JP2005353853A - テープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ表面が斜めの場合や、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 1つの電極パッド5に接続するテープバンプ3を複数のバンプにより構成することにより、電極パッド5とテープバンプ3の接続が容易となり、テープバンプ3材料と電極パッド5材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ3表面が斜めの場合や、テープバンプ3と電極パッド5の合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 1つの電極パッド5に接続するテープバンプ3を複数のバンプにより構成することにより、電極パッド5とテープバンプ3の接続が容易となり、テープバンプ3材料と電極パッド5材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ3表面が斜めの場合や、テープバンプ3と電極パッド5の合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置の端子接続部およびその製造方法に関する。
近年、集積回路の高集積化、半導体チップの縮小に伴い、微細ピッチの端子への接続に対応可能な実装技術が要求されている。この要求に対応しやすい実装技術として、TCP(Tape Carrier Package)等に利用されるTAB(Tape Automated Bonding)実装が挙げられる。その他の実装技術としては、また異方性導電膜、すなわちACF(Anisotropic Conductive Film)を利用したCOG(Chip On Glass)、COF(Chip On FilmまたはFlexible)といった実装が知られている。
これらの実装形態の基本構成は、半導体基板上に形成された電極パッド上にバンプと呼ばれる突起をAuや半田を用いて形成した後、樹脂テープやガラス基板上に形成された金属配線上に半導体基板上のバンプを一括に加圧し接合する構成である。
また、半導体基板上にバンプを形成するのではなく逆に、樹脂テープ上に形成された金属配線上にバンプのみを形成した後、半導体基板上に形成された電極パッドと接続する構成もある。
以下、図を用いて従来の半導体装置について説明する。
図8は従来の半導体装置の端子接続部の構成を示す図、図11は従来の半導体装置の端子接続工程を示す図である。
図8は従来の半導体装置の端子接続部の構成を示す図、図11は従来の半導体装置の端子接続工程を示す図である。
図8、図11において、1はテープ基材、2はテープリード、3はテープバンプ、4は半導体基板、5は電極パッド、6は表面保護膜、7は電極開口部、8は絶縁性液状樹脂、13はボンディングツールである。
テープ基板1上に、リソグラフィー工程とエッチング工程などの工法でテープリード2が形成されている。テープリード2上に、リソグラフィー工程とめっき工程などの工法でテープバンプ3が形成されている。また、半導体基板4上に外界との電気的信号をやり取りする電極パッド5と半導体基板4表面を保護する表面保護膜6があり、電極パッド5は、表面保護膜6を開口した電極開口部7により開口している。
ここで、まず、表面保護膜6やパッド電極5上に、絶縁性液状樹脂8をのせる(図11(a))。
テープバンプ3と電極パッド5の位置を合わせたあと、接続させ、ボンディングツール13を用いて接続部に超音波や荷重を加えることにより、テープバンプ3と電極パッド5の接続部に金属間化合物の形成や接続が強固となる(図11(b))(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−335373号公報
テープバンプ3と電極パッド5の位置を合わせたあと、接続させ、ボンディングツール13を用いて接続部に超音波や荷重を加えることにより、テープバンプ3と電極パッド5の接続部に金属間化合物の形成や接続が強固となる(図11(b))(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記従来の構成では、半導体装置は、テープバンプ3とパッド電極5との接続時に、テープバンプ3材料とパッド電極5材料とで金属間化合物を形成する必要があるが、テープバンプ3の面積が大きいと、接触面の平坦性の影響が大きくなり、バンプ面積の全てがパッド電極5と接触することが難しくなる。バンプ面の全てで金属間化合物が形成されにくい。また、テープバンプ3表面が電極パッド5と完全に平行であれば、テープバンプ3と電極パッド5の接触面積が大きく、金属間化合物が形成される面積が大きくなるため接触が安定するので良いが、テープバンプ3表面が斜めになっていた場合など、接続部面で接続せず接続部面が面接続でない線接続となり、テープバンプ3と電極パッド5の接触面積が少なくなる、接触面積が少ないと、金属間化合物の形成面積が少なくなり、接触が安定しないことになる(図9)。また、テープバンプ3と電極パッド5の合わせがずれた場合は、テープバンプ3の一部が表面保護膜6の上にのりあがり、テープバンプ3と電極パッド5の接触ができなくなり、金属間化合物が形成されなくなり、接触が安定しないため、接続できない状態となる(図10)。この様な状態が発生するという問題点があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、テープバンプ3材料と電極パッド5材料との間の金属間化合物が形成されやすく、また、テープバンプ3表面が斜めの場合や、テープバンプ3と電極パッド5の合わせがずれた場合でも、接続が可能な半導体装置を提供する。
この目的を達成するために、本発明の請求項1記載のテープ基板は、複数の電極を備える半導体チップと導体配線上に形成されたバンプを介して電気的に接続することにより半導体装置を形成するテープ基板であって、前記導体配線上に複数の前記バンプが形成されていることを特徴とする。
請求項2記載のテープ基板は、複数の電極を備える半導体チップと導体配線上に形成されたバンプを介して電気的に接続することにより半導体装置を形成するテープ基板であって、前記バンプ先端に複数の突起が形成されていることを特徴とする。
請求項3記載のテープ基板は、請求項1または請求項2のいずれかに記載のテープ基板において、前記テープ基板がフィルムで皮膜されていて、前記フィルムとしてポリイミドを使用し、前記導体配線として銅配線にニッケルを被服したものを使用し、前記バンプとして金を使用することを特徴とする。
請求項4記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記複数の前記バンプと前記電極の接触で、前記複数の前記バンプが前記電極に全て接触する事を特徴とする。
請求項5記載の半導体装置は、請求項2記載の半導体装置において、半導体装置において、前記バンプ先端の前記複数の突起と前記電極の接触で、前記複数の突起が前記電極に全て接触する事を特徴とする。
請求項6記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記複数の前記バンプのうち少なくても1つの前記バンプが前記電極と接触する事を特徴とする。
請求項7記載のテープ基板の製造方法は、テープ基板上に導体配線を形成する行程と、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、前記バンプ形成位置合わせの必要のない、導体配線上を横切る様に開口を備え、前記開口が独立することなく連続しており、前記複数のバンプを形成することが可能になるように、前記開講が並列に複数列並んだ開口を備えたフォトマスクを用い、フォトレジストを露光する工程と、露光された前記フォトレジストを現像処理し、フォトレジストが開口する工程と、めっき液雰囲気中に前記導体配線に電流を流し、フォトレジストが開口していても、前記導体配線とめっき液と接触する部分のみめっきが成長し、導体配線と接触していない部分については、めっきが成長せず、選択することが可能となる、前記導体配線上にめっきを成長させる工程と、フォトレジストを除去する工程とを有することを特徴とする。
請求項7記載のテープ基板の製造方法は、テープ基板上に導体配線を形成する行程と、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、前記バンプ形成位置合わせの必要のない、導体配線上を横切る様に開口を備え、前記開口が独立することなく連続しており、前記複数のバンプを形成することが可能になるように、前記開講が並列に複数列並んだ開口を備えたフォトマスクを用い、フォトレジストを露光する工程と、露光された前記フォトレジストを現像処理し、フォトレジストが開口する工程と、めっき液雰囲気中に前記導体配線に電流を流し、フォトレジストが開口していても、前記導体配線とめっき液と接触する部分のみめっきが成長し、導体配線と接触していない部分については、めっきが成長せず、選択することが可能となる、前記導体配線上にめっきを成長させる工程と、フォトレジストを除去する工程とを有することを特徴とする。
以上により、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ表面が斜めの場合や、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
本発明におけるテープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法によると、1つの電極パッドに接続するテープバンプを複数のバンプにより構成することにより、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ表面が斜めの場合や、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の端子接続部の構造図である。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の端子接続部の構造図である。
図1において、1はテープ基材、2はテープリード、3はテープバンプ、3aは第一のテープバンプ、3bは第二のテープバンプ、3cは第三のテープバンプである。4は半導体チップの半導体基板、5は半導体チップの電極パッド、6は表面保護幕、7は電極開口部であり、半導体集積回路を構成している。8は絶縁性液状樹脂であり、絶縁性液状樹脂8を樹脂封止してテープ基板に半導体集積回路を実装して半導体装置を構成している。
次に半導体の製造方法について図面を用いて説明する。
図2、図3は本発明のテープ基板の製造方法の説明図、図4は本発明の半導体装置の端子接続工程を示す図である。
図2、図3は本発明のテープ基板の製造方法の説明図、図4は本発明の半導体装置の端子接続工程を示す図である。
図2、図3、図4において、図1と記号が同じ部分は説明を省略する。9はフォトレジスト、10はフォトマスク、11はフォトマスクパターン、12はフォトレジストマスク開口部、13はボンディングツールである。また、図2(a1),(b1),(c1)図3(a1),(b1),(c1)に上面図を示す。また、図2(a2),(b2),(c2)、図3(a2),(b2),(c2)は、図2(a1)におけるA−A‘面における断面図を示す。
最初に約40μm厚のテープ基材1上に約10μm厚みのCuなどの金属箔の貼り付け後、フォト、エッチング工程により幅が約20μmのテープリード2の形状を形成する(図2(a1),(a2))。次に、テープリード2表面にテープバンプ3の下地用にNiなどをめっき法により被覆させて導体配線を形成する。
次に、テープ基材1とテープリード2の面を全て覆うように、約20μm厚のフォトレジスト9をドライフィルムや回転塗布法を用い被覆させる(図2(b1)(b2))。次に、石英やソーダガラスなどの材質のフォトマスク10に、並列に並んだ複数のテープリード2と直行するようなパターンをCrなどの材料によるフォトマスクパターン11として描く。また、一つのパターンは連続しており不連続部は無く、フォトマスク10内に複数の連続したパターンが描かれて、フォトマスクパターン11が形成されている。フォトマスク10をテープ基材1の所定の位置に合うように、フォトマスク10とテープ基材1を合わせた後、フォトマスク10の上方向から紫外線光を所定のエネルギー量あてフォトレジスト9を露光する(図2(c1)(c2))。この時、フォトマスクパターン11は横に不連続部がなく連続しているため、フォトマスク10とテープ基材1の合わせが横方向にずれてもフォトレジスト開口部12は正常に形成可能となる。次に、露光されたフォトレジスト9を現像液に浸し現像することにより、フォトレジスト開口部12を形成する(図3(a1),(a2))。次に、テープ基材1をめっき液雰囲気中にさらし、めっき液をアノード側、テープ基材1上のテープリード2に電流密度の値が約0.4A/dm2で電流を印加しカソード側として電解めっき処理をおこなう。テープリード2が存在し、かつ、フォトレジスト開口部12の部分にはめっき液が触れ、電子供給がされるので、テープバンプ3が形成される。フォトレジスト開口部12は開口しているが、テープリード2とめっき液に触れる部分のみにめっきが成長する、またフォトレジスト開口部12を並列に複数個、開口する事により、テープリード2上に複数のテープバンプ3a、テープバンプ3b、テープバンプ3cを一度のめっき工程にて形成することが可能になる。 めっき厚みを5〜10μmになるように電流を印加する時間を調節する(図3(b1)(b2))。次に、テープ基材1を例えばシンナーのレジスト除去液に浸し、フォトレジスト9を除去する。次に、金属結晶を安定化させる熱処理を行う(図3(c1)(c2))。
以上の様に構成された本実施の形態における半導体装置について説明をする。
図4において、テープ基材1上のテープリード2にテープバンプ3が形成されている。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cの3つのテープバンプより成り立っている。一方、半導体基板4上に電極パッド5があり、電極開口部7により、表面保護膜6より開口している。さらに、テープ基材1上に絶縁性液状樹脂8を載せる。
図4において、テープ基材1上のテープリード2にテープバンプ3が形成されている。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cの3つのテープバンプより成り立っている。一方、半導体基板4上に電極パッド5があり、電極開口部7により、表面保護膜6より開口している。さらに、テープ基材1上に絶縁性液状樹脂8を載せる。
端子接続時には、テープバンプ3と電極開口部7の位置が合うように調整を行ったあと、ボンディングツール13を用い、半導体基板4に荷重を加え、テープバンプ3と電極パッド5を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、パッド電極5の材料である例えばAlとテープバンプ3の材料である例えばAuとで金属間化合物を造り接続する。
以上の様に実施の形態1によれば、テープバンプ3を複数個設ける事により、テープバンプ3全体を分割し、テープバンプ3の大きさは分割され小さくなる。それは、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cと分かれる事となり小さくなる。また、テープバンプ3a、テープバンプ3b、テープバンプ3cはそれぞれ全て電極開口部7と接続する。また、分割された、例えばテープバンプ3aは、大きなテープバンプ3に比べ接触面積が少なくなり、接触面積荷重が加わりやすく、また、テープバンプ3aの材料が変形しやすくなる。このことにより、金属間化合物が容易に形成されることになり、テープバンプ3aと電極開口部7の接続の安定性が良くなる。他、テープバンプ3b、テープバンプ3cにも同様なことが言える。
ボンディングツール13により、半導体基板4を通じて、テープバンプ3に荷重が加わる時、小さいバンプの方が変形しやすいため、接続しやすくなる。大きなテープバンプ3の場合は接続が安定しないが、本実施の形態の場合はテープバンプ3と電極パッド5の接続信頼性が向上することが可能となる。
テープバンプ3と電極パッド5の接続信頼性が向上することが可能となる。したがって、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも、接続が可能な半導体装置を提供することができる。
(実施の形態2)
図5は本発明の実施の形態2における半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。図9は従来のテープバンプの表面に傾斜を有した半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。
(実施の形態2)
図5は本発明の実施の形態2における半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。図9は従来のテープバンプの表面に傾斜を有した半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。
また、実施の形態2におけるテープ基板の製造方法は実施の形態1と同じなので省略する。
図5において、テープ基材1上のテープリード2にテープバンプ3が形成されている。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cより成り立っている。一方、半導体基板4上に電極パッド5があり、電極開口部7により、表面保護膜6より開口している。図4に示す実施の形態1の場合と同様に、テープ基材1上に絶縁性液状樹脂8を載せる。その後、テープバンプ3と電極開口部7の位置が合うように調整を行ったあと、ボンディングツール13を用い、半導体基板4に荷重を加え、テープバンプ3と電極パッド5を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、パッド電極5の材料である例えばAlとテープバンプ3の材料である例えばAuとで金属間化合物を造り接続する。また、テープバンプ3を形成する時に、めっき液の金属イオン濃度の低下により、フォトレジスト開口部12内で、めっき液の金属イオン濃度傾斜が発生したテープバンプ3の表面には図5、図9の様な傾斜が発生する。
図5において、テープ基材1上のテープリード2にテープバンプ3が形成されている。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cより成り立っている。一方、半導体基板4上に電極パッド5があり、電極開口部7により、表面保護膜6より開口している。図4に示す実施の形態1の場合と同様に、テープ基材1上に絶縁性液状樹脂8を載せる。その後、テープバンプ3と電極開口部7の位置が合うように調整を行ったあと、ボンディングツール13を用い、半導体基板4に荷重を加え、テープバンプ3と電極パッド5を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、パッド電極5の材料である例えばAlとテープバンプ3の材料である例えばAuとで金属間化合物を造り接続する。また、テープバンプ3を形成する時に、めっき液の金属イオン濃度の低下により、フォトレジスト開口部12内で、めっき液の金属イオン濃度傾斜が発生したテープバンプ3の表面には図5、図9の様な傾斜が発生する。
以上の様に本実施の形態によれば、従来の半導体装置に図9にみられる様なテープバンプ3の極端な傾斜が発生した場合でも、テープバンプ3がテープバンプ3a、テープバンプ3b、テープバンプ3cと分割されていることにより、電極開口部7と全て接続する時、それぞれのテープバンプの大きさが小さいため、大きなテープバンプ3と例えば小さなテープバンプ3aと傾き量は同じであっても、バンプ幅が少ないため、バンプ内の傾斜による段差量の大きさが小さくなる、また、分割されていることにより、それぞれのテープバンプ3a、テープバンプ3b、テープバンプ3cが電極開口部7に接続するため、接触面積が、テープバンプ3単体より大きくなり、金属間化合物を容易に作成することが可能となり、接続が良くなる。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cより成り立っているため、電極バッド5と第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cがそれぞれ接続するため、多点接続となり、接続面積が増えることにより接続信頼性を向上することが可能となる。したがって、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプ表面が斜めの場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
(実施の形態3)
図6は本発明の実施の形態3における半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。図10は従来の電極開口部の中にテープバンプ全てが入らない半導体装置における構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。また、実施の形態3におけるテープ基板の製造方法は実施の形態1と同じなので省略する。
(実施の形態3)
図6は本発明の実施の形態3における半導体装置の構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。図10は従来の電極開口部の中にテープバンプ全てが入らない半導体装置における構造図であり、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。また、実施の形態3におけるテープ基板の製造方法は実施の形態1と同じなので省略する。
図6において、テープ基材1上のテープリード2にテープバンプ3が形成されている。また、テープバンプ3は、第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3b、第三のテープバンプ3cより成り立っている。一方、半導体基板4上に電極パッド5があり、電極開口部7により、表面保護膜6より開口している。図4に示す実施の形態1の場合と同様に、テープ基材1上に絶縁性液状樹脂8を載せる。その後、テープバンプ3と電極開口部7の位置が合うように調整を行ったあと、ボンディングツール13を用い、半導体基板4に荷重を加え、テープバンプ3と電極パッド5を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、パッド電極5の材料である例えばAlとテープバンプ3の材料である例えばAuとで金属間化合物を造り接続する。テープバンプ3と電極開口部7の位置が合うように調整を行うが、調整が困難な場合、電極開口部7の中にテープバンプ3全てが入らない場合が発生する。
以上の様に本実施の形態によれば、図10の様に電極開口部7の中に、テープバンプ3全てが入らない現象が発生した場合、表面保護膜6にテープバンプ3があたり、かつ、テープバンプ3は大きいため変形しにくく、テープバンプ3と電極パッド5の接点が無くなり、接続出来ない様な場合でも、テープバンプ3と電極パッド5の接点は、第三のテープバンプ3cは表面保護膜6に接するために、電極パッド5との接点はないが、第三のテープバンプ3c大きさが小さいため、変形しやすいのでつぶれることにより、第一のテープバンプ3aと第二のテープバンプ3bはパッド電極5と接続点はできるので接続する。第一のテープバンプ3a、第二のテープバンプ3bがそれぞれ接続するため、多点接続が可能となり、接続信頼性を向上することが可能となる。したがって、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも接続が可能な半導体装置を提供することができる。
(実施の形態4)
図7は本発明の実施の形態4における半導体装置の端子接続部の構造図である。
図7は本発明の実施の形態4における半導体装置の端子接続部の構造図である。
図7において、図1と番号が同じ部分は説明を省略する。14はテープバンプ上に形成された突起である。
以上の様に実施の形態4によれば、テープバンプ3上にテープバンプ上突起14を複数個設ける事ことと、全てのテープバンプ上突起14が全て電極開口部7と接続する事の構造をとることにより、テープバンプ3に比べ接触面積が少なくなり、接触面積荷重が加わりやすく、また、テープバンプ上突起14の材料が変形しやすくなる。このことにより、金属間化合物が容易に形成されることになり、テープバンプ3と電極開口部7の接続の安定性が良くなる。
ボンディングツール13により、半導体基板4を通じて、テープバンプ3に荷重が加わる時、テープバンプ上の突起14の様な小さい突起の方が変形しやすいため、接続しやすくなる。大きなテープバンプ3の場合は接続が安定しないが、本実施形態の場合はテープバンプ3と電極パッド5の接続信頼性が向上することが可能となる。したがって、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも、接続が可能な半導体装置を提供することができる。
以上の説明では、テープバンプを3つ備える構成を例に説明したが、3つ以外の複数個のテープバンプで構成されている構成であってもかまわない。
以上の様に実施の形態4によれば、テープバンプ3上にテープバンプ上突起14を複数個設ける事ことと、全てのテープバンプ上突起14が全て電極開口部7と接続する事の構造をとることにより、テープバンプ3に比べ接触面積が少なくなり、接触面積荷重が加わりやすく、また、テープバンプ上突起14の材料が変形しやすくなる。このことにより、金属間化合物が容易に形成されることになり、テープバンプ3と電極開口部7の接続の安定性が良くなる。
ボンディングツール13により、半導体基板4を通じて、テープバンプ3に荷重が加わる時、テープバンプ上の突起14の様な小さい突起の方が変形しやすいため、接続しやすくなる。大きなテープバンプ3の場合は接続が安定しないが、本実施形態の場合はテープバンプ3と電極パッド5の接続信頼性が向上することが可能となる。したがって、電極パッドとテープバンプの接続が容易となり、テープバンプ材料と電極パッド材料との間の金属間化合物が造られやすく、また、テープバンプと電極パッドの合わせがずれた場合でも、接続が可能な半導体装置を提供することができる。
以上の説明では、テープバンプを3つ備える構成を例に説明したが、3つ以外の複数個のテープバンプで構成されている構成であってもかまわない。
本発明にかかるテープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法は、フィルムキャリアパッケージである、バンプ付きテープキャリア上のバンプと半導体基板のパッド電極の金属化合物を容易に作成することが可能となり、接続信頼性の向上や、テープ基板の製造工程のばらつきを吸収する事が可能となり、パッド電極の金属化合物の作成を補助する事ができ、テープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法として有用である。
1 テープ基材
2 テープリード
3 テープバンプ
3a 第一のテープバンプ
3b 第二のテープバンプ
3c 第三のテープバンプ
4 半導体基板
5 電極パッド
6 表面保護膜
7 電極開口部
8 絶縁性液状樹脂
9 フォトレジスト
10 フォトマスク
11 フォトマスクパターン
12 フォトレジスト開口部
13 ボンディングツール
14 テープバンプ上突起
2 テープリード
3 テープバンプ
3a 第一のテープバンプ
3b 第二のテープバンプ
3c 第三のテープバンプ
4 半導体基板
5 電極パッド
6 表面保護膜
7 電極開口部
8 絶縁性液状樹脂
9 フォトレジスト
10 フォトマスク
11 フォトマスクパターン
12 フォトレジスト開口部
13 ボンディングツール
14 テープバンプ上突起
Claims (7)
- 複数の電極を備える半導体チップと導体配線上に形成されたバンプを介して電気的に接続することにより半導体装置を形成するテープ基板であって、
前記導体配線上に複数の前記バンプが形成されていることを特徴とするテープ基板。 - 複数の電極を備える半導体チップと導体配線上に形成されたバンプを介して電気的に接続することにより半導体装置を形成するテープ基板であって、
前記バンプ先端に複数の突起が形成されていることを特徴とするテープ基板。 - 前記テープ基板がフィルムで皮膜されていて、
前記フィルムとしてポリイミドを使用し、前記導体配線として銅配線にニッケルを被服したものを使用し、前記バンプとして金を使用することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のテープ基板。 - 前記複数の前記バンプと前記電極の接触で、前記複数の前記バンプが前記電極に全て接触する事を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記バンプ先端の前記複数の突起と前記電極の接触で、前記複数の突起が前記電極に全て接触する事を特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記複数の前記バンプと前記電極の接触で、前記複数の前記バンプのうち少なくても1つの前記バンプが前記電極と接触する事を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- テープ基板上に導体配線を形成する行程と、
基板上にフォトレジストを塗布する工程と、
導体配線上を横切る様に開口を備え、前記開口が独立することなく連続しており、前記開講が並列に複数列並んだ開口を備えたフォトマスクを用い、フォトレジストを露光する工程と、
露光された前記フォトレジストを現像処理し、フォトレジストが開口する工程と、
めっき液雰囲気中に前記導体配線に電流を流し、前記導体配線上にめっきを成長させる工程と、
フォトレジストを除去する工程と
を有することを特徴とするテープ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004173275A JP2005353853A (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | テープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法 |
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JP2004173275A JP2005353853A (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | テープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法 |
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Family Applications (1)
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JP2004173275A Withdrawn JP2005353853A (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | テープ基板,半導体装置およびテープ基板の製造方法 |
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-
2004
- 2004-06-11 JP JP2004173275A patent/JP2005353853A/ja not_active Withdrawn
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