JP2008042131A - 半導体光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コンタクト層上にスペーサ層とダメージ受容層を形成し、リッジ状の導波路構造上部のパッシベーション膜をドライエッチングのダメージをこの2層に吸収させ、その後、ウェットエッチングにより選択的に除去することにより、ドライエッチングによるダメージ層を除去する。
【選択図】図6
Description
4:InAlAs層、5:歪多重量子井戸活性層、6:InAlAs層、
7:InPクラッド層、8:ヘテロ障壁低減層、9:InGaAsコンタクト層、
10:InPスペーサ層、11:InGaAsダメージ受容層、12:SiO2膜、
13:パッシベーション膜、14:p側電極、15:n側電極、16:反射保護膜
100:溝、200:リッジ状の導波路構造、300:リッジ保護層
Claims (12)
- 半導体基板上に複数の層を積層した半導体光素子において、
前記半導体光素子は、ドライエッチング及び当該ドライエッチング後のウェットエッチングにより前記複数の層のうち予め定められた第一の層まで溝を形成するものであって、
前記複数の層の上面に位置する第二の層の上面には、スペーサ層が形成されており、当該スペーサ層の上面には、ダメージ受容層が形成されていること、
を特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子であって、
前記スペーサ層は、前記第二の層に対して選択的にエッチングができる材料であること、
を特徴とする半導体光素子。 - 請求項1又は2に記載の半導体光素子であって、
前記スペーサ層は、前記第一の層の上面に接する第三の層に対して選択比が小さい材料で形成されており、
前記ダメージ受容層は、前記第三の層に対して選択比が大きい材料で形成されていること、
を特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体光素子であって、
前記ダメージ受容層は、前記ドライエッチングによって、前記第二の層にダメージ層が形成されないようにするものであること、
を特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体光素子であって、
前記スペーサ層の膜厚は、100nm以上3μm以下であること、
を特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体光素子であって、
半導体基板上に、第一クラッド層、活性層、第二クラッド層、および、コンタクト層、が少なくとも積層されており、
前記第一の層は、前記第二のクラッド層の下面に接する層であり、
前記第二の層は、前記コンタクト層であり、
前記溝を複数形成することにより、複数の前記溝の間にリッジ状の導波路構造を形成するものであること、
を特徴とする半導体光素子。 - 半導体基板上に複数の層を積層し、前記複数の層の上面に位置する第二の層の上面にスペーサ層を形成し、当該スペーサ層の上面にダメージ受容層を形成する第一の工程と、
ドライエッチング及び当該ドライエッチング後のウェットエッチングにより前記複数の層のうち予め定められた第一の層まで複数の溝を形成して、複数の前記溝の間にリッジ状の立体構造を形成する第二の工程と、
表面に保護膜を形成する第三の工程と、
前記立体構造の上面の前記保護膜をドライエッチングすることにより、前記スペーサ層及び前記ダメージ受容層を露出させる第四の工程と、
前記スペーサ層及び前記ダメージ受容層をウェットエッチングにより除去する第五の工程と、
を備えることを特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記第一の工程で形成される前記スペーサ層は、前記第二の層に対して選択的にエッチングができる材料を用いること、
を特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 請求項7又は8に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記第一の工程で形成される前記スペーサ層は、前記第一の層の上面に接する第三の層に対して選択比が小さい材料を用い、
前記第一の工程で形成される前記ダメージ受容層は、前記第三の層に対して選択比が大きい材料を用いること、
を特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 請求項7乃至9の何れか一項に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記第一の工程で形成される前記ダメージ受容層は、前記ドライエッチングによって、前記第二の層にダメージ層が形成されないものを用いること、
を特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 請求項7乃至10の何れか一項に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記第一の工程で形成される前記スペーサ層の膜厚は、100nm以上3μm以下であること、
を特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記第一の工程は、半導体基板上に、第一クラッド層、活性層、第二クラッド層、および、コンタクト層、を少なくとも積層し、前記コンタクト層の上面に前記スペーサ層及び前記ダメージ受容層を形成するものであり、
前記第二の工程は、前記第二のクラッド層の下面に接する層まで複数の溝を形成して、複数の前記溝の間にリッジ状の導波路構造を形成するものであること、
を特徴とする半導体光素子の製造方法。
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