JP2005528641A - 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板 - Google Patents
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Abstract
Description
このような液晶表示装置は、画像を表示するための複数の画素を含み、これら画素はマトリクス配列を有し、かつ、各画素は透明な導電物質で形成されている。このような画素電極は、複数のゲート線及び複数のデータ線を含む複数の信号配線を通じて印加される信号によって駆動される。ゲート配線及びデータ配線は、互いに交差してマトリクス配列の複数の画素領域を画定し、これらの配線は、薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチング素子を通じて画素電極と接続されている。この時、スイッチング素子は、ゲート線からの走査信号によって、画素電極に伝達されるデータ線からの画像信号を制御する。そして、各々の画素は、画素電極とともに保持容量(ストレージキャパシタ)を形成する保持電極を備え、印加された画像信号を次の信号が印加されるまで保持させる。
ここで、ホワイト欠陥は、画素電極とスイッチング素子の接触不良や、スイッチング素子の誤動作によって発生するが、この場合、初期にブラック状態を表示していても、時間が経過すると画素電極から漏れ電流が発生し、画素電圧が画素電極と対向する共通電極の共通電圧に接近することにより、ホワイト欠陥に変わるようになる。また、ホワイト欠陥は、データ線と画素電極の間に導電物質が残留してこれらが電気的に短絡するか、又は画素電極と共通電極が互いに短絡して発生する。
本発明は、独立的に保持容量用配線を有する独立配線方式の液晶表示装置において、ホワイト欠陥を容易に修理することができる画素構造を有する薄膜トランジスタアレイ基板を提供することにある。
より詳細には、本発明による薄膜トランジスタアレイ基板には、基板上にゲート線及びゲート線に接続されているゲート電極を含み、ゲート信号が伝達されるゲート配線と、ゲート線から分離されて共通電圧が伝達される保持容量用配線が形成されている。ゲート線及び前記保持容量用配線を覆うゲート絶縁膜上には、半導体層とゲート線が交差して画素領域を画定するデータ線、データ線に接続されて半導体層上に位置するソース電極、及びゲート電極を中心にソース電極と対向して半導体層上に位置するドレイン電極を含むデータ配線が形成されている。また、ゲート絶縁膜の上には、保持容量用配線と重なって保持容量を形成する導電体パターンが形成されており、これらの上には保護膜が形成されている。保護膜の上には、ドレイン電極または導電体パターンと電気的に接続されている画素電極が形成されている。この時、ゲート線または導電体パターンが互いに重なるようにゲート線または導電体パターンから延長された修理延長部を有する。
そして、画素電極は、透明導電膜及び反射導電膜の少なくとも一方を含むことができ、透明導電膜と反射導電膜を共に有する場合には、反射導電膜が透明導電膜を露出する開口部を有することが好ましい。
修理延長部はリング状に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル部を除く半導体層は、データ配線と同一のパターンを有することができる。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
図1及び図2を参照して、本発明の第1実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の構造について説明する。
図1は本発明の第1実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示した平面図であり、図2は図1に示すII-II´線による断面図である。
ゲート配線は横方向にのびているゲート線121、ゲート線121の端に接続されて、外部からのゲート信号の印加を受けてゲート線に伝達するゲートパッド125、及びゲート線121に接続されている薄膜トランジスタのゲート電極123を含む。
ここで、ゲート配線121、123、125が多層膜の場合には、他の物質と接触特性が優れたパッド用物質を含むことができる。
保持容量用配線131、133にはゲート信号が伝達される。
ゲート電極123に対向してのゲート絶縁膜140上には、非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層150が形成されており、半導体層150の上にはシリサイド若しくはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られたオーミックコンタクト層163、165が各々形成されている。
オーミックコンタクト層163、165及びゲート絶縁膜140上には、銀や銀合金またはアルミニウムやアルミニウム合金などのように低抵抗を有する単一膜若しくはこれを含む多層膜からなるデータ配線171、173、175、179が形成されている。
保護膜180には、ドレイン電極175、保持容量導電体177及びデータパッド179を各々露出する接触孔185、187、189が形成されており、また、保護膜180及びゲート絶縁膜140には、ゲートパッド125を露出する複数の接触孔182が形成されている。
本発明の他の実施例では、保持容量用配線は、画素領域の上部及び下部に各々配置されている一対の保持容量用配線及び画素領域の縁に縦方向にのびている画素電極を含むことができる。
図3は、本発明の第2実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示す配置図であり、図4及び図5は、図3に示すIV-IV´及びV-V´線によるそれぞれの断面図である。
大部分の構造は第1実施例と同様である。
しかしながら、ゲート配線は、ゲート線121からのびる複数の修理部128を有し、該修理部128は、保持容量導電体177とゲート絶縁膜140を介在して重なっている。
また、保護膜180は、表面に凹凸パターンを有し、その上にある画素電極190は、IZOやITOなどのような透明な導電物質からなる透明電極191と銀や銀合金またはアルミニウムやアルミニウム合金などのような反射度を有する導電物質からなっており、画素領域に透過領域(T)を有する反射電極192を含む。
勿論、本発明の第2実施例の構造においても、修理部128がリング状であってもよい。
まず、絶縁基板110上に、低抵抗を有する銀や銀合金若しくはアルミニウムやアルミニウム合金の単一膜、またはこれを含む多層膜を積層し、マスクを用いるフォトエッチング工程でパターニングして、ゲート配線121、125、123及び保持容量用配線131、133を形成する。
次に、データ配線用導電物質を積層した後マスクを用いるフォト工程でパターニングして、データ配線171、173、175、177、178、179を形成する。この時、保持容量が十分に確保できる場合には、第2実施例のように保持容量用導電体パターン177を形成しないこともある。
次に、データ配線171、177、173、175、179によって覆われないオーミックコンタクト層をエッチングして、ゲート電極123を中心に両側に分離された部分オーミックコンタクト163、165を完成し、これら部分163、165の間の半導体層パターン150を露出する。次に、露出された半導体層150の表面を安定化するために、酸素プラズマ処理を施すのが良い。
最後に、ITOまたはIZO膜を積層し、マスクを用いるパターニングを実施して、接触孔185、187を通じてドレイン電極175及び保持容量導電体177とそれぞれ接続される画素電極190と、接触孔182、189を通じてゲートパッド125及びデータパッド179と各々接続される補助ゲートパッド92及び補助データパッド97を各々形成する。
詳細には、ゲート配線を形成した後にゲート絶縁膜140、非晶質シリコンからなる半導体層、ドーピングされた非晶質シリコン層の3層膜を連続積層する。
次に、データ配線用導電層を積層しその上に感光膜を形成し、チャネル部Cの光透過調節膜を有するマスクを用いて部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンを形成する。この時、感光膜パターンは、データ配線に対応する第1部分よりもチャネル部Cに対応する第2部分が薄い厚さであり、その他の部分は感光膜が全て除去されている。
なお、画素電極190を形成するためにはまず、凹凸パターンを有する保護膜180の上に透明な導電物質を積層し、マスクを用いる写真エッチング工程でパターニングして透明電極191を形成し、その上に反射度を有する導電物質を積層しパターニングして反射電極192を形成する。
Claims (9)
- 基板、
前記基板上に形成され、ゲート線及び前記ゲート線に接続されているゲート電極を含み、ゲート信号が伝達されるゲート配線、
前記基板上に形成されて共通電圧が伝達される保持容量用配線、
前記基板上部に形成されて前記ゲート線及び前記保持容量用配線を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート電極と反対側の前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、
前記ゲート絶縁膜上に形成されて前記ゲート線と交差して画素領域を画定するデータ線、前記データ線に接続されて前記半導体層上に位置するソース電極及び前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向して前記半導体層上に位置するドレイン電極を含むデータ配線、
前記ゲート絶縁膜上に形成されて、前記保持容量用配線と重なって保持容量を形成する導電体パターン、
前記データ配線及び前記半導体層を覆う保護膜、及び
前記保護膜上の前記画素領域に形成されて、前記ドレイン電極または前記導電体パターンと電気的に接続されている画素電極
を含み、
前記ゲート線及び前記導電体パターンが互いに重なるように、前記ゲート線及び前記導電体パターンから延長した修理延長部を有する
ことを特徴とする液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記導電体パターンは、前記ドレイン電極と接続されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記導電体パターンは、前記ドレイン電極から分離されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、透明導電膜及び反射導電膜の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、前記透明導電膜と前記反射導電膜を共に有し、前記反射導電膜は、前記透明導電膜を露出する開口部を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記修理延長部は、リング状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記修理延長部は、前記導電体パターンからのびていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記修理延長部は、前記ゲート線からのびていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間のチャネル部を除いて、前記データ配線と同一のパターンを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
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