JP2006100523A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁層と、前記絶縁層の上方に形成された半導体層と、前記半導体層の上方に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上方に形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記ゲート絶縁層の下方に形成されたボディ領域と、前記半導体層において、前記ボディ領域に対して前記ソース領域側に形成され、かつ、前記ボディ領域とショットキー接合する複数のショットキー接合領域と、を含む。
【選択図】 図1
Description
絶縁層と、
前記絶縁層の上方に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に形成されたゲート電極と、
前記半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の下方に形成されたボディ領域と、
前記半導体層において、前記ボディ領域に対して前記ソース領域側に形成され、かつ、前記ボディ領域とショットキー接合する複数のショットキー接合領域と、
を含む。
前記ショットキー接合の電位障壁は、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されるpn接合の電位障壁より低くすることができる。
前記ショットキー接合領域は、前記ソース領域と接するように形成されることができる。
複数の前記ショットキー接合領域は、前記ソース領域を挟むようにして配置されることができる。
前記ショットキー接合領域は、シリサイド化合物からなることができる。
前記ソース領域および前記ショットキー接合領域の双方に接続するように形成されたコンタクト部を、さらに含むことができる。
(a)絶縁層上に設けられた半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層の所定の領域の上方にマスク層を形成する工程と、
(d)前記半導体層において、前記マスク層に覆われていない領域に不純物を導入することにより、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
(e)前記マスク層を除去する工程と、
(f)少なくとも前記マスク層で覆われていた領域に、ボディ領域とショットキー接合するショットキー接合領域を形成する工程と、
を含み、
前記工程(c)は、前記半導体層の複数の前記所定の領域に複数の前記マスク層を形成する工程である。
前記工程(c)は、前記ソース領域を挟むようにして前記複数のマスク層を形成する工程であることができる。
図1は、本実施の形態にかかる半導体装置100を模式的に示す平面図であり、図2(A)は、図1のA−A線に沿った断面図であり、図2(B)は、図1のB−B線に沿った断面図である。
次に本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について、図3から図7を参照しながら説明する。図5(A)、図6(A)、および図7(A)は、図2(A)に該当する箇所の製造工程を示し、図5(B)、図6(B)、および図7(B)は、図2(B)に該当する箇所の製造工程を示す。なお、以下に説明する製造方法において、具体例として記載した数値は、nチャネル型のMOSトランジスタを形成する場合の一例を記載したものである。
本発明は、上述の実施の形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で変形することが可能である。変形例として、たとえば、図8に示す半導体装置200を挙げることができる。図8は、第1の変形例にかかる半導体装置200を模式的に示す断面図である。なお、図8(A)の断面図は、図2(A)の断面図と同じ箇所を示す断面図であり、図8(B)の断面図は、図2(B)の断面図を同じ箇所を示す断面図である。
Claims (8)
- 絶縁層と、
前記絶縁層の上方に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に形成されたゲート電極と、
前記半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の下方に形成されたボディ領域と、
前記半導体層において、前記ボディ領域に対して前記ソース領域側に形成され、かつ、前記ボディ領域とショットキー接合する複数のショットキー接合領域と、
を含む、半導体装置。 - 請求項1において、
前記ショットキー接合の電位障壁は、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されるpn接合の電位障壁より低い、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記ショットキー接合領域は、前記ソース領域と接するように形成されている、半導体装置。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
複数の前記ショットキー接合領域は、前記ソース領域を挟むようにして配置されている、半導体装置。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記ショットキー接合領域は、シリサイド化合物からなる、半導体装置。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記ソース領域および前記ショットキー接合領域の双方に接続するように形成されたコンタクト部を、さらに含む、半導体装置。 - (a)絶縁層上に設けられた半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層の所定の領域の上方にマスク層を形成する工程と、
(d)前記半導体層において、前記マスク層に覆われていない領域に不純物を導入することにより、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
(e)前記マスク層を除去する工程と、
(f)少なくとも前記マスク層で覆われていた領域に、ボディ領域とショットキー接合するショットキー接合領域を形成する工程と、
を含み、
前記工程(c)は、前記半導体層の複数の前記所定の領域に複数の前記マスク層を形成する工程である、半導体装置の製造方法。 - 請求項7において、
前記工程(c)は、前記ソース領域を挟むようにして前記複数のマスク層を形成する工程である、半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004283928A JP2006100523A (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2004283928A JP2006100523A (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2004283928A Withdrawn JP2006100523A (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003110107A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Soi型mos電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
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2004
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Patent Citations (1)
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