JP2006310581A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ドレイン電極から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界を多少でも抑えて、更なる高耐圧化を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】 LOCOSオフセット構造のMOSトランジスタ100をシリコン基板1に有する半導体装置であって、ソース電極21はゲート電極11の上方まで延ばされ、かつ第2ドレインプラグ33のうちの少なくともゲート電極11側を包囲するように形成されている。このような構成であれば、第2ドレインプラグ33のソース電極21によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極11下とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。
【選択図】 図1
【解決手段】 LOCOSオフセット構造のMOSトランジスタ100をシリコン基板1に有する半導体装置であって、ソース電極21はゲート電極11の上方まで延ばされ、かつ第2ドレインプラグ33のうちの少なくともゲート電極11側を包囲するように形成されている。このような構成であれば、第2ドレインプラグ33のソース電極21によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極11下とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に、ゲート電極の周縁部下にある絶縁膜のうちの少なくとも一部を当該ゲート電極の中央部下にある絶縁膜よりも厚くすると共に、ドレイン電極のうちの少なくともゲート電極側を電界低減用のガード電極で包囲した構造の半導体装置に関する。
この種の従来技術としては、例えば特許文献1に開示されたものがある。即ち、この特許文献1には、ゲート絶縁膜とドレイン領域との間にLOCOS層が設けられ、そのLOCOS層の下にオフセット不純物層が形成された、いわゆるLOCOSオフセット構造のMOSトランジスタが開示されている。かかるMOSトランジスタにあっては、LOCOS層及びオフセット不純物層によって、ゲート絶縁膜下とドレイン領域との間で空乏層が伸び電界の集中が緩和されるので、高耐圧であった。
特開平11−8388号公報
LOCOSオフセット構造では、LOCOS層の膜厚を変えたり、オフセット不純物層の濃度を調整したりすることで耐圧を高くすることが可能であるが、これらのパラメータはトランジスタの閾値等にも影響するので、この方法による耐圧の向上にも限界があった。そのため、LOCOSオフセット構造において、他の方法による耐圧向上の技術が望まれていた。
本発明は、このような解決すべき課題に着目してなされたものであって、ドレイン電極から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界を多少でも抑えて、更なる高耐圧化を可能とした半導体装置の提供を目的とする。
〔発明1〕 上記目的を達成するために、発明1の半導体装置は、ゲート電極の周縁部下にある絶縁膜のうちの少なくとも一部が当該ゲート電極の中央部下にある絶縁膜よりも厚く形成されたトランジスタを基板に有する半導体装置であって、前記トランジスタのドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、前記ドレイン電極のうちの少なくとも前記ゲート電極側を包囲するように前記基板上に層間絶縁膜を介して形成された電界低減用のガード電極と、を備えたことを特徴とするものである。
ここで、「ゲート電極の周縁部下にある絶縁膜のうちの少なくとも一部が当該ゲート電極の中央部下にある絶縁膜よりも厚く形成されたトランジスタ」とは、例えばLOCOSオフセット構造のトランジスタのことである。また、電界低減用のガード電極には、ドレイン電極の電位(即ち、ドレイン電位)を引き付けるような電圧(例えば、0[V])が印加される。
このような構成であれば、ドレイン電極のガード電極によって包囲された部分の電界はガード電極の電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界がある程度抑えられる。従って、上記境界部分で電界集中の緩和を期待でき、さらなる高耐圧化が可能である。
〔発明2〕 発明2の半導体装置は、発明1の半導体装置において、前記ガード電極は、前記トランジスタのソース領域に繋がるソース電極に接続していることを特徴とするものである。
このような構成であれば、ドレイン電極のガード電極によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界がある程度抑えられる。ガード電極とソース電極とを接続するだけでよく、ガード電極を他の素子に接続する必要がないので、回路構成が簡単である。
このような構成であれば、ドレイン電極のガード電極によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界がある程度抑えられる。ガード電極とソース電極とを接続するだけでよく、ガード電極を他の素子に接続する必要がないので、回路構成が簡単である。
〔発明3〕 発明3の半導体装置は、発明1又は発明2の半導体装置において、前記ソース電極は、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極の上側の少なくとも一部を覆うように形成されていることを特徴とするものである。
このような構成であれば、ゲート電極下とドレイン領域との境界部分は、ゲート電極方向からソース電位の影響を受けるので、電界集中のさらなる緩和が期待でき、トランジスタの高耐圧化に有利である。
このような構成であれば、ゲート電極下とドレイン領域との境界部分は、ゲート電極方向からソース電位の影響を受けるので、電界集中のさらなる緩和が期待でき、トランジスタの高耐圧化に有利である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(1)第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る高耐圧N型MOSトランジスタ(以下、単に「MOSトランジスタ」という。)100の構成例を示す断面図である。図1に示すように、このMOSトランジスタ100は、LOCOSオフセット構造であり、ソース領域3と、ドレイン領域5と、ゲート絶縁膜7と、LOCOSオフセット層(以下、単に「LOCOS層」という。)9と、ゲート電極11と、第1層間絶縁膜13と、ソースプラグ15と、第1ドレインプラグ17と、ソース電極21と、第2層間絶縁膜31と、第2ドレインプラグ33と、ドレイン電極23と、を含んだ構成となっている。
(1)第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る高耐圧N型MOSトランジスタ(以下、単に「MOSトランジスタ」という。)100の構成例を示す断面図である。図1に示すように、このMOSトランジスタ100は、LOCOSオフセット構造であり、ソース領域3と、ドレイン領域5と、ゲート絶縁膜7と、LOCOSオフセット層(以下、単に「LOCOS層」という。)9と、ゲート電極11と、第1層間絶縁膜13と、ソースプラグ15と、第1ドレインプラグ17と、ソース電極21と、第2層間絶縁膜31と、第2ドレインプラグ33と、ドレイン電極23と、を含んだ構成となっている。
図1に示すように、ソース領域3は例えばリン又はヒ素等のN型不純物がP型シリコン基板1にイオン注入され、熱拡散して形成された領域である。また、ドレイン領域5も例えばリン又はヒ素等のN型不純物がP型のシリコン基板1にイオン注入され、熱拡散して形成された領域である。このソース領域3とドレイン領域5とに挟まれたシリコン基板1の上層部分が、MOSトランジスタ100の駆動時にチャネルとなる領域(以下「チャネル領域」という。)である。
また、図1に示すように、このMOSトランジスタ100では、ドレイン領域5でのN型不純物濃度はチャネル領域側とドレインプラグ17側とで異なり、チャネル領域側よりもドレインプラグ17側の方が濃くなっている(濃度差をN−,N+で示している。)。これは、ソース領域3とドレイン領域5との間に電圧が印加されたときに、チャネル領域とドレイン領域5との境界部分での電界集中を抑制するためである。N−層は、オフセット不純物層である。
ゲート絶縁膜7は、ゲート電極とシリコン基板との間に設けられている。このゲート絶縁膜7は例えばシリコン酸化膜である。また、このトランジスタでは、ゲート絶縁膜7とドレイン領域5との間のシリコン基板1にLOCOS層9が設けられている。このLOCOS層9は、LOCOS法によって形成されたものであり、シリコン酸化膜からなる。
ゲート電極11は例えばリン又はボロン等の不純物を含むポリシリコンからなる。また、第1層間絶縁膜13は、例えばシリコン酸化膜からなる。図1に示すように、この第1層間絶縁膜13によって、ゲート電極11及びLOCOS層9は、その上方及び側方が覆われている。
ゲート電極11は例えばリン又はボロン等の不純物を含むポリシリコンからなる。また、第1層間絶縁膜13は、例えばシリコン酸化膜からなる。図1に示すように、この第1層間絶縁膜13によって、ゲート電極11及びLOCOS層9は、その上方及び側方が覆われている。
ソースプラグ15は、ソース領域3上に形成されたプラグ電極であり、その材質は例えばタングステン(W)である。また、第1ドレインプラグ17は、ドレイン領域5上に形成されたプラグ電極であり、その材質も例えばタングステンである。ソースプラグ15、第1ドレインプラグ17のいずれも、その下面とシリコン基板1との間にはTi/TiN等のバリアメタル(図示せず)が形成されており、かつ、プラグの上面は第1層間絶縁膜13から露出している。
ソース電極21は第1層間絶縁膜13上に形成されており、ゲート電極11の上方を通ってドレイン側まで延ばされている。
図2(A)は、ソース電極21のドレイン側の形状の一例を示す平面図である。図2(A)に示すように、ソース電極21は、第2ドレインプラグ33の周りを平面視で完全に囲むように形成されている。また、ソース電極21は、第2ドレインプラグ33から離れており(即ち、電気的に接続していない。)、ソース電極21と第2ドレインプラグ33との間には、第2層間絶縁膜31が介在している。
図2(A)は、ソース電極21のドレイン側の形状の一例を示す平面図である。図2(A)に示すように、ソース電極21は、第2ドレインプラグ33の周りを平面視で完全に囲むように形成されている。また、ソース電極21は、第2ドレインプラグ33から離れており(即ち、電気的に接続していない。)、ソース電極21と第2ドレインプラグ33との間には、第2層間絶縁膜31が介在している。
図1に戻る。このソース電極21の形成は、例えば第1層間絶縁膜13に設けられたコンタクトホール内にソースプラグ15及び第1ドレインプラグ17を形成した後で、スパッタリングによって第1層間絶縁膜13上にアルミニウム合金膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによって、このアルミニウム合金膜を上記形状にパターニングして、ソース電極21を完成させる。このソース電極21のパターニング後に、第2層間絶縁膜31を形成する。
第2層間絶縁膜31は例えばシリコン酸化膜であり、第1層間絶縁膜13上に設けられている。この第2層間絶縁膜31によって、ソース電極21はその上面及び側面が覆われている。この第2層間絶縁膜31には、第1ドレインプラグ17の上面を底面とするビアホールが形成され、このビアホール内に第2ドレインプラグ33が埋め込まれている。
図1に示すように、ドレイン電極23は第2層間絶縁膜31上に形成されており、第2ドレインプラグ33の上面に接続している。第2ドレインプラグ33の材質は例えばタングステンであり、ドレイン電極23の材質は例えばアルミニウム合金である。
図1に示すように、ドレイン電極23は第2層間絶縁膜31上に形成されており、第2ドレインプラグ33の上面に接続している。第2ドレインプラグ33の材質は例えばタングステンであり、ドレイン電極23の材質は例えばアルミニウム合金である。
ところで、図1に示すMOSトランジスタ100では、例えば、その駆動時にソース電極21に0[V]が、ドレイン電極23に10[V]が印加される。このとき、第2ドレインプラグ33のソース電極21によって包囲された部分及びその近傍の電界は、ソース電極21の電位(即ち、ソース電位)に引き付けられ、包囲された部分及びその近傍から「チャネル領域とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。
このように、本発明の第1実施形態に係るMOSトランジスタ100によれば、LOCOSオフセット構造に加えて、ソース電極21によるドレインプラグのガードリング構造を採ることで、上記境界部分での電界集中の緩和を期待でき、さらなる高耐圧化が可能である。
また、図1に示したように、ソース電極21は、第1層間絶縁膜13を介してゲート電極11の上側を覆うように形成されている(即ち、フィールドプレート構造となっている。)。このような構成であれば、「チャネル領域とドレイン領域5との境界部分」は、ゲート電極11方向からソース電位の影響を受けるので、電界集中のさらなる緩和を期待でき、トランジスタの高耐圧化に有利である。
また、図1に示したように、ソース電極21は、第1層間絶縁膜13を介してゲート電極11の上側を覆うように形成されている(即ち、フィールドプレート構造となっている。)。このような構成であれば、「チャネル領域とドレイン領域5との境界部分」は、ゲート電極11方向からソース電位の影響を受けるので、電界集中のさらなる緩和を期待でき、トランジスタの高耐圧化に有利である。
この第1実施形態では、ゲート絶縁膜7が本発明の「ゲート電極の中央部下にある絶縁膜」に対応し、LOCOS層9が本発明の「ゲート電極の周縁部下にある絶縁膜のうちの少なくとも一部」に対応している。また、シリコン基板1が本発明の「基板」に対応し、第1ドレインプラグ17及び第2ドレインプラグ33が本発明の「ドレイン電極」に対応している。さらに、第1層間絶縁膜13が本発明の「層間絶縁膜」に対応し、ソース電極21のドレイン側の部分が本発明の「電界低減用のガード電極」に対応している。また、MOSトランジスタ100が本発明の「トランジスタ」に対応している。
なお、この第1実施形態では、ソース電極21によって、第2ドレインプラグ33の周囲を完全に囲む場合について説明したが、ソース電極21の形状はこれに限られることはない。
図2(B)〜(E)は、ソース電極21のドレイン側の形状の他の例を示す平面図である。例えば、図2(B)又は(C)に示すように、ソース電極21の形状は、第2ドレインプラグ33の少なくともゲート電極側を包囲するような形状であれば良い。このような形状であっても、包囲された部分からゲート電極側の「チャネル領域とドレイン領域との境界部分」への電界がある程度抑えられるので、電界集中の緩和に有効である。
図2(B)〜(E)は、ソース電極21のドレイン側の形状の他の例を示す平面図である。例えば、図2(B)又は(C)に示すように、ソース電極21の形状は、第2ドレインプラグ33の少なくともゲート電極側を包囲するような形状であれば良い。このような形状であっても、包囲された部分からゲート電極側の「チャネル領域とドレイン領域との境界部分」への電界がある程度抑えられるので、電界集中の緩和に有効である。
また、ソース電極21の第2ドレインプラグ33と向かい合う側面の形状は、正円、半円等に限られることはない。例えば、図2(D)に示すように、平面視で第2ドレインプラグ33を側面で囲うような「くの字」型や、図2(E)に示すような「(逆)コの字」型でも良い。このような形状であっても、包囲された部分から上記境界部分への電界がある程度抑えられる。
(2)第2実施形態
図3は、本発明の第2実施形態に係るMOSトランジスタ200の構成例を示す断面図である。図3において、図1に示したMOSトランジスタ100と同一部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図3は、本発明の第2実施形態に係るMOSトランジスタ200の構成例を示す断面図である。図3において、図1に示したMOSトランジスタ100と同一部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図3に示すように、このMOSトランジスタ200はLOCOSオフセット構造を採り、ソース領域3と、ドレイン領域5と、ゲート絶縁膜7と、LOCOS層9と、ゲート電極11と、第1層間絶縁膜13と、ソースプラグ15と、第1ドレインプラグ17と、ソース電極21´と、ガード電極25と、第2層間絶縁膜31と、第2ドレインプラグ33と、ドレイン電極23と、を含んだ構成となっている。
第1実施形態で説明したMOSトランジスタ100とは異なり、このMOSトランジスタ200では、ソース電極21´はゲート電極11の上方まで延ばされておらず、第2ドレインプラグ33を囲んでもいない。その代わりに、第1層間絶縁膜13上にガード電極25が形成されている。このガード電極25は、第2ドレインプラグ33の周りを平面視で完全に囲むように形成されている。
このガード電極25は、ソース電極21´と同時に形成されたものである。例えば、ガード電極25及びソース電極21´の形成は、第1層間絶縁膜13に設けられたコンタクトホール内にソースプラグ15及び第1ドレインプラグ17を形成した後で、スパッタリングによって第1層間絶縁膜13上にアルミニウム合金膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによって、このアルミニウム合金膜を図3に示した形状にパターニングして、ガード電極25と、ソース電極21´とを完成させる。このように、ガード電極25は、ソース電極21の形成プロセスを利用して形成されたものである。
図3に示すMOSトランジスタ200では、例えば、その駆動時にソース電極21´に0[V]が、ドレイン電極23に10[V]が印加される。また、ガード電極25には、ドレイン電極23の電位(即ち、ドレイン電位)を引き付けるような電圧(例えば、0[V])が印加される。
図3に示すMOSトランジスタ200において、ガード電極25に印加する電圧が0[V]の場合にはその電圧印加を常時行えば良いが、ガード電極25に印加する電圧が0[V]でない場合には、その電圧印加を必ずしも常時行う必要は無い。
図3に示すMOSトランジスタ200において、ガード電極25に印加する電圧が0[V]の場合にはその電圧印加を常時行えば良いが、ガード電極25に印加する電圧が0[V]でない場合には、その電圧印加を必ずしも常時行う必要は無い。
この場合(即ち、0[V]でない場合)には、ドレイン電極23に10[V]の電圧を印加している間だけ、ガード電極25に「ドレイン電位を引き付けるような電圧」を印加すれば良い。ドレイン電極23に10[V]の電圧を印加していない間は、上記境界部分に電界は集中しないので、ガード電極25への電圧印加を省いても構わない。
このように、本発明の第2実施形態に係るMOSトランジスタ200によれば、第2ドレインプラグ33´のガード電極25によって包囲された部分及びその近傍の電界は、ガード電極25の電位に引き付けられ、包囲された部分及びその近傍から「チャネル領域とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。従って、上記境界部分で電界集中の緩和を期待でき、さらなる高耐圧化が可能である。
この第2実施形態では、ガード電極25が本発明の「電界低減用のガード電極」に対応し、MOSトランジスタ200が本発明の「トランジスタ」に対応している。
このように、本発明の第2実施形態に係るMOSトランジスタ200によれば、第2ドレインプラグ33´のガード電極25によって包囲された部分及びその近傍の電界は、ガード電極25の電位に引き付けられ、包囲された部分及びその近傍から「チャネル領域とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。従って、上記境界部分で電界集中の緩和を期待でき、さらなる高耐圧化が可能である。
この第2実施形態では、ガード電極25が本発明の「電界低減用のガード電極」に対応し、MOSトランジスタ200が本発明の「トランジスタ」に対応している。
1 シリコン基板、3 ソース領域、5 ドレイン領域、7 ゲート絶縁膜、9 LOCOS層、11 ゲート電極、13 第1層間絶縁膜、15 ソースプラグ、17 第1ドレインプラグ、21,21´ ソース電極、23 ドレイン電極、31 第2層間絶縁膜、33 第2ドレインプラグ、100,200 MOSトランジスタ
Claims (3)
- ゲート電極の周縁部下にある絶縁膜のうちの少なくとも一部が当該ゲート電極の中央部下にある絶縁膜よりも厚く形成されたトランジスタを基板に有する半導体装置であって、
前記トランジスタのドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極のうちの少なくとも前記ゲート電極側を包囲するように前記基板上に層間絶縁膜を介して形成された電界低減用のガード電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記ガード電極は、前記トランジスタのソース領域に繋がるソース電極に接続していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ソース電極は、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極の上側の少なくとも一部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005131848A JP2006310581A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005131848A JP2006310581A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
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ID=37477130
Family Applications (1)
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JP2005131848A Pending JP2006310581A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
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JP (1) | JP2006310581A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142182A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ |
-
2005
- 2005-04-28 JP JP2005131848A patent/JP2006310581A/ja active Pending
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