JP2006216482A - カーボンナノチューブカソードの製造方法およびカーボンナノチューブカソード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板101上にアルミナからなる第1の層102を形成し、この第1の層102上に触媒金属からなる第2の層103を形成する。これにより、より細くかつ均一の膜厚のカーボンナノチューブからなる層が基板上に形成される。これは、第1の層102に形成される凹凸や空隙に、触媒金属が微細な状態で保持されるためと考えられる。
【選択図】 図1
Description
以下、図面を参照して、本発明の第1の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態におけるカーボンナノチューブカソードの製造方法を示す工程図である。
次に、本実施の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上述した第1の実施の形態をより具体的に示したものである。したがって、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図3は、本発明の第3の実施の形態におけるカーボンナノチューブカソードの製造方法を示す工程図である。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上述した第3の実施の形態をより具体に示したものである。したがって、第3の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
次に、本実施の形態の第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上述した第3の実施の形態をより具体に示したものである。したがって、第3の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第6の実施の形態について説明する。図7は、本発明の第6の実施の形態におけるカーボンナノチューブカソードの製造方法を示す工程図である。なお、本実施の形態において、第1,3の実施の形態と同等の構成要素については同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
次に、本発明の第7の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上述した第6の実施の形態をより具体に示したものである。したがって、第6の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
Claims (7)
- 導体からなる基板上にアルミナからなる第1の層を形成する第1のステップと、
前記第1の層の上に触媒金属からなる第2の層を形成する第2のステップと、
前記第1の層および前記第2の層が形成された前記基板を配置した反応炉中にカーボンソースガスを導入し、化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブを前記基板上に成長させる第3のステップと
を備えたことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。 - 導体からなる基板上にアルミナからなる第1の層を形成する第1のステップと、
前記第1の層上にモリブデン、タングステン、タンタルおよびクロムの何れかからなる第2の層を形成する第2のステップと、
前記第2の層の上に触媒金属からなる第3の層を形成する第3のステップと、
前記第1〜3の層が形成された前記基板を配置した反応炉中にカーボンソースガスを導入し、化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブを前記基板上に成長させる第4のステップと
を備えたことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。 - 導体からなる基板上にアルミナからなる第1の層を形成する第1のステップと、
前記第1の層の上に触媒金属からなる第2の層を形成する第2のステップと、
前記第2の層上にモリブデン、タングステン、タンタルおよびクロムの何れかからなる第3の層を形成する第3のステップと、
前記第1〜3の層が形成された前記基板を配置した反応炉中にカーボンソースガスを導入し、化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブを前記基板上に成長させる第4のステップと
を備えたことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。 - 前記触媒金属は、鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金のいずれかである
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のカーボンナノチューブカソードの製造方法。 - 導体からなる基板と、
この基板上に形成されたアルミナからなる第1の層と、
この第1の層上に形成された触媒金属からなる第2の層と、
前記触媒金属から成長したカーボンナノチューブと
を有することを特徴とするカーボンナノチューブカソード。 - 導体からなる基板と、
この基板上に形成されたアルミナからなる第1の層と、
この第1の層上に形成されたモリブデン、タングステン、タンタルおよびクロムの何れかからなる第2の層と、
この第2の層上に形成された触媒金属からなる第3の層と、
前記触媒金属から成長したカーボンナノチューブと
を有することを特徴とするカーボンナノチューブカソード。 - 導体からなる基板と、
この基板上に形成されたアルミナからなる第1の層と、
この第1の層上に形成された触媒金属からなる第2の層と、
この第2の層上に形成されたモリブデン、タングステン、タンタルおよびクロムの何れかからなる第3の層と、
前記触媒金属から成長したカーボンナノチューブと
を有することを特徴とするカーボンナノチューブカソード。
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