JP2006225232A - 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、および薄膜エピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを成長し、その成長した炭化珪素単結晶インゴットから再び{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を切り出し、炭化珪素単結晶成長を複数回繰返す炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、第(n−1)成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第n成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との{0001}面内における角度差が45°以上135°以下である。
【選択図】 なし
Description
である。
2…SiC粉末原料
3…黒鉛製坩堝
4…黒鉛製坩堝蓋
5…二重石英管
6…支持棒
7…黒鉛製フェルト
8…ワークコイル
9…Arガス配管
10…Arガス用マスフローコントローラ
11…真空排気装置
Claims (10)
- 炭化珪素単結晶よりなる種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてバルク状の炭化珪素単結晶インゴットを製造する製造方法において、
該製造方法はN回(Nは、N≧2の自然数)の成長工程を含み、各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合、{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを成長させ、その成長した単結晶インゴットから再び{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を切り出し、炭化珪素単結晶成長をN回繰返す炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、第(n−1)成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第n成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との{0001}面内における角度差が45°以上135°以下である炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。 - 前記種結晶の成長面上の傾斜面と{0001}面の間の角度が45°以上90°未満である請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第(n−1)成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第n成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との{0001}面内における角度差が60°以上120°以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向が{0001}面内における<1−100>方向を中心に−15°以上15°以内にある請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向が{0001}面内における<11−20>方向を中心に−15°以上15°以内にある請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一つに記載の製造方法により得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が50mm以上300mm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
- 請求項6に記載の炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットから切り出した{0001}面8°オフウェハ上で計測される転位に起因したエッチピット密度の合計が1×104cm−2以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
- 請求項6又は7に記載の炭化珪素単結晶インゴットを切断、研磨してなる炭化珪素単結晶基板。
- 請求項8に記載の炭化珪素単結晶基板に、炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ。
- 請求項8に記載の炭化珪素単結晶基板に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。
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