JP2006272741A - エピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体、積層ホース、および積層体の製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム組成物層とが加硫接着されてなるエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体において、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、2,3−ジメルカプトキノキサリンまたは6−メチルキノキサリン−2,3−ジチオカーボネート等のその誘導体を加硫剤として含有する積層体。および前記積層体からなり、フッ素樹脂を内層とし、エピクロルヒドリン系ゴム組成物を外層とする積層ホース。
【選択図】なし
Description
1)大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム組成物層とが加硫接着されてなるエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体において、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、2,3−ジメルカプトキノキサリンまたはその誘導体を加硫剤として含有する積層体、
2)エピクロルヒドリン系ゴム組成物が更に1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7誘導体の塩および/または1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5誘導体の塩を含有する1)項に記載の積層体、
3)大気圧プラズマ処理法が、少なくともアルゴンおよび/またはヘリウムのガス雰囲気で行なわれる1)項または2)項に記載の積層体、
4)フッ素樹脂層の表面が、下記(a)、(b)、(c)の少なくとも1つを満たすことを特徴とする、1)項〜3)項のいずれかに記載の積層体、
(a)未処理状態でフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.6を超える、(b)大気圧プラズマ処理後のフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.12を超える、(c)大気圧プラズマ処理後の酸素原子数Oと炭素原子数CのO/C比が0.08未満である。
5)大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂からなる内層の処理面と、エピクロルヒドリン系ゴム組成物からなる外層とが加硫接着されてなる積層構造を、少なくとも含むエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層ホースにおいて、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、少なくとも2,3−ジメルカプトキノキサリン系加硫剤を含有し、更に必要により1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7誘導体の塩および/または1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5誘導体の塩を含有する積層ホース、
6)フッ素樹脂層の表面が、下記(a)、(b)、(c)の少なくとも1つを満たす、5)項に記載の積層ホース、
(a)未処理状態でフッ素原子数Fと炭素原子数Cの、F/C比が1.6を超える、(b)大気圧プラズマ処理後のフッ素原子数Fと炭素原子数Cの、F/C比が1.12を超える、(c)大気圧プラズマ処理後の酸素原子数Oと炭素原子数Cの、O/C比が0.08未満である。
7)大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム層とを加硫接着するエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体の製造方法において、
エピクロルヒドリン系ゴム組成物が2,3−ジメルカプトキノキサリン系加硫剤を含有する、積層体の製造方法、
および、8)大気圧プラズマ処理法が、少なくともアルゴンおよび/またはヘリウムのガス雰囲気で行なわれる7)項に記載の積層体の製造方法、
に関する。
(実施例1〜13、比較例1〜14)
(実施例1〜10、比較例1〜11)
表1に示す組成のエピクロルヒドリン系ゴム組成物を7インチロールにて70〜80℃で15〜20分間混練し、厚さ2mmの未加硫シートS1〜S7を作製した。
フッ素樹脂(ダイキン工業(株)社製ネオフロンETFE EP-610:エチレン−テトラフルオロエチレン二元共重合体)のペレットを240℃に保持された金型で、20〜25kg/cm2で4分間加圧し、厚さ0.3mmのシートAを得た。
フッ素樹脂(ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー社製3M THV フルオロプラティック 500G:テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオライド三元共重合体)のペレットを185℃に保持された金型で、25kg/cm2で4分間加圧し、厚さ0.3mmのシートJを得た。
測定装置:島津製作所製 ESCA-3300
励起X線:MgKα
X線出力:8kV,30mA
温度 : 20℃
真空度 :1×10−5Pa
上記加硫エピクロルヒドリン系ゴム組成物−フッ素樹脂積層体について、下記試験方法により接着性の評価試験をした。
ゴム−ゴム積層体およびゴム−樹脂積層体をそれぞれ2.5cm幅×10cmの短冊状に切断して接着試験用試験片を作製し、この試験片について、JIS−K−6256(加硫ゴムの接着試験方法)に記載の方法に準拠し、25℃において50mm/minの引張速度で剥離試験を行った。
得られた実施例及び比較例の試験結果を表2〜6に示す。
また本発明は、接着強度が強いため、比較的穏やかな大気圧プラズマ処理条件、
例えば、フッ素樹脂層の表面が、下記(a)、(b)、(c)の少なくとも1つを満たす程度の処理条件でも、強固な積層体を製造することが可能である。
(a)未処理状態のフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.6を超える、(b)大気圧プラズマ処理法後のフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.12を超える、(c)大気圧プラズマ処理法後の酸素原子数Oと炭素原子数CのO/C比が0.08未満である。
1:高圧電極
2:低圧電極
3:ガス導入口
4:ガス排出口
5:フィルム
1:内層
2:外層
3:編組補強層
4:最外層
5:最内層
Claims (8)
- 大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム組成物層とが加硫接着されてなるエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体において、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、2,3−ジメルカプトキノキサリンまたはその誘導体を加硫剤として含有する積層体。
- エピクロルヒドリン系ゴム組成物が更に1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7誘導体の塩および/または1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5誘導体の塩を含有する請求項1に記載の積層体。
- 大気圧プラズマ処理法が、少なくともアルゴンおよび/またはヘリウムのガス雰囲気で行なわれる請求項1または2に記載の積層体。
- フッ素樹脂層の表面が、下記(a)、(b)、(c)の少なくとも1つを満たす、請求項1〜3のいずれかに記載の積層体。
(a)未処理状態でフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.6を超える、(b)大気圧プラズマ処理後のフッ素原子数Fと炭素原子数CのF/C比が1.12を超える、(c)大気圧プラズマ処理後の酸素原子数Oと炭素原子数CのO/C比が0.08未満である。 - 大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂からなる内層の処理面と、エピクロルヒドリン系ゴム組成物からなる外層とが加硫接着されてなる積層構造を、少なくとも含むエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層ホースにおいて、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、少なくとも2,3−ジメルカプトキノキサリン系加硫剤を含有し、更に必要により1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7誘導体の塩および/または1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5誘導体の塩を含有する積層ホース。
- フッ素樹脂層の表面が、下記(a)、(b)、(c)の少なくとも1つを満たす、請求項5に記載の積層ホース。
(a)未処理状態でフッ素原子数Fと炭素原子数Cの、F/C比が1.6を超える、(b)大気圧プラズマ処理後のフッ素原子数Fと炭素原子数Cの、F/C比が1.12を超える、(c)大気圧プラズマ処理後の酸素原子数Oと炭素原子数Cの、O/C比が0.08未満である。 - 大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム層とを加硫接着するエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体の製造方法において、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が2,3−ジメルカプトキノキサリン系加硫剤を含有する、積層体の製造方法。
- 大気圧プラズマ処理法が、少なくともアルゴンおよび/またはヘリウムのガス雰囲気で行なわれる請求項7に記載の積層体の製造方法。
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