CN113406471A - 载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法。抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。载置台供基板载置，包括：顶板部，在其表面载置基板；光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于顶板部的基板相对的方式配置，利用来自发光元件的光加热基板；以及流路形成构件，其以介于顶板部与光照射机构之间的方式与顶板部的背面接合，在其与顶板部之间形成供能使来自发光元件的光透过的制冷剂流动的制冷剂流路，流路形成构件能使来自发光元件的光透过，顶板部和流路形成构件由热膨胀率互不相同的材料形成，载置台还包括利用能透光的物质或能被流路形成构件吸收的波长的光调节流路形成构件的温度的温度调节部。

Description

载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法
技术领域
本公开涉及载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法。
背景技术
专利文献1中公开有一种用于载置形成有电子器件的基板的载物台。该载物台具有圆板状的载物台盖和在内部形成有制冷剂槽的冷却单元，载物台盖借助O形密封圈与冷却单元抵接，上述制冷剂槽被载物台盖覆盖而形成制冷剂流路，O形密封圈将制冷剂密封于制冷剂流路。另外，对于专利文献1所公开的载物台，冷却单元和制冷剂能够透光，以隔着载物台盖以及冷却单元与晶圆相对的方式设有具有多个LED的光照射机构。冷却单元由玻璃形成，载物台盖由SiC形成。
专利文献1：日本特开2018－151369号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案为一种载置台，其供基板载置，其中，该载置台包括：顶板部，在其表面载置基板；光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于所述顶板部的基板相对的方式配置，利用来自所述发光元件的光加热基板；以及流路形成构件，其以介于所述顶板部与所述光照射机构之间的方式与所述顶板部的背面接合，在其与所述顶板部之间形成供能够使来自所述发光元件的光透过的制冷剂流动的制冷剂流路，该流路形成构件能够使来自所述发光元件的光透过，所述顶板部和所述流路形成构件由热膨胀率互不相同的材料形成，该载置台还包括温度调节部，该温度调节部利用能够透光的物质或能被所述流路形成构件吸收的波长的光对所述流路形成构件进行温度调节。
发明的效果
根据本公开，能够抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的具有作为载置台的载物台的、作为检查装置的探测器的结构的概略的立体图。
图2是表示本实施方式所涉及的具有作为载置台的载物台的、作为检查装置的探测器的结构的概略的主视图。
图3是概略地表示晶圆的结构的平面图。
图4是概略地表示载物台的结构的剖视图。
图5是概略地表示光照射机构的结构的平面图。
图6是概略地表示图1的检查装置的晶圆的温度测量用的电路的结构的图。
图7是用于说明透明加热器的控制例的图。
具体实施方式
在半导体制造工艺中，在半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等基板上形成具有预定的电路图案的多个电子器件。形成的电子器件被进行电气特性等的检查，而分选为良品和次品。电子器件的检查例如在基板的各电子器件被分割开前的状态下使用检查装置来进行。
被称为探测器等的检查装置(以下称为“探测器”)包括具有多个探针的探针卡和载置基板的载置台。检查时，在探测器，探针卡的各探针与电子器件的各电极接触，在该状态下，自设于探针卡的上部的测试器经由各探针向该电子器件供给电信号。然后，基于测试器自电子器件经由各探针接收到的电信号，来筛选该电子器件是否为次品。
对于这种探测器，在检测电子器件的电气特性时，为了再现该电子器件的安装环境，利用设于载置台内的、具有电阻发热体的加热器、供制冷剂流动的流路来控制该载置台的温度，从而控制基板的温度。
然而，近年来，电子器件的高度化、微细化不断发展，集成度提高，工作时的发热量特别增大。因此，对于基板，在对一个电子器件进行检查的过程中，可能对相邻的其他的电子器件施加热负荷，而导致该其他的电子器件产生不良。
关于该问题，专利文献1公开有以下的载物台即载置台。专利文献1所公开的载物台具有圆板状的载物台盖和在内部形成有制冷剂槽的冷却单元，载物台盖隔着O形密封圈与冷却单元抵接，上述制冷剂槽被载物台盖覆盖而形成制冷剂流路，O形密封圈将制冷剂密封于制冷剂流路。而且，以隔着该载物台盖和该冷却单元与晶圆相对的方式设有具有多个LED的光照射机构，另外，由于冷却单元和制冷剂能够透光，因此，来自LED的光透过冷却机构等到达载物台盖。而且，光照射机构能够将来自LED的光向载物台盖局部地照射。利用这些结构，专利文献1所公开的载物台利用冷却结构将载物台盖整体冷却，并向载物台盖局部地照射光而进行加热，因而，仅控制期望的电子器件的温度并且冷却其他的电子器件。
以往，对于载物台盖即载物台的顶板部的材料，考虑来自LED的光的加热的容易性等，而使用热导率较高的SiC，对于与顶板部一起形成制冷剂流路的流路形成构件的材料，使用廉价的透明构件即玻璃。作为流路形成构件的材料，具体而言，为了维持相对于来自LED的光的透明性，以往使用热膨胀率与作为顶板的材料的SiC的热膨胀率不同的玻璃。
然而，为了使制冷剂流路密闭，有时将顶板部与流路形成构件利用环氧树脂等接合。在利用环氧树脂等接合了的情况下，如上所述，若顶板部的材料和流路形成构件的材料使用热膨胀率互不相同的材料，则在与接合时的温度有较大不同的温度带下进行检查时，可能导致载物台翘曲。如此，若载物台发生翘曲，则例如无法使探针卡的各探针与载物台上的基板均匀地抵接，因此可能对检查质量造成不良影响。
于是，本公开所涉及的技术抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。
以下，参照附图说明本实施方式所涉及的载置台、检查装置以及载置台的翘曲的调整方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
图1和图2分别是表示本实施方式所涉及的具有作为载置台的载物台的、作为检查装置的探测器1的结构的概略的立体图和主视图。在图2中，为了表示图1的探测器1的后述的收纳室和供装载机内置的构成要素，由剖面示出其一部分。
图1和图2的探测器1进行基板且是在本实施方式中作为检查对象体的晶圆W的电气特性的检查，具体而言，进行形成于晶圆W的多个电子器件(参照后述的图3的附图标记D)各自的电气特性的检查。该探测器1包括：收纳室2，其在检查时收纳晶圆W；装载机3，其与收纳室2相邻地配置；以及测试器4，其以覆盖收纳室的方式配置。
收纳室2为内部空洞的壳体，具有载置晶圆W的载物台10。载物台10以使晶圆W的相对于该载物台10的位置不偏移的方式吸附保持晶圆W。另外，在载物台10设有使该载物台10沿水平方向和铅垂方向移动的移动机构11。移动机构11具有基台11a，该基台11a由不锈钢等金属材料形成，在该基台11a的上部配设载物台10，虽省略图示，但移动机构11具有用于使基台11a移动的导轨、滚珠丝杠、马达等。利用该移动机构11，能够调整后述的探针卡12与晶圆W之间的相对位置而使晶圆W的表面的电极与探针卡12的探针12a接触。
在收纳室2的载物台10的上方以与载物台10相对的方式配置有探针卡12，该探针卡12具有多个作为接触端子的探针12a。探针卡12经由接口13连接于测试器4。在电特性的检查时，各探针12a与晶圆W的各电子器件的电极接触，将来自测试器4的电力经由接口13向电子器件供给，并且将来自电子器件的信号经由接口13向测试器4传递。
装载机3将收纳于作为输送容器的FOUP(未图示)的晶圆W取出并向收纳室2的载物台10输送。而且，装载机3从载物台10接收完成了电子器件的电气特性的检查的晶圆W，并将其收纳于FOUP。
而且，装载机3具有进行检查对象的电子器件的温度控制等各种控制的控制部14。也被称作基本单元等的控制部14由例如具备CPU、存储器等的计算机构成，并具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有控制探测器1的各种处理的程序。此外，上述程序也可以是记录在能够由计算机读取的存储介质中的程序，且是从该存储介质加载于控制部14的程序。程序的一部分或全部可以用专用硬件(电路基板)来实现。
另外，装载机3具有测量各电子器件的电位差生成电路(未图示)处的电位差的电位差测量单元15。上述电位差生成电路为例如二极管、晶体管或电阻。电位差测量单元15经由布线16连接于接口13，获取与对应于上述电位差生成电路的两个电极接触的两个探针12a之间的电位差，并将获取到的电位差向控制部14传递。后述说明接口13处的各探针12a和布线16的连接构造。控制部14经由布线17连接于载物台10，对后述的光照射机构140、后述的流量控制阀进行控制，该流量控制阀用于调整制冷剂向制冷剂流路R流动的流量。此外，控制部14、电位差测量单元15也可以设于收纳室2，另外，电位差测量单元15也可以设于探针卡12。
测试器4具有再现供电子器件搭载的母板的电路结构的一部分的测试板(省略图示)。测试板与基于来自电子器件的信号判断该电子器件是否良好的测试计算机18连接。在测试器4，通过更换上述测试板，能够再现多种母板的电路结构。
而且，探测器1包括用户界面部19，该用户界面部19用于面向用户显示信息、供用户输入指示。用户界面部19例如包括触摸面板、键盘等输入部和液晶显示器等显示部。
在具有上述的各构成要素的探测器1，在电子器件的电气特性的检查时，测试计算机18向经由电子器件与各探针12a连接起来的测试板发送数据。然后，测试计算机18基于来自该测试板的电信号判断发送来的数据是否已被该测试板正确地处理。
接着，使用图3说明作为上述的探测器1的检查对象的晶圆W。图3是概略地表示晶圆W的结构的平面图。
对于晶圆W，通过对大致圆板状的硅基板实施蚀刻处理、布线处理，如图3所示，多个电子器件D互相空开预定间隔地形成于晶圆W的表面。在电子器件D即晶圆W的表面形成有电极E，该电极E与该电子器件D的内部的电路元件电连接。通过向电极E施加电压，能够向各电子器件D的内部的电路元件流通电流。此外，电子器件D的大小例如俯视为10～30mm见方。
接着，使用图4和图5说明载物台10的结构。图4是概略地表示载物台10的结构的剖视图，图5是概略地表示后述的光照射机构140的结构的平面图。
如图4所示，载物台10通过层叠包含作为顶板部的顶板120在内的多个功能部而成。载物台10隔着隔热构件110载置于使该载物台10沿水平方向和沿铅垂方向移动的移动机构11(参照图2)上。隔热构件110用于使载物台10与移动机构11热绝缘，例如由热导率以及热膨胀率较低的堇青石的烧结体等形成。移动机构11的基台11a和隔热构件110均为实心体。
载物台10从上方起依次具有顶板120、流路形成构件130、光照射机构140。而且，载物台10自光照射机构140的下方、换言之自光照射机构140的背面侧借助隔热构件110支承于移动机构11。
顶板120为载置晶圆W的构件。换言之，顶板120为其表面120a成为载置晶圆W的基板载置面即晶圆载置面的构件。此外，以下有时将还作为载物台10的上表面的顶板120的表面120a记载为晶圆载置面120a。
顶板120例如形成为圆板状。另外，顶板120由比热较小且热导率较高的材料、例如SiC(Silicon Carbide)形成。通过由上述这样的材料形成顶板120，能够高效地进行该顶板120的加热、冷却，因而，能够高效地对载置于顶板120的晶圆W进行加热、冷却。此外，以下设为顶板120由SiC形成的结构。
SiC的杨氏模量较高，为300GPa。因而，通过由SiC形成顶板120，还可以得到能够防止在顶板120产生裂纹等的效果。
此外，在顶板120的晶圆载置面120a形成有用于吸附晶圆W的吸附孔(未图示)。另外，在顶板120，在俯视时彼此分开的位置埋设有多个温度传感器121。
流路形成构件130以介于顶板120与光照射机构140之间的方式与顶板120的背面接合，为在其与顶板120之间形成供制冷剂流动的制冷剂流路R的构件，并形成为与顶板120大致相同直径的圆板状。
此外，在顶板120的供流路形成构件130安装的背面120b形成有槽，该槽被流路形成构件130覆盖而形成制冷剂流路R。在探测器1，通过利用在制冷剂流路R中流动的制冷剂冷却顶板120，从而冷却载置于顶板120上即载物台10上的晶圆W，具体而言，冷却形成于晶圆W的电子器件。
另外，在顶板120形成有与制冷剂流路R连通的供给口122和排出口123。在供给口122连接有向制冷剂流路R供给制冷剂的供给管160，在排出口123连接有从制冷剂流路R排出制冷剂的排出管161。在供给管160设有控制向制冷剂流路R供给的制冷剂的流量的流量控制阀162。
作为在制冷剂流路R中流动的制冷剂，使用能够透光(具体而言来自后述的LED141的光)的材料，例如使用氟系非活性液体(fluorinert(注册商标)、novec(注册商标)等)，利用设于探测器1的外部的泵(省略图示)经由供给管160向制冷剂流路R供给。此外，利用控制部14来控制用于调整制冷剂的流量的流量控制阀162等的动作。
对于构成上述这样的制冷剂流路R的流路形成构件130的材料，使用能够透光(具体而言来自后述的LED141的光)的材料。在以下的例子中，流路形成构件130由玻璃形成。
另外，流路形成构件130和顶板120以将制冷剂密封于制冷剂流路R中的方式接合。对于该接合，例如使用环氧树脂来进行，更具体而言，通过在流路形成构件130与顶板120之间涂布环氧树脂，并一边将流路形成构件130与顶板120压合一边将两者加热到预定的温度(例如100℃)来进行。
光照射机构140以隔着流路形成构件130与载置于顶板120的晶圆载置面120a的晶圆W相对的方式配置。
该光照射机构140具有多个指向晶圆W的LED141作为发光元件，利用来自这些LED141的光加热晶圆W。具体而言，光照射机构140具有多个使多个LED141单元化而成的LED单元U，并且具有搭载这些LED单元U的基座142。例如，如图5所示，光照射机构140的LED单元U利用与形成于晶圆W上的电子器件D(参照图3)相同数量且同样地排列的俯视呈正方形状的单元U1和覆盖其外周的俯视呈非正方形状的单元U2覆盖基座142的大致整个面。由此，利用来自LED单元U的LED141的光，能够至少照射顶板120的与晶圆W之间抵接的抵接部分整体。
各LED141朝向晶圆W照射光。在本例子中，各LED141射出近红外光。自LED141射出的光(以下有时省略为“LED光”)穿过由光透过构件形成的载物台10的流路形成构件130。穿过了流路形成构件130的光穿过在载物台10的制冷剂流路R中流动的、能够透光的制冷剂，并向顶板120入射。
基座142在俯视时形成为与顶板120大致相同直径的圆板状。另外，如图4所示，基座142在其表面形成有凹部142a，在凹部142a内搭载LED141。还可以利用能够透过LED光的材料对凹部142a内进行填充。
而且，基座142在比凹部142a靠背面侧的部分形成有冷却水路径142b，该冷却水路径142b供用于冷却LED141的制冷剂即冷却水流动。基座142由例如Al等金属制材料形成。
而且，光照射机构140具有驱动LED141的驱动电路基板143和搭载驱动电路基板143的支承构件144。
支承构件144在其表面形成有凹部144a，在凹部144a内搭载驱动电路基板143。支承构件144由例如Al等金属性材料形成。
在光照射机构140，向载置晶圆W的顶板120入射的LED光以LED单元U为单位被控制。因此，光照射机构140能够仅向顶板120的任意的部位照射LED光、或使所照射的光的强度在任意的部位与其他部位不同。因而，能够利用光照射机构140局部加热载置于顶板120的晶圆W、局部改变晶圆W的加热程度。
而且，载物台10具有透明加热器150。透明加热器150为利用能够透光的物质调节流路形成构件130的温度的温度调节部的一个例子。透明加热器150是由能够透过LED光(例如波长850nm的光)的导电性材料形成的电阻加热加热器。上述导电性材料例如能够使用ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)、IGZO(包括铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体)。透明加热器150设于流路形成构件130，具体而言，设于流路形成构件130的与顶板120相反的一侧的面、即背面。该情况下，透明加热器150例如通过溅射法、蒸镀法形成。例如在接合顶板120和流路形成构件130之前预先进行利用该溅射法等的透明加热器150的形成。
此外，透明加热器150的形成位置并不限于流路形成构件130的背面，还可以是流路形成构件130的背面侧的部分的内部。
另外，在透明加热器150的周围设有用于测量流路形成构件130的温度的温度传感器(未图示)。
透明加热器150以能够吸收由SiC形成的顶板120与由热膨胀率不同于SiC的热膨胀率的玻璃形成的流路形成构件130之间的热膨胀率差的方式加热流路形成构件130。换言之，透明加热器150以不使载物台10发生翘曲的方式加热流路形成构件130，更具体而言，以不使顶板120发生翘曲的方式加热流路形成构件130。
利用控制部14控制透明加热器150对流路形成构件130的加热、即相对于透明加热器150的通电量。
控制部14控制透明加热器150，以使利用设于透明加热器150的周围的上述的温度传感器(未图示)测量的流路形成构件130的温度成为不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH。对于不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH，例如基于载物台10的动作条件而利用控制部14来计算。更具体而言，对于不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH，基于顶板120的温度TTP、在制冷剂流路R中流动的制冷剂的温度Tcool、在冷却LED141的冷却水路径142b中流动的冷却水的温度TLED-C，利用控制部14来计算。预先获取该计算所使用的、TH与TTP、Tcool以及TLED-C之间的关系式、即函数f(TTP，Tcool，TLED-C)，并存储于存储部(未图示)。
TH＝f(TTP，Tcool，TLED-C)
此外，对于上述温度TTP，例如能够使用由温度传感器121检测的检测结果的平均值。也可以为了测量上述温度Tcool、上述温度TLED-C而设置温度传感器，若上述温度Tcool、上述温度TLED-C一定，则也可以将上述温度Tcool、上述温度TLED-C预先存储于存储部(未图示)，并在计算上述温度TH时从上述存储部中读取。
在探测器1，利用来自光照射机构140的光进行的加热和在制冷剂流路R中流动的制冷剂的吸热，以使在载物台10上的晶圆W形成的检查对象的电子器件D的温度成为目标温度且一定的方式进行控制。为了进行该温度控制，在探测器1，对电子器件D的温度进行测量。
图6是概略性地表示探测器1的电子器件D的温度测量用的电路的结构的图。
在探测器1中，如图6所示，各探针12a利用配置于接口13的多个布线20与测试器4连接。另外，在各布线20中的、在连接测试器4和与电子器件D的电位差生成电路(例如二极管)的两个电极E接触的两个探针12a的两个布线20分别设有继电器21。
各继电器21构成为能够将各电极E的电位向测试器4和电位差测量单元15中的任一者切换来传递。各继电器21例如在进行电子器件D的电气特性的检查时，向各电极E施加安装时电压，之后在预先确定的时刻将各电极E的电位向电位差测量单元15传递。在上述电位差生成电路中，流过电流时产生的电位差因温度而不同。因而，基于电子器件D的电位差生成电路的电位差、即基于电位差生成电路的两个电极E(探针12a)之间的电位差，能够在检查中实时地测量电子器件D的温度。在探测器1，电位差测量单元15基于自各继电器21传递来的各电极E的电位来获取电子器件D的电位差生成电路的电位差，然后将获取到的电位差向控制部14传递。控制部14基于传递来的电位差和电位差生成电路的电位差的温度特性，测量电子器件D的温度。
此外，电子器件D的温度的测量方法并不限于上述方法，只要能够测量电子器件D的温度，也可以是其他的方法。
接着，说明使用了探测器1的针对晶圆W进行的处理的一个例子。
首先，晶圆W被从装载机3的FOUP取出，并朝向载物台10输送，而载置于顶板120的晶圆载置面120a上。接着，载物台10向预先确定的位置移动。
然后，光照射机构140的全部的LED141被点亮，基于自顶板120的温度传感器121获取的信息，调整来自LED141的光输出和在制冷剂流路R内流动的制冷剂的流量，以使顶板120的温度在面内均匀。
之后，移动载物台10，使设于载物台10的上方的各探针12a与晶圆W的检查对象的电子器件D的电极E接触。
在该状态下，利用电位差测量单元15获取检查对象的电子器件D的上述的电位差生成电路的电位差。然后，使面内被均匀化了的顶板120的温度与检查对象的电子器件D的温度大致一致，而进行上述电位差的校正、即修正上述电位差的温度特性的信息。
之后，向各探针12a输入检查用的信号。由此，开始电子器件D的检查。此外，在上述检查过程中，基于检查对象的电子器件D的由电位差生成电路产生的电位差的信息，控制来自与该器件对应的LED单元U的LED141的光输出、即LED141的施加电压，例如以使该电子器件D的温度成为试验温度或目标温度。另外，制冷剂流路R内的制冷剂的温度和流量例如为与检查对象的电子器件D的试验温度或目标温度对应的值，且设为一定。
之后，反复进行上述的电位差生成电路的电位差的校正和检查的工序，直到完成对全部电子器件D的检查为止。
另外，在上述的电位差生成电路的电位差的校正和检查的工序期间，以不使顶板120发生翘曲的方式，利用透明加热器150加热流路形成构件130。例如，控制部14基于由温度传感器121测量的顶板120的温度TTP的平均值、在制冷剂流路R中流动的制冷剂的温度Tcool、在冷却LED141的冷却水路径142b中流动的冷却水的温度TLED-C，计算不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH。然后，控制部14控制透明加热器150，以使由设于透明加热器150的周围的温度传感器(未图示)测量的流路形成构件130的温度成为上述温度TH。
因此，在上述的电位差生成电路的电位差的校正和检查时，由于顶板120不会翘曲，因此，吸附保持于顶板120的晶圆W与探针卡12的各探针12a均匀地抵接。因而，能够准确地进行上述校正和检查。
此外，对于使用了探测器1的针对晶圆W进行的处理，有时会包括利用设于收纳室2内的拍摄装置(未图示)拍摄顶板120上的晶圆W的表面的工序。例如，在使探针12a和晶圆W位置对准的工序、确认检查后的探针12a的痕迹、即针痕的工序中，利用上述拍摄装置对晶圆W上的电极E进行拍摄。在这样进行拍摄的工序中，也有时不点亮LED141。在不点亮LED141的情况下，顶板120可能发生翘曲。拍摄时，当顶板120发生翘曲时，若不改变拍摄装置的高度，则有时焦点与顶板120的电极不匹配。因此，若顶板120发生翘曲，则导致上述的位置对准工序、确认针痕的工序长时间化。因而，在这些工序中，控制部14控制透明加热器150，以使由设于透明加热器150的周围的温度传感器(未图示)测量的流路形成构件130的温度成为不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH即可。由此，能够防止这些工序长时间化。
如上所述，在本实施方式中，载物台10包括：顶板120，在其表面载置晶圆W；流路形成构件130，其与顶板120的背面120b接合，在其与顶板120之间形成供能够透光的制冷剂流动的制冷剂流路R，该流路形成构件130能够透光；以及光照射机构140，其具有多个LED141，以隔着流路形成构件130与载置于顶板120的晶圆W相对的方式配置，利用来自LED141的光加热晶圆W。因而，载物台10利用在制冷剂流路R中流动的制冷剂冷却顶板120整体，并且向顶板120局部地照射LED光而进行加热，因而能够仅控制期望的电子器件D的温度并冷却其他的电子器件。对于该载物台10，顶板120和流路形成构件130由热膨胀率互不相同的材料形成，在载物台10可能发生翘曲的情况下，具体而言，在顶板120可能发生翘曲的情况下，具备透明加热器150作为利用能够透光的物质对流路形成构件130进行温度调节的温度调节部。因而，根据本实施方式，通过使用透明加热器150来调节流路形成构件130的温度，能够防止顶板120发生翘曲。另外，根据本实施方式，由于顶板120不发生翘曲，因此能够使多个探针12a与电子器件D均匀地抵接，因此，能够准确地进行使用了具有多个探针12a的探针卡12的电气特性检查等。而且，无论顶板120的温度如何、即无论检查温度如何，顶板120都不发生翘曲，因此，能够在较广泛的检查温度范围内使用载物台10。
在以上的例子中，控制部14基于顶板120的温度TTP、在制冷剂流路R中流动的制冷剂的温度Tcool以及在冷却LED141的冷却水路径142b中流动的冷却水的温度TLED-C这样的载物台10的动作条件，计算出不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH。具体而言，控制部14基于函数f(TTP，Tcool，TLED-C)计算并获取到上述温度TH。上述温度TH的计算所使用的载物台10的动作条件并不限于该组合，例如也可以仅是顶板120的温度TTP以及在制冷剂流路R中流动的制冷剂的温度Tcool。换言之，也可以使用基于顶板120的温度TTP和在制冷剂流路R中流动的制冷剂的温度Tcool的函数f(TTP，Tcool)，来进行控制部14对上述温度TH的计算。
另外，在以上的例子中，基于载物台10的动作条件，计算并获取不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH。上述温度TH的获取方法并不限于此，例如也可以是以下方式。即，根据载物台10的每个动作条件，预先确定不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH，并存储于存储部(未图示)。然后，在检查时，控制部14从存储部读出并获取与检查时的载物台10的动作条件匹配的上述温度TH。更具体而言，例如，在LED141点亮的情况和LED141未点亮的情况下，预先确定不同的上述温度TH并存储于存储部，控制部14可以根据LED141是否点亮而选择从存储部读出的上述温度TH。在这样的方法中，无论顶板120的预测的翘曲量的大小如何，都能够防止顶板120的翘曲。
图7是用于说明透明加热器150的控制例的图。
如图7所示，将流路形成构件130划分为多个(本例子中5个)区域A，控制部14可以针对每个区域A来控制透明加热器150对流路形成构件130的加热量。具体而言，例如，针对流路形成构件130的每个区域A，在透明加热器150的周围预先设有温度传感器(未图示)。然后，控制部14针对每个区域A，基于由温度传感器121测量的与该区域A对应的顶板120的温度TTP、制冷剂的温度Tcool、冷却水的温度TLED-C，根据上述的函数f(TTP，Tcool，TLED-C)计算不使顶板120发生翘曲的流路形成构件130的温度TH。而且，控制部14控制透明加热器150，以使由设于流路形成构件130的每个区域A的上述的温度传感器(未图示)测量的各区域A的温度成为针对每个区域A计算出的上述温度TH。
由此，能够防止顶板120被局部地强力加热而导致顶板120产生局部的翘曲。
在以上的例子中，使用了透明加热器150作为对流路形成构件130进行温度调节的温度调节部，但上述温度调节部并不限于此。例如，温度调节部也可以具有射出与来自LED141的光不同波长的光的光源，具体而言具有射出能被流路形成构件130吸收的波长的光的光源，并利用该光加热流路形成构件130而进行温度调节。另外，温度调节部只要是用于冷却流路形成构件130的构件即可，也可以设为利用能够透光的气体(碳酸(CO2)气体等)来冷却流路形成构件130的背面。该情况下，向基座142的凹部142a供给碳酸(CO2)气体等冷却用的气体。因而，利用冷却用的气体也能够冷却LED141，因此能够使LED141长寿命化。
例如，在以上的例子中，通过在顶板的背面形成制冷剂槽并用流路形成构件覆盖该制冷剂槽而形成制冷剂流路。代替于此，也可以通过在流路形成构件的表面形成制冷剂槽并用平板状的顶板覆盖该制冷剂槽，从而形成制冷剂流路。
此外，只要是晶圆W的翘曲可能对处理结果造成不良影响的装置即可，本公开所涉及的载置台也可以设于探测器等检查装置以外的装置，例如成膜装置、蚀刻装置、掺杂装置等。
应该认为，此次公开的实施方式在所有方面为例示，而并不是限制性的。在不偏离权利要求书及其主旨的情况下，上述的实施方式可以以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (7)

1.一种载置台，其供基板载置，其中，
该载置台包括：
顶板部，在其表面载置基板；
光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于所述顶板部的基板相对的方式配置，利用来自所述发光元件的光加热基板；以及
流路形成构件，其以介于所述顶板部与所述光照射机构之间的方式与所述顶板部的背面接合，在其与所述顶板部之间形成供能够使来自所述发光元件的光透过的制冷剂流动的制冷剂流路，该流路形成构件能够使来自所述发光元件的光透过，
所述顶板部和所述流路形成构件由热膨胀率互不相同的材料形成，
该载置台还包括温度调节部，该温度调节部利用能够透光的物质或能被所述流路形成构件吸收的波长的光对所述流路形成构件进行温度调节。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
该载置台还包括：
冷却部，其利用制冷剂冷却驱动所述发光元件的驱动部；以及
控制部，其控制所述温度调节部，
所述控制部控制所述温度调节部，以使所述流路形成构件成为根据所述顶板部的温度、所述制冷剂流路的制冷剂的温度以及所述冷却部的制冷剂的温度计算的、不使所述顶板部发生翘曲的温度。
3.根据权利要求1所述的载置台，其中，
该载置台还包括控制部，该控制部控制所述温度调节部，
所述控制部控制所述温度调节部，以使所述流路形成构件成为针对所述载置台的每个动作条件预先确定的、不使所述顶板部发生翘曲的温度。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
所述温度调节部是由能够透光的材料形成的电阻加热加热器，设于所述流路形成构件的与所述顶板部相反的一侧的面或所述流路形成构件的内部。
5.根据权利要求4所述的载置台，其中，
所述电阻加热加热器由ITO、IZO、ZnO或IGZO形成。
6.一种检查装置，其中，
该检查装置包括权利要求1～5中任一项所述的载置台，
该检查装置通过使多个接触端子与载置于所述顶板部的基板接触，从而进行基板的电气特性的检查。
7.一种载置台的翘曲的抑制方法，其抑制载置基板的载置台的翘曲，其中，
所述载置台包括：
顶板部，在其表面载置基板；
光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于所述顶板部的基板相对的方式配置，利用来自所述发光元件的光加热基板；以及
流路形成构件，其以介于所述顶板部与所述光照射机构之间的方式与所述顶板部的背面接合，在其与所述顶板部之间形成供能够使来自所述发光元件的光透过的制冷剂流动的制冷剂流路，该流路形成构件能够使来自所述发光元件的光透过，
所述顶板部和所述流路形成构件由热膨胀率互不相同的材料形成，
该载置台的翘曲的抑制方法利用能够透光的物质或能被所述流路形成构件吸收的波长的光对所述流路形成构件进行温度调节。
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