JP2006294798A

JP2006294798A - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2006294798A
Application number: JP2005112158A
Authority: JP
Inventors: Kazufumi Sugawara; 一文菅原; Noriaki Suzuki; 鈴木　　教章; Yoshisuke Abe; 善亮阿部
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2005-04-08
Filing date: 2005-04-08
Publication date: 2006-10-26

Abstract

【課題】微細化、高感度化が可能で、信頼性の高い配線構造、特にコンタクト構造を提供する。
【解決手段】外部接続用のパッド部を有する半導体装置であって、前記パッド部が、第１層導電性膜からなり表面が平坦な第１層パッド３ａｐと、第２層導電性膜からなり、前記第１層パッド上で、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッド３ｂｐと、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッド９ｐとを備えたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法にかかり、特に固体撮像素子のパッド構造に関する。

半導体装置に置ける外部接続用のパッドは、接続されるボンディングワイヤやバンプなどの電気的接続の安定性を得るためあるいは接触抵抗を低減するため、配線部材として適当な材料を選択しつつある程度の大きさを確保し、剥離を防止する必要がある。

このような状況の中で図８に示すように、層間絶縁膜１０１Ｓに凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを反映して凹凸形状を形成したアルミニウム層からなる金属パッドＢｐを構成し、これをボンディングパッドとしてボンディングワイヤと接続するようにした構造が提案されている（特許文献１）。

この構成によれば、凹凸形状によりボンディングワイヤとの接触面積が増大し、接合性が高められる。しかしながらこの構造では、アルミニウム層の膜厚が実質的に低減されることになり、接触抵抗が高いという問題がある。また、下地に配線層があるような場合には、実質的に容量をもつことになり素子性能に悪影響を与えることがある。

ところで、エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどからなる光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。

近年、ＣＣＤの高画素化に伴い、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。
このような状況の中で高感度を確保するためには、光学構造の制限や歩留などの問題から、撮像領域以外の領域はできる限り微細化することが極めて重要な条件となっている。

これは固体撮像素子チップの周縁部に配置される外部接続用のボンディングパッドにおいても同様であり、微細化が進められている。このような状況の中で固体撮像素子では、完成後、素子特性検査のためにプローブテストを行うことが要件となっており、プローブテストの針のつきぬけが深刻な問題となっている。このため上述したような下地の凹凸を反映するようなボンディングパッドを適用しようとすると針の突き抜けを生じやすいという問題がある。そしてまた、配線層を多層構造にすると、素子領域への集光が十分にできなくなることがあり、通常は１層配線を用いることが多いため、積層によりボンディングパッドの膜厚を大きくすることも困難であった。

特開２００２−３０５２１７号公報

このように、従来の半導体装置においては、針のつきぬけとボンディング強度を両立させることは困難であった。これは特に固体撮像素子において、深刻であり、さらなる微細化に耐え得るようなパッド構造を得ることができず、これが、微細化、高品質化を阻む大きな問題となっていた。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、微細化、高感度化が可能で、信頼性の高い配線構造、特にコンタクト構造を提供することを目的とする。

そこで本発明の半導体装置は、外部接続用のパッド部を有する半導体装置であって、前記パッド部が、第１層導電性膜からなり表面が平坦な第１層パッドと、第２層導電性膜からなり、前記第１層パッド上で、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッドと、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッドとを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、表面が平坦な第１層パッドと、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッドと、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッドとでパッド部を構成しているため、検査工程においてもプローブのつきぬけもない。また、表裏両面に凹凸が存在していることにより、ボンディングワイヤとの接合、下地との接合が強固でかつ電気的接触性も良好となるため、小型化に際しても信頼性の高い実装が可能となる。また、フォトリソグラフィにおけるマスクパターンの変更のみで工数の増大なしに形成可能であるため、生産性が良好である。

また、本発明の半導体装置は、前記第１層パッドが、電気的に浮遊状態であるものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置は、シリコン基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記シリコン基板に接続される配線層を備えた配線部とを具備した固体撮像素子において、
前記電荷転送電極が第１層導電性膜からなる第１層電極と第２層導電性膜からなる第２層電極とで構成されているものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、前記第２層電極と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記第１層パッドは、前記第２層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記第１層導電性膜および第２層導電性膜は、多結晶シリコンであるものを含む。

また、本発明の半導体装置は、前記金属パッドは配線層と同一工程で形成されるものを含む。この配線層はアルミニウム配線であるのが望ましい。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、外部接続用のパッド部を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面に素子領域を形成する工程と、前記半導体基板表面に第１層導電性膜を形成し、前記素子領域上に第１層電極配線を形成するとともに、周縁部に第１層パッドを形成するように、前記第１層導電性膜をパターニングする工程と、第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜上に第２層導電性膜を形成し、前記素子領域上に第２層電極配線を形成するとともに、周縁部に少なくとも表面が所望のピッチの小パターンをもつ第２層パッドを形成するように、前記第２層導電性膜をパターニングする工程と、第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記パッド部の第２層パッド上に前記小パターンの形状を反映するように金属膜を形成し、パターニングすることにより表面に凹凸を有する金属パッドを形成する工程とを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記第１層パッドは、電気的に浮遊状態となるようにパターニングする工程であるものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置は、シリコン基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記シリコン基板に接続される配線層を備えた配線部とを具備した固体撮像素子であって、前記電荷転送電極を第１層導電性膜からなる第１層電極と第２層導電性膜からなる第２層電極とで形成する工程を含むものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、前記第２層電極と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記第１層パッドは、前記第２層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成されるものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記第１層導電性膜および第２層導電性膜は、多結晶シリコンであるものを含む。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記金属パッドを形成する工程は配線層を形成する工程と同一工程で実行されるものを含む。この配線層はアルミニウム配線であるのが望ましい。

なお、固体撮像素子においては、単層電極構造の電荷転送電極においても多層電極構造の電荷転送電極と同様、２回に分けて電極形成がなされることが多く、この場合は第１回目に形成される電極を第１層電極、第２回目に形成される電極を第２層電極と呼ぶ。

本発明によればプローブ検査時の針突き抜けのマージンの確保とワイヤボンディング性の向上との両方を具有し、微細化が可能で信頼性の高いパッド構造を持つ半導体装置を形成することが可能となる。

以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態の固体撮像素子のパッド部を示す説明図である。また図２は固体撮像素子の要部を示す断面図、図３は撮像領域の要部平面図、図４は平面図である。図２は図４のＡ−Ａ断面、図３のＢ−Ｂ断面を示す図である。図３は図４の撮像領域１００の拡大図に相当し、図５は、撮像部と周辺回路部との対応図である。この固体撮像素子は、図１に示すように、パッド部が、第１層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンからなり表面が平坦で電気的に浮遊状態にある第１層パッド３ａｐと、前記第１層パッド３ａｐ上で、第２層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンからなり、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッド３ｂｐと、前記第２層パッド３ｂｐ上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッド９ｐとを備えたことを特徴とする。この金属パッド９ｐの表面は凹凸状となっているため、ボンディングワイヤＢｗとの接続が強固となっており、また、下地が撮像部で第１層電極３ａを形成する第１層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンと、第２層電極３ｂを形成する第２層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンとの積層構造をなしその上に撮像部と周辺回路部とを接続する配線層と同一工程で形成されたアルミニウム層からなる金属パッド９ｐが形成され、プローブ検査に際してもプローブのつきぬけのおそれがないように形成されている。

すなわち、この固体撮像素子は、図４に概略平面図を示すように、半導体基板上にフォトダイオードと電荷転送部とで構成された撮像領域１００と、この周辺に形成されたアンプなどの周辺回路部２００とを備え、周縁部に外部接続端子としてのパッド部３００を構成してなるものである。そして図２に示すように、素子分離領域１１で分離されたｐウェル１２に、複数のフォトダイオード部３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード部３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送部４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネル１４は、図３では図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。

またｐウェル１２の下方には高濃度のｐ型半導体層からなるオーバードレインバッファ層１３が形成されており、電圧を印加することにより、電荷の引き出しができるようになっている。電荷転送部４０表面には、ゲート酸化膜２を介して第１層電極３ａと第２層電極３ｂとが酸化シリコン膜とＨＴＯ膜とからなる電極間絶縁膜４を介して配列されている。そしてフォトダイオード部３０は、ｐウェル１２とｐｎ接合を形成するｎ型不純物領域３１と、このｎ型不純物領域３１表面に形成された高濃度のｐ型不純物領域３２とで形成されている。

そしてこの第１層電極３ａおよび第２層電極３ｂの上層にはフォトダイオード部表面を覆うように、酸化シリコン膜５を介して膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜６が形成されている。そしてこの上層はスパッタリング法により形成された膜厚５０ｎｍのチタンナイトライド層（図示せず）を介して遮光層７としての膜厚２００ｎｍのタングステン薄膜が形成されている。さらにこの上層は、酸化シリコン膜８とＢＰＳＧ膜からなる透光性膜の平坦化膜１０で覆われている。ゲート酸化膜２はボトム酸化膜２ａと、窒化シリコン膜２ｂと、トップ酸化膜２ｃとの３層構造で構成されている。

このように固体撮像素子の上方には、上記ＢＰＳＧ膜からなる平坦化膜１０を介して、カラーフィルタ５０、平坦化膜７０、マイクロレンズ６０が順次積層して設けられている。

次に、この固体撮像素子の製造工程について、図６（ａ）乃至（ｄ）を参照しつつ説明する。この例ではイオン注入により、フォトダイオード領域形成のためのｎ型不純物領域３１、ｐ型不純物（拡散）領域３２、転送チャネル１４としてのｎ型不純物領域を順次形成した後、ゲート酸化膜およびゲート電極を形成する。以下の工程では簡略化のために半導体基板内に形成されるフォトダイオード領域および転送チャネルを省略する。図中左側は撮像部（画素部）を示し、右側はチップ周縁のパッド部を示す。なおパッド部には素子分離のための酸化シリコン膜からなる絶縁膜１Ｓが形成されている。

まず、撮像部では、ｎ型のシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を形成する。このゲート酸化膜は、熱酸化により膜厚２５ｎｍの酸化シリコン膜２ａを形成し、ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜２ｂを形成し、さらにＣＶＤ法により、トップ酸化膜２ｃとして膜厚８ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造をなすように形成される。

続いて、このゲート酸化膜２上に、第１層電極３ａを形成するためのドープトアモルファスシリコン層を形成する。
すなわち、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ_３とＮ_２とを添加したＳｉＨ_４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜を形成する。このときの基板温度は６００〜７００℃とする。そしてフォトリソグラフィによりパターニングし、第１層電極３ａおよび第１層パッド３ａｐを形成する（図６（ａ））。このとき、ＨＢｒとＯ_２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりこのマスクパターンをマスクとし、ゲート酸化膜２の窒化シリコン膜２ｂをエッチングストッパとして第１層ドープトアモルファスシリコン膜を選択的にエッチング除去し、第１の電極３ａおよび周辺回路の配線および、第１層パッド３ａｐを形成する。ここではＥＣＲ(電子サイクロトロン共鳴：Electron Cyclotron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。

そして、この第１層電極３ａおよび第１層パッド３ａｐ上を含む基板表面全体に熱酸化による電極間絶縁膜４を形成した後、第１層ドープトアモルファスシリコン膜と同様にして、ＰＨ_３とＮ_２とを添加したＳｉＨ_４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜を形成し、これをフォトリソグラフィにより、パターニングして第２層電極３ｂを形成するとともに、第２層パッド３ｂｐを形成する。この第２層パッドは、２μm〜１０μmの間隔で表面に凹凸をなすように形成される。そしてさらに熱酸化法により第２層電極表面に酸化シリコンからなる絶縁膜５を形成する（図６（ｂ））。このとき第２層パッド３ｂｐ表面にも絶縁膜が形成されている。

そして、工程図を示す図６（ａ）乃至（ｄ）ではフォトダイオード領域は図示していないが、この上層に反射防止膜６として窒化シリコン膜を形成し、フォトダイオード領域を覆うようにパターニングする。そしてさらにＴＥＯＳ膜（６、６Ｓ：図２参照）を形成し、密着性層としてのＴｉＮ（図示せず）を介して遮光膜７としてのタングステン膜を形成し、レジストパターンをマスクとして遮光膜７をパターニングしたのち、ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜８と膜厚２００〜７００ｎｍのＢＰＳＧ膜とを形成し、８５０℃でリフローし平坦化して平坦化膜１０とする（図６（ｃ））。このとき、本実施の形態では周辺回路部は除去するがこの遮光膜７を周辺回路部で小パターンとして残し、第２層パッドとして形成してもよい。この場合は第１層パッドを第１層導電性膜または第２層導電性膜で形成する。（実施の形態２で後述する）

このようにして形成された酸化シリコン膜をフォトリソグラフィによりパターニングし、コンタクトを形成する（図６（ｄ））。
そして、膜厚５００ｎｍ程度のアルミニウム層をスパッタリングで成膜し、パターニングして配線層とともに金属パッド９ｐを形成し、図５に示したようなパッド部が形成される。

そして最後に、フィルタ層５０、平坦化層７０、レンズ６０を形成し図２に断面図を示した固体撮像素子が形成される。

そして、実装基板（図示せず）上に搭載し、カバーガラスで封止し、ワイヤボンディング工程において、図１に示したように、ボンディングワイヤＢｗをパッド部に融着する。

この構成によれば、第１層電極と同一工程で形成され、表面が平坦な第１層パッド３ａｐと、第２層電極と同一工程で形成され、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッド３ｂｐと、アルミニウム配線層と同一工程で形成され、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッドとでパッド部を構成しているため、検査工程においてもプローブのつきぬけもなく、また、金属パッドの表裏表面に凹凸が存在していることにより、ボンディングワイヤとの接合のみならず下地との接合において、強固でかつ電気的接触性も良好となるため、小型化に際しても信頼性の高い実装が可能となる。なお、この構造では第１層パッド３ａｐと第２層パッド３ｂｐとの間には絶縁膜４が介在しているが、上層を覆う金属パッド９ｐを介して電気的に接続されており、分割された小パターン領域であるため電気的接触性には問題はない。

特にアモルファスシリコン層とアルミニウム層との積層構造であるため、ボンディング時に高温となっても、無機膜であるアモルファスシリコンでアルミニウムの浸透は止まり、良好な接触性を維持することが可能となる。また、フォトリソグラフィにおけるマスクパターンの変更のみで工数の増大なしに形成可能であるため、生産性が良好である。

なおこれら小パターンの間隔の大きさについては、特に限定されるものではないが、上層に形成されるアルミニウム層の膜厚に応じて、表面に凹凸を反映しうる程度のピッチで形成するのが望ましい。またパターンは完全に独立したパターンでなくてもよく、下地面の凹凸を反映できるものであればよい。

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について説明する。
この固体撮像素子は、図２に示すように、パッド部が、第２層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンからなり表面が平坦で電気的に浮遊状態にある第２層パッド３ｂｐ１と、前記第２層パッド３ｂｐ１上で、遮光膜としてのタングステン層からなり、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッド７ｐと、前記第２層パッド７ｐ上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッド９ｐとを備えたことを特徴とする。

この金属パッド９の表面は凹凸状となっているため、ボンディングワイヤＢｗとの接続が強固となっており、また、下地が撮像部で第２層電極を形成する第２層導電性膜としてのドープトアモルファスシリコンと、撮像部で遮光膜７を構成するタングステン層との積層構造をなしその上に撮像部と周辺回路部とを接続する配線層と同一工程で形成されたアルミニウム層からなる金属パッドが形成されており、プローブ検査に際してもプローブのつきぬけのおそれがない。

なお、第１層電極と第２層電極とを構成する導電性膜としては、アモルファスシリコンに限定されることなく多結晶シリコン層、マイクロクリスタルシリコン層など適宜変更可能である。また、シリサイドを構成する金属としてはタングステンに限定されることなくチタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）など適宜変更可能である。

前記実施の形態では２層電極構造の電荷転送電極を用いた場合について説明したが、２層構造の導電性膜を形成して平坦化処理により単層電極構造の電荷転送電極を形成した場合にも適用可能であることはいうまでもない。

さらにまた、前記実施の形態では、固体撮像素子について説明したが、通常の半導体装置においても適用可能であることはいうまでもない。

以上説明してきたように、本発明によれば、パッド部を、表面が平坦な第１層パッドと、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッドと、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッドとでパッド部を構成しているため、検査工程においてもプローブのつきぬけもなく、ボンディング性が極めて良好であるため、微細で信頼性の高い固体撮像素子を形成することができることから、小型カメラなど、微細でかつ高感度の固体撮像装置の形成に有効である。

本発明の実施の形態１の固体撮像素子のボンディング状態を示す要部断面図である。本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す断面図である。本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す要部平面図である。本発明の実施の形態１の固体撮像素子の平面図である。本発明の実施の形態１の固体撮像素子の撮像部と周辺回路部との対応図である。本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。本発明の実施の形態２の固体撮像素子を示す要部説明図である。従来例の半導体装置のパッド部を示す図である。

符号の説明

１シリコン基板
２ゲート酸化膜
３ａ第１層導電性膜
３ｂ第２層導電性膜
３ａｐ第１層パッド
３ｂｐ第２層パッド
３ｂｐ１第１層パッド
５絶縁膜
６絶縁膜
７遮光膜
７ｐ第２層パッド
８絶縁膜
９ｐ金属パッド

Claims

外部接続用のパッド部を有する半導体装置であって、
前記パッド部が、第１層導電性膜からなり表面が平坦な第１層パッドと、第２層導電性膜からなり、前記第１層パッド上で、表面に凹凸を有するパターン形状をなす第２層パッドと、前記第２層パッド上に前記凹凸を反映して、表面に凹凸を有するボンディング用の金属パッドとを備えた半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１層パッドは、電気的に浮遊状態である半導体装置。
請求項１または２に記載の半導体装置であって、
前記半導体装置は、シリコン基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記シリコン基板に接続される配線層を備えた配線部とを具備した固体撮像素子において、
前記電荷転送電極が第１層導電性膜からなる第１層電極と第２層導電性膜からなる第２層電極とで構成される半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、前記第２層電極と同一工程で形成される半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成される半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１層パッドは、前記第２層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成される半導体装置。
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第１層導電性膜および第２層導電性膜は、多結晶シリコンである半導体装置。
請求項２乃至６のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記金属パッドは前記配線層と同一工程で形成される半導体装置。
外部接続用のパッド部を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板表面に素子領域を形成する工程と、
前記半導体基板表面に第１層導電性膜を形成し、前記素子領域上に第１層電極配線を形成するとともに、周縁部に第１層パッドを形成するように、前記第１層導電性膜をパターニングする工程と、
第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に第２層導電性膜を形成し、前記素子領域上に第２層電極配線を形成するとともに、周縁部に少なくとも表面が所望のピッチの小パターンをもつ第２層パッドを形成するように、前記第２層導電性膜をパターニングする工程と、
第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記パッド部の第２層パッド上に前記小パターンの形状を反映するように金属膜を形成し、パターニングすることにより表面に凹凸を有する金属パッドを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１層パッドは、電気的に浮遊状態となるようにパターニングする工程である半導体装置の製造方法。
請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、シリコン基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記シリコン基板に接続される配線層を備えた配線部とを具備した固体撮像素子であって、
前記電荷転送電極を第１層導電性膜からなる第１層電極と第２層導電性膜からなる第２層電極とで形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、前記第２層電極と同一工程で形成される半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１層パッドは、前記第１層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成される半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１層パッドは、前記第２層電極、第２層パッドは、遮光膜と同一工程で形成される半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１層導電性膜および第２層導電性膜は、多結晶シリコンである半導体装置の製造方法。
請求項１１乃至１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属パッドを形成する工程は前記配線層を形成する工程で実行される半導体装置の製造方法。