JP2006108639A - 圧電アクチュエータ - Google Patents
圧電アクチュエータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108639A JP2006108639A JP2005228397A JP2005228397A JP2006108639A JP 2006108639 A JP2006108639 A JP 2006108639A JP 2005228397 A JP2005228397 A JP 2005228397A JP 2005228397 A JP2005228397 A JP 2005228397A JP 2006108639 A JP2006108639 A JP 2006108639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- temperature
- piezoelectric actuator
- crystal
- actuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 91
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 66
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 23
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 80
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 50
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 49
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 44
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 34
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 208000037584 hereditary sensory and autonomic neuropathy Diseases 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical group [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001456 electron microprobe Auger spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
- C01G33/006—Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G35/00—Compounds of tantalum
- C01G35/006—Compounds containing, besides tantalum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/503—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/60—Compounds characterised by their crystallite size
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/54—Particles characterised by their aspect ratio, i.e. the ratio of sizes in the longest to the shortest dimension
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3294—Antimony oxides, antimonates, antimonites or oxide forming salts thereof, indium antimonate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
- C04B2235/5292—Flakes, platelets or plates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
- C04B2235/5296—Constituents or additives characterised by their shapes with a defined aspect ratio, e.g. indicating sphericity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/787—Oriented grains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
- C04B2235/9615—Linear firing shrinkage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】圧電セラミックスとその表面の少なくとも一部に形成された電極とを有する圧電素子2と、圧電素子2を保持する保持部材4とを有する圧電アクチュエータである。圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足する。(a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−***振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること。(b)熱伝導率が2Wm-1K-1以上であること。(c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること。(d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2K-1以下であること。(e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−***振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること。
【選択図】図15
Description
従って、上記圧電アクチュエータの変位は、プリセット負荷と負荷上昇により、圧電素子そのものの変位性能とは異なり、より小さな値となる。
しかし、PZT系の圧電セラミックスは、蒸気圧の高い酸化鉛(PbO)を含んでいるために、環境に対する負荷が大きいという問題があった。
具体的には、例えば、共振法で測定した圧電d33定数が300pC/N以上であり、かつ、−30℃から85℃における圧電d33の温度変化率が小さい組成物が開発されている(特許文献1参照)。
また、チタン酸バリウム系の圧電セラミックスと電極とからなり、電界強度1kV/mmを印加したときの素子に歪み率から計算した圧電d31定数の温度変化率が小さい圧電素子が開発されている(特許文献2)。
即ち、圧電アクチュエータには、積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、圧電超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等の様々な製品用途に応じて、さまざまな特性が要求される。しかし、実際に積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、圧電ブザー、圧電スピーカ等の様々な製品の要求特性を充分に満足できる圧電アクチュエータはなく、さらなる改良が望まれていた。
上記圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足することを特徴とする圧電アクチュエータにある(請求項1)。
(a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−***振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること
(b)熱伝導率が2Wm-1K-1以上であること
(c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること
(d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2K-1以下であること
(e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−***振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること
以下、上記圧電アクチュエータの作用効果について、各要件ごとに説明する。
一般に、圧電アクチュエータは、その駆動時に騒音を発生する場合がある。この騒音は、圧電素子が伸縮することにより、圧電アクチュエータを構成するケース等の保持部材や圧電アクチュエータを取り付ける他の部材と圧電アクチュエータが、共振することにより発生する。そのため、圧電アクチュエータ自体の設計、あるいは圧電アクチュエータを利用した製品の設計において、共振を防止する構造設計を行う必要があった。しかし、例えば、台形波駆動する燃料噴射弁等の圧電アクチュエータにおいては、駆動周波数が高くあるいは電圧立上げ速度が速いことに加え、その構造が複雑であり、構造設計で共振を防止することは困難であった。
本発明において、上記要件(a)を満足する場合には、上記圧電セラミックスの重量が小さくなるためアクチュエータを駆動させたときの運動エネルギーが小さくなり、騒音の発生を低減させることができる。さらに、上記のごとく、高い駆動周波数でも変位の応答性が良好になるため、高速運転が可能になる。そのため、例えば燃料噴射弁等の圧電アクチュエータとして実用性に優れたものとなる。
一般に、圧電アクチュエータにおいては、その駆動により温度が上昇する場合がある。そして、圧電アクチュエータは、その温度上昇に伴って変位等の特性が変化するおそれがある。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記要件(b)を満足する場合には、上記のごとく放熱性が向上するため、上記圧電アクチュエータの温度上昇を抑制することができる。それ故、上記圧電セラミックスの温度上昇による変位等の特性の変化を抑制することができ、上記圧電アクチュエータは実用性に優れたものとなる。
また、一般に、圧電アクチュエータを例えば温度120℃以上の環境温度で使用する場合には、圧電アクチュエータの温度上昇が大きいと、圧電アクチュエータが高温になりやすい。そのため、上記圧電アクチュエータ自体あるいは圧電アクチュエータを構成する、例えば樹脂等からなる保持部材等が熱劣化するおそれがある。
上記圧電アクチュエータが上記(b)要件を満足する場合には、上述のごとく、温度上昇を抑制することができるため、上記保持部材の熱劣化を防止することができる。そのためこの場合には、上記圧電アクチュエータは、比較的上記保持部材の熱劣化が起こりやすい例えば超音波モータ、超音波ソナー、超音波振動子等としてより実用性に優れたものとなる。また、超音波モータ、超音波ソナー、超音波振動子においては、上記保持部材の他にも例えば樹脂等からなる接着部材を用いて、上記圧電素子を金属からなる支持体等の他部材に接着させる場合がある。この場合においても、上記(b)要件を満足する場合には、温度上昇を抑制できるため、上記接着部材の熱劣化を防止することができる。
一般に、圧電アクチュエータにおいては、使用環境温度の変化や、駆動による温度上昇により、その温度が変化する。また、圧電アクチュエータの製造時においても、例えば圧電素子を加熱接着する際等に、温度変化が起こる。温度変化が起こると、圧電セラミックスと、この圧電セラミックスと接する電極や保持部材等の他の部材との間に熱膨張差が生じるおそれがある。その結果、圧電アクチュエータにおいて、熱応力が発生し、圧電アクチュエータが破壊されてしまうおそれがある。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記(c)要件を満足する場合には、上述のごとく、熱膨張差を小さくすることができるため、熱応力により上記圧電アクチュエータが破壊されることを防止できる。
また、超音波モータ、超音波ソナー、圧延超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等の圧電アクチュエータにおいては、上記圧電セラミックスを有する上記圧電素子と他部材とを例えば熱硬化性樹脂等によって加熱接着させる場合がある。この場合においても、上記圧電セラミックスが上記(c)要件を満足する場合には、上述のごとく熱膨張差を小さくできるため、加熱接着時の熱応力及び残留熱応力等によって上記圧電アクチュエータが破壊されることを防止することができる。よって、少なくとも上記(c)要件を満足する上記圧電アクチュエータは、例えば超音波モータ、超音波ソナー、圧電超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等としてより実用性に優れたものとなる。
一般に、圧電アクチュエータあるいは圧電アクチュエータを組み込んだ製品が、その製造時や、完成後の輸送や保管の際等に、温度変化を受けた場合には、焦電効果により圧電アクチュエータに電圧が発生するおそれがあった。この電圧の発生を回避するために、従来、圧電アクチュエータの電極端子間を金属クリップ治具等で短絡させたり、製品形態を変更して電極端子間に抵抗体を組み付けたりすること等が行われていた。その結果、圧電アクチュエータの作製には本来必要のない工程や金属クリップ治具や抵抗体等の部品が必要となり、製造コストが高くなるおそれがあった。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記(d)要件を満足する場合には、上述のごとく、上記圧電アクチュエータの焦電効果を起こり難くすることができる。そのため、従来のごとく、焦電効果を防止するための製造工程や部品を増やす必要がなく、製造コストを削減することができる。そのため、上記圧電アクチュエータは、例えば燃料噴射弁、積層圧電トランス、積層超音波モータ、積層圧電スピーカ等のように、焦電効果による発生電荷の大きな例えば積層型又は大きな厚みの上記圧電素子を有するアクチュエータとして実用性に優れたものとなる。
上記圧電アクチュエータは、上記圧電素子と、上記保持部材とを有する。上記圧電素子は、圧電セラミックスとその表面の少なくとも一部に形成された電極とを有する。
具体的には、上記圧電素子は、例えば圧電セラミックスと、該圧電セラミックスを挟むように形成された一対の電極等により構成することができる。
また、上記圧電素子としては、複数の圧電セラミックスと複数の電極とを交互に積層してなる積層型の圧電素子を用いることもできる。上記圧電素子として積層型の圧電素子を用いる場合には、上記圧電アクチュエータの変位量を増大させることができる。
上記保持部材は、上記圧電素子を保持するものである。例えば樹脂製の収縮チューブ等を用いることができる。
上記要件(a)は、嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−***振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であることにある。
上記圧電セラミックスの嵩密度5g/cm3を超える場合には、上記圧電アクチュエータの駆動時の騒音が大きくなるおそれがある。なお、強度を低下させないこと、および、変位を低下させないためには、嵩密度の下限は4.4g/cm3以上がよい。
即ち、セラミックスの乾燥重量をW1[g]、水中重量をW2[g]、湿重量をW3[g]をで測定し、以下の式より求めることが出来る。(アルキメデス法)
嵩密度=(W1×ρw)/(W3−W2)
ここで、ρw:水中重量測定時の水の密度を[g/cm3]。
共振−***振法によるヤング率Y11 Eについて、説明する。
即ち、共振−***振法によるY11 Eは、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-円板状振動子の径方向振動-、EMAS-6001」、昭和52年7月20日、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-材料定数の測定および算出-、EMAS-6007」、昭和61年3月、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の電気的試験方法、EMAS-6100」、平成5年3月、に従い測定することが出来る。
熱伝導率が2Wm-1K-1未満の場合には、放熱性が低下するおそれがある。その結果、上記圧電アクチュエータは、駆動により温度上昇が起こりやすくなり、変位等の特性にばらつきが起こりやすくなるおそれがある。より好ましくは、熱伝導率は、2.2Wm-1K-1以上がよい。
即ち、レーザフラッシュ法により、熱拡散率を測定し、また、DSC(示差走査熱量計)法により、比熱を測定して、以下の式より求めることが出来る。
λ=αρCp
ここで、λ:熱伝導率[Wm-1K-1]α:熱拡散率[10-7m2s-1]、ρ:圧電セラミックスの嵩密度[kg/m3]Cp:比熱[Jkg-3K-1]
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの熱膨張係数が3.0ppm/℃未満の場合には、上記圧電アクチュエータ内に熱応力が発生し易くなるおそれがある。その結果、上記圧電アクチュエータが破壊されやすくなるおそれがある。
より好ましくは、熱膨張係数は、3.5ppm/℃以上がよく、さらに好ましくは4.0ppm/℃以上がよい。なお、アクチュエータを構成するFe等の金属部材などより熱膨張係数が大きいと、熱応力が発生し易くなるという観点から熱膨張係数の上限は11ppm/℃以下がよい。
即ち、TMA(熱機械分析)法により線熱膨張を測定し、以下の式より求めることができる。
β=(1/L0)・(dL/dT)
ここで、β:線熱膨張係数[10-6/℃]、L0:基準温度(25℃)での試料長さ[m]、dT:温度差[℃]、dL:温度差dTでの膨張長さ[m]である。
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの焦電係数が400μCm-2K-1を超える場合には、焦電効果が起こり易くなり、温度変化により圧電アクチュエータに電圧が発生してしまうおそれがある。
より好ましくは、上記圧電セラミックスの焦電係数は、−30〜160℃という特定温度範囲において、350μCm-2K-1以下がよく、さらに好ましくは、300μCm-2K-1以下がよい。
即ち、焦電係数γは、定義式 γ=dP/dT [Cm-2K-1]
(ここで、Pは分極量、Tは温度。)より、測定可能な、電流I、試料電極面積S、温度変化dT、測定時間間隔dtより、γ=(I/S)・(dt/dT) [Cm-2K-1]、式により求められる。
即ち、圧電素子を恒温槽または電気炉に入れて、一定速度で昇温あるいは降温させたときに、圧電素子の上下面の電極から流れ出る電流I[A]を微小電流計にて測定し、測定間隔t[s] の間に積分することで発生電荷量[C]を計算し、さらに圧電素子の電極面積で徐することで各温度の分極量P(C/cm2)の温度特性を求め、温度係数を計算するものである。(焦電電流法)。
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの機械的品質係数Qmが50を超える場合には、共振点以外における音圧が低下するおそれがある。
より好ましくは、上記圧電セラミックスの機械的品質係数Qmは、−30〜80℃という特定温度範囲において、40以下がよく、さらに好ましくは、35以下がよい。なお、Qmが低すぎると共振振幅が小さく、音圧が低下するため、機械的品質係数Qmの下限は5以上がよい。
即ち、共振−***振法によるQmは、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-円板状振動子の径方向振動-、EMAS-6001」、昭和52年7月20日、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-材料定数の測定および算出-、EMAS-6007」、昭和61年3月、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の電気的試験方法、EMAS-6100」、平成5年3月に従い測定することが出来る。
この場合には、上記圧電アクチュエータの実用性をより向上させることができる。
(f)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(g)下記の式(1)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において±14%以内であること
WD33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(1)
(ただし、D33maxは、温度−30〜80℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
定電圧駆動の圧電アクチュエータの変位(ΔL1)は、下記の式A1で表される。
ΔL1=D33×EF×L0・・・・ A1
ここで、D33:動的歪量[m/V]、EF:最大電界強度[V/m]およびL0:電圧を印加する前の圧電セラミックスの長さ[m]である。また、動的歪量は、電界強度0〜3000V/mmであって絶縁破壊しない程度の範囲の高電圧を、一定の振幅で印加して駆動した場合に、電圧印加方向と平行方向に発生する圧電セラミックスの変位量であり、下記の式A2で表される。
D33=S/EF=(ΔL1/L0)/(V/L0)・・・ A2
ここで、S:最大歪量である。また、D33は温度依存性だけではなく、電界強度依存性を有するものである。
上記式(A1)及び(A2)から知られるごとく、圧電アクチュエータ変位(ΔL1)は、印加電界強度に応じた動的歪量D33と印加電界強度の積に比例する。
従って、使用温度範囲におけるアクチュエータの変位変動幅を小さくするには、駆動電界強度に応じたD33の温度依存性が小さいことが望ましいといえる。
また、当然のことながら、変位性能であるD33は大きいことが望ましい。
(h)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(i)下記の一般式(2)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において±14%以内であること
WD33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(2)
(ただし、D33maxは、温度−30〜160℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
この場合には、上記圧電アクチュエータの優れた特性を最大限に発揮することができる。
また、上記圧電アクチュエータは、超音波ソナー、超音波モータ、圧電超音波振動子として用いることができる(請求項5)。
また、上記圧電アクチュエータは、圧電発音部品として用いることができる(請求項6)。該圧電発音部品としては、例えば圧電ブザー、及び圧電スピーカ等がある。
この場合には、上記(d)による焦電効果を起こり難くすることができるという上述の作用効果をより顕著に発揮することができる。
即ち、一般的に積層型圧電素子を用いた場合には、焦電効果による発生電荷が大きくなり易く、圧電素子の分極劣化が起こり易くなる。また、圧電素子を取り扱う作業者が感電するおそれがある。しかし、本発明においては、上記(d)要件を満足させることにより、積層型圧電素子を用いた場合であっても焦電効果の発生を抑制できる。
上記積層型圧電素子は、上記圧電セラミックスと上記電極とを交互に積層した構造を有する。具体的には、例えば未焼成の圧電セラミックスと電極とを交互に複数積層した積層体を焼成してなる電極一体焼成構造のものや、焼成後の圧電セラミックスに電極を形成してなる圧電素子を複数準備し、これら複数の圧電素子を接着により接合させた構造のもの等がある。
この場合には、上記圧電アクチュエータの環境に対する安全性を高めることができる。
この場合には、上記要件(a)〜(e)を満足する圧電アクチュエータや、上記要件(a)〜(i)要件を満足する圧電アクチュエータを容易に実現することができる。
式B1及び式B2から、Li置換量は第1の結晶相転移温度を上昇させ、かつ、第2の結晶相転移温度を低下させる作用を有することがわかる。また、TaならびにSbは第1の結晶相転移温度を低下させ、かつ、第2の結晶相転移温度を低下させる作用を有することがわかる。
第1の結晶相転移温度=(388+9x−5z−17w)±50[℃] ・・・ (式B1)
第2の結晶相転移温度=(190−18.9x−3.9z−5.8w)±50[℃] ・・・ (式B2)
(388+9x−5z−17w)+50≧120を満足することが望ましい。
また、式B2に示す第2の結晶相転移温度は、10℃以下が望ましいため、「x」、「z」、「w」は(190−18.9x−3.9z−5.8w)−50≦10を満足することが望ましい。
即ち、上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、上記一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3におけるx、y、及びzが、下記の式(3)及び式(4)の関係を満足することが好ましい(請求項10)。
9x−5z−17w≧−318 ・・・(3)
−18.9x−3.9z−5.8w≦−130 ・・・(4)
前者の場合は、第1のKNN系化合物のみからなることが望ましいが、等方性ペロブスカイト型の結晶構造を維持でき、かつ、焼結特性、圧電特性等の諸特性に悪影響を及ぼさないものである限り、他の元素又は他の相が含まれていても良い。特に、上記結晶配向圧電セラミックスを製造するための原料において、市場で入手可能な純度99%乃至99.9%の工業原料に含まれる不純物は混入が不可避である。例えば、上記結晶配向圧電セラミックスの原料の一つであるNb2O5には、原鉱石あるいは製法に由来する不純物として、最大でTaが0.1wt%未満、Fが0.15wt%未満含まれる場合がある。また、後述の実施例1にて記載するが、製造工程においてBiを使用する場合は、その混入が不可避である。
後者の場合は、例えばMnを添加することにより、見かけの動的容量の温度依存性の低減、変位の上昇の効果があり、加えて誘電損失tanδの低下、機械的品質係数Qmの上昇の効果があることから共振駆動型のアクチュエータとして好ましい特性が得られる。
なお、「擬立方{HKL}」とは、一般に、等方性ペロブスカイト型化合物は、正方晶、斜方晶、三方晶など、立方晶からわずかに歪んだ構造を取るが、その歪は僅かであるので、立方晶とみなしてミラー指数表示することを意味する。
この場合には、上記圧電アクチュエータの変位をより大きくすることができると共に、見かけの動的容量の温度依存性を小さくすることができる。
即ち、上記結晶配向圧電セラミックスは、ロットゲーリングによる擬立方{100}面の配向度が30%以上であり、かつ10〜160℃という温度範囲おいて、結晶系が正方晶であることが好ましい(請求項11)。
より具体的には、上記圧電セラミックスの嵩密度は、例えば上記一般式で表される化合物からなる上記結晶配向圧電セラミックスを、例えば相対密度95%以上で充分に緻密化させることにより、上記のごとく5.0g/cm3以下にすることができる。
これに対し、PZT系材料は、充分に緻密化させても、嵩密度が7.4〜8.5g/cm3程度である。したがって、上記結晶配向圧電セラミックスを用いたアクチュエータの方が、PZT系材料を用いた場合よりも、騒音を小さくすることが出来る。
上記結晶配向圧電セラミックスは、その熱膨張係数が−30〜160℃という特定温度範囲において3.0ppm/℃以上である。そのため、上記要件(c)を容易に実現することができる。その結果、上記のごとく、熱膨張係数が3.0ppm/℃より大きな、金属や樹脂等で構成された保持部材等との熱膨張係数差を小さくすることが出来る。従って、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた上記圧電アクチュエータは、温度変化を受けた場合に発生する熱応力を小さくすることが出来る。
上記結晶配向圧電セラミックスを駆動源を用いた圧電アクチュエータは、−30〜160℃の温度範囲において、電界強度100V/mm以上、かつ、絶縁破壊をしない電界強度以下で、の一定の振幅を有する電界駆動条件下で発生する動的歪量D33を250pm/V以上とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば300pm/V以上、さらに350pm/V以上、さらに400pm/V以上、さらに450pm/V以上、さらに500pm/V以上とすることが出来る。
また、変位の変動幅(=動的歪量の変動幅)は、(最大値−最小値)/2を基準値とした場合、±14%以下とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば、±12%以下、さらに±10%以下、さらに±8%以下とすることが出来る。
また、−30〜80℃の温度範囲においては、電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件下で発生する変位の変動幅(=動的歪量の変動幅)は(最大値−最小値)/2を基準値とした場合、±14%以下とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば、±12%以下、さらに±9%以下、さらに±7%以下、さらに±5%以下、さらに±4%以下とすることが出来る。従って、定電圧駆動における変位の温度依存性が小さなアクチュエータが得られる。
同図に示すごとく、圧電アクチュエータ1は、例えば圧電セラミックスを有する圧電素子2と、圧電素子を保持する保持部材4と、圧電素子等を収納するハウジング部材3と、圧電素子の変位を伝達する伝達部材5とにより構成することができる。
圧電素子2としては、後述の図17に示すごとく、例えば圧電セラミックス21と内部電極22,23とを交互に複数積層してなる積層型の圧電素子等を用いることができる。
また、圧電素子としては、一枚の圧電セラミックスを2枚の内部電極で挟むことにより構成した単板の圧電素子を用いることもできる(図示略)。
また、圧電素子2の側面には一対に外部電極25,26が形成されており、圧電素子2において隣り合う二つの内部電極22,23は、互いに異なる外部電極25,26に電気的に接続される。
また、図15に示すごとく、ピストン部材5とハウジング3の間にはOリング35が配置されており、ハウジング3内の気密性を保つとともに、ピストン部材5を伸縮可動な構成にしてある。
次に、本発明の実施例について説明する。
本例においては、圧電セラミックスを有する圧電素子を作製し、該圧電素子を用いて圧電アクチュエータを作製する。
本例においては、圧電アクチュエータのモデルとして、図16に示すごとく、治具8を用いた圧電アクチュエータ11を作製する。
治具8は、圧電素子2を収納するためのハウジング81と、圧電素子2に連結され、圧電素子2の変位を伝達するるピストン(連結部材)82とを有している。ピストン82は、皿バネ85を介してガイド83に連結されている。ハウジング81内には、台座部815が設けられており、圧電素子2は台座部815に配置される。台座部815に配置した圧電素子2は、ピストン82のヘッド部821によって固定される。このとき、皿バネ85から圧電素子2にプリセット荷重を加えることができる。また、ピストン82のヘッド部821と反対側の端部(測定部88)は、圧電素子2の変位に伴って動くことができる。
なお、本例において、圧電アクチュエータのモデルを作製する理由は、圧電アクチュエータの変位の温度特性を評価するためである。その形状を長尺状にすることにより、圧電素子2を恒温槽の内部に設置し、かつ、測定部88を恒温槽の外部(=室温)に設置することが可能となる。後述の温度特性の評価においては、図16に示す圧電アクチュエータ11において、点線よりも下の部分を恒温槽の内部に設置する。このとき、圧電アクチュエータにおいて、点線よりも上の部分への熱の移動を防止するため、圧電アクチュエータには、断熱材86が設けられている。
かかる、圧電アクチュエータのモデルは図15に示すところの圧電アクチュエータと機能上は等価である。
また、圧電素子2の側面には圧電素子を挟むように二つの外部電極25,26が形成されており、外部電極25,26はリード線61,62に接続されている。
また、内部電極板22,23と外部電極25,26とは、圧電素子2内において隣り合う二つの内部電極22,23がそれぞれ異なる電位の外部電極25,26に接続するように、電気的に接続されている。
(1)NaNbO3板状粉末の合成
化学量論比でBi2.5Na3.5Nb5O18組成となるようにBi2O3粉末、Na2CO3粉末及びNb2O5粉末を秤量し、これらを湿式混合した。次いで、この原料に対し、フラックスとしてNaClを50wt%添加し、1時間乾式混合した。
純度99.99%以上のNa2CO3粉末、K2CO3粉末、Li2CO3粉末、Nb2O5粉末、Ta2O5粉末、Sb2O5粉末を{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3の化学量論組成1molから、NaNbO3を0.05mol差し引いた組成となるように秤量し、有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式混合を行った。その後、750℃で5Hr仮焼し、さらに有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式粉砕を行うことで平均粒径が約0.5μmの仮焼物粉体を得た。
得られた圧電素子20から、共振周波数(Fr)、圧電特性であるヤング率(Y11 E)、圧電歪み定数(d31)、電気機械結合係数(kp)、機械的品質係数(Qm)、及び誘電特性である比誘電率(ε33 t/ε0)、誘電損失(tanδ)を、室温(温度25℃)において共振***振法により測定した。また、電極形成前の焼結体において、アルキメデス法により見かけ密度、開気孔率、嵩密度を測定した。
また、同様に、第1の結晶相転移温度(キュリー温度)と第2の結晶相転移温度を、比誘電率の温度特性を測定することにより求めた。なお、第2の結晶相転移温度が0℃以下の場合には、第2の結晶相転移温度より高温側の比誘電率の変動幅が非常に小さくなるため、比誘電率のピーク位置を特定が確認できない場合は、比誘電率が屈曲する温度を第2の結晶相転移温度とした。
図19に示すごとく、まず上記のようにして得られた圧電素子20と、後述の外部電極に接続するための突起を有する厚み0.02mm、直径8.4mmのSUS製の内部電極板22(23)とを交互に積層した。このとき、内部電極板22(23)の突起が積層方向に交互に異なる方向に配置し、かつ、一層おきには同じ方向に揃うように内部電極板22(23)を配置した。このようにして、合計40枚の圧電セラミックス21と、合計41枚の内部電極板とを交互に積層し、さらにその積層体の上下面に厚み2mm、直径8.5mmのアルミナ板(絶縁板)を積層して、図17に示すごとく、積層型の圧電素子2を作製した。
また、内部電極板22,23の突起と、反対極性の内部電極板22,23及び反対極性の圧電素子のAu電極間との絶縁を確保するために、積層体側面の同一極電極板の突起間に櫛歯状の樹脂製絶縁部材(図示略)を挿入配置し、その上からシリコーングリースを塗布し、さらに積層体を絶縁チューブからなる保持部材4で被覆して積層型の圧電素子2とした。
その後、積層型の圧電素子2のAu電極と電極板の密着性を向上させる目的で、室温(温度25℃)で積層方向に150MPaの圧縮応力を30秒間印加した(加圧エージング)。さらに、室温(温度25℃)で積層方向に30MPaの圧縮応力を印加した状態で、電界強度0−1500V/mmの振幅のsin波を周波数40Hzで30分間印加した(電圧エージング)。その後、図16に示すごとく、積層型の圧電素子2を、治具8に固定し、圧電素子2の積層方向に、バネ定数2.9N/μmの皿バネ85をプリセット荷重16.4MPaで圧接した。このようにして、図16に示すごとく圧電アクチュエータ11を作製した。
動的歪量D33の測定は、周波数0.5Hzならびに10Hz、電圧立上げ時間は150μs、電圧立ち下げ時間は150μs、デューティー比は50:50の台形波駆動条件下で観測される変位を静電容量式の変位センサで測定し、式A2により求めた。
また、測定した値から、−30〜80℃の温度範囲における変動幅ならびに−30〜160℃の温度範囲における変動幅を求めた。ここで、変動幅とは(最大値−最小値)/2を基準値とした値とした。
さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは376kHz、ヤング率Y11 Eは103.0GPa、圧電歪み定数d31は86.5pm/V、電気機械結合係数kpは48.8%、機械的品質係数Qmは18.2、比誘電率ε33 t/ε0は1042、誘電損失tanδは6.4%であった。また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は282℃、第2の結晶相転移温度は−30℃であった。
以上の結果を表1に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が−30℃の場合であり、D33=303pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1500V/mmの場合であり、変動幅は±3.8%であった。
脱脂後の板状成形体の焼成温度を1105℃とした以外は、実施例1と同一の手順に従い、{Li0.07(K0.45Na0.55)0.93}{Nb0.82Ta0.10Sb0.08}O3組成を有する結晶配向セラミックスを作製した。得られた結晶配向セラミックス(圧電セラミックス)について、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚の積層アクチュエータを作製し、アクチュエータ特性を評価した。
以上の結果を表1に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が20℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±8.0%であった。
脱脂後の板状成形体の焼成温度を1105℃とした以外は、実施例1と同一の手順に従い、{Li0.065(K0.45Na0.55)0.935}{Nb0.83Ta0.09Sb0.08}O3組成を有する結晶配向セラミックスを作製した。得られた結晶配向セラミックスについて、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚を積層してなる圧電アクチュエータを作製し、そのアクチュエータ特性を評価した。
以上の結果を表1に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が80℃の場合であり、D33=347pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1500V/mmの場合であり、変動幅は±5.6%であった。
実施例1と同一組成の結晶配向セラミックスを、実施例1とは異なる手順で作製した実施例について記載する。
実施例1で作製したNaNbO3板状粉末、並びに、非板状のNaNbO3粉末、KNbO3粉末、KTaO3粉末、LiSbO3粉末及びNaSbO3粉末を、{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3組成となるように秤量し、有機溶剤を溶媒として20時間の湿式混合を行った。
得られるスラリーに対してバインダ(ポリビニルブチラール)及び可塑剤(フタル酸ジブチル)を加えた後、さらに2時間混合した。
以上の結果を表1に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃の場合であり、D33=427pm/V、動的歪量D33変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±7.2%であった。
本実施例は、実施例3の組成物である{Li0.065(K0.45Na0.55)0.935}{Nb0.83Ta0.09Sb0.08}O31molに対してMnを0.0005molを外添加した組成を有する圧電セラミックス(結晶配向圧電セラミックス)を作製し、該圧電セラミックスを用いて圧電アクチュエータを作製した。
まず、純度99.99%以上のNa2CO3粉末、K2CO3粉末、Li2CO3粉末、Nb2O5粉末、Ta2O5粉末、Sb2O5粉末、およびMnO2粉末を、{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O31mol+Mn0.0005molの組成から、NaNbO3を0.05mol差し引いた組成を秤量し、有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式混合を行った。その後、750℃で5Hr仮焼し、さらに有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式粉砕を行うことで平均粒径が約0.5μmの仮焼物粉体を得た。
得られた結晶配向セラミックスについて、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚の積層アクチュエータを作製し,動的歪量D33の温度特性を評価した。
また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は263℃、第2の結晶相転移温度は−15℃であった。
以上の結果を表1に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃、ならびに80℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±10.4%であった。
比較例1は、自動車用燃料噴射弁用の積層アクチュエータに適した、ソフト系とハード系の中間的な特性(セミハード)の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。ここで、ソフト系とはQmが100以下の材料のことであり、ハード系とはQmが1000以上の材料のことである。
以降の手順は、電極材料としてAgペーストを用いて、焼付を行ったこと以外は実施例1と同じである。
以上の結果を表1に示す。
比較例2は、環境温度変化が小さい半導体製造装置などの位置決め用の積層アクチュエータに適した、ソフト系の菱面体晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
得られたスラリーに対して、バインダ(ポリビニルアルコール)を仮焼粉体に対して1wt%となるように添加した後、スプレードライヤで乾燥、造粒した。
以降の手順は、比較例1と同じである。
比較例3は自動車用のノックセンサに適した、ソフト系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
以降の手順は、焼結温度を1230℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
比較例4は高出力の超音波モータに適した、セミハード系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
以降の手順は、焼結温度を1230℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
比較例5は高感度の角速度センサに適した、ハード系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
以降の手順は、焼結温度を1200℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
以上の結果を表1に示す。
駆動電界強度を1000V/mmよりも小さくすると、動的歪量も小さくなる。
本実施例では、上記圧電アクチュエータの駆動電界強度を小さくした場合の動的歪量を求めた。
実施例1〜5で作製した圧電アクチュエータの駆動電界強度と20℃における動的歪量の関係を図6に示す。
図6から知られるごとく、圧電アクチュエータとして必要な駆動電界強度の下限値である100V/mmにおいて、動的歪量は250pm/V以上であることがわかった。
本実施例では、1000V/mmよりも低い駆動電界強度が小さく、動的歪量が小さい場合の変位の変動幅を求める。
このためには、アクチュエータへの印加電圧を下げて測定すべきであるが、本実施例で作製した、アクチュエータでは電界強度500V/mm未満においては、変位が小さく、測定精度が悪化する可能性がある。加えて、その温度特性評価はさらに困難である。
そこで、単板の圧電横歪定数d31の測定をすれば、変位の絶対値の推定は困難であるが、変位の温度特性の推定は可能であるため、本実施例では、共振−***振法により、単板の圧電横歪定数d31の測定を実施した。
実施例5で作製した単板のd31の温度特性を測定値と、実施例5で示す1000〜2000V/mmの駆動電界強度における動的歪量とを、それぞれ、20℃の値で規格化して比較した結果を図7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における単板のd31の変動幅は±7.8%であった。また、−30〜160℃の温度範囲における単板のd31の変動幅は、±9.2%であった。この値は、1000〜2000V/mmの駆動電界強度における動的歪量の変動幅と同等であった。
実施例2ならびに比較例1で得た焼結体の熱拡散率、比熱、熱伝導率の測定を行った結果を表8に示す。
熱拡散率の測定は、上記焼結体を、厚さ0.75mm、直径10mmの円盤状に研削加工した後、その両面にカーボンスプレーを1μm程度塗布して表面を黒化し、熱拡散率の測定用試料とした。
比熱の測定は、上記焼結体から70〜90mgの試料片を採取し、測定用の試料とした。
熱伝導率は、熱拡散率と熱容量(密度×比熱)の積として、式A3より求めた。
λ=αρCp・・・・・・(A3)
ここで、λ:熱伝導率[Wm-1K-1]、α:熱拡散率[m2s-1]、ρ:焼結体の嵩密度[kgm-3]、Cp:比熱[Jkg-1K-1]である。
実施例2ならびに比較例1で得た焼結体(圧電セラミックス)の線熱膨張率、熱膨張係数の測定を行った結果を表9に示す。また、25℃を基準温度とした線熱膨張率の温度特性を図8に示す。
なお、βはΔL/L0温度曲線の温度微分値に相当している。
β=(1/L0)・(dL/dT)・・・・・・・・A4
ここで、L0:基準温度(25℃)の試料長さ、dT:温度差(20℃)、dL:温度差dTでの膨張長さである。
実施例4ならびに比較例1で得た単板の分極量Prの変化量の温度特性を測定した結果を図9に示す。
まず、上記圧電素子を恒温槽内に設置し、温度25℃から−40℃まで2℃/minの速度で降温し、その後、−40℃〜200℃まで2℃/minの速度で昇温させた。この時に、圧電素子の上下電極面から流れ出る電流を、微小電流計にて約30秒間隔で測定し、同時に測定するときの温度と正確な時間も測定し、下式により分極量の変化量 ΔP[C/cm2] 、および測定時間間隔における温度変化量 ΔTを求めた。
ΔP={(I1+I2)/2}・(t1−t2)/S
ΔT=T1−T2
ここで、ΔP:分極量の変化量[μC/cm2]、(t1−t2):測定した時間間隔[s]、I1:時刻t1における電流[A]、T1:時刻t1における温度[℃]、I2:t2における電流[A]、T2:時刻t2における温度[℃]、S:圧電素子の片側の電極面積[cm2]である。これより、温度=(T1+T2)/2における、焦電係数を
焦電係数=ΔP/ΔT
により計算し、絶対値として焦電係数を求めた。
実施例5ならびに比較例1で得た焼結体(圧電セラミックス)の破壊荷重を測定し、ワイブルプロットした結果を図10に示す。
図10においては、横軸は、破壊荷重F[N]の自然対数を示し、縦軸は破壊確率[%]を示す。
従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、組付けや駆動による応力に対し、破壊しにくいアクチュエータを得ることができることがわかった。
実施例4、実施例5、比較例2、比較例3で作製した圧電素子の機械的品質係数(Qm)の温度特性を測定した結果を図11に示す。
実施例4、実施例5ともに温度25℃(室温)近傍で最も低い値であり、温度25℃より高温側でも、温度25℃より低温側でも上昇した。
実施例4の−30〜80℃における最大値は、80℃において、32.6であった。また、80℃より高い温度範囲においてはさらに上昇し、100℃においては48.4、160℃においては73.4となった。
実施例5の、−30〜80℃における最大値は、80℃において、41.2であった。また、80℃より高い温度範囲においてはさらに上昇し、100℃においては81.6、160℃においては103.1となった。
一方、比較例2の−30〜80℃における最大値は、−30℃において、66.2であった。また、比較例3は−30℃において、61.1であった。
従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、−30〜80℃の温度範囲において、アクチュエータの振動系全体のQmも下げることが出来るため、共振点と共振点以外の音圧差の小さい圧電音響部品とすることができる。
実施例5で作製した圧電素子の、ヤング率(Y11 E)、共振周波数(Fr)、誘電損失(tanδ)の温度依存性を測定した結果をそれぞれ図12、図13、図14に示す。
−30〜160℃の温度範囲において、ヤング率(Y11 E)は−10℃以下で低下するが、その最小値は−30℃において91GPaであった。共振周波数(Fr)は同様に−10℃以下で低下するが、その最小値は−30℃において、353kHzであり、比較例5の室温(温度25℃)の値より81kHzも大きな値であった。
以上のことから、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、−30〜160℃の温度範囲においても、共振周波数の高いアクチュエータが得られることがわかった。
また、誘電損失(tanδ)は、0〜−30℃の範囲において高く、約3%のほぼ一定の値となり、80〜160℃以上において低く、約1.2%の値であった。従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、アクチュエータの駆動による自己発熱が問題となり易い高温領域では、誘電損失(tanδ)が低いため、発熱が小さいと推定される。
2 圧電素子
21 圧電セラミックス
22,23 電極(内部電極板)
4 保持部材
Claims (11)
- 圧電セラミックスの表面に一対の電極を形成してなる圧電素子と、該圧電素子を保持する保持部材とを有する圧電アクチュエータであって、
上記圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
(a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−***振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること
(b)熱伝導率が2Wm-1K-1以上であること
(c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること
(d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2K-1以下であること
(e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−***振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること - 請求項1において、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(f)及び要件(g)を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
(f)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(g)下記の式(1)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において±14%以内であること
WD33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(1)
(ただし、D33maxは、温度−30〜80℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す) - 請求項1又は2において、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(h)及び要件(i)を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
(h)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(i)下記の一般式(2)で表される上記動的歪量Lの温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において±14%以内であること
WD33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(2)
(ただし、D33maxは、温度−30〜160℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す) - 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、燃料噴射弁であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、超音波ソナー、超音波モータ、圧電超音波振動子であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、圧電発音部品であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項1〜6のいずれか一項において、上記圧電素子は、上記圧電セラミックスと上記電極とを交互に積層してなる積層型圧電素子であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項1〜7のいずれか一項において、上記圧電セラミックスは、鉛を含有しない圧電セラミックスからなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項1〜8のいずれか一項において、上記圧電セラミックスは、一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3(但し、0≦x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0≦w≦0.2、x+z+w>0)で表される等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなると共に、該多結晶体を構成する各結晶粒の特定の結晶面が配向している結晶配向圧電セラミックスからなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 請求項9において、上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、上記一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3におけるx、y、及びzが、下記の式(3)及び式(4)の関係を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
9x−5z−17w≧−318 ・・・(3)
−18.9x−3.9z−5.8w≦−130 ・・・(4) - 請求項9又は10において、上記結晶配向圧電セラミックスは、ロットゲーリングによる擬立方{100}面の配向度が30%以上であり、かつ10〜160℃という温度範囲おいて、結晶系が正方晶であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005228397A JP4795748B2 (ja) | 2004-09-13 | 2005-08-05 | 圧電アクチュエータ |
PCT/JP2005/017230 WO2006030942A1 (ja) | 2004-09-13 | 2005-09-13 | 圧電アクチュエータ |
CN2005800377558A CN101053089B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-13 | 压电促动器 |
DE112005002182.3T DE112005002182B4 (de) | 2004-09-13 | 2005-09-13 | Piezoelektrische Betätigungsvorrichtung |
US11/717,798 US7352113B2 (en) | 2004-09-13 | 2007-03-13 | Piezoelectric actuator |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004266111 | 2004-09-13 | ||
JP2004266111 | 2004-09-13 | ||
JP2005228397A JP4795748B2 (ja) | 2004-09-13 | 2005-08-05 | 圧電アクチュエータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108639A true JP2006108639A (ja) | 2006-04-20 |
JP4795748B2 JP4795748B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=36060185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005228397A Expired - Fee Related JP4795748B2 (ja) | 2004-09-13 | 2005-08-05 | 圧電アクチュエータ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7352113B2 (ja) |
JP (1) | JP4795748B2 (ja) |
CN (1) | CN101053089B (ja) |
DE (1) | DE112005002182B4 (ja) |
WO (1) | WO2006030942A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007259700A (ja) * | 2006-07-26 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータ |
JP2008004678A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Canon Inc | 強誘電体材料の検査方法及びその検査装置 |
WO2009128546A1 (ja) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイスの検査方法及び検査装置、並びに圧電/電歪デバイスの調整方法 |
JP2010016018A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
JP2010124322A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sony Corp | スピーカー装置およびスピーカーシステム |
JP2014033210A (ja) * | 2005-12-06 | 2014-02-20 | Seiko Epson Corp | 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ |
JP2015164182A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-09-10 | キヤノン株式会社 | 圧電素子、圧電素子の製造方法、および電子機器 |
JP2017152533A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧電アクチュエータの製造方法 |
JP2017225221A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 有限会社メカノトランスフォーマ | アクチュエータおよび伸縮素子のリード線引き出し方法 |
WO2020261954A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 富士フイルム株式会社 | 電気音響変換フィルムおよび電気音響変換器 |
JP7406876B2 (ja) | 2018-10-17 | 2023-12-28 | キヤノン株式会社 | 圧電トランス、および電子機器 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4735840B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ |
EP1986245B1 (en) * | 2007-04-26 | 2015-08-26 | FUJIFILM Corporation | Piezoelectric body, piezoelectrc device, and liquid discharge apparatus |
JP2008311634A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-12-25 | Fujifilm Corp | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 |
KR101259382B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2013-04-30 | 한국과학기술연구원 | 높은 변형율과 빠른 동작 속도를 가진 초소형 작동기와 그 제조 방법 |
US8237334B2 (en) | 2009-04-22 | 2012-08-07 | Parker-Hannifin Corporation | Piezo actuator |
JP5515675B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-06-11 | 日立金属株式会社 | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス |
JP5769380B2 (ja) | 2010-03-23 | 2015-08-26 | キヤノン株式会社 | 振動波モータ |
JP5071503B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2012-11-14 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス |
JP5131939B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-01-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
CN102709463B (zh) * | 2012-06-28 | 2014-03-12 | 陈�峰 | 压电陶瓷封装装置的制作方法 |
WO2014192597A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
WO2015080256A1 (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 京セラ株式会社 | 圧電素子、およびそれを用いた圧電部材、液体吐出ヘッド、ならびに記録装置 |
CN104201931B (zh) * | 2014-09-28 | 2016-08-24 | 郑州轻工业学院 | 基于压电叠堆的微位移驱动器 |
DE102015103295A1 (de) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | Atlas Elektronik Gmbh | Schallwandler zum Senden und/oder zum Empfangen von akustischen Unterwassersignalen, Wandlervorrichtung, Sonar und Wasserfahrzeug |
US10065212B2 (en) * | 2015-09-04 | 2018-09-04 | Motorola Solutions, Inc. | Ultrasonic transmitter |
JP7031586B2 (ja) | 2016-06-30 | 2022-03-08 | 株式会社ニコン | 振動波モータ及び光学機器 |
JP7044600B2 (ja) | 2018-03-14 | 2022-03-30 | 住友化学株式会社 | 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電デバイス |
CN112738688A (zh) * | 2020-07-30 | 2021-04-30 | 赵淼 | 号角单元、号角组阵装置及发声装置 |
US20220069196A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Cts Corporation | Lead-free knn-based piezoelectric ceramic material with texturing, and method of making the same |
JP2023150222A (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、ヘッドチップ、液体噴射装置およびセンサ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0782024A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2004155601A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Nippon Ceramic Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2004244299A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Denso Corp | 圧電磁器組成物及びその製造方法,並びに圧電素子及び誘電素子 |
JP2004244302A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Denso Corp | 圧電磁器組成物及びその製造方法,並びに圧電素子及び誘電素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2976246A (en) | 1961-03-21 | composition | ||
JP3670473B2 (ja) | 1997-12-18 | 2005-07-13 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物 |
JP2003046154A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪素子、圧電/電歪デバイスおよびそれらの製造方法 |
JP4039029B2 (ja) | 2001-10-23 | 2008-01-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミックス、圧電素子、および積層型圧電素子 |
JP4398635B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-01-13 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 圧電セラミックス |
-
2005
- 2005-08-05 JP JP2005228397A patent/JP4795748B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-13 CN CN2005800377558A patent/CN101053089B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-13 WO PCT/JP2005/017230 patent/WO2006030942A1/ja active Application Filing
- 2005-09-13 DE DE112005002182.3T patent/DE112005002182B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-13 US US11/717,798 patent/US7352113B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0782024A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2004155601A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Nippon Ceramic Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2004244299A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Denso Corp | 圧電磁器組成物及びその製造方法,並びに圧電素子及び誘電素子 |
JP2004244302A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Denso Corp | 圧電磁器組成物及びその製造方法,並びに圧電素子及び誘電素子 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033210A (ja) * | 2005-12-06 | 2014-02-20 | Seiko Epson Corp | 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ |
JP2008004678A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Canon Inc | 強誘電体材料の検査方法及びその検査装置 |
JP2007259700A (ja) * | 2006-07-26 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータ |
JP5479325B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2014-04-23 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイスの検査方法及び検査装置、並びに圧電/電歪デバイスの調整方法 |
US8304961B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-11-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for testing piezoelectric/electrostrictive device, testing apparatus, and method for adjusting piezoelectric/electrostrictive device |
US8664828B2 (en) | 2008-04-18 | 2014-03-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Testing apparatus for piezoelectric/electrostrictive device |
US8680742B2 (en) | 2008-04-18 | 2014-03-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for adjusting piezoelectric/electrostrictive device |
WO2009128546A1 (ja) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイスの検査方法及び検査装置、並びに圧電/電歪デバイスの調整方法 |
JP2010016018A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
JP2010124322A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sony Corp | スピーカー装置およびスピーカーシステム |
JP2015164182A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-09-10 | キヤノン株式会社 | 圧電素子、圧電素子の製造方法、および電子機器 |
JP2017152533A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧電アクチュエータの製造方法 |
JP2017225221A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 有限会社メカノトランスフォーマ | アクチュエータおよび伸縮素子のリード線引き出し方法 |
JP7406876B2 (ja) | 2018-10-17 | 2023-12-28 | キヤノン株式会社 | 圧電トランス、および電子機器 |
WO2020261954A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 富士フイルム株式会社 | 電気音響変換フィルムおよび電気音響変換器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4795748B2 (ja) | 2011-10-19 |
CN101053089B (zh) | 2011-08-03 |
WO2006030942A1 (ja) | 2006-03-23 |
DE112005002182T5 (de) | 2009-03-12 |
CN101053089A (zh) | 2007-10-10 |
DE112005002182B4 (de) | 2016-06-23 |
US20070159028A1 (en) | 2007-07-12 |
US7352113B2 (en) | 2008-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4795748B2 (ja) | 圧電アクチュエータ | |
JP4878133B2 (ja) | 圧電アクチュエータ | |
JP5217997B2 (ja) | 圧電磁器、振動子及び超音波モータ | |
JP2006105964A (ja) | 圧電センサ | |
KR101541022B1 (ko) | 압전재료, 압전소자, 액체 토출 헤드, 초음파 모터 및 진애 제거 장치 | |
JP5929640B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
JP2002068835A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
US20090242099A1 (en) | Method of producing a piezostack device | |
JP4156461B2 (ja) | 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子 | |
JP5876974B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP2008239473A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子 | |
JP5597368B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP4804449B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
WO2006093043A1 (ja) | 積層型圧電体素子 | |
JP2008179532A (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
US20110241483A1 (en) | Piezoelectric composition, piezoelectric ceramic, transducer, and ultrasonic motor | |
JP5011140B2 (ja) | 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子 | |
JP6357180B2 (ja) | 磁器組成物、圧電素子、振動子、および、圧電素子の製造方法 | |
JPH11100265A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP5894222B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
KR101666302B1 (ko) | 적층형 액츄에이터의 제조 방법 | |
JP2009114049A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP5258620B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
JP2006143540A (ja) | 圧電磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH0769723A (ja) | 圧電材料組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4795748 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |