JP2006179871A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上に第３の導電層を形成し、
   前記第３の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングによって、前記第３の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第３のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であり、前記第３の導電層のエッチングレート以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、
   前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であり、前記混合溶液の温度は４０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
   前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
   前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
   前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
   前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であり、前記混合溶液の温度は４０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項３乃至請求項８のいずれか一において、
   前記ドライエッチングは、塩素系ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    前記第１の導電層の厚さは、前記第２の導電層の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記第１の導電層はトランジスタと接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。