JP2006073945A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ミキシングユニット52b,72bはそれぞれ塩酸供給源52a,72aに接続されており、純水供給部200から供給される純水に対して希塩酸を混合可能となっている。そして、混合させる希塩酸の流量を制御することで混合液のpHが5以下に調整される。ミキシングユニット52b,72bとミキシングユニット55,77の間にはそれぞれ窒素溶解ユニット58,78が配設されており、混合液を窒素溶解ユニット58,78に送り込むことで窒素豊富な流体が生成される。ミキシングユニット55,77はそれぞれノズル6,25に接続されており、ノズル6,25からpHが5以下に低下した窒素豊富な流体がリンス液として基板Wに供給される。このため、基板WからのSiの溶出が低減され、リンス処理に伴うウォーターマークの発生を防止できる。
【選択図】 図6
Description
本願発明者は、リンス処理に用いるリンス液のpHが基板表面のウォーターマークの発生に与える影響について調べた。より具体的には、基板の代表例としてSi(シリコン)基板を選択するとともに、「課題を解決するための手段」で説明したリンス液のpHを基板へのダメージを与えることなく効果的に低下させる2つの物質、すなわち希塩酸と希フッ酸のうち希塩酸を用いてpH調整したリンス液により基板に対してリンス処理を施し、乾燥処理させた後の基板表面のウォーターマークを評価した。
図3は、本発明の第1実施形態にかかる基板処理装置全体の構成を示す断面図である。また、図4は図3の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置100は、図3に示すように、スピンチャック1により基板Wを保持した状態で、その基板Wに対して膜除去処理、リンス処理、乾燥処理を同一の処理ユニット本体101内で実行する。
図6は、本発明の第2実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、第1実施形態では、純水に塩酸(希塩酸)を混合させてpH調整した混合液をリンス液としているのに対し、この第2実施形態では、混合液(純水+塩酸)にさらに窒素を溶解させることで、pH調整された窒素豊富な流体をリンス液としている点である。すなわち、この第2実施形態では、ミキシングユニット55,75とミキシングユニット52b,72bとの間にそれぞれ窒素溶解ユニット58,78を配設して、ミキシングユニット55,75に向けて流れるpH調整された混合液に窒素を溶解させて、窒素溶解させた流体をリンス液としてノズル6,25から基板Wに供給している。
図7は、本発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、第1実施形態は、管57,77を流れる純水に対してミキシングユニット52b,72bを介して直接に塩酸(希塩酸)を混合させてリンス液を生成しているのに対し、この第3実施形態では後述する貯留タンク41内において純水に塩酸を混合させてリンス液を生成している点である。このように構成することで以下の利点が得られる。すなわち、第1実施形態では、純水にインラインで塩酸を混合させているため、塩酸の流量制御が難しく、リンス液のpHを微調整することが困難である。というのもリンス液のpHを所望の値に調整するために、少量の塩酸を制御する必要があるからである。一方で、この実施形態では純水に塩酸を混合させて混合液のpHを調整した後に、pH調整された混合液の一部(または全部)を取り出しているので、リンス液のpHを微調整することが容易である。
向けて供給することができる。
図8は、本発明にかかる基板処理装置の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、第1実施形態は、基板Wを1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式であるのに対し、この第4実施形態では複数の基板Wを一括して処理する、いわゆるバッチ式となっている点である。このバッチ式の基板処理装置においては、例えば、複数の基板Wに対して一連の各種処理(処理液による膜除去処理、リンス処理、乾燥処理)を施すために、エッチング液(フッ酸水溶液等)などの処理液を貯留し、基板Wに膜除去処理を施す膜除去処理槽、リンス液である純水を貯留し、基板Wにリンス処理を施すリンス処理槽、さらにスピンドライなどで基板Wを乾燥させる乾燥処理槽が設けられている。図8は、このうちのリンス処理にかかる基板処理装置を示したものである。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記した実施形態では、基板Wの両面に一連の処理を施しているが、一方面に対してのみ基板処理を施す基板処理装置に本発明を適用することができる。例えば、ウォーターマークの発生が問題となる面が基板Wの一方面のみである場合には、該一方面のみに対して基板処理を施すようにすればコスト面で有利となる。
52,72…pH調整ユニット(pH調整手段)
58,78…窒素溶解ユニット(窒素溶解手段)
100…基板処理装置
400…キャビネット部(pH調整手段)
W…基板
Claims (5)
- 基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
リンス液を生成するリンス液生成工程と、
前記湿式処理工程後に、その一方端がノズルに接続された供給経路に沿って前記リンス液を前記ノズルに送り込んで前記ノズルから前記基板に前記リンス液を供給し、前記リンス液により前記基板にリンス処理を施すリンス工程とを備え、
前記リンス液生成工程は、前記供給経路の他方端側から送り込まれる純水に対して希塩酸または希フッ酸を混合させることでpHが5以下となる前記リンス液を生成する工程であることを特徴とする基板処理方法。 - 前記リンス工程は基板を乾燥させる直前に行われる最終リンス工程である請求項1記載の基板処理方法。
- 前記供給経路を流れる流体に窒素を溶解させる窒素溶解工程をさらに備える請求項1または2記載の基板処理方法。
- ノズルと、
その一方端が前記ノズルに接続された供給経路に沿って前記ノズルに向けて流れる純水に対して希塩酸または希フッ酸を混合させることで前記供給経路を流れる混合液のpHを5以下に調整するpH調整手段とを備え、
前記pH調整手段によりpH調整された前記混合液をリンス液として前記供給経路に沿って前記ノズルに送り込んで前記ノズルから基板に供給し、前記リンス液により前記基板にリンス処理を施すことを特徴とする基板処理装置。 - 前記供給経路を流れる流体に窒素を溶解させる窒素溶解手段をさらに備える請求項4記載の基板処理装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283956A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-12-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2011071199A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
JP2013258391A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-12-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、および基板処理システム |
JP2015026813A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
JP2017011206A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2019061978A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111033696A (zh) * | 2017-08-18 | 2020-04-17 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的清洗方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230976A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム |
JPH07302775A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09219385A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Nec Corp | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
JP2001168080A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの乾燥方法及び乾燥装置 |
JP2004014971A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2004182800A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Kao Corp | リンス剤組成物 |
-
2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230976A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム |
JPH07302775A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09219385A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Nec Corp | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
JP2001168080A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの乾燥方法及び乾燥装置 |
JP2004014971A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2004182800A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Kao Corp | リンス剤組成物 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283956A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-12-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2011071199A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US8758521B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate |
US9761466B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-09-12 | Toshiba Memory Corporation | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate |
US10186435B2 (en) | 2012-05-15 | 2019-01-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Chemical liquid preparation method of preparing a chemical liquid for substrate processing, chemical liquid preparation unit preparing a chemical liquid for substrate processing, and substrate processing system |
JP2013258391A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-12-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、および基板処理システム |
JP2015026813A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
JP2017011206A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111033696A (zh) * | 2017-08-18 | 2020-04-17 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的清洗方法 |
CN111033696B (zh) * | 2017-08-18 | 2023-10-20 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的清洗方法 |
US11878329B2 (en) | 2017-08-18 | 2024-01-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for cleaning silicon wafer |
JP2019061978A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7034645B2 (ja) | 2017-09-22 | 2022-03-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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