JP2006329816A - プローブ検査装置 - Google Patents
プローブ検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006329816A JP2006329816A JP2005153925A JP2005153925A JP2006329816A JP 2006329816 A JP2006329816 A JP 2006329816A JP 2005153925 A JP2005153925 A JP 2005153925A JP 2005153925 A JP2005153925 A JP 2005153925A JP 2006329816 A JP2006329816 A JP 2006329816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- probe
- inspection apparatus
- light
- probe inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】測定時に素子の測定条件を適切に調整できるプローブ検査装置を提供する。
【解決手段】基板の第1面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブ40と、基板の第1面と反対側の第2面側から素子の動作環境を調整可能なコンタクト部44と、基板を支持する基板支持機構48とを備え、プローブ40に対して基板の相対的な位置を変更可能とすることによって上記課題を解決できる。
【選択図】図1
【解決手段】基板の第1面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブ40と、基板の第1面と反対側の第2面側から素子の動作環境を調整可能なコンタクト部44と、基板を支持する基板支持機構48とを備え、プローブ40に対して基板の相対的な位置を変更可能とすることによって上記課題を解決できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、プローブ検査を行うためのプローブ検査装置に関する。
半導体ウェハ上に形成された半導体素子の特性を測定するプローブ検査装置が広く用いられている。従来のプローブ検査装置は、ウェハチャック上にウェハを載置し、その上方に配置された測定部のプローブとウェハに形成された素子の電極とを電気的に接触させて素子の電気的特性を測定する。
ウェハチャックは、X−Yステージを備えていることが多い。X−Yステージによって、ウェハチャックに載置されたウェハをX方向及びY方向に移動させることができる。また、ウェハチャックは、昇降機構を備えていることもある。昇降機構によって、X−Yステージと共にウェハチャックに載置されたウェハをZ方向に移動させることができる。
図8に示すように、ウェハチャック10のウェハが載置される載置面Aには真空吸着用の溝12が設けられている。溝12には真空吸引孔14が幾つか設けられている。この真空吸引孔14から真空ポンプ等を用いて真空吸引することによって、載置面Aに載置されたウェハがウェハチャック10に確実にチャックされる。
半導体ウェハの表面上に複数の光電変換素子を行列状に形成した固体撮像素子が電子カメラや電子ビデオに用いられるようになっている。装置の小型化の要求に応じて、固体撮像素子は、図9に示すように、チップサイズパッケージ(CSP:Chip Size Package)として形成することができる。
半導体基板20の表面には光電変換素子が形成される。半導体基板20の表面には透明な第1の支持基体22が被せられ、第1の支持基体22は絶縁樹脂26によって半導体基板20の表面に接着される。半導体基板20の裏面には第2の支持基体24が絶縁樹脂27によって接着される。半導体チップ20は第1及び第2の支持基体22,24によって構造的な強度を高められると共に、外部からの汚染から保護される。第2の支持基体24の外部表面にはボール状端子28が複数設けられる。ボール状端子28は、半導体基板20の表面に形成された半導体回路の内部配線と外部配線30によって接続される。すなわち、ボール状端子28は、半導体基板20の表面に形成された半導体回路の外部端子となる。
このようなCSPを適用した固体撮像素子の特性を測定する場合、光電変換素子が形成された半導体基板20の表面側をウェハチャックで吸着し、半導体基板20の裏面側に設けられたボール状端子28にプローブを当てて測定を行う。このとき、固体撮像素子の撮像特性を測定するために、ウェハチャックの載置面を透明材料で形成して、半導体基板20の表面に設けられた光電変換素子に光を照射しながら測定を行う必要がある。
しかしながら、従来のプローブ検査装置では、上記のようにウェハチャックの載置面に真空吸着用の溝を設ける必要があるために、載置面を透過する光が乱反射されて固体撮像素子の受光面に影ができて均一に光を照射することができない問題があった。
また、ウェハチャックを構成するガラスやプラスチック等の透明材料は形状の加工が難しく、真空吸着用の溝や真空吸引孔を設けることが困難であり、製造コストが高くなる問題があった。
また、半導体基板に形成された素子の温度を加熱又は冷却するために、ウェハチャックにペルチェ素子等を搭載する場合がある。しかしながら、ウェハチャックの真空吸着用の溝によって載置された半導体基板への熱の伝達が不均一となり、素子の温度を均一に調整することができない問題があった。
本発明は、上記従来技術の少なくとも1つを解決することができるプローブ検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、基板に形成された素子の特性を測定するために用いられるプローブ検査装置であって、前記基板の第1面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブを備えた測定手段と、前記基板の第1面と反対側の第2面側から前記素子の動作環境を調整可能な環境調整手段と、前記基板を支持する基板支持手段と、を備え、前記測定手段に対して前記基板の相対的な位置を変更可能とすることを特徴とする。
具体的には、前記環境調整手段は、前記基板の第2面に対して光を照射するための発光素子を備えることが好適である。例えば、前記環境調整手段の前記基板の第2面に相対する面を透明材料で構成することによって、前記透明材料を通して前記発光素子から前記基板の第2面に光を照射可能とする。前記発光素子は、発光ダイオードやレーザ等とすることができる。照射される光の波長を変更する必要がある場合には可変長の発光素子を用いることが好適である。
このとき、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面は略平坦にすることが好適である。具体的には、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面の凹凸は前記発光素子から照射される光の波長よりも小さくすることが好ましい。
前記基板支持手段により前記基板を支持すると共に、前記環境調整手段や前記測定手段とは独立に前記基板を移動させることができるように前記基板支持手段を構成することによって、前記環境調整手段に真空吸着用の溝や真空吸着孔を設ける必要がなくなる。したがって、前記環境調整手段に搭載された発光素子から前記基板の表面に形成された素子(固体撮像素子等)に光を照射する際に乱反射が発生することを防ぐことができる。特に、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面の凹凸を前記環境調整手段から照射される光の波長よりも小さくすることによって光の乱反射を効果的に低減させることができる。
また、前記環境調整手段は、前記基板を加熱するための加熱手段、又は、前記基板を冷却するための冷却手段を備えることが好適である。前記加熱手段として、前記環境調整手段にヒータ、ペルチェ素子等を組み込むことが好適である。前記冷却手段として、前記環境調整手段に冷却剤循環路、ペルチェ素子等を組み込むことが好適である。
前記基板支持手段により前記基板を支持すると共に、前記環境調整手段や前記測定手段とは独立に前記基板を移動させることができるように前記基板支持手段を構成することによって、前記環境調整手段に真空吸着用の溝や真空吸着孔を設ける必要がなくなる。したがって、前記環境調整手段に搭載された加熱手段や冷却手段によって前記基板の表面に形成された素子(固体撮像素子等)の温度を調整する際に真空吸着用の溝や真空吸着孔による不均一を防ぐことができる。
また、前記環境調整手段には真空吸着用の溝や真空吸引孔を設ける必要がなく、ガラスやプラスチック等の透明材料を用いて安価に製造することができる。
また、本発明は、基板に形成された素子の特性を測定するために用いられるプローブ検査装置であって、前記基板の第1面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブを備えた測定手段と、前記基板の第1面と反対側の第2面側から前記素子の動作環境を調整可能な環境調整手段と、を備え、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面の一部のみに真空吸着用の溝が設けられていることを特徴とする。
この場合も、前記環境調整手段は、前記基板の第2面に対して光を照射するための発光素子を備えることが好適である。例えば、前記環境調整手段の前記基板の第2面に相対する面のうち少なくとも前記真空吸着用の溝が設けられていない領域を透明材料で構成することによって、前記透明材料を通して前記発光素子から前記基板の第2面に光を照射可能とする。
このとき、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面のうち前記基板の第2面に形成された光電変換素子に対向する領域以外の領域に前記真空吸着用の溝を設けることが好適である。さらに、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面のうち前記真空吸着用の溝が設けられた領域以外の領域の凹凸は前記環境調整手段から照射される光の波長よりも小さくすることが好ましい。
これにより、前記環境調整手段に搭載された発光素子から前記基板の表面に形成された素子(固体撮像素子等)に光を照射する際に乱反射が発生することを防ぐことができる。特に、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面のうち前記真空吸着用の溝が設けられた領域以外の領域の凹凸を前記環境調整手段から照射される光の波長よりも小さくすることによって光の乱反射を効果的に低減させることができる。
また、前記環境調整手段は、前記基板を加熱するための加熱手段、又は、前記基板を冷却するための冷却手段を備えることが好適である。このとき、前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面のうち前記基板の第2面に形成された光電変換素子に対向する領域以外の領域に真空吸着用の溝を設けることが好適である。一方、前記環境調整手段の前記基板の第2面に相対する面のうち少なくとも前記真空吸着用の溝が設けられていない領域に前記加熱手段又は前記冷却手段を設けることが好適である。
これにより、前記環境調整手段に搭載された加熱手段や冷却手段によって前記基板の表面に形成された素子(固体撮像素子等)の温度を調整する際に真空吸着用の溝や真空吸着孔による不均一を防ぐことができる。
本発明によれば、プローブ測定において真空吸着用の溝や真空吸着孔による照射光の乱反射を防ぐことができる。また、プローブ測定において真空吸着用の溝や真空吸着孔による温度調節の不均一を防ぐことができる。また、プローブ検査装置を安価に製造することができる。
本発明の実施の形態におけるプローブ検査装置100は、図1の側面図に示すように、プローブ40、プローブ昇降機構42、コンタクト部44、コンタクト昇降機構46及び基板支持機構48を含んで構成される。プローブ検査装置100は、半導体ウェハ、ガラス等の基板50に形成された素子の特性を測定するために用いられる。なお、図1はプローブ検査装置100の構成を分かり易く示すために模式的に記載している。
プローブ検査装置100は、測定時に測定対象となる素子が形成された基板50を支持する基板支持機構48と、測定対象となる素子の動作環境の条件を調整するコンタクト部44と、を別々の機構として備えている。そして、基板支持機構48によってコンタクト部44に対する基板の相対的な位置を変更できる。
プローブ40は、基板50に形成された素子の電極から素子に電気信号を入力したり、素子から電気信号を取り出したりするのに用いられる。プローブ40は、図2に示すように、一般的に、銅、アルミニウム等の金属からなる触針40aを複数備える。触針40aの測定対象となる素子に設けられた電極と接触する部分は、オーミック接触を形成する金属で構成することが好ましい。また、測定対象となる素子の電極とオーミック接触となる金属を触針40aの先端部にめっきしてもよい。触針40aはプローブ40の本体部40bから押し出されるように付勢され、素子の電極等に触針40aの先端が押し付けられたときに適度な圧力で電極と、プローブ各触針は、電源や測定器に接続され、必要な測定内容によって電源から素子に電気信号を入力し、それに応答して出力される信号を測定器で測定する。
プローブ昇降機構42は、図1に示すように、プローブ40に付設される。プローブ昇降機構42は、基板支持機構48によって支持された基板50に対してプローブ40を昇降させる。プローブ昇降機構42は、例えば、筒状の容器内に設けられたモータと、モータで回転するボールネジと、ボールネジと螺合したナット部材と、を備える。ナット部材がプローブ40に機械的に結合される。測定を開始する際には、外部からの制御信号によってモータが駆動され、ボールネジに螺合したナット部材が下降させられ、プローブ40が基板50に形成された素子の電極に接触させられる。基板50を平面上で移動させる際には、プローブ40が基板50から離れるようにナット部材が上昇させられる。なお、プローブ昇降機構42はこれに限定されるものではなく、既知の他の構成によっても実現することができる。プローブ40とプローブ昇降機構42は、本発明の測定手段の一部を構成する。
コンタクト部44は、基板50に形成された素子の測定環境を調整する。コンタクト部44は、例えば、図3に示すように、固体撮像素子の受光部が形成された基板の面に対して光を照射する発光素子44aを含んで構成される。発光素子44aは、発光ダイオードやレーザ等とすることができる。測定において照射する光の波長を変更する必要がある場合には可変長の発光素子44aを用いることが好適である。
コンタクト部44の基板と相対する側の部材44bは、発光素子44aからの光が透過できるように透明な材料で構成される。このとき、コンタクト部44の基板と相対する面Bはほぼ平坦に加工されていることが好ましい。特に、コンタクト部44の基板と相対する面Bの凹凸の周期は、発光素子44aから照射される光の波長(領域)よりも小さくすることが好ましい。このように、コンタクト部44の面Bを平坦にすることによって、発光素子44aから照射された光が乱反射されることなく測定対象となる素子に到達することになる。
さらに、部材44bに真空吸着用の溝や真空吸引孔を設ける必要がなくなり、部材44bをガラスやプラスチック等の透明材料で構成する場合にもプローブ検査装置の製造コストを従来よりも低くすることができる。
また、コンタクト部44の面Bから照射される光が均一となるように、コンタクト部44の内部に散乱板44cを設けることも好適である。図3では、散乱版44cはコンタクト部44の内部の一面のみに設けているが、複数の面にもうけてもよい。これによって、発光素子44aから出力された光がコンタクト部44の内部で散乱されて、コンタクト部44の面Bの全面に亘ってほぼ均一な強度の光を出力することができる。
また、コンタクト部44の基板と相対する面B以外の面は不透明な材料で形成することが好ましい。これにより、発光素子44aから出力された光以外の迷光が測定対象となる素子に照射されることがなくなる。
また、コンタクト部44、例えば、基板に形成された素子の温度を調節するための加熱手段及び冷却手段の少なくとも1つを備えることも好適である。加熱手段は、電熱線等のヒータやペルチェ素子とすることができる。また、冷却手段は、冷却剤を循環させる冷却剤循環装置やペルチェ素子とすることができる。この場合、コンタクト部44を金属等の熱伝導率の高い材料で構成することが好ましい。
また、この場合も、コンタクト部44の基板と相対する面Bはほぼ平坦に加工されていることが好ましい。コンタクト部44の面Bを平坦にすることによって、コンタクト部44の面Bと基板との接触が均一となり、加熱手段や冷却手段による素子の温度を均一に調整することが可能となる。もちろん、コンタクト部44に、発光素子44aと加熱手段や冷却手段の両方を備えてもよい。
コンタクト昇降機構46は、図1に示すように、コンタクト部44に付設される。コンタクト昇降機構46は、基板支持機構48によって支持された基板50に対してコンタクト部44を昇降させる。コンタクト昇降機構46は、プローブ昇降機構42と同様に、筒状の容器内に設けられたモータと、モータで回転するボールネジと、ボールネジと螺合したナット部材と、を備える。ナット部材は、コンタクト部44に機械的に結合される。測定を開始する際には、外部からの制御信号によってモータが駆動され、ボールネジに螺合されたナット部材が上昇させられ、コンタクト部44が基板50に形成された素子の近傍に近づけられ、好ましくは接触させられる。基板50を平面方向に移動させる場合には、ナット部材が下降させられ、コンタクト部44は基板50の表面から離される。なお、コンタクト昇降機構46はこれに限定されるものではなく、既知の他の構成によっても実現することができる。コンタクト部44とコンタクト昇降機構46は、本発明の環境調整手段の一部を構成する。
本実施の形態では、コンタクト部44は、基板支持機構48によって支持された基板を挟んでプローブ40と対向する位置に配置される。これによって、図9に示したようなCSPが適用された固体撮像素子を測定対象とした場合に、CSPが適用された固体撮像素子の素子が形成された基板の表側からコンタクト部44から光照射や温度調節を行うとともに、基板の裏側からプローブ40を素子のボール状端子に接触させて測定を行うことができる。
基板支持機構48は、測定対象となる素子が形成された基板50を支持する。基板支持機構48は、図4に示すように、チャック48a及びX−Yステージ48bを含んで構成される。測定対象となる素子が形成された基板(半導体ウェハ)50は、図5に示すように、透明なプラスチック製のシート52に接着剤等で取り外し可能に貼り付けられる。シート52としては、例えば、ポリオレフィン(PE)等からなるダイシング用のテープを用いることができる。シート52を、半導体基板50の裏面(CSPではボール状端子が形成されていない側の面)に貼り、ダイシング工程において、ウェハをスクライブラインに沿ってダイシングすることでチップ個々を電気的、物理的に分離する。ダイシングを施さなくともチップ個々が電気的に分離されている場合には、ダイシング工程前の基板50を測定対象とすることもできる。また、基板50の周囲を取り囲むように中抜きのリング状の支持体54がシート52に貼り付けられる。チャック48aは、支持体54を支持することによって間接的に基板50を支持できるように構成される。チャック48aは、例えば、支持体54の外周よりも僅かに小さい内周を有する2枚のリング状の板によって支持体54を上下から挟み込む機構を備える。これによって、支持体54を支持することができる。このとき、基板50は、支持体54によって張られたシート52上に支持される。
X−Yステージ48bは、チャック48aを平面方向に移動させることができる構成を備える。外部からの制御信号によって、X−Yステージ48bは支持された基板50の面内方向にチャック48aを移動させる。また、X−Yステージ48bは、プローブ40及びコンタクト部44が基板の表面及び裏面にアクセスできるように中空構造となっている。これによって、プローブ40及びコンタクト部44に対する基板50の相対的な位置を変更することができると共に、基板50の表面に形成された素子を順に選択してプローブ40及びコンタクト部44により測定することができる。
以上のように、基板支持機構48は、本発明の基板支持手段の一部を構成する。本実施の形態におけるプローブ検査装置では、基板支持機構48により基板を支持すると共に、コンタクト部44やプローブ40とは独立に基板50を移動させることができるように基板支持機構48を構成することによって、真空吸着用の溝や真空吸着孔を設ける必要がなくなる。これによって、素子に照射される光を均一にし、素子の温度を均一に調整することができる。また、プローブ検査装置を従来よりも安価に製造することができる。
なお、図6に示すように、コンタクト部44の基板と相対する面Bの一部のみに真空吸着用の溝70を設けてもよい。例えば、図7の斜視図に示すように、基板60の表面に複数の固体撮像素子62が行列状に形成されている場合、各固体撮像素子62のそれぞれ受光領域62aがある。その受光領域62aではない領域に含まれる領域62b(ハッチングで示す領域)に対応するコンタクト部44の面B内の領域に真空吸着用の溝70を設ける。図7に示すように、基板60上において2行×2列に配置された4つの固体撮像素子62の領域62bが互いに隣接するように配置されている場合、図6に示すように、4つの固体撮像素子62が配置された領域の中心部、すなわち互いに隣接するように配置された受光領域62aでない領域62bに対応するようにコンタクト部44の面B内に真空吸着用の溝70を設ける。面Bにおける溝70が設けられた領域以外は略平坦に形成する。
溝70に真空吸引孔を設けて、真空吸引孔から外部の真空ポンプ等を用いて真空吸引することによって、コンタクト部44の面Bに基板60が真空吸着される。これによって、素子に照射される光をより均一にし、素子の温度をより均一に調整することができる。
10 ウェハチャック、12 溝、14 真空吸引孔、20 半導体基板、22,24 支持基体、26,27 絶縁樹脂、28 ボール状端子、30 外部配線、40 プローブ、40a 触針、40b 本体部、42 プローブ昇降機構、44 コンタクト部、44a 発光素子、44b 部材、44c 散乱板、46 コンタクト昇降機構、48 基板支持機構、48a チャック、48b ステージ、50 基板、52 シート、54 支持体、60 基板、62 固体撮像素子、62a 受光領域、62b 受光領域以外の領域、70 溝、100 プローブ検査装置。
Claims (4)
- 基板に形成された素子の特性を測定するために用いられるプローブ検査装置であって、
前記基板の第1面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブを備えた測定手段と、
前記基板の第1面と反対側の第2面側から前記素子の動作環境を調整可能な環境調整手段と、
前記基板を支持する基板支持手段と、
を備え、
前記測定手段に対して前記基板の相対的な位置を変更可能とすることを特徴とするプローブ検査装置。 - 請求項1に記載のプローブ検査装置であって、
前記環境調整手段は、前記基板の第2面に対して光を照射する発光素子を備えることを特徴とするプローブ検査装置。 - 請求項2に記載のプローブ検査装置であって、
前記環境調整手段の前記基板の第2面と相対する面の凹凸は前記発光素子から照射される光の波長よりも小さいことを特徴とするプローブ検査装置。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載のプローブ検査装置であって、
前記環境調整手段は、前記基板を加熱するための加熱手段、又は、前記基板を冷却するための冷却手段を備えることを特徴とするプローブ検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005153925A JP2006329816A (ja) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | プローブ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005153925A JP2006329816A (ja) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | プローブ検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006329816A true JP2006329816A (ja) | 2006-12-07 |
Family
ID=37551653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005153925A Withdrawn JP2006329816A (ja) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | プローブ検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006329816A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102713651A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-10-03 | 日本先锋公司 | 半导体检测装置 |
WO2015056720A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 撮像モジュールの製造方法及び撮像モジュールの製造装置 |
CN113406471A (zh) * | 2020-03-17 | 2021-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法 |
-
2005
- 2005-05-26 JP JP2005153925A patent/JP2006329816A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102713651A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-10-03 | 日本先锋公司 | 半导体检测装置 |
WO2015056720A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 撮像モジュールの製造方法及び撮像モジュールの製造装置 |
CN113406471A (zh) * | 2020-03-17 | 2021-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7078838B2 (ja) | プローバ | |
KR102387504B1 (ko) | 검사 장치 | |
EP3550313B1 (en) | Electronic device inspecting apparatus | |
US11940485B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
TWI816949B (zh) | 載置台及載置台之製作方法 | |
WO2020230674A1 (ja) | 載置台及び載置台の作製方法 | |
JP2006329816A (ja) | プローブ検査装置 | |
JP2024052751A (ja) | 載置台及び検査装置 | |
JP7186060B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
TW202221332A (zh) | 檢查裝置的控制方法及檢查裝置 | |
EP3882644B1 (en) | Substrate support, test device, and method of adjusting temperature of substrate support | |
JP7500312B2 (ja) | 検査装置及び検査装置の制御方法 | |
WO2023234049A1 (ja) | 検査装置及び載置台 | |
JP2007078658A (ja) | 電子部品の測定装置および測定方法 | |
JP2023177195A (ja) | 検査装置及び載置台 | |
JP2022032473A (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
JP6250449B2 (ja) | 半導体検査装置 | |
KR20150014064A (ko) | 발광 소자 검사 장치 | |
JP2007180335A (ja) | プローバ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20080820 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080912 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080919 |