JP2006302723A - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、絶縁化,汚染した第一の電極において、電極の電子,正孔注入効率を再生させ、高効率,高品質の有機発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、有機発光層と、第二の電極とをこの順に配置し、前記絶縁膜バンクの側面の下部は逆テーパ形状である有機発光表示装置の構成をとる。
【選択図】図1
Description
110に接続する。次に、第2層間絶縁膜119はプラズマ増強化学気相成長法(PECVD法)により、SiNX 膜を形成した。膜厚は500nmである。第2トランジスタのドレイン電極上部にコンタクトホールを設ける。
120として、PECVD法を用い、成膜条件を可変しながら膜質の異なる3層のSiNXを形成した。次に、CF4+O2を用いたドライエッチングにより、絶縁膜バンク120は斜面上部が順テーパ、斜面下部が逆テーパに形成した。SEM観察をした結果、絶縁バンクの斜面下部は露出された下部電極面との角度θが65度の逆テーパ角を有し、高さhが200nmの逆テーパであった。
50nmのα−NPD膜を形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の1.2 倍とした。このα−NPD膜は正孔輸送層121として機能する。次に真空蒸着法により膜厚50nmの銅フタロシアニンを形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の1.2 倍とした。これは正孔注入層129として機能する。上部電極はスパッタリング法により、膜厚100nmのIn−Zn−O膜(以下、IZO膜と略記)を形成した。同膜は第二の電極125として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、In/(In+Zn)=0.83 であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度0.8Pa 、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。In−ZnO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。次に、スパッタリング法により、膜厚
50nmのSiOxNy膜を形成した。同膜は保護層126として機能する。
実施例2と比較のために、順テーパの絶縁バンクを用いた有機発光表示装置を作製した。
Zn)=0.83 であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度1Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。In−ZnO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。
120の上部は凹凸を有する形態をなすことをSEMで観察された。
Alqとキナクリドンの共蒸着膜を形成した。蒸着速度を、40:1に制御して蒸着した。Alq+キナクリドン共蒸着膜は、発光層122として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度0.8Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。
500nmである。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ150nmのAl膜を形成し、ホトリソグラフィ法を用いて第一の電極115を形成する。
Zn)=0.83であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2混合ガスを雰囲気として真空度1Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。In−ZnO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。
127を画素ごとに分断でき、発光部の隣接画素とのクロストーク防止及び高効率により、薄膜トランジスタで駆動する電流が減少し、薄膜トランジスタのしきい値電圧シフトが減少することが可能となる。
Zn)=0.83 であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度0.8Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。IZO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。
実施例6と比較のために、金属薄膜127を用いない有機発光表示装置を作製した。図7に実施例6と比較例2で作製した表示装置の発光輝度評価した結果である。表示装置の各素子に電圧が7Vを印加した。実施例6の表示装置は、金属薄膜がAl膜で膜厚が5
nmである。実施例6の表示装置は、輝度が1550cd/m2 と高い発光輝度が得られることがわかった。比較例2の表示装置は、実施例6の表示装置との違いは金属薄膜を設けない点である。その結果、発光できなかった。第一の電極はウェットエッチング等により表面が汚染されたためと考えられる。金属薄膜を設けることにより、発光輝度が向上することを明らかにした。
Zn)=0.83 であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度1Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。In−ZnO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。
Zn)=0.83 であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ar:O2 混合ガスを雰囲気として真空度1Pa、スパッタクリング出力を0.2W/cm2とした。In−ZnO膜からなる第二の電極125は陽極として機能し、その透過率は80%であった。
201…画素、202…表示領域、203…走査駆動回路、204…シフトレジスタ、
205…入力配線、206…画素電源、210…EL電源配線、211…ELコモン配線。
Claims (20)
- 基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、有機発光層と、第二の電極とをこの順に配置し、
前記絶縁膜バンクの側面の下部は逆テーパ形状である有機発光表示装置。 - 基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、有機発光層と、第二の電極とをこの順に配置し、
前記絶縁膜バンクの側面は準テーパ形状の部分と逆テーパ形状の部分とを有する有機発光表示装置。 - 前記絶縁膜バンクの側面のうち、前記第一の電極に近い側が逆テーパ形状を有し、遠い側が準テーパ形状を有する請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記逆テーパ形状を有する側面が前記第一の電極から0.3nm 以上200nm以下の高さにある請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜と前記有機発光層との間に電子輸送層を配置し、前記有機発光層と前記第二電極との間に正孔輸送層を配置する請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜と前記電子輸送層との間に電子注入層を配置する請求項5に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜の仕事関数は、前記第一の電極の仕事関数以下である請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜と前記有機発光層との間に正孔輸送層を配置し、前記有機発光層と前記第二電極との間に電子輸送層を配置する請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜と前記正孔輸送層との間に正孔注入層を配置する請求項8に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜の仕事関数は、前記第一の電極の仕事関数以上である請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜の膜厚は前記逆テーパ形状を有する側面の前記第一の電極からの高さの2/3以下である請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、有機発光層と、第二の電極とをこの順に配置し、
前記絶縁膜バンクの上面の一部が凹凸形状を有する有機発光表示装置。 - 前記凹凸形状は中心線平均粗さが1nm以上1000nm以下である請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属薄膜の膜厚は前記中心線平均粗さの半分以下である請求項13に記載の有機発光表示装置。
- 前記凹凸形状は錐状,ドーム状,柱状の凸部の高さが1nm以上である請求項12に記載の有機発光素子。
- 前記金属薄膜の膜厚は前記錐状,ドーム状,柱状の凸部の高さの半分以下である請求項15に記載の有機発光素子。
- 複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有し、アクティブマトリクス型である請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記薄膜トランジスタはポリシリコン薄膜トランジスタ又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである請求項17に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、電子輸送層と、有機発光層と、正孔輸送層と、第二の電極とをこの順に配置し、
前記金属薄膜の仕事関数は、前記第一の電極の仕事関数以下である有機発光表示装置。 - 基板と、第一の電極と、該第一の電極のエッジを覆うように形成された絶縁膜バンクと、前記第一の電極及び前記絶縁膜バンク上に形成された金属薄膜と、正孔輸送層と、有機発光層と、電子輸送層と、第二の電極とをこの順に配置し、
前記金属薄膜の仕事関数は、前記第一の電極の仕事関数以上である有機発光表示装置。
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