JP2006114868A - 磁気記録素子及びそれを用いた磁気記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気記録素子は、磁化が実質的に固定され強磁性材料で形成された固定層FPと、スピン偏極電子の作用により磁化が反転されマジョリティスピンバンド電子に対する第1の原子ポテンシャルとマイノリティスピンバンド電子に対する第2の原子ポテンシャルとを有する強磁性材料で形成された記録層FFと、固定層及び記録層間に設けられ非磁性材料で形成されたスペーサ層SPと、第1及び第2の原子ポテンシャルの中間値よりも低い第3の原子ポテンシャルを有する非磁性材料で形成され3nm以下の膜厚のキャップ層CPと、第3の原子ポテンシャルと異なる第4の原子ポテンシャルを有する非磁性材料で形成され、20nm以下の膜厚を有する反射層REFとを具備する。
【選択図】 図1
Description
F. J. Albert, et al., Appl. Phy. Lett. 77, 3809 (2000)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気記録素子の断面構造を例示する模式図である。
(a−1)反強磁性結合構造と強磁性結合構造
本実施形態に係る磁気記録素子10において、記録層FF及び固定層FPは、磁性層単層でもよいが、磁性層の中央に非磁性層を挿入した磁性層/非磁性層/磁性層の積層構造にしてもよい。このような積層構造の具体例を以下に説明する。
本実施形態に係る磁気記録素子10において、記録層FF及び固定層FPの少なくとも一方は、複数の磁性層からなる多層構造になっていてもよい。
本実施形態に係る磁気記録素子10の断面形状は、各層の膜面方向の寸法(磁化容易軸方向又は磁化困難軸方向の寸法)が全て同じであるが、これに限定されず、配線の接続のため又は磁化方向の制御のために各層の寸法が互いに異なるようにしてもよい。例えば、磁気記録素子10の断面形状は、図10(a)に示すように、上層に向かって横方向のサイズが連続的に小さくなっている台形であってもよいし、図10(b)に示すように、横方向サイズが層ごとに非連続な形状(例えば凸形状)であってもよい。このような場合でも、本実施形態の効果に支障はない。
本実施形態に係る磁気記録素子10(主に記録層)の平面形状は、例えば、縦横比が1:1から1:5の範囲にあるような正方形又は長方形(図11(a)、図11(b))、横長(縦長)6角形(図11(c))、楕円形(図11(d))、菱型(図11(e))、平行四辺形(図11(f))とすることが望ましい。さらに、円(図11(g))や十字型(図11(h))でもよい。また、その記録層の平面形状における寸法は、長手方向(磁化容易軸方向)の一辺が5nm乃至500nm程度の範囲内とすることが望ましい。
ここでは、本実施形態に係る磁気記録素子10を構成する各要素(主に材料)について詳述する。
固定層FP及び記録層FFを構成する強磁性材料としては、以下の中から用途に応じた磁気特性を有するものを適宜選択して用いればよい。
反強磁性層AFは、固定層FPに直接接して設けることで、固定層FPに一方向異方性を付与し、固定層FPの磁化を固着するためのものである。この反強磁性層AFの材料としては、鉄マンガン(FeMn)、白金マンガン(PtMn)、パラジウム・マンガン(PdMn)、パラジウム白金マンガン(PdPtMn)などを用いることが望ましい。
スペーサ層SPは、非磁性材料からなる。このスペーサ層SPの材料としては、金属、絶縁体及び半導体のいずれでもよく、低抵抗材料と高抵抗材料との2通りに分けられる。
キャップ層CPは、金属非磁性材料からなる。このキャップ層CPの材料は、上述するように、記録層FFのマジョリティスピンバンド電子に対する原子ポテンシャルとマイノリティスピンバンド電子に対する原子ポテンシャルとの中間値よりも原子ポテンシャルが低い材料からなる。さらに、キャップ層CPの材料は、記録層FFの材料と格子ミスマッチが少ない材料であると好ましい。具体的な材料としては、Cu、Au、Agなどがあげられ、記録層FFとの組み合わせで決まる。
反射層REFは、非磁性材料からなる。この反射層REFの材料としては、キャップ層CPの原子ポテンシャルから遠い(ポテンシャル差が大きい)原子ポテンシャルを有する材料が好ましい。具体的な材料としては、Ta、Pt、Ru、Al、Wなどがあげられ、キャップ層CPとの組み合わせで決まる。
図12(a)及び(b)及び図13(a)及び(b)を用いて、本実施形態に係る磁気記録素子10を用いた電流直接駆動による書き込み/読み出し動作について説明する。尚、ここでは、固定層FPの磁化は紙面上において上向きに固定されているものとする。
まず、図12(a)に示すように、平行磁化配置から反平行磁化配置へ記録層FFの磁化を反転させる場合は、記録層FFから固定層FPに向けて電子を流す。換言すると、固定層FPから記録層FFに電流を流す。
磁気記録素子10に書き込まれた情報は、磁気抵抗効果を利用して読み出すことができる。すなわち、固定層FP及び記録層FF間に反転電流以下のセンス電流を流したとき、平行磁化配置であれば磁気抵抗は比較的小さな値になり、一方、反平行磁化配置であれば磁気抵抗は比較的大きな値になる。この抵抗値の違いを読み取ることで、データの読み出しを行うことができる。
以下、実施例を参照しつつ、本発明の第1の実施形態についてさらに詳細に説明する。
第1の実施例では、本実施形態に係る薄いキャップ層を有する磁気記録素子10と比較例である厚いキャップ層を有する磁気記録素子とで、電流注入による反転電流密度の特性を比べる。
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(1nm)/CoFe(4nm)]/Cu(6nm)/CoFe(2.5nm)/Cu(2nm)/Ta(10nm)
(サンプル2)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(1nm)/CoFe(4nm)]/Cu(6nm)/CoFe(2.5nm)/Cu(20nm)/Ta(10nm)
サンプル1は、本実施形態に係る薄いキャップ層CPを有する磁気記録素子10であり、サンプル2は、比較例として厚いキャップ層CPを有する磁気記録素子10である。これらサンプル1及び2に係る磁気記録素子10は、図6(b)に例示した固定層FPが反強磁性結合した構造に対応する。
第2の実施例では、本実施形態に係る磁気記録素子と比較例の磁気記録素子とで、キャップ層CPの材質が異なる場合の電流特性を比較する。
[PtMn(15nm)/Co(20nm)]/Al2O3―X(0.8nm)/[CoFe(1.2nm)/Ru(1nm)/CoFe(1.2nm)]/Cu(1.4nm)/Ta(10nm)
(サンプル4)
[PtMn(15nm)/Co(20nm)]/Al2O3―X(0.8nm)/[CoFe(1.2nm)/Ru(1nm)/CoFe(1.2nm)]/Cr(1.4nm)/Ta(10nm)
サンプル3は、本実施形態に係る磁気記録素子10であり、サンプル4は、比較例としてCrキャップ層CPを有する磁気記録素子である。これらサンプル3及び4に係る磁気記録素子10は、図6(a)に例示した記録層FFが反強磁性結合した構造に対応する。
第3の実施例では、種々の積層構造の磁気記録素子10を作製し、平均反転電流及び反転電流の外部磁場依存性を求めた。
第4の実施例では、本実施形態に係る薄い反射層REFを有する磁気記録素子10と比較例である厚い反射層REFを有する磁気記録素子10とで、電流注入による反転電流密度の特性を比べる。ここで作成した磁気記録素子10の構造は、次のとおりである。
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(5nm)]/MgO(0.8nm)/CoFeB(3nm)/Cu(1.0nm)/MgO(0.4nm)
(サンプルB1)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(5nm)]/MgO(0.8nm)/CoFeB(3nm)/Cu(1.0nm)/MgO(1.8nm)
(サンプルA2)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(5nm)]/MgO(0.8nm)/CoFeB(3nm)/Cu(1.0nm)/Ta(5nm)
(サンプルB2)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(5nm)]/MgO(0.8nm)/CoFeB(3nm)/Cu(1.0nm)/Ta(40nm)
サンプルA1,A2は、本実施形態に係わる薄い反射層REFを有する磁気記録素子10であり、サンプルB1,B2は、それぞれA1,A2への比較例として厚い反射層REFを有する磁気記録素子10である。サンプルA1,B1にはMgOを反射層REFとして用い、サンプルA2,B2にはTaを反射層REFとして用いている。
下部電極/MgO(0.3nm)/Cu(1nm)/CoFeB(3nm)/MgO(0.8nm)/[CoFeB(5nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(4nm)]/PtMn(15nm)
また、サンプルA4からA8のような1nm以下の反射層REFの材料を変えたサンプルを作製し、反転電流を調べたところ、同様の効果を得ることができ、3nm以下のキャップ層CPと共に1nm以下の絶縁体からなる反射層REFが形成された場合に有用であることを確認した。
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/Co0.5Fe0.5(4nm)]/MgO(0.8nm)/Co0.5Fe0.5(2.5nm)/Cu(1.0nm)/MgO(0.4nm)
(サンプルA5)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(4nm)]/Al−O(0.8nm)/CoFe(3nm)/Cu(1.5nm)/Al−O(0.4nm)
(サンプルA6)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(4nm)]/Al−O(0.8nm)/CoFe(3nm)/Cu(1.5nm)/Fe−O(1nm)
(サンプルA7)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/Co0.5Fe0.5(4nm)]/MgO(0.8nm)/Co0.5Fe0.5(2.5nm)/Cu(1.0nm)/Fe−Co−O(1nm)
(サンプルA8)
[PtMn(15nm)/CoFe(4nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(4nm)]/Al−O(0.8nm)/[(CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(1.5nm)]/Cu(1.5nm)/Fe−O(1nm)
尚、上記の磁気記録素子10の積層構造を、上下を逆にして積層した構造においても、同様の効果を得ることができる。
第2の実施形態は、上記第1の実施形態に係る磁気記録素子とトランジスタとをメモリセルに備えた磁気記録装置(MRAM:Magnetic Random Access Memory)について説明する。本実施形態のメモリセルは、選択トランジスタがセル毎に設けられた、いわゆる選択トランジスタ型構造である。
第3の実施形態は、上記第2の実施形態と同様の選択トランジスタ型のメモリセルであるが、第2の実施形態では、電流駆動磁化反転書き込みと電流磁場書き込みの両方を行うことが可能な構造となっていたのに対し、第3の実施形態では、電流駆動磁化反転書き込みのみを行う構造となっている。
第4の実施形態は、第2及び第3の実施形態と同様に磁気記録素子を選択するための読み出し用スイッチング素子を設けるが、トランジスタの代わりにダイオードを用いた例である。
第5の実施形態は、上記第2乃至第4の実施形態のような読み出し用のスイッチング素子をセル毎に設けない、いわゆるクロスポイント型のメモリセルの例である。
第6の実施形態は、上記第1の実施形態に係る磁気記録素子10を、いわゆる「パターンド(patterned)媒体」に適用し、この媒体にプローブでアクセスするプローブストレージ型の磁気記録装置を例示する。
Claims (22)
- スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気記録素子であって、
磁化が実質的に固定され、第1及び第2の面を有し、強磁性材料で形成された固定層と、
前記スピン偏極電子の作用により磁化が反転され、第3及び第4の面を有し、マジョリティスピンバンド電子に対する第1の原子ポテンシャルとマイノリティスピンバンド電子に対する第2の原子ポテンシャルとを有する強磁性材料で形成された記録層と、
前記固定層と前記記録層との間に設けられ、前記第2及び第3の面と接し、非磁性材料で形成されたスペーサ層と、
第5及び第6の面を有し、前記第5の面が前記第4の面と接し、前記第1及び第2の原子ポテンシャルの中間値よりも低い第3の原子ポテンシャルを有する非磁性材料で形成され、3nm以下の膜厚を有するキャップ層と、
前記第6の面に接し、前記第3の原子ポテンシャルと異なる第4の原子ポテンシャルを有する非磁性材料で形成され、20nm以下の膜厚を有する反射層と
を具備することを特徴とする磁気記録素子。 - 前記スペーサ層は、絶縁体材料又は半導体材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録素子。
- 前記スペーサ層は、金属材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録素子。
- 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた非磁性層とを含む積層構造であり、
前記積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた非磁性層とを含む積層構造であり、
前記積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記固定層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた非磁性層とを含む積層構造であり、
前記積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記固定層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた非磁性層とを含む積層構造であり、
前記積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた第1の非磁性層とを含む第1の積層構造であり、
前記固定層は、第3の磁性層と第4の磁性層と前記第3及び第4の磁性層間に挟まれた第2の非磁性層とを含む第2の積層構造であり、
前記第1の積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造であり、
前記第2の積層構造は、前記第3及び第4の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた第1の非磁性層とを含む第1の積層構造であり、
前記固定層は、第3の磁性層と第4の磁性層と前記第3及び第4の磁性層間に挟まれた第2の非磁性層とを含む第2の積層構造であり、
前記第1の積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造であり、
前記第2の積層構造は、前記第3及び第4の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた第1の非磁性層とを含む第1の積層構造であり、
前記固定層は、第3の磁性層と第4の磁性層と前記第3及び第4の磁性層間に挟まれた第2の非磁性層とを含む第2の積層構造であり、
前記第1の積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造であり、
前記第2の積層構造は、前記第3及び第4の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記記録層は、第1の磁性層と第2の磁性層と前記第1及び第2の磁性層間に挟まれた第1の非磁性層とを含む第1の積層構造であり、
前記固定層は、第3の磁性層と第4の磁性層と前記第3及び第4の磁性層間に挟まれた第2の非磁性層とを含む第2の積層構造であり、
前記第1の積層構造は、前記第1及び第2の磁性層の磁化方向が平行である強磁性結合構造であり、
前記第2の積層構造は、前記第3及び第4の磁性層の磁化方向が反平行である反強磁性結合構造である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記固定層及び前記記録層の少なくとも一方は、複数の磁性層で形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記第1の面に接し、前記固定層の前記磁化を固定する反強磁性層と
をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の磁気記録素子。 - 前記反射層は、金属層からなることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の磁気記録素子。
- 前記反射層は、酸化層又は窒化層からなることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の磁気記録素子。
- 前記反射層は、1nm以下の膜厚を有する絶縁層、又は20nm以下の膜厚を有する半導体層で形成されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の磁気記録素子。
- 前記反射層は、1nm以下の膜厚を有する酸化層若しくは窒化層、又は20nm以下の膜厚を有する半導体層で形成されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の磁気記録素子。
- 前記請求項1乃至17のいずれか1項に記載の前記磁気記録素子を具備するメモリセルを備えたことを特徴とする磁気記録装置。
- 前記メモリセルは、
前記磁気記録素子の一端に接続されたビット線又はワード線と、
前記磁気記録素子の他端に接続されたスイッチング素子と
をさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の磁気記録装置。 - 前記メモリセルは、
前記磁気記録素子と電気的に分離され、前記磁気記録素子に情報を記録する際の書き込み電流を流す書き込みワード線と
をさらに具備することを特徴とする請求項19に記載の磁気記録装置。 - 前記メモリセルは、
前記磁気記録素子の一端に接続されたビット線と、
前記磁気記録素子の他端に接続されたワード線と
をさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の磁気記録装置。 - 前記磁気記録素子は、前記メモリセル内に複数個設けられ、
前記磁気記録素子を選択し、前記磁気記録素子にアクセス可能なプローブと、
前記プローブと前記磁気記録素子との相対的な位置を変える位置駆動装置と
を具備することを特徴とする請求項18に記載の磁気記録装置。
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