JP2006154684A - 光電気混載基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】
従来の光電気混載基板よりも、薄型の光電気混載基板を提供することにある。
【解決手段】
配線回路基板部6上に光導波路部7を積層してなる光電気混載基板であって、絶縁層1上に導体パターン2を形成し、前記導体パターン2上にアンダークラッド層3を形成し、前記アンダークラッド層3上にコア層4を形成し、前記コア層4上にオーバークラッド層5を形成する。
【選択図】 図1
従来の光電気混載基板よりも、薄型の光電気混載基板を提供することにある。
【解決手段】
配線回路基板部6上に光導波路部7を積層してなる光電気混載基板であって、絶縁層1上に導体パターン2を形成し、前記導体パターン2上にアンダークラッド層3を形成し、前記アンダークラッド層3上にコア層4を形成し、前記コア層4上にオーバークラッド層5を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、配線回路基板部と光導波路部とからなる光電気混載基板に関する。
近年、情報通信技術において、光信号と電気信号を相互に変換して、情報通信が行われている。そのような情報通信において、電気信号を伝送する配線回路基板と光を伝送する光導波路を混載した光電気混載基板が利用されている。例えば、特許文献1に記載の光電気混載基板においては、配線回路基板と光導波路が接着剤層を介して、積層されている。
特開2001−166165号公報
高密度の情報通信においては、通信機器の小型化、薄型化が求められており、光電気混載基板も薄くすることが求められている。
そこで、本発明の目的は、従来の光電気混載基板よりも、薄型の光電気混載基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の光電気混載基板は、配線回路基板上に光導波路を積層してなる光電気混載基板であって、絶縁層上に導体パターンが形成され、前記導体パターン上にアンダークラッド層が形成され、前記アンダークラッド層上にコア層が形成され、前記コア層上にオーバークラッド層が形成されてなることを特徴とする。
本発明の光電気混載基板は、光導波路のアンダークラッド層が配線回路基板のカバー絶縁層を兼ねているので、接着剤層を介して光導波路と配線回路基板を積層した従来の光電気混載基板よりも、接着剤層及び配線回路基板のカバー絶縁層の分だけ、光電気混載基板の総厚みを薄くすることができる。
本発明の光電気混載基板は、配線回路基板上に光導波路を積層してなる光電気混載基板であり、図1に示すように、配線回路基板部6と光導波路部7から成り、光導波路のアンダークラッド層3が配線回路基板のカバー絶縁層を兼ねている。
以下、配線回路基板部6と光導波路部7を順次説明する。
以下、配線回路基板部6と光導波路部7を順次説明する。
まず、配線回路基板部6について、図1を参照して説明する。
配線回路基板部6の絶縁層1を形成するための材料は、絶縁性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂などの合成樹脂が用いられる。耐熱性の観点から、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
絶縁層1の厚みは、5〜50μmが好ましい。
そして、絶縁層1の上には、所定形状の導体パターン2が形成されている。導体パターン2を形成するための材料は、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケル、および、それらの合金などの金属が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。
導体パターン2の幅は、5〜50μmが好ましく、導体パターン2の間隔は5〜50μmが好ましい。また、導体パターン2の厚みは、3〜50μmが好ましい。
次に、光導波路部7について、図1を参照して説明する。
配線回路基板部6の導体パターン2の上に、アンダークラッド層3が形成されている。アンダークラッド層3を形成するための材料は、透明性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が用いられる。
アンダークラッド層3の厚みは、5〜100μmが好ましい。
そして、アンダークラッド層3の上には、所定パターンのコア層4が形成されている。コア層4を形成するための材料は、透明性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリイミド樹脂などが用いられる。なお、通常、コア層4の屈折率は、アンダークラッド層3及び後述のオーバークラッド層5の屈折率より高くなるように設計されている。
コア層4のパターンの幅は、5〜100μmが好ましく、パターンの間隔は5〜500μmが好ましい。また、コア層4の厚みは、5〜100μmが好ましい。
そして、コア層4の上には、オーバークラッド層5が形成されている。オーバークラッド層5を形成するための材料は、透明性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリイミド樹脂が用いられ、通常、アンダークラッド層3と同じ材料が用いられる。
オーバークラッド層5の厚みは5〜100μmが好ましい。
なお、本発明の光電気混載基板の総厚みは、15〜250μmが好ましい。
次に、本発明の光電気混載基板の製造方法について、図2を参照して、説明する。
本発明の光電気混載基板は、まず、配線回路基板部6を形成し、その上に光導波路部7を積層するように形成して製造する。
以下、配線回路基板部6及び光導波路部7の形成方法を順次説明する。
まず、図2(a)に示すように、絶縁層1の上に、所定形状の導体パターン2を形成する。導体パターン2の形成方法は、サブトラクティブ法、セミアディテイブ法、アディテイブ法などの従来公知の方法によって、行うことができる。
サブトラクティブ法は、絶縁層上の全面に導体層を形成し、その導体層のうち不要な部分をエッチングすることにより所定形状の導体パターンを形成する方法である。また、セミアディテイブ法およびアディテイブ法は、所定形状の導体パターンをめっき法等により形成する方法である。
以上により、配線回路基板部6が形成される。
次に、図2(b)に示すように、導体パターン2の上にアンダークラッド層3を形成する。アンダークラッド層3の形成方法は、上記のアンダークラッド層3を形成するための合成樹脂を溶媒にとかした溶液を、塗布し、乾燥することによって形成される。
溶液の樹脂濃度は、アンダークラッド層3の表面を平滑にするためには、50〜90重量%が好ましい。
次に、図2(c)に示すように、アンダークラッド層3の上に、所定パターンのコア層4を形成する。コア層4の形成方法は、特に限定しないが、例えば、感光性樹脂を用いて行うことができる。感光性樹脂としては、感光性エポキシ樹脂、感光性ポリアミック酸樹脂、感光性ポリイミド樹脂などが好ましい。
次に、図2(d)に示すように、コア層4の上にオーバークラッド層5を形成する。オーバークラッド層5の形成は、アンダークラッド層3と同様に行うことができる。
以上により、配線回路基板部6の上に、光導波路部7が形成された、本発明の光電気混載基板を得ることができる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は何ら実施例に限定されることはない。
実施例1
厚み25μmのポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層上にセミアディテイブ法により、導体パターンを形成し、配線回路基板部を作製した(図2(a)参照)。
厚み25μmのポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層上にセミアディテイブ法により、導体パターンを形成し、配線回路基板部を作製した(図2(a)参照)。
なお、セミアディテイブ法では、まず絶縁層上に金属薄膜として、厚み0.01μmのクロム薄膜と、厚み0.15μmの銅薄膜をスパッタリング法により連続して形成した後、その金属薄膜上に、めっきレジストを上記の導体パターンの反転パターンで形成し、その後、電解銅めっきにより、厚み20μmの銅からなる金属配線を、各金属配線の幅25μm、各金属配線の間隔25μmの導体パターンとして形成した。その後、めっきレジストを剥離し、さらに導体パターンから露出している金属薄膜をウェットエッチングにより除去した。
次いで、上記により得られた配線回路基板部の上に光導波路部を下記のように、形成した。
まず、表1に示す処方で、各成分を、溶媒としてシクロヘキサノンを用いて混合溶解して、ワニスA及びBを調製した。なお、各ワニスを硬化した硬化物の、測定波長633nmにおける屈折率を併せて表1に示す。
次いで、ワニスBを、アンダークラッド層の上に、スピンコート法により塗布し、90℃で15分間乾燥して樹脂層を形成した。次いで、50μm幅の直線光導波路パターンが描画されたフォトマスク(合成石英系のクロムマスク)を用いて、コンタクト露光法にて、2000mJ/cm2の照射量にて紫外線を照射した。
その後、90℃で60分間、露光後加熱した後、アセトニトリル系現像液中に浸漬して現像し、樹脂層をパターン形成した。その後、樹脂層を、100℃で30分間加熱することで、厚み50μm、幅50μmの断面方形のコア層を間隔250μmで形成した(図2(c)参照)。
そして、コア層を含むアンダークラッド層の上に、ワニスAをスピンコート法により塗布し、90℃で15分間乾燥して樹脂層を形成した。その後、樹脂層の全面に、2000mJ/cm2の照射量にて紫外線を照射し、次いで、100℃で30分間加熱することにより、厚み80μmのオーバークラッド層を形成した(図2(d)参照)。これにより、比屈折率差Δ=1.8%のマルチモード光導波路部を得た。
以上によって図1に示すような光電気混載基板を作製した。
得られた光電気混載基板の総厚みは135μmであった。
得られた光電気混載基板の総厚みは135μmであった。
1 絶縁層
2 導体パターン
3 アンダークラッド層
4 コア層
5 オーバークラッド層
6 配線回路基板部
7 光導波路部
2 導体パターン
3 アンダークラッド層
4 コア層
5 オーバークラッド層
6 配線回路基板部
7 光導波路部
Claims (1)
- 配線回路基板上に光導波路を積層してなる光電気混載基板であって、
絶縁層上に導体パターンが形成され、
前記導体パターン上にアンダークラッド層が形成され、
前記アンダークラッド層上にコア層が形成され、
前記コア層上にオーバークラッド層が形成されてなることを特徴とする光電気混載基板。
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