JPS6251220A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6251220A JPS6251220A JP18971185A JP18971185A JPS6251220A JP S6251220 A JPS6251220 A JP S6251220A JP 18971185 A JP18971185 A JP 18971185A JP 18971185 A JP18971185 A JP 18971185A JP S6251220 A JPS6251220 A JP S6251220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- absorption layer
- thickness
- layer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的背景とその問題点〕
放射線感応レジストのうち例えばノボラック系のポジ製
フォトレジストを基板上に回転隼布した場合、回転中の
樹脂の放射方向への流れと、その時の溶剤の乾蝉速度と
の兼ね合いで、回弊の中心を中心として放射々向憾数１
００Ｘのレジスト膜厚の変化が生じる。これは一般的に
ストライエージｌンと呼ばれているが、このような状態
のレジストにパターン露光を与えると、膜厚の厚い部分
で−は寸法が太り、膜厚の薄い部分では寸法が細るとい
う問題をあった。。
フォトレジストを基板上に回転隼布した場合、回転中の
樹脂の放射方向への流れと、その時の溶剤の乾蝉速度と
の兼ね合いで、回弊の中心を中心として放射々向憾数１
００Ｘのレジスト膜厚の変化が生じる。これは一般的に
ストライエージｌンと呼ばれているが、このような状態
のレジストにパターン露光を与えると、膜厚の厚い部分
で−は寸法が太り、膜厚の薄い部分では寸法が細るとい
う問題をあった。。
、さらに１、例えばネガ型のフォトレジストにおいて悼
、以上のようなストライエージ■ンは生じなりものの、
基板に段差があると、段差上部ではレジスト厚が薄いた
めに、寸法が細り、段差下部ではにジ２）厚が厚いため
−こ寸法が太るという問題があった。 。
、以上のようなストライエージ■ンは生じなりものの、
基板に段差があると、段差上部ではレジスト厚が薄いた
めに、寸法が細り、段差下部ではにジ２）厚が厚いため
−こ寸法が太るという問題があった。 。
〔発明の目的〕 、
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、ストライエー
ジ四ンや段差の上下におけるレジスト膜厚の変動に起因
するパターン寸法の変動を低減せしめるパターン形成方
法を提供することにある。
ジ四ンや段差の上下におけるレジスト膜厚の変動に起因
するパターン寸法の変動を低減せしめるパターン形成方
法を提供することにある。
本発明の骨子は、放射線感応レジスト上に該放射線を吸
収、減衰せしめる第２の吸収層を設け、その吸収層の膜
厚を制御することにより、該レジスト層に与える露光エ
ネルギーを調節してパターン寸法の変動をおさえるもの
である。即ぢ、露光エネルギーを多く与える場合には、
吸収層の厚さを薄くし、露光エネルギーを少く与える場
合には吸収層の厚さを厚くして露光量を調節する。さら
に、この吸収層の厚さの制御は、レジストの膜厚変動に
準じて、その寸法変動をおさえるように自動的に行われ
ることを特徴としている。
収、減衰せしめる第２の吸収層を設け、その吸収層の膜
厚を制御することにより、該レジスト層に与える露光エ
ネルギーを調節してパターン寸法の変動をおさえるもの
である。即ぢ、露光エネルギーを多く与える場合には、
吸収層の厚さを薄くし、露光エネルギーを少く与える場
合には吸収層の厚さを厚くして露光量を調節する。さら
に、この吸収層の厚さの制御は、レジストの膜厚変動に
準じて、その寸法変動をおさえるように自動的に行われ
ることを特徴としている。
本発明によって、ストライエーシヨンによる寸法変動、
段差上下における寸法変動をおさえることができた。
段差上下における寸法変動をおさえることができた。
以下実施例を用いて、本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）に示すように１μ喧段差を有した基板１上
に１μｍの厚さのネガ形フォトレジスト０ＭＲ８３（東
京応化社ｍｌり２を回転塗布しベーキングを行った。こ
の時に段差の上下で約４０００λの膜厚差を生じた。次
に（ｂｌに示すように、吸収層３を５０００１の厚さで
回転塗布した。この時、塗布表面は、はぼ平坦となり、
前記の段差上部のレジストの薄い部分では自動的に薄く
、段差下部のレジストの厚い部分では自動的に厚く塗布
することができた。吸収層３は、例えばボラック樹脂を
ベースレジンとし、吸収色素としてクマリンを、溶剤に
オシレンを用いて調整した。吸収層の透過率は、５００
０λの厚さでおよそＩｏＬｓであった。次に８０℃、１
５分のベーキングの後間−寸法のパターン露光を行い、
レジスト中に潜像５，６を形成した。この時段差上部の
露光５は、吸収層が薄いため、十分なものとなり段差下
部の露光６は吸収層が厚いため、強度が小さくなって露
光量は５に比べて相対的に少いものとなった。次に（ｄ
）に示すようにトリクロロエタンにて吸収層をはくすし
た後、現像を行ってレジストパターン７．８を形成した
。吸収層を用いない通常工程では、パターン７は、レジ
スト厚が薄いため現像オーバになって寸法Ｗｌは小さく
、その逆にＷ３は大きくなる傾向にあるが、これを相殺
するよう露光量が調節されたため、Ｗ、 、Ｗ、はほと
んど等しい値とすることができた。
に１μｍの厚さのネガ形フォトレジスト０ＭＲ８３（東
京応化社ｍｌり２を回転塗布しベーキングを行った。こ
の時に段差の上下で約４０００λの膜厚差を生じた。次
に（ｂｌに示すように、吸収層３を５０００１の厚さで
回転塗布した。この時、塗布表面は、はぼ平坦となり、
前記の段差上部のレジストの薄い部分では自動的に薄く
、段差下部のレジストの厚い部分では自動的に厚く塗布
することができた。吸収層３は、例えばボラック樹脂を
ベースレジンとし、吸収色素としてクマリンを、溶剤に
オシレンを用いて調整した。吸収層の透過率は、５００
０λの厚さでおよそＩｏＬｓであった。次に８０℃、１
５分のベーキングの後間−寸法のパターン露光を行い、
レジスト中に潜像５，６を形成した。この時段差上部の
露光５は、吸収層が薄いため、十分なものとなり段差下
部の露光６は吸収層が厚いため、強度が小さくなって露
光量は５に比べて相対的に少いものとなった。次に（ｄ
）に示すようにトリクロロエタンにて吸収層をはくすし
た後、現像を行ってレジストパターン７．８を形成した
。吸収層を用いない通常工程では、パターン７は、レジ
スト厚が薄いため現像オーバになって寸法Ｗｌは小さく
、その逆にＷ３は大きくなる傾向にあるが、これを相殺
するよう露光量が調節されたため、Ｗ、 、Ｗ、はほと
んど等しい値とすることができた。
（実施例２）
伸）に示すように、ポジ型フォトレジスト０ＦＰＲ８０
０９を１＾ｍの厚さで回転塗布した。この時、厚さ約２
００にのポジ型フォトレジスト％有の周期むら（ストラ
イエーション）が生じた。この上に（ｂ）に示すように
吸収層１０を回転塗布した。表面はほぼ平坦となり、前
記フォトレジストの厚い部分では吸収層は薄く、フォト
レジストの薄い部分では厚く塗布することができた。こ
のため実施例１と同様にレジストの厚い部分では過大な
露光をレジストの薄い部分では少い露光を自己補償的に
与えることができた。このため、（Ｃ）に示すように通
常工程では、レジストパターン幅に周期的な太り、細り
が生じるが、本発明の方法によって（ｄ）に示すように
、寸法精度のよいパターンを得ることができた。
０９を１＾ｍの厚さで回転塗布した。この時、厚さ約２
００にのポジ型フォトレジスト％有の周期むら（ストラ
イエーション）が生じた。この上に（ｂ）に示すように
吸収層１０を回転塗布した。表面はほぼ平坦となり、前
記フォトレジストの厚い部分では吸収層は薄く、フォト
レジストの薄い部分では厚く塗布することができた。こ
のため実施例１と同様にレジストの厚い部分では過大な
露光をレジストの薄い部分では少い露光を自己補償的に
与えることができた。このため、（Ｃ）に示すように通
常工程では、レジストパターン幅に周期的な太り、細り
が生じるが、本発明の方法によって（ｄ）に示すように
、寸法精度のよいパターンを得ることができた。
なお、本発明において用いられる吸収層は、本実施例に
限定されるものでなく、吸収をもち、ウォトレジスト上
に塗布できるものであればよい。
限定されるものでなく、吸収をもち、ウォトレジスト上
に塗布できるものであればよい。
ｍ１図及び第２図は本発明の各実施例を示す工程断面図
である。 １・・・基板、２・・・ネガ型レジスト、３・・・吸収
層、４・・・廁光光、５．６・・・潜像形成部、７，８
・・・レジストパターン。 代理人 弁理士 則 近 憲 銅 量 竹 花 誉久力（ａ） 一’ｊ （ｂ） １ ↓ ↓ Ｉ Ｉ １〜４ （Ｃ） 乙 （ｄ） Ｗ２ （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 第１図
である。 １・・・基板、２・・・ネガ型レジスト、３・・・吸収
層、４・・・廁光光、５．６・・・潜像形成部、７，８
・・・レジストパターン。 代理人 弁理士 則 近 憲 銅 量 竹 花 誉久力（ａ） 一’ｊ （ｂ） １ ↓ ↓ Ｉ Ｉ １〜４ （Ｃ） 乙 （ｄ） Ｗ２ （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 第１図
Claims (3)
- （１）放射線感応レジスト上に放射線を吸収して減衰せ
しめる第２の層を形成して露光することを特徴とするパ
ターン形成方法。 - （２）ポジ型の放射線感応レジストを用いて、第２の層
を該レジストの膜厚の大なる部分において薄く、該レジ
ストの膜厚の小なる部分において厚く形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法
。 - （３）ネガ型の放射線感応レジストを用いて、第２の属
を該レジストの膜厚の大なる部分において厚く該レジス
トの膜厚の小なる部分において薄く形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18971185A JPS6251220A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18971185A JPS6251220A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251220A true JPS6251220A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16245912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18971185A Pending JPS6251220A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210912A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Hynix Semiconductor Inc | リセスゲートを有する半導体素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP18971185A patent/JPS6251220A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210912A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Hynix Semiconductor Inc | リセスゲートを有する半導体素子及びその製造方法 |
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