JP2006106343A - 反射調光エレクトロクロミック素子及びそれを用いたガラス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1透明導電膜層10と、プロトンの吸脱着によって光線透過性能および光線反射性能が変化する反射調光材料からなる調光材料層20と、調光材料層20への酸素および水分の侵入を抑制し、プロトン伝導性を有するキャップ層30と、プロトン伝導性の電解質層40と、調光材料層20へ供給されるプロトンを貯蔵するプロトン蓄積層50と、第2透明導電膜層60とが、この順序で積層してなる反射調光エレクトロクロミック素子であって、キャップ層30は、窒素原子、酸素原子、炭素原子、水素原子、ホウ素原子、および硫黄原子からなる群より選択される少なくとも一種類の元素を、反射調光材料への水素供給速度向上元素として含む、反射調光エレクトロクロミック素子である。
【選択図】 図1
Description
厚さ1mmのガラス板にインジウム−錫酸化物層が成膜されている、透明基板と第1透明導電膜層との積層体を準備した。これを洗浄後、スパッタリング装置の真空装置内にセットして真空排気を行った。スパッタリング装置は3つのスパッタ銃を備え、ターゲットとして、金属マグネシウム、金属ニッケル、および金属パラジウムを用いた。
エチレンガスにかえて硫化水素を用い、パラジウムからなるキャップ層の表層に、水素供給速度向上元素として硫黄原子および水素原子を導入した以外は、実施例1と同様にしてエレクトロクロミック素子を得た。
エチレンガスにかえて一酸化炭素を用い、パラジウムからなるキャップ層の表層に、水素供給速度向上元素として炭素原子および酸素原子を導入した以外は、実施例1と同様にしてエレクトロクロミック素子を得た。
キャップ層とガスとを接触させるかわりに、窒素イオンを加速エネルギー20KeV、ドーズ量5×1015/cm2の条件でキャップ層にイオン注入した以外は、実施例1と同様にしてエレクトロクロミック素子を得た。
キャップ層とガスとを接触させるかわりに、BF2+イオンを加速エネルギー20KeV、ドーズ量3×1015/cm2の条件でキャップ層にイオン注入した以外は、実施例1と同様にしてエレクトロクロミック素子を得た。
キャップ層とガスとを接触させるかわりに、O2 +イオンを加速エネルギー20KeV、ドーズ量3×1015/cm2の条件でキャップ層にイオン注入した以外は、実施例1と同様にしてエレクトロクロミック素子を得た。
パラジウムからなるキャップ層の厚みを10nmとする以外は、実施例1と同様にして反射調光エレクトロクロミック素子を得た。
パラジウムからなるキャップ層の厚みを0.5nmとする以外は、実施例1と同様にして反射調光エレクトロクロミック素子を得た。
透明基板として厚さ1mmのガラス板の代わりに、厚さ125μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして反射調光エレクトロクロミック素子を得た。
エチレンガスを導入してキャップ層に炭素原子および水素原子を導入する作業を省く以外は、実施例1と同様にして反射調光エレクトロクロミック素子を得た。
Claims (13)
- 第1透明導電膜層と、
プロトンの吸脱着によって光線透過性能および光線反射性能が変化する反射調光材料からなる調光材料層と、
前記調光材料層への酸素および水分の侵入を抑制し、プロトン伝導性を有するキャップ層と、
プロトン伝導性の電解質層と、
前記調光材料層へ供給されるプロトンを貯蔵するプロトン蓄積層と、
第2透明導電膜層とが、この順序で積層してなる反射調光エレクトロクロミック素子であって、
前記キャップ層は、窒素原子、酸素原子、炭素原子、水素原子、ホウ素原子、および硫黄原子からなる群より選択される少なくとも一種類の元素を、前記反射調光材料への水素供給速度向上元素として含む、反射調光エレクトロクロミック素子。 - 前記反射調光材料は、マグネシウムおよびニッケルからなる合金である、請求項1に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 前記キャップ層は、パラジウム、またはパラジウム−金合金からなる、請求項1または2に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 前記キャップ層の厚みが0.5〜10nmの範囲である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 前記水素供給速度向上元素は、前記キャップ層と前記電解質層との界面において層を形成してなる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 前記キャップ層と前記調光材料層との界面における前記キャップ層の凹凸が、前記キャップ層と前記電解質層との界面における前記キャップ層の凹凸よりも大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 前記キャップ層と前記調光材料層との界面における前記キャップ層の表面積が、前記キャップ層と前記電解質層との界面における前記キャップ層の表面積よりも大きい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の反射調光エレクトロクロミック素子。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の反射調光エレクトロクロミック素子と、
前記反射調光エレクトロクロミック素子を挟持する2枚の透明基板と、
を有する、反射調光板。 - 前記透明基板は、ガラス板、または樹脂シートである、請求項8に記載の反射調光板。
- 前記透明導電膜層は、隣接する前記透明基板上に密着成形されてなる、請求項8または9に記載の反射調光板。
- 第1透明導電膜層上に、プロトンの吸脱着によって光線透過性能および光線反射性能が変化する反射調光材料からなる調光材料層を形成する段階と、
前記調光材料層上に、前記調光材料層への酸素および水分の侵入を抑制し、プロトン伝導性を有するキャップ層を形成する段階と、
前記キャップ層を、減圧条件下で一酸化炭素、エチレン、水素、または硫化水素ガスと接触させる段階と、
第2透明導電膜層上に、プロトン蓄積層を形成する段階と、
前記第1透明導電膜層、前記調光材料層、および前記キャップ層からなる積層体、および前記第2透明導電膜層、および前記プロトン蓄積層からなる積層体を、プロトン伝導性の電解質膜を介して、前記キャップ層および前記プロトン蓄積層が対向するように積層させる段階と、
を含む反射調光エレクトロクロミック素子の製造方法。 - 第1透明導電膜層上に、プロトンの吸脱着によって光線透過性能および光線反射性能が変化する反射調光材料からなる調光材料層を形成する段階と、
前記調光材料層上に、前記調光材料層への酸素および水分の侵入を抑制し、プロトン伝導性を有するキャップ層を形成する段階と、
イオン注入法を用いて、前記キャップ層に窒素原子、酸素原子、炭素原子、水素原子、ホウ素原子、および硫黄原子からなる群より選択される少なくとも一種類の元素を水素供給速度向上元素として注入する段階と、
第2透明導電膜層上に、プロトン蓄積層を形成する段階と、
前記第1透明導電膜層、前記調光材料層、および前記キャップ層からなる積層体、および前記第2透明導電膜層、および前記プロトン蓄積層からなる積層体を、プロトン伝導性の電解質膜を介して積層させる段階と、
を含む反射調光エレクトロクロミック素子の製造方法。 - 前記調光材料層および前記キャップ層は、真空蒸着、イオンプレーティング、またはスパッタリングのいずれかの方法で形成される、請求項11または12に記載の反射調光エレクトロクロミック素子の製造方法。
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