JP2006261322A - Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method - Google Patents

Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2006261322A
JP2006261322A JP2005075381A JP2005075381A JP2006261322A JP 2006261322 A JP2006261322 A JP 2006261322A JP 2005075381 A JP2005075381 A JP 2005075381A JP 2005075381 A JP2005075381 A JP 2005075381A JP 2006261322 A JP2006261322 A JP 2006261322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electromagnetic wave
wave shielding
metal mesh
shielding film
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005075381A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Kobayashi
英一 小林
Hideaki Masuko
英明 増子
Yoshiyuki Iwata
義幸 岩田
Yoshifumi Miyazawa
美文 宮沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
JSR Corp
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd, JSR Corp filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2005075381A priority Critical patent/JP2006261322A/en
Publication of JP2006261322A publication Critical patent/JP2006261322A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic shield film which has a fine metal mesh pattern of high dimensional accuracy and is superior in electromagnetic wave shieldability and light permeability, and to provide a method for manufacturing the electromagnetic shield film inexpensively. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the electromagnetic shield film comprises a process for forming recesses 3 on a surface of a transparent substrate 1 by embossing and a process for forming the metal mesh patterns 4 in the recesses 3. It is desirable that the metal mesh patterns 4 are formed by applying conductive paste on the transparent substrate 1 where the recesses 3 are formed. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの前面板フィルターなどに好適に用いられる電磁波シールドフィルムおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film suitably used for a front plate filter of a plasma display panel and a method for producing the same.

近年、大型の薄型ディスプレイとしてプラズマディスプレイパネル(以下「PDP」ともいう。)が注目されている。
PDPは、2枚の板状ガラスの間に封入したネオンなどの希ガスに電圧を加え、その時に生じる紫外線を発光体に当てることで可視光を発生させている。しかしながら、可視光発生の際に電磁波や近赤外線なども放射されるため、人体に与える影響や周辺の電子機器を誤作動させるといった問題がある。そのため、PDPの前面に、電磁波シールドフィルムや近赤外線吸収フィルムなどが積層された前面板フィルターが設けられている。
In recent years, a plasma display panel (hereinafter also referred to as “PDP”) has attracted attention as a large thin display.
The PDP generates a visible light by applying a voltage to a rare gas such as neon sealed between two plate-like glasses and applying ultraviolet rays generated at that time to a light emitter. However, when visible light is generated, electromagnetic waves, near infrared rays, and the like are also radiated, which causes problems on the human body and malfunctions of surrounding electronic devices. Therefore, a front plate filter in which an electromagnetic wave shielding film, a near-infrared absorbing film, or the like is laminated on the front surface of the PDP is provided.

上記電磁波シールドフィルムとして、たとえば、フィルム基材上に銀(Ag)などの金属薄膜層をスパッタリング法などにより形成した、いわゆるスパッタリングタイプの電磁波シールドフィルムが知られている(たとえば、特許文献1参照)。しかしながら、スパッタリングタイプの電磁波シールドフィルムは、電磁波シールド性と光透過性との両立が難しいという問題がある。   As the electromagnetic wave shielding film, for example, a so-called sputtering type electromagnetic wave shielding film in which a metal thin film layer such as silver (Ag) is formed on a film substrate by a sputtering method or the like is known (for example, see Patent Document 1). . However, the sputtering type electromagnetic shielding film has a problem that it is difficult to achieve both electromagnetic shielding properties and light transmission properties.

これに対して、電磁波シールド性と光透過性とを両立することができる電磁波シールドフィルムとして、たとえば、銅などの金属箔をフィルム基材上にラミネートした後、フォトレジスト法を用いてエッチング処理することにより金属メッシュパターンを形成した、いわゆるエッチングメッシュタイプの電磁波シールドフィルムが知られている(たとえば、特許文献2参照)。   On the other hand, as an electromagnetic wave shielding film that can achieve both electromagnetic wave shielding properties and light transmission properties, for example, after laminating a metal foil such as copper on a film substrate, etching is performed using a photoresist method. A so-called etching mesh type electromagnetic wave shielding film in which a metal mesh pattern is formed is known (for example, see Patent Document 2).

しかしながら、従来のエッチング処理法では、金属箔の積層、金属箔上へのレジスト膜の形成、露光および現像によるレジストパターンの形成、エッチングによる金属メッシュパターンの形成、レジスト膜の剥離、さらに必要に応じて金属メッシュパターンの開口部に透明樹脂を埋め込んで電磁波シールドフィルムの表面を平滑にするといった多くの煩雑な工程を経なければならないという問題があった。   However, in the conventional etching method, metal foil lamination, formation of a resist film on the metal foil, formation of a resist pattern by exposure and development, formation of a metal mesh pattern by etching, peeling of the resist film, and further if necessary In addition, there is a problem that many complicated processes such as embedding a transparent resin in the openings of the metal mesh pattern and smoothing the surface of the electromagnetic shielding film have to be performed.

また、電磁波シールド性および光透過性をさらに向上させるため、より微細で寸法精度の高い金属メッシュパターンの形成が求められるとともに、電磁波シールドフィルムの低コスト化が要求されている現状において、従来のエッチング処理法等では、線幅が20μm以下の微細で寸法精度の高い金属メッシュパターンを形成することが難しく、またエッチング処理工程における工程数の短縮や大幅なコスト削減も難しいという問題があった。   In addition, in order to further improve the electromagnetic wave shielding property and light transmission property, it is required to form a metal mesh pattern with a finer and higher dimensional accuracy, and in the present situation where the cost reduction of the electromagnetic wave shielding film is required, conventional etching is performed. In the processing method or the like, there is a problem that it is difficult to form a metal mesh pattern having a fine line width of 20 μm or less and high dimensional accuracy, and that it is difficult to reduce the number of steps and drastically reduce the cost in the etching process.

したがって、より微細で寸法精度の高い金属メッシュパターンを簡便かつ安価に形成する方法、ならびに、電磁波シールド性および光透過性に優れた電磁波シールドフィルムの開発が求められている。
特開平1−278800号公報 特開平11−145676号公報 特開2002−258759号公報
Therefore, there is a demand for the development of a method for easily and inexpensively forming a finer metal mesh pattern with higher dimensional accuracy and an electromagnetic wave shielding film excellent in electromagnetic wave shielding properties and light transmittance.
JP-A-1-278800 JP 11-145676 A JP 2002-258759 A

本発明の課題は、微細で寸法精度の高い金属メッシュパターンを有し、電磁波シールド
性および光透過性に優れた電磁波シールドフィルムおよび該電磁波シールドフィルムを安価で簡便に製造する方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding film having a fine and highly accurate metal mesh pattern, excellent in electromagnetic wave shielding properties and light transmittance, and a method for producing the electromagnetic wave shielding film inexpensively and easily. is there.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った。その結果、透明基材の表面にエンボス加工を施して凹部を形成し、その凹部内に金属メッシュパターンを形成することにより、寸法精度に優れた微細な金属メッシュパターンを有し、電磁波シールド性および透明性に優れた電磁波シールドフィルムを簡便かつ経済的に製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, the surface of the transparent substrate is embossed to form a recess, and a metal mesh pattern is formed in the recess, thereby having a fine metal mesh pattern with excellent dimensional accuracy, electromagnetic shielding properties and The inventors have found that an electromagnetic wave shielding film excellent in transparency can be produced easily and economically, and have completed the present invention.

すなわち、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造方法は、エンボス加工により透明基材の表面にメッシュ状の凹部を形成する工程と、該凹部内に金属メッシュパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。   That is, the method for producing an electromagnetic wave shielding film according to the present invention includes a step of forming a mesh-like recess on the surface of a transparent substrate by embossing, and a step of forming a metal mesh pattern in the recess. And

本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法は、前記金属メッシュパターンの表面を黒化処理する工程、前記金属メッシュパターンが形成された透明基材を焼成する工程を含んでもよい。   The method for producing an electromagnetic wave shielding film of the present invention may include a step of blackening the surface of the metal mesh pattern and a step of baking the transparent substrate on which the metal mesh pattern is formed.

本発明の製造方法により、エンボス加工により表面にメッシュ状の凹部が形成された透明基材と、該凹部内に形成された線幅が20μm以下の金属メッシュパターンとを有する電磁波シールドフィルムを安価に得られる。   According to the manufacturing method of the present invention, an electromagnetic wave shielding film having a transparent base material having a mesh-like recess formed on the surface by embossing and a metal mesh pattern having a line width of 20 μm or less formed in the recess is inexpensive. can get.

本発明によれば、線幅が20μm以下の微細で寸法精度の高い金属メッシュパターンを透明基材上に簡便に形成することが可能であり、従来のエッチングメッシュタイプの電磁波シールドフィルムと比較して、電磁波シールド性および光透過性に優れ、かつ安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。   According to the present invention, it is possible to easily form a fine and highly accurate metal mesh pattern having a line width of 20 μm or less on a transparent substrate, as compared with a conventional etching mesh type electromagnetic shielding film. In addition, an electromagnetic wave shielding film that is excellent in electromagnetic wave shielding properties and light transmittance and is inexpensive can be obtained.

また、本発明の方法を用いれば、透明基材に形成したメッシュ状の凹部内に金属メッシュパターンが形成されるため、従来のように金属メッシュの開口部に透明樹脂を埋め込むといった平滑処理を行わなくても、充分な表面平滑性を有する電磁波シールドフィルムが得られる。   In addition, if the method of the present invention is used, a metal mesh pattern is formed in the mesh-shaped recess formed in the transparent base material, so that a smooth process such as embedding a transparent resin in the opening portion of the metal mesh is performed as in the past. Even if not, an electromagnetic wave shielding film having sufficient surface smoothness can be obtained.

以下、本発明に係る電磁波シールドフィルムおよびその製造方法について、詳細に説明する。
本発明の電磁波シールドフィルムは、表面にメッシュ状の凹部が形成された透明基材と、該凹部内に形成された金属メッシュパターンとを有する。このような電磁波シールドフィルムは、図1に示すように、透明基材1の表面に直接エンボス加工を施すことにより、メッシュ状の凹部3を形成し、該凹部3内に金属メッシュパターン4を形成することにより製造することができる。
Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail.
The electromagnetic wave shielding film of the present invention has a transparent base material having a mesh-like recess formed on the surface and a metal mesh pattern formed in the recess. As shown in FIG. 1, such an electromagnetic wave shielding film forms a mesh-shaped recess 3 by directly embossing the surface of the transparent substrate 1, and forms a metal mesh pattern 4 in the recess 3. Can be manufactured.

上記透明基材としては、可視波長領域において十分な透明性を有していれば特に限定されず、たとえば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート、ナイロン、トリアセチルセルロース(TAC)、ノルボルネン含有樹脂などの材質からなる透明樹脂フィルムを用いることができる。さらに好ましくは、後述するエンボス加工に適した耐熱性および強度を有する、ノルボルネン系フィルムを用いることができる。プラスチックの材質は、単独でも、2種以上を混合したものでもよい。これらの中では、PET、PEN、TAC、PC、ノ
ルボルネン含有樹脂が、耐熱性、透明性、価格などの点から好ましいが、特に、下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物を含む単量体を開環重合し、さらに水素添加して得られたノルボルネン含有樹脂が、上記透明基材として好適である。
The transparent substrate is not particularly limited as long as it has sufficient transparency in the visible wavelength region. For example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide A transparent resin film made of a material such as polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate, nylon, triacetyl cellulose (TAC) or norbornene-containing resin can be used. More preferably, a norbornene-based film having heat resistance and strength suitable for embossing described later can be used. The plastic material may be a single material or a mixture of two or more. Among these, PET, PEN, TAC, PC, and norbornene-containing resins are preferable from the viewpoints of heat resistance, transparency, price, and the like, and particularly include at least one compound represented by the following formula (1). A norbornene-containing resin obtained by ring-opening polymerization of a monomer and further hydrogenation is suitable as the transparent substrate.

[式(1)中、R1〜R4は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜30の炭化水素基またはその他の1価の有機基を表し、R1〜R4のうち少なくとも一つは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子およびケイ素原子からなる群より選ばれた少なくとも1種の原子を1個以上含む1価の極性基である。また、R1とR2および/またはR3とR4が相互に結合してアルキリデン基を形成していてもよく、R1とR2、R3とR4またはR2とR3が相互に結合して炭素環もしくは複素環を形成してもよい。該炭素環もしくは複素環は、単環構造でも多環構造でもよく、また芳香環でも非芳香環でもよい。mは0〜3の整数であり、pは0または1である。]
上記透明基材の厚みは、通常10〜300μm、好ましくは20〜200μm、特に好ましくは40〜120μmである。透明基材の厚みが上記範囲にあることにより、可視光の透過率に優れるとともに、エンボス加工および金属メッシュ形成を好適に行うことができる。
In Expression (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group, or other monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, of R 1 to R 4 At least one is a monovalent polar group containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and a silicon atom. R 1 and R 2 and / or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form an alkylidene group, and R 1 and R 2 , R 3 and R 4, or R 2 and R 3 may be mutually connected. To form a carbocyclic or heterocyclic ring. The carbocyclic or heterocyclic ring may be a monocyclic structure or a polycyclic structure, and may be an aromatic ring or a non-aromatic ring. m is an integer of 0 to 3, and p is 0 or 1. ]
The thickness of the transparent substrate is usually 10 to 300 μm, preferably 20 to 200 μm, and particularly preferably 40 to 120 μm. When the thickness of the transparent substrate is in the above range, the visible light transmittance is excellent, and embossing and metal mesh formation can be suitably performed.

上記透明基材として用いられるプラスチックフィルムの可視光線透過率は、80%以上であることが好ましく、特に好ましくは85%以上である。可視光透過率が80%未満であると、得られる前面板フィルターが透過率の低いものとなるため、PDPの表示画面が十分な明度を有さないことがある。   The visible light transmittance of the plastic film used as the transparent substrate is preferably 80% or more, and particularly preferably 85% or more. When the visible light transmittance is less than 80%, the obtained front plate filter has a low transmittance, so that the display screen of the PDP may not have sufficient brightness.

上記透明基材表面にメッシュ状の凹部を形成するためのエンボス加工は、通常、金属板に所望のメッシュ状の凸部を形成した金型を、該透明基材に圧着させて行われる。このときの圧着条件としては、プレス圧力が0.8〜10MPa、圧着温度が80〜250℃、圧着時間が1〜60分である。   The embossing for forming the mesh-shaped concave portion on the surface of the transparent substrate is usually performed by pressing a mold having a desired mesh-shaped convex portion on a metal plate to the transparent substrate. As pressure bonding conditions at this time, the press pressure is 0.8 to 10 MPa, the pressure bonding temperature is 80 to 250 ° C., and the pressure bonding time is 1 to 60 minutes.

プレス圧力が0.8MPa未満もしくは10MPaを超える場合、または圧着温度が80℃未満もしくは250℃を超える場合には、プレス後のエンボス加工において、形成されるパターンが所望の形状となりにくく、また、パターンの断面形状が矩形にならず、テーパー状や逆テーパー状になりやすい傾向にある。特にメッシュ状のパターンにおいては、メッシュの交差部において、交差角度が鋭角になりにくく、所望のメッシュが形成されにくいため、電磁波シールドとしての機能が低下してしまう場合がある。これに対して、プレス圧力0.8〜10MPa、圧着温度80〜250℃にすることにより、形成するパターン形状によらず、所望の形状となりやすく、電磁波シールドとしての機能に優れたものとなる。   When the pressing pressure is less than 0.8 MPa or more than 10 MPa, or when the pressure bonding temperature is less than 80 ° C. or more than 250 ° C., the embossing after pressing hardly forms the desired pattern, and the pattern The cross-sectional shape is not rectangular and tends to be tapered or inversely tapered. In particular, in a mesh-like pattern, the intersection angle is unlikely to become an acute angle at a mesh intersection, and a desired mesh is difficult to be formed, so that the function as an electromagnetic wave shield may be reduced. On the other hand, by setting the press pressure to 0.8 to 10 MPa and the pressure bonding temperature to 80 to 250 ° C., the desired shape is easily obtained regardless of the pattern shape to be formed, and the function as an electromagnetic wave shield is excellent.

また、圧着時間が1分未満では、フィルムの下部において密着不足などに起因する不具合が発生し、圧着時間が60分を超えると、フィルムの上部において過剰圧着による不具合が発生することがある。いずれの場合も、形状異常、隣り合うパターンとの短絡などが
発生して電磁波シールド機能が低下する場合がある。これに対して、圧着時間が1〜60分間であれば、パターン形状の不具合がなく、電磁波シールドとしての機能に優れたものとなる。
In addition, if the pressure bonding time is less than 1 minute, a problem due to insufficient adhesion occurs in the lower part of the film, and if the pressure bonding time exceeds 60 minutes, a problem due to excessive pressure bonding may occur in the upper part of the film. In either case, the electromagnetic wave shielding function may be deteriorated due to a shape abnormality, a short circuit between adjacent patterns, and the like. On the other hand, if the crimping time is 1 to 60 minutes, there is no defect in the pattern shape, and the function as an electromagnetic wave shield is excellent.

上記メッシュ状の凹部の断面形状、すなわち金型の凸部の断面形状は、上記プレス条件でエンボス加工を行えば、形状の異常を引き起こしにくいことから特に限定されず、たとえば、三角形、四角形、多角形、半円状などの形状が挙げられ、金型凸部の加工性や寸法精度を考慮して適宜選択すればよい。このような凸部を有する金型は、通常フォトエッチング加工や機械加工などによって作製される。   The cross-sectional shape of the mesh-shaped concave portion, that is, the cross-sectional shape of the convex portion of the mold is not particularly limited because it is unlikely to cause abnormal shape if embossing is performed under the above pressing conditions. Examples of the shape include a square shape and a semicircular shape, and the shape may be appropriately selected in consideration of the workability and dimensional accuracy of the mold convex portion. A mold having such convex portions is usually produced by photoetching or machining.

上記透明基材には、エンボス加工を施す面の反対側の面に保護フィルムが積層されていてもよい。また、前記保護フィルムの代わりに、近赤外カット、ネオンカット、色調調整、反射防止、帯電防止などの機能を持たせた機能性光学フィルムを透明基材に積層させてもよい。なお、このような機能性光学フィルムはエンボス加工前に透明基材に積層させても、エンボス加工後または金属メッシュパターン形成後に透明基材に積層させてもよい。また、エンボス加工および金属メッシュパターン形成時は上記保護フィルムを透明基材に積層させておき、金属メッシュパターン形成後に保護フィルムを剥離して機能性光学フィルムを積層させてもよい。上記保護フィルムまたは機能性光学フィルムには、さらにセパレーターが積層されていてもよい。   The transparent substrate may be laminated with a protective film on the surface opposite to the surface to be embossed. Further, instead of the protective film, a functional optical film having functions such as near-infrared cut, neon cut, color tone adjustment, antireflection, and antistatic may be laminated on the transparent substrate. In addition, such a functional optical film may be laminated | stacked on a transparent base material before embossing, or may be laminated | stacked on a transparent base material after embossing or metal mesh pattern formation. Moreover, at the time of embossing and metal mesh pattern formation, the said protective film may be laminated | stacked on a transparent base material, and after forming a metal mesh pattern, a protective film may be peeled and a functional optical film may be laminated | stacked. A separator may be further laminated on the protective film or functional optical film.

上記メッシュ状の凹部内に形成される金属メッシュパターンを構成する金属としては、銅、銀、金、白金、鉄、ニッケル、アルミニウム、タングステン、クロム、チタンなどの導電性を有する金属、およびこれらの金属の2種以上を組み合わせた合金、さらには炭素などが挙げられる。上記金属は1種単独でも、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、加工性、導電性および価格の観点から銅および銀を主成分とすることが好ましい。   As the metal constituting the metal mesh pattern formed in the mesh-shaped recess, conductive metal such as copper, silver, gold, platinum, iron, nickel, aluminum, tungsten, chromium, titanium, and these An alloy in which two or more kinds of metals are combined, and carbon are also included. The said metal may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, it is preferable that copper and silver are the main components from the viewpoint of processability, conductivity, and cost.

金属メッシュパターンの形成方法としては、上記凹部内に金属層を形成することができれば特に限定されず、たとえば、金属粉を含有する導電性ペーストの塗布、メッキ、スパッタリング、蒸着、印刷などが挙げられる。これらの中では、簡便かつ経済的であり、得られる金属層の均一性に優れることから、導電性ペーストの塗布による形成方法が好ましい。   The method for forming the metal mesh pattern is not particularly limited as long as the metal layer can be formed in the recess, and examples thereof include application of a conductive paste containing metal powder, plating, sputtering, vapor deposition, and printing. . In these, since it is simple and economical and it is excellent in the uniformity of the metal layer obtained, the formation method by application | coating of an electrically conductive paste is preferable.

導電性ペーストは、銀または銀−カーボン(カーボン割合0.2〜5質量%)からなる導電性粒子と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などから選ばれる樹脂成分とを含有しており、特に、銀−カーボンからなる導電性粒子とポリエステル樹脂とを含有されたものであることが好ましい。銀−カーボンからなる導電性粒子が好ましい理由は、導電性粒子内にカーボンを含有させることにより、フィルムを形成した際に反射を抑制することができるからである。   The conductive paste contains conductive particles made of silver or silver-carbon (carbon ratio 0.2 to 5% by mass) and a resin component selected from an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, and the like. It is preferable that conductive particles made of silver-carbon and a polyester resin are contained. The reason why conductive particles made of silver-carbon are preferable is that, when carbon is contained in the conductive particles, reflection can be suppressed when a film is formed.

導電性ペーストの塗布は、スキージを用いた印刷のような方法をとることができる。塗布により過剰に付着したペーストは、スキージにより平坦化させてもよいし、表面を研磨してもよい。例えば、CMPスラリーのような研磨粒子による研磨を行ってもよい。導電性ペーストの塗布後、必要に応じて焼成を加えることができる。焼成条件としては、100〜200℃の温度条件で、20分〜1時間程度行うことが好ましい。   The conductive paste can be applied by a method such as printing using a squeegee. The paste adhered excessively by application may be flattened with a squeegee or the surface may be polished. For example, polishing with abrasive particles such as CMP slurry may be performed. After application of the conductive paste, baking can be added as necessary. As firing conditions, it is preferable to carry out at a temperature of 100 to 200 ° C. for about 20 minutes to 1 hour.

上記金属メッシュパターンは、線幅が細く、線間隔(ピッチ)が広くなるほど、開口率が高くなり光透過性は向上する。しかしながら、線幅を細くした場合、ピッチが広くなりすぎると、フィルム表面の導電性が不足して電磁波シールド性が低下する傾向にある。したがって、本発明においては、線幅が1〜50μm、好ましくは3〜30μm、特に好ま
しくは5〜20μmの範囲にあり、線間隔が5〜500μm、好ましくは20〜400μm、特に好ましくは50〜300μmの範囲にあることが望ましい。
The metal mesh pattern has a narrower line width and wider line spacing (pitch), resulting in a higher aperture ratio and improved light transmission. However, when the line width is narrowed, if the pitch becomes too wide, the conductivity of the film surface is insufficient and the electromagnetic wave shielding property tends to be lowered. Therefore, in the present invention, the line width is 1 to 50 μm, preferably 3 to 30 μm, particularly preferably 5 to 20 μm, and the line interval is 5 to 500 μm, preferably 20 to 400 μm, particularly preferably 50 to 300 μm. It is desirable to be in the range.

上記範囲の線幅および線間隔を有する金属メッシュパターンを形成することにより、良好な電磁波シールド性および光透過性が得られる。なお、本発明の方法を用いれば、線幅20μm以下のパターンを精度よく作成することが可能であり、さらには従来困難であった線幅10μm以下のパターンについても高い寸法精度で形成することも可能である。   By forming a metal mesh pattern having a line width and a line interval in the above ranges, good electromagnetic wave shielding properties and light transmittance can be obtained. By using the method of the present invention, it is possible to accurately create a pattern with a line width of 20 μm or less, and it is also possible to form a pattern with a line width of 10 μm or less, which has been difficult in the past, with high dimensional accuracy. Is possible.

また、上記金属メッシュパターンの厚み、すなわちエンボス加工により形成される凹部の深さは、1〜50μm、好ましくは3〜30μm、特に好ましくは5〜20μmであることが望ましい。金属メッシュパターンの厚みが上記範囲にあることにより、電磁波シールド性およびディスプレイの視野角などに優れるとともに、均一で強度に優れた金属メッシュパターンを効率的かつ経済的に形成することができる。   The thickness of the metal mesh pattern, that is, the depth of the recess formed by embossing, is 1 to 50 μm, preferably 3 to 30 μm, and particularly preferably 5 to 20 μm. When the thickness of the metal mesh pattern is within the above range, it is possible to efficiently and economically form a metal mesh pattern that is excellent in electromagnetic wave shielding properties and viewing angle of the display, and that is uniform and excellent in strength.

上記のようにして形成された金属メッシュパターンの表面が銅などの金属色や白色系であると、可視光線反射率が増加してディスプレイのコントラストや視認性を低下させることがある。したがって、上記のようにして形成された金属メッシュパターンの表面を黒化処理することが好ましい。黒化処理の方法としては、電磁波シールド性を損なわなければ特に限定されず、従来公知の黒化処理方法、たとえば、金属メッシュパターンの表面を酸化処理する方法、ニッケルメッキやクロムメッキなどのメッキ処理による方法、アルカリ液等による表面処理による方法などが挙げられる。また、予め導電性ペーストにカーボンなどの黒色成分を混合しておくことでメッシュパターンを黒化することもできる。   If the surface of the metal mesh pattern formed as described above is a metal color such as copper or white, the visible light reflectance may increase and the contrast and visibility of the display may be lowered. Therefore, it is preferable to blacken the surface of the metal mesh pattern formed as described above. The blackening treatment method is not particularly limited as long as the electromagnetic wave shielding property is not impaired, and a conventionally known blackening treatment method, for example, a method of oxidizing the surface of a metal mesh pattern, a plating treatment such as nickel plating or chrome plating, etc. And a method by surface treatment with an alkali solution or the like. Further, the mesh pattern can be blackened by previously mixing a black component such as carbon with the conductive paste.

本発明においては、上記のようにして金属メッシュパターンが形成された透明基材の電磁波シールド性能を向上させるため、焼成処理してもよい。この場合の焼成温度は50〜400℃の範囲内で実施することが好ましく、特に好ましい焼成温度範囲は100〜300℃である。上記条件で焼成を行うことにより、導電性粒子の焼結が促進され、電磁波シールド特性の一つである電界シールド性能が向上するとともに、金属メッシュの機械的強度が高まり、電磁波シールドフィルムの屈曲耐性が向上する。   In the present invention, in order to improve the electromagnetic wave shielding performance of the transparent substrate on which the metal mesh pattern is formed as described above, a baking treatment may be performed. The firing temperature in this case is preferably carried out within a range of 50 to 400 ° C, and a particularly preferred firing temperature range is 100 to 300 ° C. By firing under the above conditions, the sintering of the conductive particles is promoted, the electric field shielding performance, which is one of the electromagnetic shielding characteristics, is improved, the mechanical strength of the metal mesh is increased, and the bending resistance of the electromagnetic shielding film is increased. Will improve.

上記のように、本発明の方法によれば、従来のエッチング処理法による金属メッシュパターンの形成方法と比較して、大幅に工程数を削減することができるとともに、寸法精度が高い微細な金属メッシュパターンを形成することができる。すなわち、本発明によれば、電磁波シールド性および光透過性に優れた電磁波シールドフィルムを、低コストで製造することができる。このような本発明の電磁波シールドフィルムは、たとえば、プラズマディスプレイパネルの前面板フィルターなどに好適に用いることができ、優れた電磁波シールド性を発揮するとともに、ディスプレイの輝度や画質についても向上させることができる。   As described above, according to the method of the present invention, the number of steps can be greatly reduced and a fine metal mesh with high dimensional accuracy can be obtained as compared with a conventional method for forming a metal mesh pattern by an etching method. A pattern can be formed. That is, according to this invention, the electromagnetic wave shielding film excellent in electromagnetic wave shielding property and light transmittance can be manufactured at low cost. Such an electromagnetic wave shielding film of the present invention can be suitably used for, for example, a front plate filter of a plasma display panel, and exhibits excellent electromagnetic wave shielding properties, and can improve the luminance and image quality of the display. it can.

[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
[Example]
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples at all.

〔実施例1〕
図1に、本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法の概略図を示す。
透明基材1として厚さ100μmのノルボルネン含有樹脂フィルム(JSR(株)製、商品名「ARTON」、サイズ;20cm×20cm、透過率92%)を用い、これに、金属板(材質:ニッケル)にメッシュ状の凸部を形成した金型2を、プレス圧3MPa、温度250℃の条件で5分間圧着させた。透明基材1から金型2を離すと、メッシュ状の凹部3(深さ20μm)が表面に形成されたフィルム基材が得られた(図2)。
[Example 1]
In FIG. 1, the schematic of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film of this invention is shown.
As the transparent substrate 1, a norbornene-containing resin film having a thickness of 100 μm (manufactured by JSR Corporation, trade name “ARTON”, size: 20 cm × 20 cm, transmittance 92%) is used, and a metal plate (material: nickel) The mold 2 having mesh-like convex portions formed thereon was pressed for 5 minutes under the conditions of a press pressure of 3 MPa and a temperature of 250 ° C. When the mold 2 was separated from the transparent base material 1, a film base material having a mesh-shaped concave portion 3 (depth 20 μm) formed on the surface was obtained (FIG. 2).

凹部が形成されたノルボルネン含有樹脂フィルム基材に、銅粒子(平均粒径0.5μm/1.0μmの混合物)80重量%、ポリエステル樹脂10重量%および酢酸エチレングリコールモノブチルエーテル10重量%からなる導電性ペーストを塗布して硬化することにより、凹部3内に銅を主成分とする金属メッシュパターン4(図3)が形成された電磁波シールドフィルム5が得られた。   A conductive material comprising 80% by weight of copper particles (mixture having an average particle size of 0.5 μm / 1.0 μm), 10% by weight of a polyester resin and 10% by weight of ethylene glycol monobutyl ether on a norbornene-containing resin film substrate having a recess. The electromagnetic wave shielding film 5 in which the metal mesh pattern 4 (FIG. 3) which has copper as a main component was formed in the recessed part 3 was obtained by apply | coating and hardening an adhesive paste.

〔実施例2〕
透明基材1として厚さ100μmのノルボルネン含有樹脂フィルム(JSR(株)製、商品名「ARTON」、サイズ;20cm×20cm、透過率92%)を用い、これに、金属板(材質:ニッケル)にメッシュ状の凸部を形成した金型2を、プレス圧3MPa、温度250℃の条件で5分間圧着させた。透明基材1から金型2を離すと、メッシュ状の凹部3(深さ20μm)が表面に形成されたフィルム基材が得られた(図2)。
[Example 2]
As the transparent substrate 1, a norbornene-containing resin film having a thickness of 100 μm (manufactured by JSR Corporation, trade name “ARTON”, size: 20 cm × 20 cm, transmittance 92%) is used, and a metal plate (material: nickel) The mold 2 having mesh-like convex portions formed thereon was pressed for 5 minutes under the conditions of a press pressure of 3 MPa and a temperature of 250 ° C. When the mold 2 was separated from the transparent base material 1, a film base material having a mesh-shaped concave portion 3 (depth 20 μm) formed on the surface was obtained (FIG. 2).

凹部が形成されたノルボルネン含有樹脂フィルム基材に、銀粒子(平均粒径5〜8μm)75重量%、カーボン粒子(平均粒径5〜8μm)1重量%、ポリエステル樹脂10重量%および酢酸エチレングリコールモノブチルエーテル14重量%からなる導電性ペーストを塗布して硬化することにより、凹部3内に銀を主成分とする金属メッシュパターン4(図3)が形成された電磁波シールドフィルム5が得られた。   A norbornene-containing resin film base material having recesses formed thereon is coated with 75% by weight of silver particles (average particle size 5-8 μm), 1% by weight of carbon particles (average particle size 5-8 μm), 10% by weight of polyester resin, and ethylene glycol acetate. By applying and curing a conductive paste composed of 14% by weight of monobutyl ether, the electromagnetic wave shielding film 5 in which the metal mesh pattern 4 (FIG. 3) mainly composed of silver was formed in the recess 3 was obtained.

〔評価〕
実施例1および2で得られた電磁波シールドフィルムについて以下の方法で評価を行った。結果を表1に示す。
[Evaluation]
The electromagnetic wave shielding films obtained in Examples 1 and 2 were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

(外観評価)
形成された金属メッシュパターンの線幅、線間隔、厚みを測定した。
(電磁波シールド性)
関西電子工業振興センター法(KEC法)による評価を実施した。シールドプレートの間に試料を挟み、特定周波数の電磁波を発信させ、試料を通過する電界および磁界を他方で受信し、試料通過による減衰を測定する。測定は、温度22.5℃、湿度64%RH、気圧997hPa、100kHz〜1GHzの条件で行った。
(Appearance evaluation)
The line width, line interval, and thickness of the formed metal mesh pattern were measured.
(Electromagnetic shielding)
The Kansai Electronics Industry Promotion Center Act (KEC method) was used for evaluation. A sample is sandwiched between shield plates, an electromagnetic wave having a specific frequency is transmitted, an electric field and a magnetic field passing through the sample are received on the other side, and attenuation due to the sample passing is measured. The measurement was performed under conditions of a temperature of 22.5 ° C., a humidity of 64% RH, an atmospheric pressure of 997 hPa, and 100 kHz to 1 GHz.

(光透過性)
スガ試験機社製ヘイズメーター「HGM−2DP型」を使用して全光線透過率を測定した。
(Optical transparency)
The total light transmittance was measured using a haze meter “HGM-2DP type” manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.

(表面平滑性)
プラスチィックフィルム上の金属メッシュパターンによる凹凸量を、図5に示すようにフィルムに対して垂直方向に測定した。
(Surface smoothness)
The amount of unevenness due to the metal mesh pattern on the plastic film was measured in the direction perpendicular to the film as shown in FIG.

本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shield film which concerns on this invention. エンボス加工後(導電性ペースト塗布前)における透明基板(加工ピッチ200μm、凹幅20μm、深さ20μm)の斜め上方(左図)および真上(右図)から見たSEM写真である。It is the SEM photograph seen from diagonally upper (left figure) and right above (right figure) of the transparent substrate (processing pitch 200 μm, concave width 20 μm, depth 20 μm) after embossing (before applying conductive paste). 導電ペースト塗布焼成後の真上(左図)および断面(右図)の写真である。It is a photograph of the upper part (left figure) and cross section (right figure) after conductive paste application | coating baking. 電磁波シールド性能の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of electromagnetic wave shielding performance. 実施例で行った表面平滑性の測定量に関する説明図である。It is explanatory drawing regarding the measured amount of the surface smoothness performed in the Example.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・透明基材
2・・・エンボス加工用金型
3・・・凹部
4・・・金属メッシュパターン
5・・・電磁波シールドフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent base material 2 ... Embossing metal mold 3 ... Recessed part 4 ... Metal mesh pattern 5 ... Electromagnetic shielding film

Claims (10)

エンボス加工により透明基材の表面に凹部を形成する工程と、該凹部内に金属メッシュパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。   The manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film characterized by including the process of forming a recessed part in the surface of a transparent base material by embossing, and the process of forming a metal mesh pattern in this recessed part. 前記透明基材が、押出成形法またはキャスト法により製造された可視光透過率80%以上のプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。   The method for producing an electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the transparent substrate is a plastic film having a visible light transmittance of 80% or more produced by an extrusion molding method or a casting method. 前記透明基材がノルボルネン系樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。   The method for producing an electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the transparent substrate is a norbornene-based resin film. 前記ノルボルネン系樹脂が、下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物を含む単量体を開環重合し、さらに水素添加して得られた樹脂であることを特徴とする請求項3に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
[式(1)中、R1〜R4は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜30の炭化水素基またはその他の1価の有機基を表し、R1〜R4のうち少なくとも一つは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子およびケイ素原子からなる群より選ばれた少なくとも1種の原子を1個以上含む1価の極性基である。また、R1とR2および/またはR3とR4が相互に結合してアルキリデン基を形成していてもよく、R1とR2、R3とR4またはR2とR3が相互に結合して炭素環もしくは複素環を形成してもよい。該炭素環もしくは複素環は、単環構造でも多環構造でもよく、また芳香環でも非芳香環でもよい。mは0〜3の整数であり、pは0または1である。]
The said norbornene-type resin is resin obtained by carrying out ring-opening polymerization of the monomer containing the at least 1 sort (s) of compound represented by following formula (1), and also hydrogenating. The manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film of description.
In Expression (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group, or other monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, of R 1 to R 4 At least one is a monovalent polar group containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and a silicon atom. R 1 and R 2 and / or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form an alkylidene group, and R 1 and R 2 , R 3 and R 4, or R 2 and R 3 may be mutually connected. To form a carbocyclic or heterocyclic ring. The carbocyclic or heterocyclic ring may be a monocyclic structure or a polycyclic structure, and may be an aromatic ring or a non-aromatic ring. m is an integer of 0 to 3, and p is 0 or 1. ]
前記金属メッシュパターンを構成する主成分が銅または銀であり、該金属メッシュパターンが形成された透明基材を50〜400℃の温度で焼成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。   The main component constituting the metal mesh pattern is copper or silver, and further includes a step of firing the transparent base material on which the metal mesh pattern is formed at a temperature of 50 to 400 ° C. The manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film of description. エンボス加工により表面に凹部が形成された透明基材と、該凹部内に形成された金属メッシュパターンとを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。   An electromagnetic wave shielding film comprising: a transparent base material having a concave portion formed on the surface by embossing; and a metal mesh pattern formed in the concave portion. 前記透明基材が、押出成形法またはキャスト法により製造された可視光透過率80%以上のプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項6に記載の電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 6, wherein the transparent substrate is a plastic film having a visible light transmittance of 80% or more produced by an extrusion molding method or a casting method. 前記透明基材がノルボルネン系樹脂フィルムであることを特徴とする請求項6に記載の電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 6, wherein the transparent substrate is a norbornene resin film. 前記ノルボルネン系樹脂が、下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物を含む単量体を開環重合し、さらに水素添加して得られた樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の電磁波シールドフィルム。
[式(1)中、R1〜R4は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜30の炭化水素基またはその他の1価の有機基を表し、R1〜R4のうち少なくとも一つは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子およびケイ素原子からなる群より選ばれた少なくとも1種の原子を1個以上含む1価の極性基である。また、R1とR2および/またはR3とR4が相互に結合してアルキリデン基を形成していてもよく、R1とR2、R3とR4またはR2とR3が相互に結合して炭素環もしくは複素環を形成してもよい。該炭素環もしくは複素環は、単環構造でも多環構造でもよく、また芳香環でも非芳香環でもよい。mは0〜3の整数であり、pは0または1である。]
9. The norbornene-based resin is a resin obtained by subjecting a monomer containing at least one compound represented by the following formula (1) to ring-opening polymerization and hydrogenation. The electromagnetic wave shielding film as described in 2.
In Expression (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group, or other monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, of R 1 to R 4 At least one is a monovalent polar group containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and a silicon atom. R 1 and R 2 and / or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form an alkylidene group, and R 1 and R 2 , R 3 and R 4, or R 2 and R 3 may be mutually connected. To form a carbocyclic or heterocyclic ring. The carbocyclic or heterocyclic ring may be a monocyclic structure or a polycyclic structure, and may be an aromatic ring or a non-aromatic ring. m is an integer of 0 to 3, and p is 0 or 1. ]
前記金属メッシュパターンを構成する主成分が銅または銀であり、該金属メッシュパターンが形成された透明基材を50〜400℃の温度で焼成したことを特徴とする請求項7に記載の電磁波シールドフィルム。   8. The electromagnetic wave shield according to claim 7, wherein the main component constituting the metal mesh pattern is copper or silver, and the transparent substrate on which the metal mesh pattern is formed is baked at a temperature of 50 to 400 ° C. the film.
JP2005075381A 2005-03-16 2005-03-16 Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method Pending JP2006261322A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005075381A JP2006261322A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005075381A JP2006261322A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006261322A true JP2006261322A (en) 2006-09-28

Family

ID=37100239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005075381A Pending JP2006261322A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006261322A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278617A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Jsr Corp Electromagnetic wave shielding film
JP2010507261A (en) * 2006-10-18 2010-03-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Method for patterning a material on a polymer substrate
US7727578B2 (en) 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US7960027B2 (en) 2008-01-28 2011-06-14 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
KR101343311B1 (en) * 2012-02-08 2013-12-18 주식회사 아모텍 Surface Treatment Method of Ferrite Sheet and Ferrite Sheet manufacturing Method for using Thereof
JP2014505942A (en) * 2011-01-13 2014-03-06 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Touch panel, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device including touch panel
JP2014103419A (en) * 2006-10-18 2014-06-05 3M Innovative Properties Co Method for forming pattern of deposit metal on polymeric substrate
JP2014520361A (en) * 2012-05-09 2014-08-21 南昌欧菲光科技有限公司 Patterned transparent conductive film based on random grid
JP2014236007A (en) * 2013-05-30 2014-12-15 南昌欧菲光科技有限公司 Transparent conducting film
JP2015510247A (en) * 2013-02-04 2015-04-02 ナンチャン オー−フィルム テック カンパニー リミテッド Transparent conductive film
JP2016516903A (en) * 2013-04-02 2016-06-09 エムエスティ− コリア シ−オ−., エルティ−ディ−.MST KOREA Co., Ltd. Laser direct structuring method
EP3614418A1 (en) * 2008-02-28 2020-02-26 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US10620767B2 (en) 2008-02-28 2020-04-14 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112597A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Mitsui Petrochem Ind Ltd Electromagnetic wave shielding body
JPH11346088A (en) * 1998-06-02 1999-12-14 Dainippon Printing Co Ltd Electromagnetic shielding plate and manufacture thereof
JP2000156489A (en) * 1998-11-20 2000-06-06 Sony Corp Ccd solid state image sensor
JP2001156489A (en) * 1999-09-17 2001-06-08 Tomoegawa Paper Co Ltd Electromagnetic wave shielding material and its manufacturing method
JP2001284879A (en) * 2000-03-28 2001-10-12 Hitachi Chem Co Ltd Electromagnetic wave shielding material, its manufacturing method and its utilization
JP2005010615A (en) * 2003-06-20 2005-01-13 Jsr Corp Optical film and its use
JP2005503942A (en) * 2001-08-28 2005-02-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Embedded electrical trace and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112597A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Mitsui Petrochem Ind Ltd Electromagnetic wave shielding body
JPH11346088A (en) * 1998-06-02 1999-12-14 Dainippon Printing Co Ltd Electromagnetic shielding plate and manufacture thereof
JP2000156489A (en) * 1998-11-20 2000-06-06 Sony Corp Ccd solid state image sensor
JP2001156489A (en) * 1999-09-17 2001-06-08 Tomoegawa Paper Co Ltd Electromagnetic wave shielding material and its manufacturing method
JP2001284879A (en) * 2000-03-28 2001-10-12 Hitachi Chem Co Ltd Electromagnetic wave shielding material, its manufacturing method and its utilization
JP2005503942A (en) * 2001-08-28 2005-02-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Embedded electrical trace and method of manufacturing the same
JP2005010615A (en) * 2003-06-20 2005-01-13 Jsr Corp Optical film and its use

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278617A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Jsr Corp Electromagnetic wave shielding film
JP2010507261A (en) * 2006-10-18 2010-03-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Method for patterning a material on a polymer substrate
US8764996B2 (en) 2006-10-18 2014-07-01 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a material on polymeric substrates
JP2014103419A (en) * 2006-10-18 2014-06-05 3M Innovative Properties Co Method for forming pattern of deposit metal on polymeric substrate
US7727578B2 (en) 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US7960027B2 (en) 2008-01-28 2011-06-14 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
US11822750B2 (en) 2008-02-28 2023-11-21 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US10691275B2 (en) 2008-02-28 2020-06-23 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US11620024B2 (en) 2008-02-28 2023-04-04 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US11429231B2 (en) 2008-02-28 2022-08-30 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US10860147B2 (en) 2008-02-28 2020-12-08 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US10817121B2 (en) 2008-02-28 2020-10-27 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
EP3614418A1 (en) * 2008-02-28 2020-02-26 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
US10620767B2 (en) 2008-02-28 2020-04-14 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
JP2014505942A (en) * 2011-01-13 2014-03-06 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Touch panel, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device including touch panel
KR101343311B1 (en) * 2012-02-08 2013-12-18 주식회사 아모텍 Surface Treatment Method of Ferrite Sheet and Ferrite Sheet manufacturing Method for using Thereof
JP2014520361A (en) * 2012-05-09 2014-08-21 南昌欧菲光科技有限公司 Patterned transparent conductive film based on random grid
JP2015510247A (en) * 2013-02-04 2015-04-02 ナンチャン オー−フィルム テック カンパニー リミテッド Transparent conductive film
JP2016516903A (en) * 2013-04-02 2016-06-09 エムエスティ− コリア シ−オ−., エルティ−ディ−.MST KOREA Co., Ltd. Laser direct structuring method
JP2014236007A (en) * 2013-05-30 2014-12-15 南昌欧菲光科技有限公司 Transparent conducting film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006261322A (en) Electromagnetic wave shield film and its manufacturing method
US6599681B2 (en) Electromagnetic filter for display screens
JP5046495B2 (en) Transparent conductive film and method for producing the same
CN103597427A (en) Conductive substrate and touchscreen having same
JP6070356B2 (en) Manufacturing method of conductive sheet for touch panel, and conductive sheet for touch panel
JPH02296398A (en) Window for shielding fref of moire pattern
US7560135B2 (en) Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate and manufacturing method thereof
TWI272893B (en) Electromagnetic shielding sheet, front plate and display
JP5039315B2 (en) Electromagnetic wave shielding film and manufacturing method thereof
JP3017988B1 (en) Transparent electromagnetic wave shield member and method of manufacturing the same
JP2006278617A (en) Electromagnetic wave shielding film
JP3386743B2 (en) Method of manufacturing electromagnetic wave shielding adhesive film for PDP and method of manufacturing electromagnetic wave shielding structure and plasma display for PDP
JPH11298185A (en) Transparent electromagnetic wave shielding material and its manufacture
WO2003045127A1 (en) Electromagnetic wave shielded light-transmissive material and manufacturing method thereof
JP2000223036A (en) Transparent plate for shielding electromagnetic wave, and plasma display device
US20070128412A1 (en) Structure of an electromagnetic shield layer for a plasma display panel and method for manufacturing the same
JP2011222853A (en) Method of manufacturing electromagnetic wave shielding filter, and electromagnetic wave shielding filter
JP2001177290A (en) Light transmission electromagnetic shield member and manufacturing method therefor
JP4337610B2 (en) Electromagnetic shielding light transmissive window material and method for manufacturing the same
JP2000013089A (en) Electromagnetic-wave shielding material for display
JPH11346088A (en) Electromagnetic shielding plate and manufacture thereof
JP2004022851A (en) Translucent electromagnetic shielding material and its manufacturing method
JP5054466B2 (en) Electromagnetic wave shielding film, method for producing electromagnetic wave shielding film, optical sheet body for display, and display device
JP2007173566A (en) Electromagnetic wave shielding film, display structure for electromagnetic wave shielding, display, and method for manufacturing both
JP2016103138A (en) Transparent conductive base material

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071207

A977 Report on retrieval

Effective date: 20100129

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20100202

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100326

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100928