干渉しないので、レジストまたはカバーレイ４８を介して受けステージ５１に放熱することを防止できる。よって、ヒータヘッド５３を必要以上に加熱する必要がなく、第２回路基板３５が高温になる虞れがない。
これにより、第２回路基板３５の基材３６が熱膨張し、寸法安定性を損なうことを防止し、さらに異方性導電性接着剤４０との接着界面で剥離が生じることを防止する。
熱圧着条件は、一例として、異方性導電性接着剤４０の温度で１５０〜２００℃、圧着時間は３〜２０ｓｅｃ、圧着荷重は圧着面積について１〜５ＭＰａである。

なお、第１回路基板３１，第２回路基板３５に、レジストまたはカバーレイ４８を設けた理由は以下の通りである。
すなわち、第１回路基板３１，第２回路基板３５の配線が、吸湿や異物付着で腐食しないようにするためには、高密度配線パターン周辺に、レジストまたはカバーレイ４８が必須である。
ここで、熱圧着時の放熱現象による接着品質を高めるためには、レジスト４８の塗布工程を最後にすることで、解決できることは容易に分かることであり、ここでは説明しない。

図６（ｂ）に示すように、第１接続面３４と第２接続面３８とを接続した状態で、第１回路基板３１および第２回路基板３５が異方性導電性接着剤４０で熱圧着されることで、接続部４１となり、回路基板の接続構造３０、すなわち多層フレキシブル基板を得る。
これにより、回路基板の接続工程が完了する。

次に、回路基板の接続構造３０に電子部品（チップ部品）５６（図８参照）を実装する工程を図７〜図８に基づいて説明する。
なお、ここで説明するチップ部品５６は、はんだ付けをおこなう部品である。この電子部品には、半導体を内蔵したＣＳＰ（チップサイズパッケージ）や、回路基板上にマルチチップモジュールを形成したＭＣＭ（マルチチップモジュール）あるいは、ＳＩＰ（システムインパッケージ）をはんだ付けする場合も含んでいる。

図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、多層フレキシブル基板の電子部品（チップ部品）５６（図８参照）をはんだ付けする電極ランド５５が設けられている。
図８に示すように、電極ランド５５上に、はんだ５７が塗布される。はんだ５７を、異方性導電性接着工程後に塗布すれば、印刷法やディスペンス法等の手段で塗布することも可能である。

次に、電極ランド５５にチップ部品５６をフェイスダウンにしてアライメントし、はんだ付け工程（全体リフロー法、局部リフロー法、ＩＲ法等）を実施して、電子部品（チップ部品）５６の実装工程が完了する。

ここで、異方性導電性接着剤４０の熱圧着条件について説明する。
すなわち、通常の回路基板の接続工程では、図６（ａ）で説明したように、異方性導電性接着剤４０の温度を１５０〜２００℃、圧着時間を３〜２０ｓｅｃ、圧着荷重を圧着面積について１〜５ＭＰａとした。
しかし、チップ部品５６のはんだ付け工程において、リフロー炉通過等の熱履歴があるので、リフロー工程の際に、異方性導電性接着剤４０の硬化反応率を高めることが可能になる。

よって、異方性導電性接着剤４０の熱圧着工程での硬化反応率を５０〜７０％に抑え、リフロー工程において硬化反応率を９０％以上になるように設定する。硬化反応率の確認には、硬化物を熱分析（例えば、示差走査熱量分析）を用いる。
この方法により、熱圧着工程において、熱圧着時間を３０％程度短縮でき、生産性が向上する。

以上のように、本発明の多層フレキシブル基板では、従来の基板構成より低温での異方性導電性接着剤４０の熱圧着が可能になり、さらに異方性導電性接着剤４０にしたことで、後工程で熱履歴が加わっても高い接続信頼性を保持できる。
加えて、はんだリフローで硬化率を上昇させることができるので、熱圧着時間の短縮が可能になり生産性が向上する。
また、裏面のレジストを除去したことにより、他の電子部品を接合する回路として使用するための端子として役割を与えたので、高密度実装が可能となる。

次に、第２実施形態の回路基板の接続構造を図９〜図１０に基づいて説明する。
なお、第２実施形態において第１実施形態と同一類似部材については同一符号を付して説明を省略する。

図１０（ｂ）に示すように、第２実施形態の回路基板の接続構造６０は、第１回路基板３１，第２回路基板３５を異方性導電性剤４０で熱圧着した多層フレキシブル基板３０に第３回路基板６１を熱圧着接続材料６２で熱圧着したものである。
すなわち、第２実施形態の回路基板の接続構造６０は、第１実施形態のチップ部品（電子部品）５６に代えて第３回路基板６１を熱圧着したもので、その他の構成は図８の構成と同じである。

第３回路基板６１は、第２回路基板３５と同じ構成であって、面状に形成された軟質の基材６３と、この基材６３の表面６３Ａに沿って形成された表面回路パターン６４と、基材６３の裏面６３Ｂに形成された裏面回路パターン６５やレジストまたはカバーレイ６６と、を有するフレキシブル基板である。

以下、図９〜図１０に基づいて回路基板の接続構造６０の多層フレキシブル基板に第３回路基板を異方性導電性剤４０で熱圧着する接続工程を説明する。
先ず、図９（ａ）に示すように、多層フレキシブル基板３０の一部を構成する基材３２の裏面３２Ａおよび裏面回路パターン４３に、熱圧着接続材料６２を塗布する。
熱圧着接続材料６２の塗布方法は、第１実施形態の異方性導電性剤４０と同一なので説明を省略する。

図９（ｂ）に示すように、熱圧着接続材料６２に第３回路基板６１を載せ、表面回路パターン６４の接続面を、裏面回路パターン４３の接続面にアライメントする。

図１０（ａ）に示すように、アライメント後に、多層フレキシブル基板３０のレジストまたはカバーレイ４８を受けステージ５１に載せる。次に、第３回路基板６１のレジストまたはカバーレイ６６に緩衝シート５２を載せ、緩衝シート５１にボンディングヒータヘッド５３を載せる。
次いで、ボンディングヒータを加熱することにより、第３回路基板６１および多層フレキシブル基板３０を厚み方向に沿って相互加圧するとともに加熱する。

ここで、回路基板の接続構造６０は、これ以上基板を積層しないので、後工程での熱履歴を受けない。
したがって、多層フレキシブル基板３０に第３回路基板６１を接続する接着剤として、導電粒子を含有した異方性導電性接着剤４０を用いる必要がない。

一方、第１回路基板３１，第２回路基板３５を接続した多層フレキシブル基板３０は、後工程で第３回路基板６１を熱圧着で接続する必要がある。
そこで、第１回路基板３１，第２回路基板３５を、導電粒子を含有した異方性導電性接着剤４０を用いて接続した。導電粒子を含有した異方性導電性接着剤４０は、後工程の熱履歴を受けた場合でも接続信頼性を保持することができるからである。

多層フレキシブル基板３０に第３回路基板６１を接続する接着剤として、導電粒子がない熱圧着接続材料６２を用いるので、内層部よりも狭い配線パターンが設置でき、高密度実装を促進できることになる。
ただし、回路基板の接続構造６０の接続信頼性をより一層高めるためには、異方性導電性接着剤４０を使用することが望ましい。

第２実施形態の回路基板の接続構造６０によれば、多層フレキシブル基板３０では、裏面のレジスト４８を除去することにより、裏面回路パターン４３を、他の回路基板を接合する回路として使用するための端子としての役割を与えることができる。
さらに、多層フレキシブル基板３０の第１回路基板３１，第２回路基板３５を異方性導電性接着剤４０で接続することで、後工程で熱履歴が加わっても高い接続信頼性を保持できる。

加えて、多層フレキシブル基板３０に第３回路基板６１を接続する際には、導電粒子を含有しない熱圧着接続材料６２を用いることにより、導電粒子による端子間の短絡の可能性がなくなるので、表層部においては内層よりも狭ピッチでの配線形成が実現でき、高密度な回路形成が可能なる。

なお、前記実施形態では、第１回路基板３１の接続エリア４５および裏面エリア４６を回避して、接続エリア４５および裏面エリア４６の両側に、レジストまたはカバーレイ４８を形成した例について説明したが、これに限らないで、接続エリア４５および裏面エリア４６の両側に、レジストまたはカバーレイ４８を形成しなくてもよい。

また、前記実施形態では、第１回路基板３１，第２回路基板３５を軟質のフレキシブル基板として例示したが、これに限らないで、第１回路基板３１，第２回路基板３５を硬質の基板とすることも可能である。

さらに、前記実施形態では、接着剤としてジェル状の異方性導電性接着剤４０を塗布することを例示したが、フイルム状の異方性導電性接着剤４０を貼り付けることも可能である。

また、前記実施形態では、フレキシブル基板の端部を接合部とし、この接合部を接着剤で接着する例を説明したが、これに限らないで、フレキシブル基板の中央部を接合部とすることも可能である。
また、各実施形態において、電子部品の実装は、鉛フリーのはんだ付けにより行ったが、熱硬化型導電性接着剤により行ってもよい。この場合は、回路基板の異方性導電性接着剤による接続部と一括で恒温槽で固める（通常１００〜１５０℃で10分〜１時間）工程により行うことができ、同時に異方性導電性接着剤の硬化を促進する効果がある。
さらに、異方性導電性接着剤による回路基板の接続は、他の加熱加圧接着剤により行ってもよい。

さらに、前記実施形態では、電子機器１０として携帯電話を例示したが、電子機器１０はこれに限定するものではない。

本発明は、第１回路基板および第２回路基板を異方性導電性接着剤で接続した回路基板、回路基板の接続構造、この回路基板の接続構造を用いた電子機器への適用に好適である。

本発明に係る第１実施形態の電子機器を示す斜視図である。 第１実施形態に係る回路基板および回路基板の接続構造を示す斜視図である。 （Ａ）は第１実施形態に係る回路基板の接続構造を示す断面図、（Ｂ）は第１実施形態に係る第１回路基板を示す斜視図である。 （Ａ）は第１実施形態に係る第１回路基板を示す底面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 第１実施形態に係る第１回路基板、第２回路基板間に異方性導電性接着剤を介在させる例を説明する図である。 第１実施形態に係る第１回路基板、第２回路基板を熱圧着した例を説明する図である。 第１実施形態に係る回路基板の接続構造に電子部品をはんだ付けする例を説明する図である。 第１実施形態に係る回路基板の接続構造に電子部品を実装した例を示す断面図である。 本発明に係る第２実施形態の回路基板の接続構造を重ね合わせる例を説明する図である。 第２実施形態に係る回路基板の接続構造を熱圧着する例を説明する図である。

符号の説明

１０ 電子機器
３０，６０ 回路基板の接続構造
３１ 第１回路基板（回路基板）
３２，３６ 基材
３２Ａ，３６Ａ 基材の表面
３２Ｂ，３６Ｂ 基材の裏面
３３，３７ 表面回路パターン（回路パターン）
３４ 第１接続面（表面回路パターンの所定位置）
３５ 第２回路基板（回路基板）
３８ 第２接続面
４０ 異方性導電性接着剤
４１ 接続部
４３ 裏面回路パターン（回路パターン）
５６ 電子部品（チップ部品）
６１ 第１回路基板
６２ 熱圧着接続材料

Claims (6)

1. 面状に形成された基材の表面に回路パターンが形成された第１回路基板および第２回路基板と、
   前記第１回路基板の表面回路パターンに設けられた第１接続面および前記第２回路基板の表面回路パターンに設けられた第２接続面と、
   前記第１接続面および前記第２接続面間に介装された異方性導電性接着剤と、
   前記第１回路基板および前記第２回路基板を厚み方向に沿って相互加圧するとともに加熱する接続工程により設けられた接続部とを備える回路基板の接続構造であって、
   前記第１回路基板の裏面に設けられた裏面回路パターンを有し、
   裏面回路パターンが外部露出していることを特徴とする回路基板の接続構造。
2. 前記第１接続面における前記表面回路パターンが前記裏面回路パターンに対応していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の接続構造。
3. 前記第１接続面における前記第１回路基板の厚み方向に沿った前記表面回路パターンおよび前記裏面回路パターンの重複面積が、前記表面回路パターンの面積の半分以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板の接続構造。
4. 前記異方性導電性接着剤が、鉛フリーのはんだ付け可能な熱硬化型高耐熱性樹脂をベースとしていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちのいずれかに記載の回路基板の接続構造。
5. 面状に形成された基材の表面に形成された表面回路パターンと、
   前記基材の裏面に形成されて外部露出する裏面回路パターンと、
   前記表面回路パターンの所定位置に配置された異方性導電性接着剤とを有することを特徴とする回路基板。
6. 請求項１ないし請求項４のうちのいずれかが用いられていることを特徴とする電子機器。

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