JP2006148078A - 平滑な側面を有する導電層を一部として使用する回路基板、その製造方法、ならびにこの回路基板を使用する電気組立体および情報処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2つの導電層23(例えば、電気メッキを施した銅箔)が中間絶縁層17に接合(例えば積層)されている回路基板。この絶縁層に物理的に接合されたこれら箔11の2つの表面は平滑(好ましくは化学処理によって)であって、それらの上に薄い有機質層を備えており、一方両方の箔11の外側の表面もまた平滑(好ましくは化学処理ステップを用いることによって)である。これらの導電層23の1つはグラウンド層または電源層として機能することができ、もう一方の導電層23は複数の信号ラインを一部として有する信号層として機能することができる。
【選択図】図5
Description
「回路基板の製造方法であって、
少なくとも1つの絶縁層を形成する工程と、
第1の比較的低い粗度を有する第1側面および該第1側面の粗度より高い粗度を有する第2側面を有している第1および第2導電層を形成する工程と、
前記第1および第2導電層の前記第1側面の前記粗度を必要最小限増加させるために該第1側面に化学処理を施す工程と、
前記第1側面の前記処理の後に、前記絶縁層が前記第1導電層と第2導電層の間に実質的に配置されるように前記第1および第2導電層の前記第1側面に前記絶縁層を接合する工程と、
前記第1側面の粗度よりも高い前記粗度を有している前記第1および第2導電層の前記第2側面に、該第2側面の前記粗度ならびに前記第1および第2導電層の厚みを減少させるために化学処理を施す工程と、少なくとも1つの前記導電層において回路パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法」
であり、」この方法は、
「前記第1および第2導電層を形成する工程は、前記第1側面に前記処理を施す前に前記第1の比較的低い粗度が約0.1RMS粗度〜約0.5RMS粗度の範囲内である前記第1および第2導電層を形成する工程を含むこと」
さらには、
「前記第1および第2の導電層を形成する工程は、前記第2側面の粗度が1.0RMS粗度〜3.0RMS粗度の範囲内である前記第1および第2の導電層を形成する工程を含むこと」
そして、
「前記第1側面に前記化学処理を施す工程は、酸を含む溶液に前記第1側面をさらす工程を含むこと」、さらには、「前記第1側面を処理する工程は、前記第1および第2導電層の前記側面上に薄い有機質層を配置する工程を含むこと」
とすることができる。
もあるものである。
もあるものである。
「回路基板であって、
第1および第2の側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、
薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の互いに対向する前記第1および第2側面に接合された平滑な第1側面と、この第1側面と対向するエッチングされた平滑な第2側面と、を有する第1および第2導電層と、
平滑な前記第1側面およびエッチングされた平滑な前記第2側面を有する少なくとも1つの前記導電層において形成された回路パターンと、
を有することを特徴とする回路基板」をも含むものであり、この場合、「前記少なくとも1つの絶縁層は、ガラス繊維で補強したエポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、ポリアミド、シアン酸塩樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、感光作画性材料ならびにこれらの組合せからなる高分子材料の群から選択される有機絶縁材料であること」及び「前記第1および第2の導電層は、銅または銅の合金材料からなること」、さらには、「前記銅または銅の合金材料は、電着した
銅であること」そして「前記薄い有機質層は、ベンゾトリアゾールからなると共に、約50オングストローム〜約500オングストロームの厚みを有すること」になるものでもある。
こともあるものである。
「電気組立体であって、
回路基板と、電子部品とを有しており、
前記回路基板は、第1および第2側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の前記第1および第2側面に結合された平滑な第1側面ならびにこの第1側面に対向するエッチングされた平滑な第2側面を有する第1および第2導電層と、平滑な該第1側面およびエッチングされた平滑な該第2側面を有する前記導電層の少なくとも1つにおいて形成された回路パターンとを有する回路基板であって、
前記少なくとも1つの電子部品は、前記基板上に配置されると共にこの基板に電気的に結合されることを特徴とする電気組立体」
であり、この場合、「前記少なくとも1つの電子部品は半導体チップを有しており、前記回路基板はチップキャリア基板であること」があり、また、「前記第1および第2導電層の平滑な前記第1側面上の前記薄い有機質層は、ベンゾトリアゾールからなると共に、約50オングストローム〜約500オングストロームの厚みを有すること」、そして、「前記少なくとも1つの絶縁層は、ガラス繊維で補強したエポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、ポリアミド、シアン酸塩樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、感光作画性材料ならびにこれらの組合せからなる高分子材料の群から選択される有機絶縁材料であること」を特徴とする電気組立体ともなるものである。
「前記少なくとも1つの絶縁層および前記第1および第2導電層を有する前記回路基板の両側に配置された付加的な絶縁層および導電層と、前記付加的な導電層のうち選択された導電層において形成された回路パターンと、を更に含む」ものとされ、「前記回路基板における絶縁層および導電層の総数は、11以上である」ともされる。
「情報処理システムであって、
筐体と、回路基板と、少なくとも1つの電子部品を含んでおり、
該回路基板は、第1および第2側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の前記第1および第2側面に結合された平滑な第1側面ならびにこの第1側面に対向するエッチングされた平滑な第2側面を有する第1および第2導電層と、平滑な該第1側面およびエッチングされた平滑な該第2側面を有する前記導電層の少なくとも1つにおいて形成された回路パターンとを有しており、
前記少なくとも1つの電子部品は、前記回路基板に配置されると共に電気的に結合されていることを特徴とする情報処理システム」をも含むものであり、この情報処理システムは、パーソナルコンピュータを含むし、メインフレームコンピュータやコンピュータサーバも含むものである。
・本明細書において教示される有益な特徴を有する回路基板を提供することによって、当該回路基板技術を高めることができる。
といった優れた効果を発揮するのである。
13 第1側面
15 第2側面
17 中間絶縁層
18 クリアランス開口部
19 (信号)導体
21 絶縁層
23 導電層
3、35 電気組立体
37 半導体チップ
95 半田ボール
96 導電パッド
105 チップキャリア
107 印刷回路基板
109 半導体チップ
110 ヒートシンク
113 支持体
121 情報処理システム
123 筺体
Claims (22)
- 回路基板の製造方法であって、
少なくとも1つの絶縁層を形成する工程と、
第1の比較的低い粗度を有する第1側面および該第1側面の粗度より高い粗度を有する第2側面を有している第1および第2導電層を形成する工程と、
前記第1および第2導電層の前記第1側面の前記粗度を必要最小限増加させるために該第1側面に化学処理を施す工程と、
前記第1側面の前記処理の後に、前記絶縁層が前記第1導電層と第2導電層の間に実質的に配置されるように前記第1および第2導電層の前記第1側面に前記絶縁層を接合する工程と、
前記第1側面の粗度よりも高い前記粗度を有している前記第1および第2導電層の前記第2側面に、該第2側面の前記粗度ならびに前記第1および第2導電層の厚みを減少させるために化学処理を施す工程と、少なくとも1つの前記導電層において回路パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記第1および第2導電層を形成する工程は、前記第1側面に前記処理を施す前に前記第1の比較的低い粗度が約0.1RMS粗度〜約0.5RMS粗度の範囲内である前記第1および第2導電層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。
- 前記第1および第2の導電層を形成する工程は、前記第2側面の粗度が1.0RMS粗度〜3.0RMS粗度の範囲内である前記第1および第2の導電層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第1側面に前記化学処理を施す工程は、酸を含む溶液に前記第1側面をさらす工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第1側面を処理する工程は、前記第1および第2導電層の前記側面上に薄い有機質層を配置する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。
- 前記薄い有機質層は、前記第1および第2導電層が前記絶縁層に接合される時に、前記第1および第2導電層の前記第1側面上に残ることを特徴とする請求項5に記載の回路基板の製造方法。
- 前記少なくとも1つの絶縁層ならびに前記第1および第2の導電層を有する前記回路基板の両側に付加的な絶縁層および導電層を加える工程と、前記付加的な導電層のうち選択された導電層において回路パターンを形成する工程とを、更に含む請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 回路基板であって、
第1および第2の側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、
薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の互いに対向する前記第1および第2側面に接合された平滑な第1側面と、この第1側面と対向するエッチングされた平滑な第2側面と、を有する第1および第2導電層と、
平滑な前記第1側面およびエッチングされた平滑な前記第2側面を有する少なくとも1つの前記導電層において形成された回路パターンと、
を有することを特徴とする回路基板。 - 前記第1および第2の導電層は、銅または銅の合金材料からなる請求項8に記載の回路基板。
- 前記銅または銅の合金材料は、電着した銅であることを特徴とする請求項9に記載の回路基板。
- 前記薄い有機質層は、ベンゾトリアゾールからなると共に、約50オングストローム〜約500オングストロームの厚みを有することを特徴とする請求項8に記載の回路基板。
- 前記少なくとも1つの絶縁層ならびに前記第1および第2の導電層を有する前記回路基板の両側に配置された付加的な絶縁層および導電層と、前記付加的な導電層のうち選択された導電層において形成された回路パターンと、を更に含む請求項8に記載の回路基板。
- 電気組立体であって、
回路基板と、電子部品とを有しており、
前記回路基板は、第1および第2側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の前記第1および第2側面に結合された平滑な第1側面ならびにこの第1側面に対向するエッチングされた平滑な第2側面を有する第1および第2導電層と、平滑な該第1側面およびエッチングされた平滑な該第2側面を有する前記導電層の少なくとも1つにおいて形成された回路パターンとを有する回路基板であって、
前記少なくとも1つの電子部品は、前記基板上に配置されると共にこの基板に電気的に結合されることを特徴とする電気組立体。 - 前記少なくとも1つの電子部品は半導体チップを有しており、前記回路基板はチップキャリア基板であることを特徴とする請求項13に記載の電気組立体。
- 前記第1および第2導電層の平滑な前記第1側面上の前記薄い有機質層は、ベンゾトリアゾールからなると共に、約50オングストローム〜約500オングストロームの厚みを有することを特徴とする請求項13に記載の電気組立体。
- 前記第1および第2の導電層は、銅または銅の合金材料からなることを特徴とする請求項13に記載の電気組立体。
- 前記銅または銅の合金材料は、電着した銅であることを特徴とする請求項16に記載の電気組立体。
- 前記少なくとも1つの絶縁層および前記第1および第2導電層を有する前記回路基板の両側に配置された付加的な絶縁層および導電層と、前記付加的な導電層のうち選択された導電層において形成された回路パターンと、を更に含む請求項13に記載の電気組立体。
- 情報処理システムであって、
筐体と、回路基板と、少なくとも1つの電子部品を含んでおり、
該回路基板は、第1および第2側面を有する少なくとも1つの絶縁層と、薄い有機質層を有すると共に前記少なくとも1つの絶縁層の前記第1および第2側面に結合された平滑な第1側面ならびにこの第1側面に対向するエッチングされた平滑な第2側面を有する第1および第2導電層と、平滑な該第1側面およびエッチングされた平滑な該第2側面を有する前記導電層の少なくとも1つにおいて形成された回路パターンとを有しており、
前記少なくとも1つの電子部品は、前記回路基板に配置されると共に電気的に結合されていることを特徴とする情報処理システム。 - 前記情報処理システムは、パーソナルコンピュータを含むことを特徴とする請求項19記載の情報処理システム。
- 前記情報処理システムは、メインフレームコンピュータを含むことを特徴とする請求項19記載の情報処理システム。
- 前記情報処理システムは、コンピュータサーバを含むことを特徴とする請求項19記載の情報処理システム。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI651807B (zh) * | 2014-05-16 | 2019-02-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Cu配線之製造方法 |
JP2019518330A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-27 | イソラ・ユーエスエイ・コーポレイションIsola USA Corp. | 回路基板の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4569428B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | 液晶表示装置 |
US20080142249A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | International Business Machines Corporation | Selective surface roughness for high speed signaling |
US20100282504A1 (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | High impedance trace |
US8572840B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Method of attaching an electronic module power supply |
US8998384B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Circuits and methods using a non-gold corrosion inhibitor |
KR20140060767A (ko) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 삼성전기주식회사 | 회로 기판 및 그 제조 방법 |
JP2016149475A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | イビデン株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
JP6159904B2 (ja) * | 2015-05-01 | 2017-07-05 | 株式会社フジクラ | 配線体、配線基板、及びタッチセンサ |
CA2931245C (en) * | 2015-05-26 | 2023-07-25 | National Research Council Of Canada | Metallic surface with karstified relief, forming same, and high surface area metallic electrochemical interface |
US10903543B2 (en) | 2016-12-06 | 2021-01-26 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | PCB transmission lines having reduced loss |
FR3060845B1 (fr) * | 2016-12-19 | 2019-05-24 | Institut Vedecom | Circuits electroniques de puissance equipes de bus barres formant dissipateurs thermiques et procede d’integration |
SG11202008179PA (en) | 2018-03-21 | 2020-10-29 | Rohm & Haas | Method for preparing acrolein |
SG11202008430RA (en) | 2018-03-21 | 2020-10-29 | Rohm & Haas | Method for preparing acrylic acid |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5463373A (en) * | 1977-10-31 | 1979-05-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Preparation of multilayer printed circuit board |
JPH08158074A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 有機防錆処理銅箔 |
JP2003025489A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-29 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 積層板用銅合金箔 |
JP2003198104A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sony Chem Corp | フレキシブル配線板の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4788766A (en) * | 1987-05-20 | 1988-12-06 | Loral Corporation | Method of fabricating a multilayer circuit board assembly |
EP0405369B1 (en) * | 1989-06-23 | 1996-02-28 | Toagosei Co., Ltd. | Process for producing copperclad laminate |
US5063951A (en) * | 1990-07-19 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device |
JPH05160208A (ja) | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Toshiba Corp | キャリアテープおよびその製造方法 |
US5289639A (en) * | 1992-07-10 | 1994-03-01 | International Business Machines Corp. | Fluid treatment apparatus and method |
US5545466A (en) * | 1993-03-19 | 1996-08-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper-clad laminate and printed wiring board |
JP2762386B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1998-06-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅張り積層板およびプリント配線板 |
US5378307A (en) * | 1993-04-28 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment apparatus |
US5482784A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-09 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same |
US5512335A (en) * | 1994-06-27 | 1996-04-30 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device with vibrational energy means |
JP3155920B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2001-04-16 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板用電解銅箔及びその製造方法 |
US6322904B1 (en) * | 1996-06-17 | 2001-11-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper foil for printed circuit boards |
US5729896A (en) * | 1996-10-31 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Method for attaching a flip chip on flexible circuit carrier using chip with metallic cap on solder |
JP2000277913A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
JP3291482B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2002-06-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 整面電解銅箔、その製造方法および用途 |
JP3291486B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2002-06-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 整面電解銅箔、その製造方法およびその用途 |
KR20030014168A (ko) * | 2001-08-10 | 2003-02-15 | 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 | 적층판용 구리합금박 |
US6828514B2 (en) * | 2003-01-30 | 2004-12-07 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | High speed circuit board and method for fabrication |
US20050067378A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Harry Fuerhaupter | Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry |
-
2004
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-
2005
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-
2010
- 2010-08-11 US US12/854,252 patent/US8242376B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5463373A (en) * | 1977-10-31 | 1979-05-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Preparation of multilayer printed circuit board |
JPH08158074A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 有機防錆処理銅箔 |
JP2003025489A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-29 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 積層板用銅合金箔 |
JP2003198104A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sony Chem Corp | フレキシブル配線板の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI651807B (zh) * | 2014-05-16 | 2019-02-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Cu配線之製造方法 |
JP2019518330A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-27 | イソラ・ユーエスエイ・コーポレイションIsola USA Corp. | 回路基板の製造方法 |
JP2022008960A (ja) * | 2016-05-18 | 2022-01-14 | イソラ・ユーエスエイ・コーポレイション | 回路基板の製造方法 |
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