JP2006216903A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
安定かつ均一な密度を有するプラズマを生成することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
一面を平板状の絶縁材製窓で形成した処理チャンバ1と、処理チャンバの前記絶縁材製窓に対向する面に試料載置面を形成した試料載置電極5と、処理チャンバ内に処理用ガスを導入するガス導入手段18と、前記絶縁材製窓の外表面に放射方向にスリットを設けて形成した容量結合アンテナ11と、前記誘電体窓の外部に形成し該窓を介して処理チャンバ内に形成されるプラズマと誘導結合する誘導結合アンテナ10とを備え、該誘導結合アンテナ10は、前記試料載置面に直交する方向を長手方向として巻回したコイルで構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、安定かつ均一なプラズマを生成することのできるプラズマ処理装置を提供するものである。
2 真空排気手段
3 半導体ウエハ
4 搬送システム
5 電極
6 絶縁体窓
7 電極カバー
8 ウエハバイアス用整合器
9 ウエハバイアス用高周波電源
10 誘導結合アンテナ
11 静電容量結合アンテナ
12 固定コンデンサ
13 静電容量結合アンテナ電圧制御用可変コンデンサ
14 固定インダクタ
15 整合器
16 高周波電源
17 搬送用ゲートバルブ
18 プロセスガス導入口
19 ファラデーシールド
20 誘導結合アンテナ給電端(接地電位側)
21 誘導結合アンテナ給電端(高周波電源側)
22 静電容量結合アンテナ給電部
27 プラズマ
28 誘導磁界
29 プラズマ生成部
30 誘導結合アンテナ(内側)
31 誘導結合アンテナ(外側)
Claims (6)
- 一面を平板状の絶縁材製窓で形成した処理チャンバと、
処理チャンバの前記絶縁材製窓に対向する面に試料載置面を形成した試料載置電極と、
処理チャンバ内に処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記絶縁材製窓の外表面に放射方向にスリットを設けて形成した容量結合アンテナと、
前記誘電体窓の外部に形成し該窓を介して処理チャンバ内に形成されるプラズマと誘導結合する誘導結合アンテナとを備え、
該誘導結合アンテナは、前記試料載置面に直交する方向を長手方向として巻回したコイルであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記誘導結合アンテナを介して前記容量結合アンテナに高周波電圧を供給することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記誘導結合アンテナを構成するコイルは、同軸に巻回した複数のコイルを並列に接続して形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記複数のコイルのうちの少なくとも一つのコイルには、コイル間の電流分担を調整するためのインピーダンス素子を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記誘導結合アンテナを形成するコイルは円錐台状または逆円錐台状に巻回したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記誘導結合アンテナを構成するコイルは、同軸の円筒状に巻回した複数のコイルを並列に接続して形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007213994A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2007328965A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Univ Nagoya | イオン発生装置および中性子発生装置 |
WO2008065744A1 (fr) * | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Samco Inc. | Appareil de traitement au plasma |
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
WO2008069157A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Foi Corporation | Apparatus and method for plasma processing |
WO2008099896A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Foi Corporation | 誘導コイル、プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
JP2008251832A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2008251830A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2008129844A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマエッチング装置 |
JP2009147301A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2009218453A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Samco Inc | プラズマ処理装置 |
WO2012111090A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 富士電機株式会社 | 放射性物質を伴う樹脂減容処理装置およびその動作方法 |
JP2013080643A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2013201134A (ja) * | 2008-10-27 | 2013-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
KR101505228B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2015-03-23 | 램 리써치 코포레이션 | 하이브리드 용량성-커플링 및 유도성-커플링 플라즈마 프로세싱 시스템에 대한 방법 및 장치 |
JP2015146428A (ja) * | 2015-02-27 | 2015-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5874853B1 (ja) * | 2015-04-17 | 2016-03-02 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20210058950A (ko) * | 2018-10-30 | 2021-05-24 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 유도 코일 세트 및 반응 챔버 |
CN114059014A (zh) * | 2021-10-08 | 2022-02-18 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 具有电感耦合放电清洗功能的样品台 |
JP2022185603A (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
JP2023532261A (ja) * | 2020-06-23 | 2023-07-27 | 北京北方華創微電子装備有限公司 | コイル構造およびプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8048806B2 (en) * | 2000-03-17 | 2011-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods to avoid unstable plasma states during a process transition |
JP2007234882A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板取り扱い方法 |
CN102115879B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-06-26 | 丽佳达普株式会社 | 基板处理装置 |
JP5723130B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8884178B2 (en) * | 2010-10-20 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for igniting and sustaining plasma |
KR101246859B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2013-03-25 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
JP4844697B1 (ja) * | 2011-06-24 | 2011-12-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN103854945A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体设备及其反应腔室 |
JP6240441B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-11-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
CN105632860B (zh) * | 2014-10-31 | 2021-04-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体加工设备 |
US20170278680A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-09-28 | Lam Research Corporation | Substrate processing system including coil with rf powered faraday shield |
JP2018006299A (ja) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置用処理対象支持台、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW202118354A (zh) | 2019-07-17 | 2021-05-01 | 美商得昇科技股份有限公司 | 利用可調式電漿電位的可變模式電漿室 |
US11189464B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-11-30 | Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. | Variable mode plasma chamber utilizing tunable plasma potential |
CN111430146B (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-08 | 潍坊鼎晟电气科技有限公司 | 一种感应加热用感应线圈组件及其加工装置和方法 |
CN113972125B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理***及其多段式法拉第屏蔽装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092598A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-04-10 | Applied Materials Inc | 上部にソレノイドアンテナを有する電磁結合rfプラズマリアクター |
JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001345311A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Lam Res Corp | 誘導結合型プラズマエッチング装置のrfピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 |
JP2003068723A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2004509429A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-03-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 対称的な並列導体のコイルアンテナを有するプラズマリアクタ |
JP2004241592A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5711998A (en) * | 1996-05-31 | 1998-01-27 | Lam Research Corporation | Method of polycrystalline silicon hydrogenation |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6280563B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-08-28 | Lam Research Corporation | Plasma device including a powered non-magnetic metal member between a plasma AC excitation source and the plasma |
KR100542459B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2006-01-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
US6447636B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-09-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with dynamic RF inductive and capacitive coupling control |
US6462481B1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-10-08 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
US20030141820A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate processing |
-
2005
- 2005-02-07 JP JP2005030674A patent/JP2006216903A/ja active Pending
- 2005-02-28 US US11/066,223 patent/US20060175016A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-08-05 US US12/850,664 patent/US20100294432A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092598A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-04-10 | Applied Materials Inc | 上部にソレノイドアンテナを有する電磁結合rfプラズマリアクター |
JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001345311A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Lam Res Corp | 誘導結合型プラズマエッチング装置のrfピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 |
JP2004509429A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-03-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 対称的な並列導体のコイルアンテナを有するプラズマリアクタ |
JP2003068723A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2004241592A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007213994A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4677918B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2007328965A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Univ Nagoya | イオン発生装置および中性子発生装置 |
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
WO2008065744A1 (fr) * | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Samco Inc. | Appareil de traitement au plasma |
WO2008065745A1 (fr) * | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Samco Inc. | Appareil de traitement au plasma |
JP5277473B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2013-08-28 | サムコ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5561812B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2014-07-30 | サムコ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8314560B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-11-20 | Samco Inc. | Plasma processing apparatus |
JP2010507878A (ja) * | 2006-11-29 | 2010-03-11 | 株式会社エフオーアイ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2008069157A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Foi Corporation | Apparatus and method for plasma processing |
JP4815533B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2011-11-16 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2008099896A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Foi Corporation | 誘導コイル、プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
JPWO2008099896A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-05-27 | 株式会社エフオーアイ | 誘導コイル、プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
US8247977B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-08-21 | Lam Research Corporation | Induction coil, a plasma generator and a plasma generating method |
TWI473539B (zh) * | 2007-02-16 | 2015-02-11 | Lam Res Corp | 感應線圈、等離子產生裝置及等離子產生方法 |
JPWO2008129844A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-22 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置 |
WO2008129844A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマエッチング装置 |
US8303765B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Plasma etching apparatus |
JP5108875B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-12-26 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP2013012761A (ja) * | 2007-03-28 | 2013-01-17 | Panasonic Corp | プラズマエッチング装置 |
JP2008251830A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008251832A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
KR101505228B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2015-03-23 | 램 리써치 코포레이션 | 하이브리드 용량성-커플링 및 유도성-커플링 플라즈마 프로세싱 시스템에 대한 방법 및 장치 |
JP2009147301A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2009218453A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Samco Inc | プラズマ処理装置 |
JP2013201134A (ja) * | 2008-10-27 | 2013-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
US9704609B2 (en) | 2011-02-15 | 2017-07-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Apparatus for reducing volume of resin containing radioactive material, and method for operating the apparatus |
JP5790668B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2015-10-07 | 富士電機株式会社 | 放射性物質を伴う樹脂減容処理装置およびその動作方法 |
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JPWO2012111090A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-07-03 | 富士電機株式会社 | 放射性物質を伴う樹脂減容処理装置およびその動作方法 |
US10541115B2 (en) | 2011-10-05 | 2020-01-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
JP2013080643A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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JP2015146428A (ja) * | 2015-02-27 | 2015-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5874853B1 (ja) * | 2015-04-17 | 2016-03-02 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20210058950A (ko) * | 2018-10-30 | 2021-05-24 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 유도 코일 세트 및 반응 챔버 |
KR102435254B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2022-08-23 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 유도 코일 세트 및 반응 챔버 |
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