JP2006041529A - リードフレーム基盤及び基板基盤半導体パッケージ用ボンディング構造とその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48844—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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Abstract
【解決手段】 本発明は、半導体素子パッケージのボンディング構造において、チップダイのサイズが増加されないながらボンディングワイヤーのボンディング角が許容限界内に維持されるダイ−対−パッケージボンディング構造に関するものである。これにより、隣接したボンディングワイヤーの間の短絡発生が緩和されるか、或いは除去され、製造中の素子ネットダイカウント(ネットダイ数)を増加することができる
【選択図】 図3
Description
102 リード
104,108 内部端部
106 外部端部
130 領域
132 タイバー
Claims (107)
- ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域であって、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のセットのボンディング領域は、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、第2のセットのボンディング領域は、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、前記第1及び第2のガイドラインが不連続的な複数のボンディング領域;および
前記複数のボンディング領域の対応するいずれか一つにそれぞれ連結された複数の外部端子;
を備えることを特徴とする半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記複数のボンディング領域は、ボンディングフィンガーを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディングフィンガーは多層基板又は多層回路ボードの外面に形成され、前記複数のボンディングフィンガーとそれにそれぞれ対応される前記複数の外部端子を連結させる複数の導電性ビアをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は増分変化量について不連続的なことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、延長されて前記ダイ領域に実装されたダイの当該ボンディングパッドを向く方向に長軸を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1のガイドラインに沿って配置される前記第1のセットのボンディング領域と前記第2のガイドラインに沿って配置される前記第2のセットのボンディング領域は、前記ダイ領域の8分割面と対応するように前記連結システムに設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 8分割面のそれぞれは、対応する第1のセットのボンディング領域が前記第1のガイドラインに沿って設けられており、対応する第2のセットのボンディング領域が前記第2のガイドラインに沿って設けられていることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域であって、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のセットのボンディング領域は、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、第2のセットのボンディング領域は、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応される複数のボンディング領域;および
前記複数のボンディング領域の対応されるいずれか一つにそれぞれ連結された複数の外部端子;
を備え、
対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は、増分変化量について不連続的なことを特徴とする半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第1及び第2のガイドラインは不連続的なことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、ボンディングフィンガーを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディングフィンガーは多層基板又は多層回路ボードの外面に形成され、前記複数のボンディングフィンガーとそれにそれぞれ対応される前記複数の外部端子とを連結させる複数の導電性ビアをさらに備えることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れていること
を特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、延長されて前記ダイ領域に実装されたダイの当該ボンディングパッドを向く方向に長軸を有することを特徴とする請求項28に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1のガイドラインに沿って配置される前記第1のセットのボンディング領域と前記第2のガイドラインに沿って配置される前記第2のセットのボンディング領域は、前記ダイ領域の8分割面と対応するように前記連結システムに設けられることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 8分割面のそれぞれは、対応する第1のセットのボンディング領域が前記第1のガイドラインに沿って設けられており、対応する第2のセットのボンディング領域が前記第2のガイドラインに沿って設けられていることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域;
前記複数のボンディング領域の中で対応するいずれか一つにそれぞれ連結された複数の外部端子;および
対応されるボンディング領域と外部端子を連結する複数の導電性リードとを備え、前記ボンディング領域のそれぞれは、前記ダイ領域に実装されたダイの複数のボンディングパッドの中で指定されたいずれか一つに該当する前記導電性リードのボンディングチップと、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第1のセットのボンディング領域と、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第2のセットのボンディング領域;
を備え、
前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記連結システムは、リードフレームを備えることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記導電性リードは、平面上に載ることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1及び第2のガイドラインは不連続的なことを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は、増分変化量について不連続的なことを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。 - 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項39に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れていることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項42に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記ボンディング領域は、延長されて前記ダイ領域に実装されたダイの当該ボンディングパッドを向く方向に長軸を有することを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記第1のガイドラインに沿って配置される前記第1のセットのボンディング領域と前記第2のガイドラインに沿って配置される前記第2のセットのボンディング領域は、前記ダイ領域の8分割面と対応するように前記連結システムに設けられることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 8分割面のそれぞれは、対応する第1のセットのボンディング領域が前記第1のガイドラインに沿って設けられており、対応する第2のセットのボンディング領域が前記第2のガイドラインに沿って設けられていることを特徴とする請求項45に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子パッケージの連結システム。
- パッケージの中央ダイ領域にある半導体素子のダイであって、前記ダイは、端部の中央領域に第1の複数のボンディング領域を備え、コーナー領域に第2の複数のボンディング領域を備える半導体素子ダイ;
連結システムであって、前記連結システムは、
前記ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域;
前記複数のボンディング領域のうちの対応する一つのそれぞれ連結された複数の外部端子;
対応されるボンディング領域と外部端子とを連結する複数の導電性リードであって、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のセットのボンディング領域は、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、第2のセットのボンディング領域は、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応され、前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向き、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含む連結システム;
前記連結システムの当該ボンディング領域と前記ダイのボンディングパッドとをそれぞれワイヤーボンディングする複数のボンディングワイヤー;および
前記複数のボンディング領域のうちの対応されるいずれか一つにそれぞれ連結される複数の外部端子;
を備えることを特徴とする半導体素子パッケージ。 - 前記連結システムは、多層基板又は外面を有する多層回路ボードを備え、
前記ボンディング領域は多層基板又は多層回路ボードの外面に形成されたボンディングフィンガーを備え、前記複数のボンディングフィンガーとそれにそれぞれ対応される前記複数の外部端子を連結させる複数の導電性ビアをさらに備えることを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記連結システムは、リードフレームを備え、
前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えること
を特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項50に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項50に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項52に記載の半導体素子パッケージ。 - ダイ領域に装着されたダイを支持するダイパッドをさらに備えることを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ダイパッドは、正方形、長方形、円形、楕円体、楕円形、及び多角形の形状を有することを特徴とする請求項54に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。
- 対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は増分変化量について不連続的なことを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項57に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れており、前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項48に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ボンディングワイヤーは、
第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第1のセットのボンディングワイヤー;および
第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応される第2のセットのボンディングワイヤー;
を備え、
前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つと前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、重畳されることを特徴とする請求項48に記載の半導体素子のパッケージ。 - 前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つより高いループを有することを特徴とする請求項61に記載の半導体素子のパッケージ。
- パッケージの中央ダイ領域にある半導体素子ダイであって、前記ダイは、端部の中央領域に第1の複数のボンディング領域を備え、コーナー領域に第2の複数のボンディング領域を備える半導体素子ダイ;
前記ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域を含み、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第1のセットのボンディング領域と、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第2のセットのボンディング領域と、を備える連結システムであって、対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は増分変化量について不連続的な連結システム;
前記連結システムの当該ボンディング領域と前記ダイのボンディングパッドとをそれぞれ連結する複数のボンディングワイヤー;および
前記複数のボンディング領域の対応するいずれか一つにそれぞれ連結された複数の外部端子;
を備えることを特徴とする半導体素子のパッケージ。 - 前記第1及び第2のガイドラインは不連続的なことを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記連結システムは、多層基板又は外面を有する多層回路ボードを備え、
前記ボンディング領域は多層基板又は多層回路ボードの外面に形成されたボンディングフィンガーを備え、前記複数のボンディングフィンガーとそれにそれぞれ対応される前記複数の外部端子を連結させる複数の導電性ビアをさらに備えることを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記連結システムは、リードフレームを備え、
前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えることを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項66に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項66に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項68に記載の半導体素子パッケージ。 - ダイ領域に装着されたダイを支持するダイパッドをさらに備えることを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ダイパッドは、正方形、長方形、円形、楕円体、楕円形、及び多角形の形状を有することを特徴とする請求項70に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れており、前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項63に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ボンディングワイヤーは、
第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第1のセットのボンディングワイヤー;および
第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応される第2のセットのボンディングワイヤー;
を備え、
前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つと前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、重畳されることを特徴とする請求項63に記載の半導体素子のパッケージ。 - 前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つより高いループを有することを特徴とする請求項76に記載の半導体素子のパッケージ。
- パッケージの中央ダイ領域にある半導体素子ダイであって、前記ダイは、端部の中央領域に第1の複数のボンディング領域を備え、コーナー領域に第2の複数のボンディング領域を備える半導体素子ダイ;
連結システムであって、前記連結システムは、
前記ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域;
前記複数のボンディング領域のうちの対応する一つにそれぞれ連結された複数の外部端子;
対応されるボンディング領域と外部端子とを連結する複数の導電性リードであって、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のセットのボンディング領域は、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、第2のセットのボンディング領域は、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応され、前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含む連結システム;および
前記連結システムの当該ボンディング領域と前記ダイのボンディングパッドをそれぞれ連結する複数のボンディングワイヤー;
を備えることを特徴とする半導体素子パッケージ。 - 前記連結システムは、リードフレームを備え、
前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えることを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記導電性リードは、平面上に載ることを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは不連続的なことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- ダイ領域に装着されたダイを支持するダイパッドをさらに備えることを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ダイパッドは、正方形、長方形、円形、楕円体、楕円形、及び多角形の形状を有することを特徴とする請求項84に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は増分変化量について不連続的なことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。 - 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項87に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れており、前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項78に記載の半導体素子パッケージ。
- 前記ボンディングワイヤーは、
第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応する第1のセットのボンディングワイヤー;および
第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応される第2のセットのボンディングワイヤー;
を備え、
前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つと前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、重畳されることを特徴とする請求項78に記載の半導体素子のパッケージ。 - 前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つより高いループを有することを特徴とする請求項91に記載の半導体素子のパッケージ。
- パッケージの中央ダイ領域に半導体素子ダイを実装する段階であって、前記ダイは、その端部の中央領域に第1の複数のボンディング領域を備え、コーナー領域に第2の複数のボンディング領域を備える段階;
連結システムを準備する段階であって、前記連結システムは、前記ダイ領域の周囲に設けられる複数のボンディング領域と複数の外部端子とを備え、前記ボンディング領域は、前記ダイ領域に装着されたダイの複数のボンディングパッドのうち指定されたいずれか一つにそれぞれ対応し、第1のセットのボンディング領域は、第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、第2のセットのボンディング領域は、第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドに対応し、前記第1及び第2のガイドラインが不連続的であり、前記複数の外部端子は、前記複数のボンディング領域の対応されるいずれか一つにそれぞれ連結された連結システムを準備する段階;および
複数のボンディングワイヤーを連結システムの当該ボンディング領域とダイのボンディングパッドとを連結するためにワイヤーボンディングする段階;
を備えることを特徴とする半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。 - 前記連結システムは、多層基板又は外面を有する多層回路ボードを備え、
前記ボンディング領域は多層基板又は多層回路ボードの外面に形成されたボンディングフィンガーを備え、前記複数のボンディングフィンガーとそれにそれぞれ対応される前記複数の外部端子を連結させる複数の導電性ビアをさらに備えることを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。 - 前記連結システムは、リードフレームを備え、
前記ボンディング領域は、リードフレームのボンディングチップを備え、前記ボンディング領域とそれに対応される外部端子との間に連結される導電性リードをさらに備えることを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。 - 前記導電性リードは、ボンディングチップを経て前記ダイ領域へ内側方向に拡張されてダイ領域に装着されたダイについての支持台としての役割を果たすことを特徴とする請求項95に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、前記リードをダイ領域に実装されたダイの端部の中央領域に向け、ダイのコーナー領域から遠くなるように方向転換させる第1の屈曲地点を含むことを特徴とする請求項95に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記第2のセットのボンディング領域に連結された導電性リードのうちの少なくとも一つは、
前記リードが前記導電性リードのボンディング領域に対応する前記ボンディングパッド側を向くように方向転換させる前記第1の屈曲地点より、前記ダイ領域にさらに近い第2の屈曲地点をさらに含むことを特徴とする請求項97に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。 - ダイ領域に装着されたダイを支持するダイパッドをさらに備えることを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記ダイパッドは、正方形、長方形、円形、楕円体、楕円形、及び多角形の形状を有することを特徴とする請求項99に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、ラインセグメント、曲線セグメント、波形の曲線セグメント、スプライン曲線、弧セグメント、放物線弧セグメント、楕円形弧セグメント、及び円形弧セグメントのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 対応する第1の複数の隣接するボンディングパッドと第1のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドと第2のセットのボンディング領域との間のボンディング角度の変化量は増加し、
対応する第1の複数の隣接したボンディングパッドの最後のボンディングパッド及び第1のセットのボンディング領域と、対応する第2の複数の隣接したボンディングパッドの一番目のボンディングパッド及び第2のセットのボンディング領域と、の間のボンディング角度の変化量は増分変化量について不連続的なことを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。 - 前記第1の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度と、前記第2の複数の隣接するボンディングパッド及び前記第1のセットのボンディング領域の間のボンディング角度は、最高許容ボンディング角度を超過しないことを特徴とする請求項102に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記第1及び第2のガイドラインは、前記ダイ領域から異なる距離だけ離れており、前記第2のガイドラインは、前記第1のガイドラインより前記ダイ領域に近いことを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 前記半導体素子パッケージは、ボールグリッドアレイ、クワッドフラットパッケージ、クワッドフラットノンリードパッケージのうちの一つから構成されることを特徴とする請求項93に記載の半導体素子パッケージをワイヤーボンディングする方法。
- 第1のセットのボンディングワイヤーは第1のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイの端部の中央領域に設けられる第1の複数の隣接したボンディングパッドと連結させ、
第2のセットのボンディングワイヤーは第2のガイドラインに沿って設けられ、前記ダイのコーナー領域に設けられる第2の複数の隣接したボンディングパッドと連結し、
前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つと前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、重畳されることを特徴とする請求項93に記載の半導体素子のパッケージをワイヤーボンディングする方法。 - 前記第1のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つは、前記第2のセットのボンディングワイヤーのうちの少なくともいずれか一つより高いループを有することを特徴とする請求項106に記載の半導体素子のパッケージをワイヤーボンディングする方法。
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