JP2006056837A - マイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料 - Google Patents

マイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料 Download PDF

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Abstract

【課題】化粧料の改質
【解決手段】特定の製造法により得られるマイナスイオン発生セラミック物質を化粧料に配合することにより、化粧料を改質する。
【選択図】なし

Description

本発明は、機能性の向上した化粧料に関する。
マイナスイオンの働きについては、消臭、抗菌、防濁等の環境改善効果の他、疲労回復、免疫機能の向上等をはじめとする生理的機能の改善効果などの様々な効果が報告されており、近年、関心が高まりつつある。
前記マイナスイオンを生成させる方法には、レナード効果を利用して水に衝撃を与える方法、空気放電等が知られている。これらの方法によると、水の処理に要する設備の増設やオゾンの発生等の不具合もみられる。このため近年では、安価かつ容易にマイナスイオンを生成させる方法として微量放射線の有するエネルギーの応用が主流となり、種々の天然鉱石が利用される傾向にある。前出の各種鉱石中には、極微量の放射性同位元素が含まれ、これら元素が放射性壊変を行うことにより、α線,β線,γ線の天然放射線が常時放射される。前記の各放射線は、水又は空気中の水分子からH3+,OH-,・OH等のラジカル様物質を生成することが知られ、直接マイナスイオンとして作用するものの他、他の分子に作用しマイナスイオンを発生させるものであると考えられる(例えば、特許文献1参照。)。
上記のとおり、放射性同位元素を含有する鉱石からは容易にマイナスイオンが得られるため、利用頻度が高まり多彩な製品が開発されている。とりわけ鉱石種にトルマリンを用いるものが多用されている。しかしながら、トルマリンそのものから放射される放射線量は極端に低く、単独でマイナスイオン生成に寄与する励起エネルギーは、ほとんどないことが報告されている(例えば、特許文献2参照。)。
従って、所望のマイナスイオン発生体を得ようとする場合、トルマリン以外の鉱石を使用することとなるが、より多くのマイナスイオンを得ようとすると、いきおい放射線量を高めることにつながり、安全管理上の問題が懸念される。そのため、モナザイト等の鉱石を用いつつ長石等のバインダーを適宜添加し、単位重量中の放射線量を抑制しながらマイナスイオンの発生量を高めた材料が報告されている(例えば、特許文献3参照。)。
しかるに、放射性同位元素を含有する各種鉱石中の天然放射線を利用し、マイナスイオンを発生させようとするものは、使用する鉱石種及びその産地により、放射線量のばらつきが大きく、各種鉱石を適宜加工し製品化する場合、製造工程中に放射性同位元素を含む成分が気散、分離するなどの欠損が生じるため、一定の放射線量を得ることが難しく、マイナスイオンの発生量の安定化が容易でなかった。
しかしながら、最近になって、ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を水中に浸漬しつつ直流電圧を通電する電磁気処理工程により得られるセラミック物質が、多くのマイナスイオン発生させることが報告されている(例えば特許文献4参照)。
ところが前記セラミック物質を化粧料に配合することについては報告がなかった。
特開2002−102866号公報(第4,5頁) 特許3306790号公報(第2,3頁) 特許3085182号公報(第4−6頁) 特開2004−51940号公報(請求項1)
本発明は、マイナスイオンを発生するセラミック物質を化粧料に配合することにより、化粧料の機能性を向上させることを目的とする。
本発明者は、上記従来技術の問題点に鑑み鋭意検討を重ねた結果、ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を水中に浸漬しつつ直流電圧を通電する電磁気処理工程を有するセラミック物質製造方法により得られるマイナスイオン発生セラミック物質を化粧料に配合することにより、化粧料の各機能が向上することを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記の化粧料を提供するものである。
項1.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項2.
前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程を含むことを特徴とする項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項3.
前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含むことを特徴とする項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項4.
前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とする項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項5.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程後、該工程により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項6.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、いずれかの粉砕工程の後、該分最高手により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項7.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程後、該工程により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程と、該工程により得られた電磁気処理物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項8.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程と、前記電磁気処理した造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項9.
ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程と、該工程により得られた焼成された造粒物又は成型物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
項10.
前記粉砕する工程において、酸化チタンが添加されることを特徴とする項2ないし9のいずれか1項に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
本発明において、ウラン系列核種は238Uを親核種とし、226Ra、214Pb、214Bi等を経た後、206Pbに至る放射性崩壊を行う一連の核種であり、トリウム系列核種は、232Thを親核種とし、228Ac、212Pb、212Bi、208Tl等を経た後、208Pbに至る放射性崩壊を行う一連の核種である。また、ウラン元素は238Uだけでなく他の同位体も含むものであり、トリウム元素は232Thだけでなく他の同位体も含むものである。
また、ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石は、天然鉱石、人工鉱石のいずれも使用できる。また、前記鉱石は、少なくとも100種類以上が知られている(「原子力委員会月報 昭和31年 第1巻第6号」参照)。前記鉱石のうち主要なものを原料番号1〜39として下記表1に示す。表1において、各原料鉱石中のウラン元素又はトリウム元素は、ウラン元素(U28)、トリウム元素(ThO2)の酸化物として概ね表記の範囲内で当該鉱石に含有される。
Figure 2006056837
表1に示した鉱石の中でも、ウラン,トリウム成分の含有量、入手容易性及び保管設備等の点から、デーヴィッド石(5)、ユーゼン石(6)、フェルグソン石(7)、石川石(8)、ポリクレース(9)、パイロクロア(10)、サマルスキー石(11)、トロゴム石(19)、ラウヴ石(31)、イットロクラサイト(34)、ジッケル鉱(35)、褐れん石(36)、苗木石(37)が好適である。
さらに、図1に示す選鉱プロセスにより分離されるもの及び図2の選鉱プロセスに用いられる原料番号51〜63のヘビーミネラルコンセントレイト(重砂)、ダーティジルコン、スタンダードジルコン、ピュアジルコン、プライムジルコン、モナザイト原砂、イットリュウム原砂(ゼノタイム)、イルメナイト中間品、バテライト、ジルコニア、バストネサイト、セリウム鉱石、ランタン鉱石も鉱石として挙げられる。
図1において、出発原料であるヘビーミネラルコンセントレイト(重砂)(51)は、オーストラリア、南アフリカ、ブラジル、インド、ロシア、ウクライナ、ベトナム、アメリカ合衆国、マレーシア、インドネシア、中国等の産地より、主に酸性火成岩が風化して堆積した漂砂鉱床からジルコンサンドとして産出する。特に東南アジアでは、錫やセリサイト、金を採取した後の重砂(アマン)に含まれるものである。前記ヘビーミネラルコンセントレイト(51)からは、磁力選鉱及び静電選鉱を経ることによりルチルが分離されダーティジルコン(52)が得られる。このとき磁性を持つ鉱石はイルメナイト中間品(58)として分離され、スタンダードジルコン(53)が得られる。さらに静電選鉱を経ることによりピュアジルコン(54)とモナザイト原砂(56)が得られる。モナザイト原砂(56)から適宜選鉱を経た後、イットリュウム原砂(ゼノタイム)(57)が得られる。前記ピュアジルコン(54)からは、酸洗い及び磁力選鉱を経ることによりプライムジルコン(55)が得られ、さらにジルコニウムの組成比率を高めたものがバテライト(59)及びジルコニア(60)である。
図2に示す、バストネサイト(61)は、主にアメリカ合衆国、中国等のカーボナイト鉱床から、鉄、チタン、錫、ウラン、トリウム等を採掘した際の副産物として得られるものである。バストネサイト(61)をさらに選鉱することにより、セリウムに富むセリウム鉱石(62)とランタンに富むランタン鉱石(63)が得られる。
原料鉱石51〜63は、以下の表2及び表3に記載の成分より組成される。表中において、数値は単位重量あたりの重量パーセントを表す。なお、上記原料鉱石51〜63の組成成分は、理学電気工業株式会社製の蛍光X線分析装置(RIX3000)により分析されたものである。
Figure 2006056837
Figure 2006056837
図1に示す選鉱プロセスにおいて、鉱山から産出される原料鉱石の純度・含有量の他、選鉱精度(例えば、選鉱時の磁力の強さ、選鉱の回数等)が大きく異なるため、原料鉱石51〜63の組成成分は、必ずしも表2及び表3に示す組成分布に拘泥されるものではない。なお、表1中のジルコン(13)はダーティジルコン(53)、ゼノタイム(12)はイットリュウム原砂(ゼノタイム)(57)、モナザイト(39)はモナザイト原砂(56)に相当するものである。
本発明において、酸化チタン(TiO2)は、太陽光に含まれる紫外線等の照射により光触媒として機能し、消臭、抗菌、防濁等の種々の分野において強力な触媒効果を発揮することが知られている。このため、衛生効果を高める目的から、後述の粉砕工程において適宜量が鉱石に添加され、鉱石と均質化される。なお、酸化チタン(TiO2)には、ルチル、アナターゼ、ブルッカイトの3種類が存在すると言われているが、本発明においては、アナターゼが好適である。
また、後述の図7ないし図16に示す主に粉砕、焼成、造粒・成型の工程において、粉砕時の鉱物成分の分離を防ぐ他、焼成時の被処理物の焼結及び固着性(バインダーとしての作用)を高め、鉱石の放射線強度の調整、融着性、耐火温度を考慮して、珪酸質原料(珪石、珪砂、珪藻土)、長石質原料(カリ長石(KAlSi38)、ソーダ長石(NaAlSi38)、灰長石(CaAl2Si28))、粘土質原料(カオリン、耐火粘土、木節粘土、蛙目粘土、陶石、セリサイト、モンモリロナイト、ベントナイト、ろう石)、石灰質及びマグネシア原料(石灰、ドロマイト、タルク、かんらん石、蛇紋岩)、ガラス原料(ガラス、フリット)、その他(パーライト、しらす、沸石、珪灰石、アルミナ質原料)、有機バインダー(カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール等)等が副原料として適宜の種類、配合比のもと、前記鉱石に添加することができる。上記した副原料中で、好ましいのは珪石(101)、長石(102)、フリット(103)、ドロマイト(104)、珪灰石(105)、陶石(106)、ガラス(107)、粘土(108)、石灰石(109)、酸化チタン(111)であり、かっこ内はその原料番号である。
本発明において、電磁気処理とは、鉱石、鉱石の粉砕物又は造粒、成型物、さらには完成品(加工済み)のマイナスイオン発生セラミック物質など(以下、被処理物と称することがある)を絶縁製の容器あるいはタンクに投入後、前記の被処理物が完全に埋没するように注水して浸漬し、続いて水中に浸漬する原料等(セラミック物質製品を含む)に対し、直流電圧を通電する処理である。このように通電(電磁気処理)を行うことにより、被処理物(被処理物,セラミック物質製品等)から発せられるマイナスイオン量を増加させる処理である。なお、電磁気処理は、必ずしも使用する鉱石の全量に対して行わなくてもよい。
図3を用い、前記電磁気処理について詳述する。図3において、電磁気処理装置10は、ポリプロピレン等の公知の絶縁性樹脂容器15に、絶縁性の支持材17により固定された陽極側電極板13と陰極側電極板14を挿入し、トランス16と両極の電極板13,14を配線18により接続したものである。トランス16は、交流100V等の交流電圧を適宜の直流電圧(例えば16V)の直流電圧に変圧するものである。陽極側電極板13にはトランス16の正極が接続され、陰極側電極板14には負極が接続される。
絶縁性樹脂容器15に被処理物を投入後、被処理物を完全に埋没させるように注水し浸漬する。続いて絶縁性樹脂容器15内の被処理物及び水に対し、トランス16により変圧された直流電圧を通電して電磁気処理を行う。所定時間通電後に排水し、被処理物を適宜乾燥して加工、出荷等に供する。前記電磁気処理に際し、直流電圧の通電を8ないし72時間行うのが好適である。
図5の概略工程図を用い、被処理物に対する電磁気処理を用いるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を説明する。
図5(a)は、請求項1に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を概略的に示すものである。すなわち、被処理物を電磁気処理用の容器(絶縁処理を施したタンク、水槽等)内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行い、製品Nを得るものである。
図5(b)は、請求項2ないし4に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を概略的に示すものである。すなわち、予め被処理物を電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行い、これに粉砕、焼成等の適宜の加工を行い、製品Pを得るものである。
図5(c)は、請求項5ないし8に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を概略的に示すものである。すなわち、被処理物に対し、粉砕、焼成、造粒又は成型等の適宜の加工を行い、得られた粉砕物、造粒物、成型物を電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行い、製品Qを得るものである。
図5(d)は、請求項9に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を概略的に示すものである。すなわち、被処理物に対し、粉砕、焼成、造粒又は成型等の適宜の加工を行い、得られた造粒物又は成型物(セラミック製品)を電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行うことによって、製品Rを得るものである。
前記図5(a)〜(d)の製品N,製品P,製品Q,製品Rを製造するための「加工」について、図6ないし図15に示す加工工程図を用いて詳述する。
図6に示す加工工程図は、図5(a)における製品Nの製法に相当し、その加工を説明するものである。被処理物Mmは、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器(絶縁処理を施したタンク、水槽)等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S10)が行われる。被処理物は脱水後、必要に応じて付着水を除去するため、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S11)され、篩い分け等によって粒径を揃える分級(S12)が行われる。むろん、乾燥(S11)、分級(S12)は省略しても何ら支障はない。なお、被処理物の形状は、適宜であるが砂状体であることが浸漬時の表面積を拡大するため望ましい。
図7ないし図10に示す加工工程図は、図5(b)における製品Pの製法に相当し、その加工を説明するものである。図7の加工工程図において、被処理物Mmは、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S20)が行われる。被処理物は脱水後ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S21)され、前出の副原料Msが必要に応じて添加される。両原料Mm,Msはボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S22)される。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー、フィルタープレス(脱水乾燥機)、デカンター(遠心分離脱水乾燥機)等により乾燥(S23)される。S23の乾燥物は分級(S24)において、エアセパレーター、サイクロン等の公知の分級機(クラシファイヤー)により均一の粒径に揃えられ、製品APが得られる。前記製品APの製法は、請求項2に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
前記乾燥(S21)は、被処理物に含まれる水分を蒸発させ、被処理物同士又は被処理物と副原料との配合比率(重量%)を明確にするためである。以降の図8ないし図10において示す乾燥(S31,S51,S61,S100,S110,S130,S140,S200,S210)も同目的によるものである。ただし、S20の電磁気処理後、ボールミル等により湿式で粉砕を行う場合は、被処理物の含水率を検査し、量を補正した電磁気処理済み被処理物をそのままボールミルに投入して粉砕できるため、S21の乾燥は省略可能である。なお、振動ミルを用い乾式粉砕を行う場合には、被処理物を乾燥することが好ましい。また、加工により得られた製品の純度等により粉砕後の乾燥や分級まで求められないこともある。そのため、図7を含め、以降の図8ないし図16において、かっこ囲みの表記は必要に応じて行われ、適宜省略可能である。なお、被処理物の計量に際し、付着水を取り除くため予め乾燥しておくことが望ましい。
図8の加工工程図において、被処理物Mmは、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S30)が行われる。被処理物は脱水後ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S31)され、前出の副原料Msが添加される。両原料Mm,Msはボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S32)される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥(S33)される。
前記S32の粉砕により得られた粉砕物(S33の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S34)され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S35)される。続いてスプレードライヤー等による乾燥(S36)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S37)が行われ、製品BPが得られる。前記製品BPの製法は、請求項3に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法である。
また、前記S32の粉砕により得られた粉砕物(S33の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S40)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S41)され、製品CPが得られる。前記製品CPの製法は、請求項4に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図8において副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、前記S34及びS41の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の範囲で焼成される。
図9の加工工程図において、被処理物Mmは、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S50)が行われる。被処理物は脱水後ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S51)され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S52)される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等による乾燥(S53)が行われる。
前記S52の粉砕により得られた粉砕物(S53の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S54)される。前記焼成物に前出の副原料Msが添加され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S55)される。続いてスプレードライヤー等による乾燥(S56)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S57)が行われ、製品DPが得られる。前記製品DPの製法は、請求項3に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図10の加工工程図において、被処理物Mmは、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S60)が行われる。被処理物は脱水後ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S61)され、前出の副原料Msの一部を添加後、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S62)される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等による乾燥(S63)が行われる。
前記S62の粉砕により得られた粉砕物(S63の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S64)される。前記焼成物に残りの副原料Msが添加され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S65)される。続いてスプレードライヤー等により乾燥(S66)される。
前記S65の粉砕により得られた粉砕物(S66の乾燥を含む場合あり)は、再度トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S67)され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S68)される。続いてスプレードライヤー等により乾燥(S69)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S70)が行われ、製品EPが得られる。前記製品EPの製法は、請求項3に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
また、前記S65の粉砕により得られた粉砕物(S66の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S80)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S81)され、製品FPが得られる。前記製品FPの製法は、請求項4に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
副原料Msは、前出の長石類(好ましくは新島長石あるいは、しらす長石)、ガラス、フリット類及び必要に応じて任意量配合された粘土類により構成され、特に図10の焼成(S64)前にこれらの中から長石類、ガラス、フリット類の一部が適宜添加される。副原料Msの一部は、被処理物MmとともにS62において粉砕される。副原料Ms中の長石類、ガラス、フリット類の一部を焼成前に予め添加することにより、焼成時の耐火温度を調節し、微量元素成分の揮発を抑制することが可能となる。なお、前記副原料において、長石類、ガラス、フリット類等のうちから適宜選択されて使用される。
前出のS64の焼成を終えた原料に対し、副原料Msの残り(長石類、ガラス、フリット類、粘土類)が添加される。前出の副原料Msは、耐火温度調節に加え、焼成(S67)時の焼結バインダーとして利用される。前記製品EP,FPは、1回の焼成のみから製造される製品と比して、焼結を強固なものとすることができる。
図10において、副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、酸化チタンはS64の焼成後に添加され、2回目の焼成(S67,S81)では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の焼成温度で焼成される。
図11ないし図14に示す加工工程図は、図5(c)における製品Qの製法に相当し、その加工を説明するものである。図11の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S100)され、前出の副原料Msが必要に応じて添加される。両原料Mm,Msはボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S101)される。前記両原料Mm,Msの粉砕物は前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理(S102)が行われる。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー、フィルタープレス(脱水乾燥機)、デカンター(遠心分離脱水乾燥機)等により乾燥(S103)される。S103の乾燥物は分級(S104)において、エアセパレーター、サイクロン等の公知の分級機(クラシファイヤー)により均一の粒径に揃えられ、製品AQが得られる。前記製品AQの製法は、請求項5に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図12の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S110)され、前出の副原料Msが必要に応じて添加される。両原料Mm,Msはボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S111)される。前記両原料Mm,Msの粉砕物は前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理(S112)が行われる。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥(S113)される。
前記S112の電磁気処理物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S114)され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S115)される。さらに前記S115の粉砕物に対して前記S112と同様の電磁気処理(S116)が行われ、スプレードライヤー等による乾燥(S117)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S118)が行われ、製品BQが得られる。製品BQの製法において、電磁気処理は、S112もしくはS116のいずれか一方又は両方としてもよい。前記製品BQの製法は、請求項6に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
また、前記S112により得られた電磁気処理物(S113の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S120)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S122)され、製品CQが得られる。前記製品CQの製法は、請求項7に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
さらに図12の加工工程図では、前記S111の粉砕により得られた粉砕物(S113の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S120)において、適宜粒径の造粒物、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物に造粒・成型された後、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理容器等に当該造粒物,成型物は投入され、水中にて直流電圧の通電による電磁気処理(S121)が行われる。脱水後、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S122)され、製品GQが得られる。なお、電磁気処理をS121に加え、さらにS112で行ってもよい。前記製品GQの製法は、請求項8に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図12において副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、前記S114及びS122の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の範囲で焼成される。
図13の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S130)され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S131)される。前記粉砕物は前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理(S132)が行われ、前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥(S133)される。
前記S132により得られた電磁気処理物(S133の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S134)される。前記焼成物に前出の副原料Msが添加され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S135)される。また、前記S135の粉砕物に対してS132と同様の電磁気処理(S136)が行われ、スプレードライヤー等による乾燥(S137)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S138)が行われ、製品DQが得られる。製品DQの製法において、電磁気処理は、S132もしくはS136のいずれか又は両方としてもよい。前記製品DQの製法は、請求項6に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図14の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S140)され、前出の副原料Msの一部を添加後、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S141)される。前記粉砕物は前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理(S142)が行われ、前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥(S143)される。
前記S142により得られた電磁気処理物(S143の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S144)される。前記焼成物に残りの副原料Msが添加され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S145)される。また、前記S145の粉砕物に対してS142と同様の電磁気処理(S146)が行われ、スプレードライヤー等により乾燥(S147)される。
前記S146により得られた電磁気処理物(S147の乾燥を含む場合あり)は、再度トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S148)され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S149)される。また、前記S149の粉砕物に対してS142と同様の電磁気処理(S150)が行われ、スプレードライヤー等により乾燥(S151)、前出の分級機(クラシファイヤー)による分級(S152)が行われ、製品EQが得られる。電磁気処理は、S142,S146,S150のいずれかの工程から、少なくとも1工程以上選択して行われる。前記製品EQの製法は、請求項6に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
また、前記S146により得られた電磁気処理物(S147の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S160)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S162)され、製品FQが得られる。電磁気処理は、S142,S146のいずれか一方又は両方に行われる。前記製品FQの製法は、請求項7に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法である。
さらに図14の加工工程図では、前記S145の粉砕により得られた粉砕物(S147の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S160)において、適宜粒径の造粒物、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物に造粒・成型された後、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理容器等に当該造粒物,成型物は投入され、水中にて直流電圧の通電による電磁気処理(S161)が行われる。脱水後、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S162)され、製品HQが得られる。なお、電磁気処理をS161に加え、さらにS142,S146で行ってもよい。前記製品HQの製法は、請求項8に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当。
図14において、副原料Msを2度に分けて添加する理由は前記図10で詳述したとおり、焼成時の耐火温度の調節、微量元素成分の揮発の抑制、焼結バインダーとして機能し、焼結を強固にするためである。
図14において、副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、酸化チタンはS144の焼成後に添加され、2回目の焼成(S148,S162)では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の焼成温度で焼成される。
図15及び図16に示す加工工程図は、図5(d)における製品Rの製法に相当し、その加工を説明するものである。図15の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S200)され、前出の副原料Msが添加される。両原料Mm,Msはボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S201)される。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー、フィルタープレス(脱水乾燥機)、デカンター(遠心分離脱水乾燥機)等により乾燥(S202)される。
前記S201の粉砕により得られた粉砕物(S202の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S203)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S204)される。前記S204により得られた焼成物は、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S205)が行われる。続いて脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、約400℃の雰囲気下において乾燥(S206)され、製品CRが得られる。前記製品CRの製法は、請求項9に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図15において副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、前記S204の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の範囲で焼成される。
図16の加工工程図において、被処理物Mmは、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、400℃の雰囲気下において乾燥(S210)され、前出の副原料Msの一部を添加後、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S211)される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等による乾燥(S212)が行われる。
前記S211の粉砕により得られた粉砕物(S212の乾燥を含む場合あり)は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1350℃の範囲において焼成(S213)される。前記焼成物に残りの副原料Msが添加され、平均粒径を10μm以下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは2.5μm以下に粉砕(S214)される。続いてスプレードライヤー等により乾燥(S215)される。
前記S214の粉砕により得られた粉砕物(S215の乾燥を含む場合あり)は、造粒・成型(S216)において、造粒は公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、適宜粒径の造粒物が造粒される。成型は公知の成型機が用いられ、平板状,ハニカム状等の各種形状の成型物が成型される。前記造粒物,成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により1100〜1500℃、好ましくは、1100〜1500℃の範囲において焼成(S217)され、前出の図3あるいは適宜の電磁気処理用容器等において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理(S218)が行われる。続いて脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、約400℃の雰囲気下において乾燥(S219)され、製品FRが得られる。前記製品FRの製法は、請求項9に記載されるマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当する。
図16において、副原料Msを2度に分けて添加する理由は前記図10で詳述したとおり、焼成時の耐火温度の調節、微量元素成分の揮発の抑制、焼結バインダーとして機能し、焼結を強固にするためである。
図16において、副原料Msに酸化チタン(アナターゼ)が含まれる場合、酸化チタンはS213の焼成後に添加され、2回目の焼成(S217)では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、800〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の焼成温度で焼成される。
以上図示し前述したマイナスイオン発生セラミック物質の製法において、粉砕では主に湿式粉砕を用いるものである。粉砕には湿式粉砕と乾式粉砕の2種類が存在するが、乾式粉砕を用い主原料あるいは主原料と副原料の混合物を平均粒径5μm以下の微粒子に粉砕する場合、原料中の各成分の硬度が異なり粉砕むらが生じやすくなる。その結果、一部の粉砕粒子が集塵機に引き寄せられるため、含有成分(元素)のバランスが崩れるおそれがある。このため、マイナスイオンの発生量(照射線量)への影響を考慮し、湿式粉砕とすることが望ましい。湿式による粉砕に際し、沈殿防止のため副原料Msに粘土を含める他、別途粘土類を2〜5重量%程度添加することもある。また、粘土類に代えて塩化カルシウム、塩化マグネシウム等、有機バインダー(カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール等)を沈殿防止剤として添加することもできる。なお、粉砕をハンマーミル、ジェットミル等を用い乾式で行った場合は、粉砕に続いて行われる乾燥は省略できる。
また、被処理物等の粉砕後に行われる焼成は、原料中の揮発成分、結晶水、有機物等を除去するものである。とりわけ、被処理物にジルコン(ZrSiO4)を多く含まれる場合、ジルコン中の微量成分に含まれる放射性同位元素が焼結し、微量成分中の放射性同位元素が以降の加工において分離を防ぐことができる。従って、当該焼成後に続く粉砕、乾燥、分級等の各種工程において、微量成分の分離が抑制される。同様に、セラミック物質を利用した最終製品(マイナスイオン発生製品)を製造する場合、すなわち、他の原料にマイナスイオン発生セラミック物質を所定量混合し加工する工程時等においては、含有微量成分中の放射性同位元素の分離を防ぐことができる。結果的に、最終製品中の微量成分(放射性同位元素)の濃度は、セラミック物質の添加量に比して増加し、マイナスイオンの発生量が安定する効果が示される。
特に粉砕を行うことによって10μm以下の微粒子化すると、粉砕しないものに比べ表面積が増加し、微量成分に含まれる放射性同位元素から放射される放射線量が単位面積当たりで増加し、マイナスイオンの発生量が多くなる。とりわけ焼成を行うものについては、焼成熱による固着もしくは固溶体となり、粒径が大きくなるため、粉砕する必要がある。従って、上記の製法により得られたマイナスイオン発生セラミック物質(製品AP,BP,DP,EP,AQ,BQ,DQ,EQ)は、良好なマイナスイオン発生源である。さらに副原料に酸化チタンを添加した場合も粉砕により表面積が増加するため触媒効果がより一層向上したセラミック物質が製造できる。
なお、図6ないし図16の各加工工程図における粉砕において、平均粒径の2倍を超える粒子及び平均粒径の半分長を下回る粒子の含有量は、総量の5重量%以下とすることが望ましい。平均粒径はレーザ回折/散乱方式による粒度測定装置により測定した。
本発明の化粧料は、上記の製造法により得られるマイナスイオン発生セラミック物質を含有する。例えば、化粧水、ローション、乳液、クリーム、美容液、パック、メイクアップベースローション、メイクアップベースクリーム、ファンデーション、アイカラー、チークカラー、リップスティック、日焼け止め等の皮膚化粧料、クレンジングローション、クレンジングクリーム、クレンジングフォーム、洗顔石鹸、ボディーシャンプー等の洗浄用化粧料、ヘアーシャンプー、ヘアーリンス、コンディショナー 、ヘアートリートメント等の毛髪用化粧料、浴用剤などの化粧料として使用できる。好ましくはクリーム、ローション、石鹸、シャンプー、コンディショナー、ボディーソープ、モイスチャーゲルである。
本発明の化粧料におけるマイナスイオン発生セラミック物質の配合量は特に制限されないが、通常、0.01〜20重量%、好ましくは0.05〜10重量%、より好ましくは0.1〜5重量%である。
また、上記の製法により得られたマイナスイオン発生セラミック物質(製品CP,FP,CQ,FQ,GQ,HQ,CR,FR)のうち、造粒物又は成型物は化粧料使用者を視覚的あるいは聴覚的に楽しませることができる。例えば造粒物を含有するガラス瓶入り化粧水のガラス瓶を左右に振るとカラカラと音を出させることもできる。 本発明の化粧料には、化粧料の成分として一般に使用される成分を、本発明の効果が発揮される範囲の配合量で配合することができる。このような成分としては、界面活性剤、水溶性高分子、着色剤、酸化防止剤、金属封鎖剤、防腐剤、pH調整剤、清涼剤、香料、保湿剤、紫外線吸収剤、紫外線散乱剤、抗酸化剤などが使用できる。また、化粧料の他の有効成分を本発明の効果が発揮される範囲の配合量で配合することもできる。このような有効成分としては、美白剤、抗炎症剤、シワ形成抑制剤、脂肪分解剤、育毛剤などが使用できる。
本発明の化粧料は、特定の製造方法によって製造されたマイナスイオン発生セラミック物質を含有するため、改質された優れた化粧料である。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
製造例1:粉体鉱石の製造
中国海南島にて採掘したヘビーミネラルコンセントレイト(ウランを0.1087重量%、トリウムを0.1587重量%含有)を連続式ボールミルに投入し、48時間粉砕し、粉砕物をロータリーキルンにより400℃で12時間焼成し、ハンマーミルにてさらに粉砕した。この粉砕物を風力分級機で分級することにより、平均粒径が7.6μm以下の粉体鉱石を得た。
製造例2:鉱石造粒物の製造
製造例1と同じヘビーミネラルコンセントレイト70重量%に粘土質原料20重量%、カリ長石8重量%、及びガラス原料2重量%を添加して混合し、パンミルにて湿式造粒して粒径8〜10mmの造粒物を得、造粒物を電気炉にて24時間乾燥し、トンネルキルンにて焼成(1100〜1300℃)することにより鉱石造粒物を得た。
製造例3:マイナスイオン発生セラミック物質(粉体)の製造
製造例1にて得られた粉体鉱石20kgを、電極を備えた絶縁性樹脂容器に入れ、粉体鉱石が水没するように注水して浸漬し、該容器の電極に16Vの直流電圧を8時間かけた後、該容器内の水を排水し、水分を乾燥することによって電磁気処理された粉体鉱石を得た。
製造例4:マイナスイオン発生セラミック物質(造粒物)の製造
製造例2にて得られた鉱石造粒物20kgを、製造例3と同様にして直流電圧をかけ、水分を乾燥させることにより、電磁気処理された鉱石含有造粒物(約0.5g/個、平均粒径8〜10mm)を得た。
実施例1:クリーム
以下に示した原料を真空乳化釜に投入して撹拌することによりクリームを製造した。なお、数値は重量%であり、これは以降の処方についても同様である。
製造例3の粉体鉱石 1
水 残部
1,3−ブチレングリコール 12
パルミチン酸イソプロピル 10
トリ−2エチルヘキサングリセリル 8
ポリエチレンセチルエーテル 8
新油型モノステアリン酸グリセリン 6
トリメチルグリシン 6
濃グリセリン 6
ベヘニルアルコール 3
メチルポリシロキサン 1
ポリエチレンセチルエーテル 1
セタノール 0.5
パラオキシ安息香酸メチル 0.25
カルボキシビニルポリマー 0.25
パラオキシ安息香酸プロピルエステル 0.2
水酸化ナトリウム 0.05
加水分解コラーゲン 0.5
ヒアルロン酸ナトリウム 0.5
植物エキス 4.0
果汁 0.75
計 100
実施例2:石けん
以下に示した原料を使用して常法により石けんを製造した。
製造例3の粉体鉱石 0.8
石けん用素地 残部
濃グリセリン 3.5
部分水添馬油 1.5
PEG600 1
エデト酸4ナトリウム 1
香料 0.1
計 100
実施例3:ローション
以下に示した原料を使用して常法によりローションを製造した。
製造例4の鉱石造粒物 1.25
水 残部
エタノール 3
1,3−ブチレングリコール 8
濃グリセリン 8
マルチトール 8
dl−ピロリドンカルボン酸ナトリウム 6
パラオキシ安息香酸メチル 6
ポリオキシエチレンひまし油 3
キサンタンガム 0.5
スチレン・ビニルピロリドン共重合体 0.5
加水分解コラーゲン 0.25
植物エキス 2.07
果汁 0.75
計 100
実施例4:シャンプー
以下に示した原料を使用して常法によりシャンプーを製造した。
製造例3の粉体鉱石 0.5
水 残部
ラウリン酸ジエタノールアミド 10
2−アルキル−N−カルボキシメチル
−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン 10
濃グリセリン 8
ヤシ油脂肪酸メチルタウリンナトリウム 8.5
N−ヤシ油脂肪酸アシル−L−
グルタミン酸トリエタノールアミン液 6.5
ジステアリン酸エチレングリコール 5
ポリクオタニウム−10 3
フェノキシエタノール 1.5
クエン酸 0.5
コメ胚芽油 1.5
加水分解コラーゲン 1.5
エタノール 0.5
カルボキシメチルキチン 1.5
植物エキス 1.5
計 100
実施例5:コンディショナー
以下に示した原料を使用して常法によりコンディショナーを製造した。
製造例3の粉体鉱石 0.5
水 残部
ミリスチルアルコール 10
ポリオキシエチレンセチルアルコール 10
塩化ジココイルジメチルアンモニウム 5
ラウロイルグルタミン酸ポリオキシエチレン
オクチルドデシルエーテルジエステル 5
ステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド 5
ホホバ油 5
ステアリン酸ジエタノールアミド 1
新油型モノステアリン酸グリセリン 1
メチルポリシロキサン 1
ラウリン酸ヘキシル 1
フェノキシエタノール 0.5
イソプロパノール 0.5
クエン酸 0.5
1,3−ブチレングリコール 3
脂肪酸(C10−C30)
(コレステリル/ラノステリ) 1
2−エチルヘキサン酸セチル 1
ピログルタミン酸イソステアリン酸
ポリオキシエチレン硬化ひまし油 0.5
N−ヤシ油脂肪酸アシルL−アルギニンエチル
DL−ピロリドンカルボン酸 0.5
ミンク油 1.5
ポリクオタニウム−10 0.5
カルボキシメチルキチン 1.5
計 100
実施例6:ボディーソープ
以下に示した原料を使用して常法によりボディーソープを製造した。
製造例3の粉体鉱石 0.5
水 残部
カリウム石鹸用素地 20
ヤシ油脂肪酸ジエタノールアミド 5
ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン 3.5
濃グリセリン 3.5
ジプロピレングリコール 2
エチレングリコール 2
β−ラウリルアミノプロピオン酸ナトリウム 2
ヒドロキシエタンジホスホン酸 1.5
加水分解コラーゲン 1.5
カルボキシメチルキチン 1.5
植物エキス 7.5
計 100
比較例1:クリーム
製造例3で得られた粉体鉱石を酸化チタン粉末に変更した以外は実施例1と同様にしてクリームを製造した。
比較例2:石けん
製造例3で得られた粉体鉱石を酸化チタン粉末に変更した以外は実施例1と同様にして石けんを製造した。
比較例3:ローション
製造例4で得られた鉱石造粒物を酸化チタン造粒物に変更した以外は実施例2と同様にしてローションを製造した。
試験例1
マイナスイオン発生セラミック物質を含有する実施例1〜3の化粧料、酸化チタンを含有する比較例1〜3の化粧料、並びにマイナスイオン発生セラミック物質及び酸化チタンを含有しない化粧料(コントロール)を100名の女性モニターに1〜2ヶ月使用してもらい官能評価を行った。官能評価の結果を図17〜図25に示す。
鉱石の選鉱プロセスを示す第一概略図である。 鉱石の選鉱プロセスを示す第二概略図である。 電磁気処理に用いる電磁気処理装置の斜視図である。 図3の2−2線の位置で切断した状態の断面図である。 マイナスイオン発生セラミック物質の製造に係る概略工程図である。 製品Nの製造に係る加工工程図である。 製品Pの製造に係る第一加工工程図である。 製品Pの製造に係る第二加工工程図である。 製品Pの製造に係る第三加工工程図である。 製品Pの製造に係る第四加工工程図である。 製品Qの製造に係る第一加工工程図である。 製品Qの製造に係る第二加工工程図である。 製品Qの製造に係る第三加工工程図である。 製品Qの製造に係る第四加工工程図である。 製品Rの製造に係る第一加工工程図である。 製品Rの製造に係る第二加工工程図である。 クリーム(コントロール)の官能評価結果を示すグラフである。 酸化チタン含有クリームの官能評価結果を示すグラフである。 マイナスイオン発生セラミック物質(粉体)含有クリームの官能評価結果を示すグラフである。 石けん(コントロール)の官能評価結果を示すグラフである。 酸化チタン含有石けんの官能評価結果を示すグラフである。 マイナスイオン発生セラミック物質(粉体)含有石けんの官能評価結果を示すグラフである。 ローション(コントロール)の官能評価結果を示すグラフである。 酸化チタン含有ローションの官能評価結果を示すグラフである。 マイナスイオン発生セラミック物質(造粒物)含有ローションの官能評価結果を示すグラフである。
符号の説明
10 電磁気処理装置
13 陽極側電極板
14 陰極側電極板
16 トランス
20 マイナスイオン測定器
21 測定部
Mm 鉱石
Ms 副原料

Claims (10)

  1. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  2. 前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  3. 前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  4. 前記電磁気処理された鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  5. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程後、該工程により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  6. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、いずれかの粉砕工程の後、該分最高手により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  7. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程後、該工程により得られた粉砕物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程と、該工程により得られた電磁気処理物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  8. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程と、前記電磁気処理した造粒物又は成型物を焼成する工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  9. ウラン元素、ウラン系列核種、トリウム元素及びトリウム系列核種からなる群から選択される少なくとも1種を含有する鉱石を粉砕する工程と、該工程により得られた粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、該工程により得られた造粒物又は成型物を焼成する工程と、該工程により得られた焼成された造粒物又は成型物を水中に浸漬し、直流電圧を通電する電磁気処理を行う工程を含むことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。
  10. 前記粉砕する工程において、酸化チタンが添加されることを特徴とする請求項2ないし9のいずれか1項に記載のマイナスイオン発生セラミック物質を含有する化粧料。

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010503622A (ja) * 2006-09-13 2010-02-04 エンハンス スキン プロダクツ,インク. スキンケア用化粧品組成物およびその製造方法
CN102949302A (zh) * 2012-11-20 2013-03-06 广州雷诺生物科技有限公司 一种负离子细胞活化液
JP2014129337A (ja) * 2012-11-27 2014-07-10 Mikimoto Pharmaceut Co Ltd 保湿剤および保湿剤を配合した外用剤
JPWO2013141118A1 (ja) * 2012-03-19 2015-08-03 ライオン株式会社 液体洗浄剤組成物

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