JP2006269880A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 III−V族窒化物半導体層からなる凸形状の第1の窒化物半導体層の側面に、微結晶構造の第2の窒化物半導体層が積層し、凸形状の上面に第1のアノード電極がショットキー接合し、側面に第2のアノード電極がショットキー接合する。また第2のアノード電極と第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、第1のアノード電極と第1の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高くなるように構成する。
【選択図】 図1
Description
吉田他、「低オン電圧動作 GaN-FESBD」、電気学会研究会資料、社団法人電気学会、2004、EDD−04−69、p17−21 出口他、「低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善」、電子情報通信学会技術研究報告、社団法人電子情報通信学会、2004、ED2004−136、p7−11
Claims (7)
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層の第1の窒化物半導体層からなる凸部と、該凸部側面の前記第1の窒化物半導体層上に積層した、前記第1の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した前記III−V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記凸部上面の前記第1の窒化物半導体層にショットキー接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接続し、前記凸部側面の前記第2の窒化物半導体層にショットキー接合する前記第1のアノード電極と同一あるいは異なる金属からなる第2のアノード電極とを備え、
前記第2のアノード電極と前記第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、前記第1のアノード電極と前記第1の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高いことを特徴とする窒化物半導体装置。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層の第1の窒化物半導体層からなる凸部と、該凸部表面の前記第1の窒化物半導体層上に積層した、前記第1の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した前記III−V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記凸部上面の前記第2の窒化物半導体層にショットキー接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接合し、前記凸部側面の前記第2の窒化物半導体層にショットキー接合する前記第1のアノード電極と異なる金属からなる第2のアノード電極とを備え、
前記第2のアノード電極と前記第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、前記第1のアノード電極と前記第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高いことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 請求項1又は2いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記第2の窒化物半導体層が、微結晶構造であることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1乃至3いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1乃至4いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記凸部の第1の窒化物半導体層の幅は、該凸部の第1の窒化物半導体層の側面で前記第2の窒化物半導体層と接合する第2のアノード電極に逆バイアスを印加して空乏化できる幅であることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1乃至4いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記凸部の不純物濃度は、該凸部の側面で前記第2の窒化物半導体層と接合する第2のアノード電極に逆バイアスを印加して空乏化できる不純物濃度であることを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1乃至6いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記凸部を複数備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。
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