JP2006221162A - 表示装置用配線、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
表示装置用配線、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006221162A JP2006221162A JP2006021337A JP2006021337A JP2006221162A JP 2006221162 A JP2006221162 A JP 2006221162A JP 2006021337 A JP2006021337 A JP 2006021337A JP 2006021337 A JP2006021337 A JP 2006021337A JP 2006221162 A JP2006221162 A JP 2006221162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- copper alloy
- copper
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 35
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 11
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
- A47G23/00—Other table equipment
- A47G23/02—Glass or bottle holders
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
- A47G19/00—Table service
- A47G19/22—Drinking vessels or saucers used for table service
- A47G19/23—Drinking vessels or saucers used for table service of stackable type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
- A47G2400/00—Details not otherwise provided for in A47G19/00-A47G23/16
- A47G2400/02—Hygiene
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
【解決手段】本発明は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【選択図】図2
【解決手段】本発明は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
液晶表示装置(Liquid Crystal Display)は、現在最も広く使用されている平板表示装置(Flat Panel Display)のうちの一つであって、電極が形成されている二枚の基板とその間に挿入されている液晶層とからなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって、透過する光の量を調節する表示装置である。
液晶表示装置の中でも現在主に用いられているのは、電界生成電極が二つの表示板に各々備えられている構造である。この中でも、一つの表示板には複数の画素電極が行列状に配列されており、他の表示板には一つの共通電極が表示板の全面を覆っている構造の形態が主流である。このような液晶表示装置での画像の表示は、各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。このために、画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタを各画素電極に接続し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線とを表示板になす。薄膜トランジスタは、ゲート線を通じて伝達される走査信号に応じて、データ線を通じて伝達される画像信号を画素電極に伝達又は遮断するスイッチング素子としての役割を果たす。また、このような薄膜トランジスタは、自ら発光する素子である能動型有機発光表示素子(Active Matrix Organic Light Emitting Device; AM−OLED)においても、これら各発光素子を個別的に制御するスイッチング素子としての役割を果たす。
このような薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を含むゲート線、ソース電極を含むデータ線、及びドレイン電極などの材料としてはクロム(Cr)が主に利用された。
しかし、液晶表示装置又は有機発光表示素子の面積が次第に大型化される傾向に伴ってゲート線及びデータ線の長さも長くなるようになり、そのために、従来のクロム配線を利用すると相対的に高い抵抗によって信号遅延などの問題が発生する。
このような問題点を克服するために、低い比抵抗を有する銅(Cu)が大面積液晶表示装置に適した金属として知られているが、銅(Cu)は、ガラス基板との接着性及び下部層又は上部層への拡散問題のため、実際の工程に適用するには信頼性が劣る。
本発明は前記問題点を解決するためのものであって、低抵抗性及び信頼性を同時に確保できる表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板を提供することを目的とする。
本発明による表示装置用配線は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金からなる。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に形成されたゲート線と、前記ゲート線と交差して形成されたデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極とを含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金からなる。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極を含むゲート線と、前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の所定の領域に形成された半導体層と、前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に形成された抵抗性接触部材と、前記抵抗性接触部材上に形成されており、前記抵抗性接触部材より狭い幅で形成されているソース電極を含むデータ線と、及び前記抵抗性接触部材上に形成されており、前記抵抗性接触部材より狭い幅で形成されており、前記ソース電極と所定の間隔をおいて対向しているドレイン電極と、並びに前記ドレイン電極に接続されている画素電極とを含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくともある一つは、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金からなる。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上に、ゲート電極を含むゲート線を形成し、前記ゲート線上に、ゲート絶縁膜、半導体層、及び抵抗性接触部材を順に積層して形成し、前記抵抗性接触部材及び前記半導体層をエッチングしてパターニングし、前記絶縁膜及び前記抵抗性接触部材上に、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金層を形成し、前記銅合金層の上部にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンに沿って前記銅合金層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と所定の間隔をおいて対向しているドレイン電極を形成し、前記フォトレジストパターンを利用して前記抵抗性接触部材をエッチングし、前記ドレイン電極に接続される画素電極をなす。
本発明によれば、銅にモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる配線を用いることにより、銅の低い比抵抗の利点はそのまま利用しながらも配線の接着性を改善させ、上部膜及び/又は下部膜への拡散を防止することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相違した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上にある」とすれば、これは他の部分の「直上にある」場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上にある」とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。
まず、図1及び図2を参照して、本発明の一つの実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造について詳細に説明する。
図1は、本発明の一つの実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図2は、図1の薄膜トランジスタ表示板をII−II´線によって切断した断面図である。
図1及び図2のように、透明なガラスなどからなる絶縁基板110上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線121が形成されている。ゲート線121は横方向に延びており、各ゲート線121の一部は複数のゲート電極124をなす。また、各ゲート線121の他の一部は下方向に突出して複数の拡張部127を構成し、他の一部は外部回路に接続するためのゲート線の端部129をなす。
ゲート線121は、銅(Cu)を主成分とする銅合金(Cu-alloy)からなる。銅合金は、銅(Cu)と、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する。
銅(Cu)は低い比抵抗を有する金属であって、表示装置の面積が大型化されるに伴って配線の長さが増加する場合にも、他の金属に比べて信号遅延のような問題点を著しく改善させることができる。しかし、銅(Cu)はガラス基板との接着性が不良であるため、配線のリフティング(lifting;持ち上がり)又はピーリング(peeling;剥がれ)が発生する恐れがある。また、銅の高い酸化性のために下部及び/又は上部層へ容易に拡散し、むしろ抵抗を増加させる恐れもある。
本発明ではこのような問題点を解決するために、銅を主成分として、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金を提供する。
前記銅合金を配線の材料として利用する場合、銅の低抵抗特性をそのまま維持しながらもガラス基板との接着性を改善させることができ、下部及び/又は上部層への拡散も著しく減少させることができる。特に、低抵抗性配線の利点を充分に発揮するためには、前記モリブデン、タングステン又はクロムのような金属は合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。下限0.1重量%は拡散防止特性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以下であると拡散防止をはかることが困難となる。上限3重量%は配線の低抵抗性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以上であると抵抗値が急に増加する。
また、銅合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことができる。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
前記銅合金からなるゲート線121は、約30乃至80度の傾斜角を有するように傾いている。
ゲート線121上には、窒化ケイ素(SiNx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。
ゲート絶縁膜140の上部には、水素化非晶質シリコン(hydrogenated amorphous silicon)などからなる複数の線状半導体層151が形成されている。線状半導体層151は縦方向に延びており、これから複数の突出部154がゲート電極124に向かって延びて出ている。また、線状半導体層151は、ゲート線121と会う地点の付近で幅が大きくなってゲート線121の広い面積を覆っている。
半導体層151の上部には、シリサイド(silicide)又はn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島型抵抗性接触部材161、165が形成されている。線状接触部材161は複数の突出部163を有しており、前記突出部163と島型接触部材165は対をなして半導体151の突出部154の上に位置している。
半導体層151と抵抗性接触部材161、165の側面もまた傾いており、その傾斜角は基板110に対して約30乃至80゜である。
抵抗性接触部材163、165及びゲート絶縁膜140の上には、各々複数のデータ線171、複数のドレイン電極175、及び複数のストレージキャパシタ用導電体177が形成されている。
データ線171は、縦方向に延びてゲート線121と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線171からドレイン電極175に向かって延びた複数の枝がソース電極173をなす。一対のソース電極173とドレイン電極175は互いに分離されており、ゲート電極124に対して互いに反対側に位置している。
ソース電極173を含むデータ線171、ドレイン電極175、及びストレージキャパシタ用導電体177は、銅(Cu)を主成分とする銅合金からなる。銅合金は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する。
前述のように、銅(Cu)は低い比抵抗を有する金属であって、表示装置の面積が大型化されるに伴って配線の長さが増加する場合にも、他の金属に比べて信号遅延のような問題点を著しく改善させることができる。しかし、銅は高い酸化性を有するため、下部及び/又は上部層へ容易に拡散する。このために、半導体層151と画素電極190との間に位置するデータ線171の場合、下部の半導体層151と上部の画素電極190へ拡散することがある。
本発明ではこのような問題点を解決するために、銅を主成分として、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含有する銅合金を提供する。
銅合金を配線の材料に利用する場合、銅の低抵抗特性をそのまま維持しながらも下部及び/又は上部への拡散も著しく減少させることができるので、低抵抗性配線への利点を極大化することができる。
特に、低抵抗性配線の利点を充分に発揮するためには、前記モリブデン、タングステン又はクロムのような金属は合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。下限0.1重量%は拡散防止特性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以下であると拡散防止をはかることが困難となる。上限3重量%は配線の低抵抗性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以上であると抵抗値が急に増加する。
また、前記合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むのがさらに望ましい。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
データ線171、ドレイン電極175、及びストレージキャパシタ用導電体177の側面、は約30乃至80度の傾斜角を有するように形成されている。
ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175は、半導体151の突出部154と共に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFT)をなし、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極173とドレイン電極175との間の突出部154に形成されている。ストレージキャパシタ用導電体177はゲート線121の拡張部127と重なっている。
抵抗性接触部材161、165は、その下部の半導体層154とその上部のソース電極173及びドレイン電極175の間に存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。特に、本発明において、抵抗性接触部材の突出部163及び島型抵抗性接触部材165は、ソース電極173及びドレイン電極175下部でソース電極173及びドレイン電極175より広い領域に形成されており、図2のように、チャネル領域でのその断面構造は、ソース電極173及びドレイン電極175より突出した形態に形成されている。
線状半導体層151は、ソース電極173とドレイン電極175との間を始めとしてデータ線171及びドレイン電極175に覆われずに露出された部分を有しており、大部分の領域で線状半導体層151の幅がデータ線171の幅より小さいが、前述のように、ゲート線121と会う部分で幅が大きくなってデータ線171の断線を防止する。
データ線171、ドレイン電極175、ストレージキャパシタ用導電体177、及び露出された半導体層151の上には、平坦化特性が優れており、感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、PECVD)で形成されるa−Si:C:O、a−Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、又は無機物質である窒化ケイ素(SiNx)などからなる保護膜180が単一層又は複数層で形成されている。例えば、有機物質で形成する場合には、ソース電極173とドレイン電極175との間の半導体層154が露出された部分で保護膜180の有機物質が接触することを防止するために、有機膜の下部に窒化ケイ素(SiNx)又は酸化ケイ素(SiO2)からなる絶縁膜(図示せず)が追加的に形成されてもよい。
保護膜180には、ゲート線121の端部129、ドレイン電極175、ストレージキャパシタ用導電体177、及びデータ線171の端部179を各々露出させる複数の接触孔181、185、187、182が形成されている。
保護膜180の上には、ITO又はIZOからなる複数の画素電極190、及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。
画素電極190は、接触孔181、185、187、182を介してドレイン電極175、ストレージキャパシタ用導電体177、及びデータ線171と各々物理的・電気的に接続されてドレイン電極175からデータ電圧の印加を受け、ストレージキャパシタ用導電体177にデータ電圧を伝達する。
データ電圧が印加された画素電極190は、共通電圧の印加を受ける他の表示板(図示せず)の共通電極(図示せず)と共に電場を生成することによって液晶層の液晶分子を再配列させる。
また、前述のように、画素電極190と共通電極(図示せず)は液晶キャパシタ(liquid crystal capacitor)を構成して、薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持するが、電圧維持の能力を強化するために液晶キャパシタと並列に接続された他のキャパシタを設け、これを「ストレージ電極(storage electrode)」という。ストレージ電極は、画素電極190及びこれと隣接するゲート線121[これを「前段ゲート線」という]の重なりなどで形成され、ストレージ電極の静電容量、つまり、保持容量を増やすためにゲート線121を拡張した拡張部127を設けて重なり面積を大きくする一方、画素電極190に接続され、拡張部127と重なるストレージ電極用導電体177を保護膜180の下に設けて二つの間の距離を近くする。
低誘電率有機物質で保護膜180をなす場合には、画素電極190を隣接するゲート線121及びデータ線171と重ねて開口率(aperture ratio)を高めることができる。
接触補助部材81、82は、接触孔181、182を介してゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179に各々接続される。この接触補助部材81、82はゲート線121及びデータ線171の端部と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
以下、図1及び図2に示した前記薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について、図3A乃至図7Bと図1及び図2を参照して詳細に説明する。
図3A、図4A、図5A、及び図7Aは、図1及び図2に示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での薄膜トランジスタ表示板を順に羅列した配置図であり、図3Bは、図3AのIIIB−IIIB´線に沿って切断した断面図であり、図4Bは、図4AのIVB−IVB´線に沿って切断した断面図であり、図5Bは、図5AのVB−VB´線に沿って切断した断面図であり、図6は、図5Bに連続する工程による断面図であり、図7Bは、図7AのVIIB−VIIB´線によって切断した断面図である。
まず、図3A及び図3Bに図示したように、透明ガラスなどの絶縁基板110上に銅合金層を形成する。
銅合金層は、銅を主成分として、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含む。
前記モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれている。
また、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含んでもよい。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
続いて、銅合金層をエッチング液を利用した湿式エッチングでパターニングする。この場合、銅合金層は純粋の銅層と違い、過酸化水素(H2O2)エッチング液又はリン酸50乃至80%、硝酸2乃至10%、酢酸2乃至15%、及び残量の脱塩水を含むアルミニウムエッチング液又はクロムエッチング液を使用するのが望ましい。
したがって、複数のゲート電極124、複数の拡張部127、及び外部回路に接続するためのゲート線の端部129を含むゲート線121が形成される。
その次に、図4A及び図4Bに図示したように、ゲート電極124を含むゲート線121を覆うように、窒化ケイ素(SiNx)又は酸化ケイ素(SiO2)を蒸着してゲート絶縁膜140を形成する。ゲート絶縁膜140の積層温度は約250乃至500℃、厚さは約200乃至500nm程度であるのが好ましい。
そして、ゲート絶縁膜140上に真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層の3層膜を連続して積層し、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、複数の突出部154と複数の不純物半導体パターン164を各々含む線状の真性半導体層151を形成する。
次に、図5A及び図5Bに図示したように、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層161上に、同時スパッタリングなどの方法で、銅を主成分としてモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含む銅合金層を形成する。この場合、銅合金層は約300nm程度の厚さで形成し、スパッタリング温度は約150℃程度で行う。
その次に、銅合金層上にフォトレジストを塗布した後に露光及び現像して、フォトレジストパターンを形成する。
次に、前記フォトレジストパターンを利用して銅合金層をエッチングする。ここで使用されるエッチング液としては、例えば、過酸化水素(H2O2)エッチング液、又はリン酸50乃至80%、硝酸2乃至10%、酢酸2乃至15%、及び残量の脱塩水を含むアルミニウムエッチング液又はクロムエッチング液を利用してもよい。
このようにして、ソース電極173、ドレイン電極175、ストレージキャパシタ用導電体177、及びデータ線の端部179が形成される。
次に、前記フォトレジストパターンを除去しない状態で、前記フォトレジストパターンをマスクとしてチャネル領域に露出された不純物半導体層161、165部分を乾式エッチングする。ここで用いる乾式エッチングとは、塩素ガス(Cl2)を利用したプラズマエッチングである。
この場合、フォトレジストパターンをマスクとして乾式エッチングを行うので、不純物半導体層の突出部163と島型抵抗性接触部材165はソース電極173及びドレイン電極175より広い領域が露出される。
前記のように、データ線171形成時に利用したフォトレジストパターンを利用して下部の不純物半導体層161、165をエッチングすることにより、乾式エッチング時に銅合金層に塩素ガス(Cl2)が直接接触されることを防止することができる。
したがって、図6のように、複数の突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触部材161と複数の島型抵抗性接触部材165を完成する一方、その下の真性半導体154部分を露出させる。
また、露出された真性半導体154部分の表面を安定化させるために酸素(O2)プラズマを実施するのが好ましい。
次に、図7A及び図7Bに図示したように、平坦化特性が優れていて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着(PECVD)で形成されるa−Si:C:O、a−Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、又は無機物質である窒化ケイ素(SiNx)などを単一層又は複数層で形成して保護膜180を形成する。
その次に、保護膜180上にフォトレジストを塗布した後、光マスクを通して感光膜に光を照射した後に現像する。次に、酸素(O2)によって銅合金層が酸化されることを防止するために、CF4又はSF6のようなフッ素系ガスとN2ガスを利用した乾式エッチングを行う。最後に、フォトレジストパターンを除去することによって、複数の接触孔181、185、187、182を形成する。
その次に、最後に図1及び図2に図示したように、基板上にITO又はIZOをスパッタリングで積層し、写真エッチング工程で複数の画素電極190と複数の接触補助部材81、82を形成する。
以下では、有機発光表示素子用薄膜トランジスタ表示板について、図8乃至図24Bを参照して詳細に説明する。
図8は、本発明の一つの実施例による有機発光表示素子の構造を示した配置図であり、図9A及び図9Bは、図8の薄膜トランジスタ表示板をIXA−IXA´及びIXB−IXB´線によって切断した断面図である。
ガラス基板の絶縁基板110上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線121が形成されている。ゲート線121は横方向に延びており、各ゲート線121の一部は突き出されて複数の第1ゲート電極124aをなす。また、ゲート線121と同一層で第2ゲート電極124bが形成されており、第2ゲート電極124bには、縦方向に延びた維持電極133が接続されている。
ゲート線121、第1及び第2ゲート電極124a、124b、及び維持電極133は、銅(Cu)を主成分とする銅合金からなる。銅合金は、銅(Cu)と、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する。
銅(Cu)は低い比抵抗を有する金属であって、表示装置の面積が大型化されるに伴って配線の長さが増加する場合にも他の金属に比べて信号遅延のような問題点を著しく改善させることができる。しかし、銅(Cu)はガラス基板との接着性が不良であって配線のリフティング又はピーリングが発生する恐れがある。また、銅は、高い酸化性によって下部及び/又は上部層へ容易に拡散し、むしろ抵抗を増加させる恐れもある。
本発明ではこのような問題点を解決するために、銅を主成分として、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含有する銅合金を提供する。
前記銅合金を配線の材料に利用する場合、銅の低抵抗特性をそのまま維持しながらもガラス基板との接着性を改善させることができ、下部及び/又は上部層への拡散も著しく減少させることができる。したがって、低抵抗性配線への利点を極大化することができる。
特に、低抵抗性配線の利点を充分に発揮するためには、前記モリブデン、タングステン又はクロムのような金属は合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。下限0.1重量%は拡散防止特性考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以下であると拡散防止をはかることが困難となる。上限3重量%は配線の低抵抗性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以上であると抵抗値が急に増加する。
また、銅合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことができる。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
ゲート線121と維持電極133の側面は傾いており、傾斜角は基板110に対して30乃至80度をなす。
ゲート線121の上には、窒化ケイ素(SiNx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。
ゲート絶縁膜140の上部には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体151と島型半導体154bが形成されている。線状半導体151は縦方向に延びており、これから複数の突出部が第1ゲート電極124aに向かって延びて、第1ゲート電極124aと重なる第1チャンネル部154aをなす。また、線状半導体151は、ゲート線121と会う地点の付近で幅が拡張されている。島型半導体154bは第2ゲート電極124bと交差する第2チャンネル部を含み、維持電極133と重なる維持電極部157を有する。
線状半導体151及び島型半導体154bの上部には、シリサイド又はn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島型抵抗性接触部材161、165a、163b、165bが形成されている。線状接触層161は複数の突出部163aを有しており、この突出部163aと島型接触層165aは対をなして線状半導体151の突出部154a上に位置する。また、複数の突出部163b及び島型接触層165bは第2ゲート電極124bを中心に対向して対をなし、島型半導体154bの上部に位置する。
半導体151、154bと抵抗性接触部材161、165a、163b、165bの側面もまた傾いており、傾斜角は30乃至80度である。
抵抗性接触部材161、165a、163b、165b及びゲート絶縁膜140の上には、各々複数のデータ線171、複数の第1ドレイン電極175a、複数の電源線172、及び第2ドレイン電極175bが形成されている。
データ線171及び電源線172は縦方向に延びてゲート線121と交差し、データ電圧と電源電圧を各々伝達する。各データ線171で第1ドレイン電極175aに向かって延びた複数の枝が第1ソース電極173aをなし、各電源線172で第2ドレイン電極175bに向かって延びた複数の枝が第2ソース電極173bをなす。一対の第1及び第2ソース電極173a、173bと第1及び第2ドレイン電極175a、175bは互いに分離されており、各々第1及び第2ゲート電極124a、124bに対して互いに反対側に位置している。
第1ゲート電極124a、第1ソース電極173a、及び第1ドレイン電極175aは線状半導体151の突出部154aと共にスイッチング用薄膜トランジスタをなし、第2ゲート電極124b、第2ソース電極173b、及び第2ドレイン電極175bは島型半導体154bと共に駆動用薄膜トランジスタをなす。この時、電源線172は島型半導体154bの維持電極部157と重なっている。
データ線171、第1及び第2ドレイン電極175a、175b、及び電源線172は、銅(Cu)を主成分とする銅合金からなる。銅合金は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含む。
前述のように、銅(Cu)は低い比抵抗を有する金属であって、表示装置の面積が大型化されるに伴って配線の長さが増加する場合にも他の金属に比べて信号遅延のような問題点を著しく改善させることができる。しかし、銅は高い酸化性を有するために下部及び/又は上部層へ容易に拡散する。このために、半導体層151と画素電極190との間に位置するデータ線171の場合、下部の半導体層151と上部の画素電極190へ拡散する恐れがある。
本発明ではこのような問題点を解決するために、銅を主成分としてモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含有する銅合金を提供する。
銅合金を配線の材料に利用する場合、銅の低抵抗特性をそのまま維持しながらも下部及び/又は上部への拡散も著しく減少させることができるので、低抵抗性配線への利点を極大化することができる。
特に、低抵抗性配線の利点を充分に発揮するためには、前記モリブデン、タングステン又はクロムのような金属は合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。下限0.1重量%は拡散防止特性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以下であると拡散防止をはかることが困難となる。上限3重量%は配線の低抵抗性を考慮して決められたものであり、この数値は臨界的な数値であり、これ以上であると抵抗値が急に増加する。
また、前記合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことができる。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
データ線171、第1及び第2ドレイン電極175a、175b、及び電源線172もゲート線121と同様に、その側面が約30乃至80度の角度で各々傾いている。
抵抗性接触部材161、163b、165a、165bは、その下部の線状半導体151及び島型半導体154bとその上部のデータ線171、第1ドレイン電極175a、175b、電源線172の間に存在して接触抵抗を低くする役割を果たす。
また、図9A及び図9Bのように、複数の突出部163aと島型接触層165aは、上部の第1ソース電極173aと第1ドレイン電極175aより広い領域に形成されている。また、複数の突出部165aと島型接触層165bは、上部の第2ソース電極173bと第2ドレイン電極175bより広い領域に形成されている。
線状半導体151は第1ソース電極173aと第1ドレイン電極175aとの間、データ線171及び第1ドレイン電極175aに覆われない露出された部分を有しており、大部分の領域では線状半導体151の幅がデータ線171の幅より小さいが、前述のようにゲート線121と会う部分で幅が大きくなって、ゲート線121による段差部分でデータ線171が断線することを防止する。
データ線171、第1及び第2ドレイン電極175a、175b、電源線172と露出された半導体151、154b部分の上には、平坦化特性が優れており、感光性を有する有機物質又はプラズマ化学気相蒸着(PECVD)で形成されるa−Si:C:O、a−Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質などからなる保護膜180が形成されている。
保護膜180を有機物質で形成する場合には、線状半導体151及び島型半導体154bが露出された部分に有機物質が直接接触することを防止するために、有機膜の下部に窒化ケイ素(SiNx)又は酸化ケイ素(SiO2)からなる無機絶縁膜が追加的に形成されることができる。
保護膜180には、第1ドレイン電極175a、第2ゲート電極124b、第2ドレイン電極175b、及びゲート線の端部129とデータ線の端部179を各々露出させる複数の接触孔189、183、185、181、182が形成されている。
保護膜180上には、ITO又はIZOからなる複数の画素電極190、複数の接続部材192、及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。
画素電極190は、接触孔185を介して第2ドレイン電極175bと各々物理的・電気的に接続されており、接続部材192は、接触孔189、183を介して第1ドレイン電極175aと第2ゲート電極124bを接続する。接触補助部材81、82は、接触孔181、182を介してゲート線の端部129及びデータ線の端部179に各々接続されている。
保護膜180の上部には、有機絶縁物質又は無機絶縁物質からなっており、有機発光セルを分離させるための隔壁803が形成されている。この隔壁803は、画素電極190の周縁の周辺を囲んで有機発光層70が充填される領域を限定する。
隔壁803に囲まれた画素電極190上の領域には発光層70が形成されている。発光層70は、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)のうちのいずれか一つを発光する有機物質からなり、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の発光材料が順に反復的に配置されている。
又は、隔壁803に囲まれた画素電極190上の領域に正孔注入層(図示せず)が形成された後、正孔注入層の上に発光層70が形成されてもよい。この場合、正孔注入層は、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)で形成されてもよい。
隔壁803上には、隔壁803と同一な模様のパターンからなり、低い比抵抗を有する導電物質からなる補助電極272が形成されている。補助電極272は、以降に形成される共通電極270と接触して共通電極270の抵抗を減少させる役割を果たす。
隔壁803、発光層70、及び補助電極272上には共通電極270が形成されている。共通電極270は、アルミニウム(Al)などの低い抵抗性を有する金属からなる。本実施例では背面発光型有機発光表示素子を例示しているが、前面発光型有機発光表示素子又は両面発光型有機発光表示素子の場合には、共通電極270がITO又はIZOなどの透明な導電物質で形成されてもよい。
以下、図8乃至図9Bに示した有機発光表示素子を製造する方法について、図10乃至図24Bを参照して詳細に説明する。
まず、図10乃至図11Bのように、透明ガラス又はプラスチック素材などからなる絶縁基板110上にゲート用金属層を積層する。
ゲート用金属層は、銅(Cu)を主成分としてモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含有する銅合金層で形成する。ここで、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属は銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれている。また、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことができる。この場合、前記金属は、合金の総重量に対して0.1乃至3重量%で含まれているのが好ましい。
続いて、エッチング液を利用して銅合金層をエッチングして、複数のゲート電極124aを含むゲート線121、第2ゲート電極124b、及び維持電極133を形成する。ここで、銅合金層は純粋な銅層とは違い、過酸化水素(H2O2)エッチング液又はリン酸50乃至80%、硝酸2乃至10%、酢酸2乃至15%、及び残量の脱塩水を含むアルミニウムエッチング液又はクロムエッチング液を使用することができる。
次に、図12乃至図13Bに図示したように、ゲート絶縁膜140、真性非晶質シリコン層、及び不純物非晶質シリコン層の3層膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、複数の線状不純物半導体164と複数の突出部154aを各々含む線状半導体151及び島型半導体154bをなす。ゲート絶縁膜140の材料としては窒化ケイ素(SiNx)が好ましく、積層温度は約250乃至500℃、厚さは約200乃至500nm程度が好ましい。
次に、図14A及び図14Bに図示したように、不純物半導体164上に、共同スパッタリングなどの方法で、銅(Cu)を主成分としてモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含む銅合金層を形成する。この場合、銅合金層は約300nm程度の厚さで形成し、スパッタリング温度は約150℃程度である。
その次に、銅合金層の上にフォトレジストを塗布した後に露光及び現像して、フォトレジストパターンを形成する。
次に、前記フォトレジストパターンを利用して銅合金層をエッチングする。ここで使用されるエッチング液としては、例えば、過酸化水素(H2O2)エッチング液又はリン酸50乃至80%、硝酸2乃至10%、酢酸2乃至15%、及び残量の脱塩水を含むアルミニウムエッチング液又はクロムエッチング液を利用することができる。
このようにして、複数の第1ソース電極173aを有する複数のデータ線171、複数の第1及び第2ドレイン電極175a、175b、及び複数の第2ソース電極173bを有する電源線172を形成する。
次に、データ線171、電源線172、及び第1及び第2ドレイン電極175a、175b上部のフォトレジストパターンを除去しない状態で、前記フォトレジストパターンをマスクとして、露出された不純物半導体164部分を乾式エッチングする。ここで用いる乾式エッチングは、塩素ガス(Cl2)を利用したプラズマエッチングである。前記のように、データ線171形成時に利用したフォトレジストパターンを利用して下部の不純物半導体164をエッチングすることによって、乾式エッチング時に銅合金層に塩素ガス(Cl2)が直接接触することを防止することができる。
この場合、フォトレジストパターンをマスクとして乾式エッチングを行うので、図16A及び図16Bに示されているように、それぞれの複数の突出部163a、163bと島型抵抗性接触部材165a、165bは上部のソース電極173a、173bとドレイン電極175a、175bより広い領域に形成され、チャネル領域でその断面構造は、ソース電極173a、173bとドレイン電極175a、175bより突出した構造を示す。
このようにして、複数の突出部163aを各々含む複数の線状抵抗性接触部材161と複数の島型抵抗性接触部材165a、165b、163bを完成する一方、その下の線状真性半導体151及び島型真性半導体154bの一部分を露出させる。
次に、真性半導体151、154bの露出された表面を安定化させるために酸素プラズマを次いで実施する。
次に、図17乃至図18Bのように、有機絶縁物質又は無機絶縁物質を塗布して保護膜180を形成し、写真工程で乾式エッチングして複数の接触孔189、185、183、181、182を形成する。接触孔189、185、183、181、182は、第1及び第2ドレイン電極175a、175b、第2ゲート電極124bの一部、ゲート線の端部129、及びデータ線の端部179を露出させる。
次に、図19乃至図20Bに図示したように、画素電極190、接続部材192、及び接触補助部材81、828をITO又はIZOで形成する。
次に、図21乃至図22Bのように、一つのマスクを利用した写真エッチング工程で隔壁803と補助電極272を形成する。
次いで、図23乃至図24Bに図示したように、正孔注入層(図示せず)上に発光層70を形成する。
最後に、発光層70上に共通電極270を形成する。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
低抵抗性及び信頼性を同時に確保できる表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板を提供することができる。
70 有機発光層
81、82 接触補助部材
110 絶縁基板
121 ゲート線
124 ゲート電極
124a 第1ゲート電極
124b 第2ゲート電極
127 拡張部
129 ゲート線の端部
133 維持電極
140 ゲート絶縁膜
151 線状半導体層
154、163、163a 突出部
154a 第1チャネル部
154b 島型半導体
157 維持電極部
161、163b、165a、165b 抵抗性接触部材
164 島型抵抗性接触部材
165 不純物半導体層
171 データ線
172 電源線
173 ソース電極
173a 第1ソース電極
173b 第2ソース電極
175 ドレイン電極
175a 第1ドレイン電極
175b 第2ドレイン電極
177 ストレージキャパシタ用導電体
179 データ線の端部
180 保護膜
181、182、183、185、187、189 接触孔
190 画素電極
192 接続部材
272 補助電極
803 隔壁
81、82 接触補助部材
110 絶縁基板
121 ゲート線
124 ゲート電極
124a 第1ゲート電極
124b 第2ゲート電極
127 拡張部
129 ゲート線の端部
133 維持電極
140 ゲート絶縁膜
151 線状半導体層
154、163、163a 突出部
154a 第1チャネル部
154b 島型半導体
157 維持電極部
161、163b、165a、165b 抵抗性接触部材
164 島型抵抗性接触部材
165 不純物半導体層
171 データ線
172 電源線
173 ソース電極
173a 第1ソース電極
173b 第2ソース電極
175 ドレイン電極
175a 第1ドレイン電極
175b 第2ドレイン電極
177 ストレージキャパシタ用導電体
179 データ線の端部
180 保護膜
181、182、183、185、187、189 接触孔
190 画素電極
192 接続部材
272 補助電極
803 隔壁
Claims (15)
- 銅(Cu)、並びにモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなることを特徴とする、表示装置用配線。
- 前記モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置用配線。
- 前記表示装置用配線は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置用配線。
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成されたデータ線と、
前記ゲート線及び前記データ線に接続された薄膜トランジスタと
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを含み、
前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅(Cu)と、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金からなることを特徴とする、薄膜トランジスタ表示板。 - 前記モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記銅合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項6に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 基板と、
前記基板上に形成された、ゲート電極を含むゲート線と、
前記ゲート線上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の所定の領域に形成された半導体層と、
前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に形成されたソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と所定の間隔をおいて対向しているドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の下部に形成された、前記ソース電極とドレイン電極より広い領域に形成された抵抗性接触部材と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極とを含み、
前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金からなることを特徴とする、薄膜トランジスタ表示板。 - 前記モリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記銅合金は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属をさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、及びタンタル(Ta)から選択された少なくとも一つの金属は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項10に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 基板上に、ゲート電極を含むゲート線を形成し、
前記ゲート線上に、ゲート絶縁膜、半導体層、及び抵抗性接触部材を順に形成し、
前記抵抗性接触部材及び前記半導体層をエッチングしてパターニングし、
前記絶縁膜及び前記抵抗性接触部材上に、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属とを含有する銅合金層を形成し、
前記銅合金層の上部にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンに沿って前記銅合金層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と所定の間隔をおいて対向しているドレイン電極を形成し、
前記フォトレジストパターンを利用して前記抵抗性接触部材をエッチングし、
前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成することを特徴とする、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記ゲート線は、銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金層で形成することを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記銅(Cu)とモリブデン(Mo)、タングステン(W)、及びクロム(Cr)は、銅合金の総重量に対して0.1乃至3重量%含まれていることを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050011467A KR20060090523A (ko) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 표시 장치용 배선 및 상기 배선을 포함하는 박막트랜지스터 표시판 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006221162A true JP2006221162A (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=36779070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006021337A Withdrawn JP2006221162A (ja) | 2005-02-07 | 2006-01-30 | 表示装置用配線、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060175610A1 (ja) |
JP (1) | JP2006221162A (ja) |
KR (1) | KR20060090523A (ja) |
CN (1) | CN100521189C (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060095A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器 |
JP2010074017A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Mitsubishi Materials Corp | 密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
JP2015065471A (ja) * | 2009-10-09 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017138557A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 凸版印刷株式会社 | 導電性基材、配線付きカラーフィルタ、および液晶ディスプレイ |
JP2020038970A (ja) * | 2008-07-31 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、液晶表示装置 |
JP2020074359A (ja) * | 2007-12-21 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020522728A (ja) * | 2017-05-11 | 2020-07-30 | プランゼー エスエー | 金属層を有する層状構造を備えたフレキシブル部品 |
JP2020188276A (ja) * | 2008-10-24 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10937897B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070109192A (ko) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 장치 |
US8558382B2 (en) * | 2009-07-27 | 2013-10-15 | Kobe Steel, Ltd. | Interconnection structure and display device including interconnection structure |
DE102009038589B4 (de) * | 2009-08-26 | 2014-11-20 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | TFT-Struktur mit Cu-Elektroden |
KR101570482B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2015-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP6006558B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN103730414B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管基板的制造方法 |
KR102221842B1 (ko) * | 2014-04-08 | 2021-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 센서 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치 |
CN204302634U (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN107799496B (zh) * | 2017-09-01 | 2020-05-22 | 华南理工大学 | 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法 |
CN112490282B (zh) * | 2020-12-03 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4582877B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | Tftアレイの製造方法 |
KR100396695B1 (ko) * | 2000-11-01 | 2003-09-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트 및 이를 이용한 전자기기용 기판의 제조방법 |
KR100396696B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2003-09-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 저저항 배선을 갖는 액정 디스플레이 패널 |
KR100776505B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 화소전극 제조 방법 |
JP2002245907A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Ltd | 真空バルブ用電極とその製法及び真空バルブ並びに真空遮断器と真空バルブ電極用電気接点 |
US20030024611A1 (en) * | 2001-05-15 | 2003-02-06 | Cornie James A. | Discontinuous carbon fiber reinforced metal matrix composite |
KR100857133B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
JP2004353011A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Ykk Corp | 電極材料及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-07 KR KR1020050011467A patent/KR20060090523A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-01-20 US US11/336,139 patent/US20060175610A1/en not_active Abandoned
- 2006-01-26 CN CNB2006100066108A patent/CN100521189C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-30 JP JP2006021337A patent/JP2006221162A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060095A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器 |
JP2020074359A (ja) * | 2007-12-21 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020038970A (ja) * | 2008-07-31 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、液晶表示装置 |
US10937897B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2022106865A (ja) * | 2008-07-31 | 2022-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2010074017A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Mitsubishi Materials Corp | 密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
JP2020188276A (ja) * | 2008-10-24 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015065471A (ja) * | 2009-10-09 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017138557A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 凸版印刷株式会社 | 導電性基材、配線付きカラーフィルタ、および液晶ディスプレイ |
JP2020522728A (ja) * | 2017-05-11 | 2020-07-30 | プランゼー エスエー | 金属層を有する層状構造を備えたフレキシブル部品 |
JP7282688B2 (ja) | 2017-05-11 | 2023-05-29 | プランゼー エスエー | 金属層を有する層状構造を備えたフレキシブル部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100521189C (zh) | 2009-07-29 |
CN1828886A (zh) | 2006-09-06 |
US20060175610A1 (en) | 2006-08-10 |
KR20060090523A (ko) | 2006-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006221162A (ja) | 表示装置用配線、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP5190578B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
JP5240964B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP4748473B2 (ja) | 導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
JP4977352B2 (ja) | 表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US7352004B2 (en) | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same | |
KR101054344B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
JP4423194B2 (ja) | 配線用エッチング液とこれを用いる配線の製造方法とその配線を含む薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 | |
JP4859469B2 (ja) | エッチング液組成物及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
KR101168728B1 (ko) | 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 | |
TWI532186B (zh) | 薄膜電晶體及其形成方法 | |
JP2008311616A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
KR20090096226A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
JP2006332674A (ja) | 表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法 | |
JP2006049889A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP2007258675A (ja) | Tft基板及び反射型tft基板並びにそれらの製造方法 | |
KR20060131071A (ko) | 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법 | |
JP4977450B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP2006018281A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
JP4632617B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP4731897B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 | |
KR20060027918A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조방법 | |
KR20090078527A (ko) | 표시 기판 | |
KR100984351B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
KR20060070334A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080821 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090731 |