JP2006085753A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不良メモリを救済するための冗長メモリ部12bを有するメモリに対する冗長メモリの使用状況を判定する判定手段(18,19)とチップ識別情報を保持する保持手段(19,11)とを有する半導体記憶装置10において、判定手段は、アドレスを入力して、冗長メモリの使用の有無を記憶した第一の記憶手段の内容を表す信号をデータバスに出力する第一の出力手段を備えるように構成し、保持手段は、半導体記憶装置のアドレス空間に割り当てられた特定のアドレスを入力して、このアドレスをデコードした結果に基づいてチップID情報を記憶した第二の記憶手段を選択することにより、選択された記憶手段の内容を前記データバスに出力する第二の出力手段を備えるように構成されている。
【選択図】図1
Description
11 デコーダ
12 メモリアレイ
12a メモリアレイ部
12b 冗長メモリ部
13 ゲート回路
14 Yプリデコーダ
15 読み取りアンプ
16 Yデコーダ
17 出力バッファ
18 冗長判定回路
19 ヒューズボックス
50 出力パッド
Claims (4)
- 不良メモリを救済するための冗長メモリ部を有するメモリに対する冗長メモリの使用状況を判定する判定手段とチップ識別情報を保持する保持手段とを有する半導体記憶装置において、
前記判定手段は、アドレスを入力して、冗長メモリの使用の有無を記憶した第一の記憶手段の内容を表す信号をデータバスに出力する第一の出力手段を備え、
前記保持手段は、前記半導体記憶装置のアドレス空間に割り当てられた特定のアドレスを入力して、該アドレスをデコードした結果に基づいてチップID情報を記憶した第二の記憶手段を選択することにより、該選択された記憶手段の内容を前記データバスに出力する第二の出力手段を備え、
たことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第一及び第二の記憶手段はヒューズ回路を含み、該ヒューズ回路は一つのヒューズボックス内にレイアウト配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第一及び第二の出力手段は、2入力のゲート回路により構成され、該ゲート回路の一方の入力に前記第一記憶手段の内容を表す信号が出力され、他方の入力に前記第二の記憶手段の内容が入力されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記半導体記憶装置は、更に、外部出力用の出力バッファとタップ端子とから成る外部出力手段を備え、該出力手段は前記第一の記憶手段の内容の読み出しデータと前記第二の記憶手段の読み出しデータを外部に出力するために共用されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
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