JP2006210912A - リセスゲートを有する半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ストレージノード接合領域、チャネル領域及びビットライン接合領域が画定された活性領域33を有する半導体基板31と、半導体基板31に形成され、活性領域33と、隣接した活性領域とを相互に電気的に分離する素子分離膜32と、ストレージノード接合領域及びチャネル領域を含む位置に形成されたホール状のリセス部35と、リセス部35の一部に埋め込まれ、チャネル領域上に、活性領域33の長軸と交差する方向に形成されたライン状のゲートパターンと、ストレージノード接合領域に形成されたストレージノード接合部とを含む。
【選択図】図5D
Description
32 素子分離膜
33 活性領域
34 リセスマスク
35、35A、35B、35C リセス部
36 ゲート酸化膜
37 ゲート電極
38 ゲートハードマスク
41 SN接合部
42 BL接合部
Claims (16)
- ストレージノード接合領域、チャネル領域及びビットライン接合領域が画定された活性領域を有する半導体基板と、
該半導体基板に形成され、前記活性領域と、隣接する活性領域とを相互に電気的に分離する素子分離膜と、
前記ストレージノード接合領域及び前記チャネル領域を含む位置に形成されたホール状のリセス部と、
前記リセス部の一部に埋め込まれ、前記チャネル領域上に、前記活性領域の長軸と交差する方向に形成されたライン状のゲートパターンと、
前記ストレージノード接合領域に形成されたストレージノード接合部と
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記リセス部が、前記素子分離膜から所定の距離を隔てて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記リセス部の中心部が、前記ゲートパターンの一方側のエッジ部に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さより長く、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さと同じで、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さより短く、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記ゲートパターンのエッジ部が、前記リセス部側でラウンド状に突出し、その他の領域ではライン形状に延びたウェーブ形であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかの項に記載の半導体素子。
- 半導体基板の所定の領域に素子分離膜を形成することにより、活性領域を画定するステップと、
ストレージノード接合領域、チャネル領域及びビットライン接合領域に画定された前記活性領域の一部をエッチングにより除去し、前記ストレージノード接合領域及び前記チャネル領域を含む領域に、ホール状のリセス部を形成するステップと、
前記リセス部を含む全面にゲート酸化膜を形成するステップと、
前記リセス部によって形成された階段状のチャネル領域上のゲート酸化膜上に、ゲートパターンを形成するステップと、
前記リセス部によって形成された階段状のストレージノード接合領域に、イオン注入によりストレージノード接合部を形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記リセス部を、前記素子分離膜から所定の距離を隔てて、前記ストレージノード接合領域が階段状になるように形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記リセス部の中心部が、前記ゲートパターンの一方側のエッジ部に位置するように、前記リセス部を形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さより長く、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さと同じで、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記リセス部の直径が、前記活性領域の短軸の長さより短く、前記リセス部の半径が、前記ゲートパターンの線幅より小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ゲートパターンを、前記リセス部側でエッジ部がラウンド状に突出し、その他の領域ではライン状に延びたウェーブ形に形成することを特徴とする請求項8〜請求項13のいずれかの項に記載の半導体素子の製造方法。
- ストレージノード接合領域、チャネル領域及びビットライン接合領域が画定された活性領域を有する半導体基板と、
該半導体基板に形成され、前記活性領域と、隣接した活性領域とを相互に電気的に分離する素子分離膜と、
前記ビットライン接合領域及び該ビットライン接合領域の両側の前記チャネル領域を含む位置に形成されたホール状のリセス部と、
前記リセス部の一部に埋め込まれ、前記チャネル領域上に、前記活性領域の長軸と交差する方向に形成されたライン状のゲートパターンと
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記リセス部の一方側が、前記ゲートパターンにオーバーラップし、前記リセス部の他方側が、前記一方側のゲートパターンと並んで延びた他方側のゲートパターンにオーバーラップしていることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子。
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