JP4150704B2 - 横型短チャネルdmos - Google Patents
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- 第1導電型の半導体基体の表面近傍に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
該エピタキシャル層の表面近傍に形成されるチャネル形成領域を含む第1導電型の第1のウェルと、
該第1のウェルの表面近傍に形成された第2導電型の高濃度のソース領域と、
前記エピタキシャル層の表面近傍に、前記第1のウェルと接しないように形成されたオン抵抗低減用の第2導電型の第2のウェルと、
該第2のウェルの表面近傍に形成された第2導電型の高濃度のドレイン領域と、
前記ソース領域から前記ドレイン領域に至る領域のうち、少なくとも前記チャネル形成領域の上部にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の抵抗を低減するために前記ゲート電極の上面の少なくとも一部と接するように形成されたゲート抵抗低減用金属層と、
前記半導体基体と前記エピタキシャル層との境界の、上面から見て少なくとも前記第1のウェルと重なり合う部分に形成され、前記エピタキシャル層よりも高濃度の第2導電型の不純物を含み、前記第2のウェルと接触しないように形成された第1の埋め込み層と、
該第1の埋め込み層の少なくとも一部と前記エピタキシャル層とが接するように、前記第1の埋め込み層の上面を覆うように形成されると共に、前記第1のウェルと接触しないように形成された第1導電型の第2の埋め込み層と、
を備え、前記第1の埋め込み層は、上面から見て前記第2のウェルと重なり合わないように形成されている
ことを特徴とする横型短チャネルDMOS。 - 前記エピタキシャル層の表面近傍において、前記第1のウェルと前記ドレイン領域との間に、前記第1のウェルおよび前記第2のウェルと接しないように第1導電型の拡散層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の横型短チャネルDMOS。
- 前記拡散層から前記ドレイン領域に至る領域において、前記ゲート電極は、フィールド酸化膜を介して前記エピタキシャル層と対峙していることを特徴とする請求項2に記載の横型短チャネルDMOS。
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