JP2005347889A - マザー基板及びその基板に搭載される高周波モジュール並びに無線通信機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】1種類の端子構造を持ったマザー基板を用意するだけで、マルチバンド対応高周波モジュールと、シングルバンド対応高周波モジュールとのいずれかを任意に選択して搭載することができるようにする。
【解決手段】マルチバンド及びシングルバンドの高周波モジュールを搭載可能であって、前記高周波モジュールを搭載する領域には、当該領域の一部に存在する第1の領域T+と、当該領域内で前記第1の領域に対向する領域に存在する第2の領域T-と、前記第1の領域T+と第2の領域T-との間に存在する中間領域が含まれており、前記第1の領域T+には、複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯(800MHz)に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第2の領域T-には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯(1.9GHz)に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記中間領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されている。
【選択図】 図10
【解決手段】マルチバンド及びシングルバンドの高周波モジュールを搭載可能であって、前記高周波モジュールを搭載する領域には、当該領域の一部に存在する第1の領域T+と、当該領域内で前記第1の領域に対向する領域に存在する第2の領域T-と、前記第1の領域T+と第2の領域T-との間に存在する中間領域が含まれており、前記第1の領域T+には、複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯(800MHz)に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第2の領域T-には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯(1.9GHz)に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記中間領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されている。
【選択図】 図10
Description
本発明は、高周波電力増幅回路、送受信用フィルタなどを誘電体多層基板に実装した高周波モジュールを搭載可能なマザー基板、及びそのマザー基板を搭載した、携帯電話機などの無線通信機器に関するものである。
従来の高周波モジュールの一般的構成では、送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、アンテナから入力された受信信号とアンテナに給電する送信信号とを切り替えるための送受信用フィルタとが設けられている。
アンテナから入ってきた受信信号は、受信用フィルタに入力され、ここで受信信号が選択的に通過される。通過した受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、信号処理回路に供給される。
アンテナから入ってきた受信信号は、受信用フィルタに入力され、ここで受信信号が選択的に通過される。通過した受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、信号処理回路に供給される。
送信信号は、前記バンドパスフィルタを通ってノイズを落とされ、高周波電力増幅回路に入力される。高周波電力増幅回路は、この送信信号を電力増幅し、その信号を前記送信用フィルタに供給する。
一方、マルチバンド対応無線通信機器の提案がなされている。マルチバンド対応無線通信機器は、通常のシングルバンド対応の無線通信機器が一つの周波数帯の送受信系のみを取り扱うのに対し、2つ以上の周波数帯の送受信系を取り扱うことができるものである。これにより、地域や使用目的等応じて、利用者が都合の良い送受信系を選択して利用することができる。
一方、マルチバンド対応無線通信機器の提案がなされている。マルチバンド対応無線通信機器は、通常のシングルバンド対応の無線通信機器が一つの周波数帯の送受信系のみを取り扱うのに対し、2つ以上の周波数帯の送受信系を取り扱うことができるものである。これにより、地域や使用目的等応じて、利用者が都合の良い送受信系を選択して利用することができる。
マルチバンドの例として、欧州では900MHz帯を使用したGSM(Global System for Mobil Communication)システムと、1800MHz帯を使用したDCS(Digital Cellular System)システムがある。さらに、北米では、800MHz帯を使用したAMPS cellularシステム、1900MHz帯を使用したPCS(Personal Communication Services)システムなどがある。
特開2002−290257号公報
特開2002−171137号公報
マルチバンドに対応できるマザー基板として、図14にその平面配置構造を示す。
このマザー基板31は、1つの周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域33と、他の周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域34とを持っている。35は、2つの周波数帯を切り替える分波回路を搭載する領域である。各領域33,34には、それぞれ高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成されるとともに、高周波モジュールの共通端子(電源端子、制御端子、参照端子など)に対応する共通端子パッドが形成されている。
このマザー基板31は、1つの周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域33と、他の周波数帯の高周波モジュールを搭載する領域34とを持っている。35は、2つの周波数帯を切り替える分波回路を搭載する領域である。各領域33,34には、それぞれ高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成されるとともに、高周波モジュールの共通端子(電源端子、制御端子、参照端子など)に対応する共通端子パッドが形成されている。
このマザー基板31の構造であれば、両方の搭載領域33,34にそれぞれ周波数帯の異なる高周波モジュールを搭載すると、マルチバンドに対応できるが、搭載領域を2つ必要とするので、広い場所をとるという問題がある。また、いずれかの搭載領域にのみ1つの周波数帯の高周波モジュールを搭載してシングルバンドとする場合は、他の搭載領域は遊んでしまうので場所占有効率が低くなる。
マルチバンド対応高周波モジュールに対応した端子構造のマザー基板と、シングルバンド対応高周波モジュールに対応した端子構造のマザー基板とを両方用意すれば、いずれの高周波モジュールにも対応できるが、マザー基板を別々に設計しなければならないのでコストが上る。
そこで、1種類の端子構造を持ったマザー基板を用意するだけで、マルチバンド対応高周波モジュールと、シングルバンド対応高周波モジュールとのいずれかを任意に選択して搭載することができるマザー基板及びこのマザー基板に適合した高周波モジュールが望まれている。
そこで、1種類の端子構造を持ったマザー基板を用意するだけで、マルチバンド対応高周波モジュールと、シングルバンド対応高周波モジュールとのいずれかを任意に選択して搭載することができるマザー基板及びこのマザー基板に適合した高周波モジュールが望まれている。
本発明のマザー基板は、前記に鑑みてなされたものであって、複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール、及び前記複数の周波数帯のうちのいずれかの1つ周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュールの中から選ばれる高周波モジュールを搭載可能であって、前記高周波モジュールを搭載する領域には、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域が含まれており、前記第1の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第2の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、前記第3の領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されていることを特徴とする。
このマザー基板を用いれば、複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール(以下「マルチバンド高周波モジュール」という)を搭載するときは、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記第1及び第2の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、高周波モジュールの共通端子を、前記第3の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、搭載することができる。そして、単一の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール(以下「シングルバンド高周波モジュール」という)を搭載するときは、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記第1又は第2の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、高周波モジュールの共通端子を、前記第3の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、搭載することができる。
前記第1の領域と第2の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第3の領域が前記第1の領域と第2の領域との中間に存在するという配置が想定できる。その意味で、第3の領域を「中間領域」ということがある。また、前記共通端子としては、アンテナ端子および/または電源端子が想定できる。
また、本発明のマルチバンド高周波モジュールは、底面には、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域があり、前記第1の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第2の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられている。
また、本発明のマルチバンド高周波モジュールは、底面には、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域があり、前記第1の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第2の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられている。
このマルチバンド高周波モジュールを用いて、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記マザー基板の前記第1及び第2の領域に存在する入出力端子パッドにそれぞれ合わせ、当該高周波モジュールの共通端子を、前記第3の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、前記マザー基板に搭載することができる。
また、本発明のシングルバンド高周波モジュールは、底面には、第1の領域と、前記第1の領域以外の部分に存在する第3の領域があり、前記第1の領域には、当該周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられている。
また、本発明のシングルバンド高周波モジュールは、底面には、第1の領域と、前記第1の領域以外の部分に存在する第3の領域があり、前記第1の領域には、当該周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられている。
このシングルバンド高周波モジュールを用いて、当該高周波モジュールの入出力端子を、前記マザー基板の前記第1又は第2の領域に存在する入出力端子パッドに合わせ、当該高周波モジュールの共通端子を、前記第3の領域に存在する共通端子パッドに合わせることにより、前記マザー基板に搭載することができる。
以上のように本発明によれば、1種類のマザー基板に、複数種類の入出力端子パッドと共通端子パッドとが形成された領域を形成するだけで、マルチバンドやシングルバンドのいずれかの高周波モジュールを任意に選んで装着することができる。したがって、マザー基板の小型化とコストダウンが図れ、それに本発明の高周波モジュールを搭載することにより、小型かつ低価格な無線通信機器を提供できる。
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、携帯電話機等の無線通信機器に用いられる、CDMAデュアルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このCDMAデュアルバンド方式では、セルラー方式800MHz帯の周波数帯及びPCS(Personal Communication Services)1.9GHz帯の周波数帯を持った2つの送受信系と、GPS(Global Positioning System)による測位機能を利用するためGPSの受信バンド1.5GHz帯を持った1つの受信系とから構成される。
図1は、携帯電話機等の無線通信機器に用いられる、CDMAデュアルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このCDMAデュアルバンド方式では、セルラー方式800MHz帯の周波数帯及びPCS(Personal Communication Services)1.9GHz帯の周波数帯を持った2つの送受信系と、GPS(Global Positioning System)による測位機能を利用するためGPSの受信バンド1.5GHz帯を持った1つの受信系とから構成される。
図1において、1はアンテナ、2は周波数帯を分けるための低域通過フィルタLPFと、帯域通過フィルタと、高域通過フィルタHPFを含む分波回路、3aは1.9GHz帯の送信系を分離する送信用フィルタ、3bは同受信系を分離する受信用フィルタ、4aは800MHz帯の送信系を分離する送信用フィルタ、4bは同受信系を分離する受信用フィルタである。また、12は前記分波回路2から取り込まれるGPS信号を通過させるためのフィルタである。3c,4cは、受信信号の位相を回転させるインピーダンス調整回路である。
前記送信用フィルタ3a,4a及び受信用フィルタ3b,4bは、例えば、LiTaO3結晶、LiNbO3結晶、LiB4O7結晶などからなる基板上に、櫛歯状のIDT(Inter Digital Transducer)電極が形成されたSAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ素子を用いることができる。
送信系における信号の流れを説明する。送信信号処理回路RFIC17から出力されるセルラー送信信号は、帯域通過フィルタBPF9でノイズが削減され、高周波電力増幅回路7に伝えられる。送信信号処理回路RFIC17から出力されるPCS送信信号は、帯域通過フィルタBPF10でノイズが削減され、高周波電力増幅回路8に伝えられる。
送信系における信号の流れを説明する。送信信号処理回路RFIC17から出力されるセルラー送信信号は、帯域通過フィルタBPF9でノイズが削減され、高周波電力増幅回路7に伝えられる。送信信号処理回路RFIC17から出力されるPCS送信信号は、帯域通過フィルタBPF10でノイズが削減され、高周波電力増幅回路8に伝えられる。
高周波電力増幅回路7,8は、それぞれ800MHz帯,1.9GHz帯の周波数帯の送信信号を電力増幅する。増幅された送信信号は、それぞれ前記送信用フィルタ4a,3aに入力される。
方向性結合器5,6は、高周波電力増幅回路7,8からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて高周波電力増幅回路7,8のオートパワーコントロールをするためのものである。そのモニタ出力は、検波用回路11に入力される。
方向性結合器5,6は、高周波電力増幅回路7,8からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて高周波電力増幅回路7,8のオートパワーコントロールをするためのものである。そのモニタ出力は、検波用回路11に入力される。
一方受信系は、受信用フィルタ4b,3bで分離された受信信号を増幅する低雑音増幅器LNA14,13と、受信信号からノイズを除去する高周波フィルタ16,15とを備えている。高周波フィルタ16,15を通った受信信号は、受信信号処理回路RFIC18に伝えられ信号処理される。また、前記GPS用フィルタ12で分離されたGPS信号は、受信信号処理回路RFIC18に入力され信号処理される。
前記各フィルタの構成は限定されないが、好ましくは、SAWフィルタである。前記高周波電力増幅回路7,8の構成も限定されないが、好ましくは、小型化、高効率化を図るためにGaAsHBT(ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ)構造、又はP−HEMT構造のトランジスタ、具体的にはGaAsトランジスタ、シリコン若しくはゲルマニウムトランジスタを含む半導体素子で形成されたものである。
以上のような構成の高周波信号処理回路を搭載した無線通信機器においては、各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、これらの要求を考慮して、高周波信号処理回路は、所望の特性が達成できる単位でモジュール化されている。
すなわち、図1で太い実線22で示したように、分波回路2、送受信用フィルタ3a,3b,4a,4b、高周波電力増幅回路7,8、方向性結合器5,6などを含む分波系回路及び送信系回路が、1つの基板に形成された1つの高周波モジュール22を形成している。
すなわち、図1で太い実線22で示したように、分波回路2、送受信用フィルタ3a,3b,4a,4b、高周波電力増幅回路7,8、方向性結合器5,6などを含む分波系回路及び送信系回路が、1つの基板に形成された1つの高周波モジュール22を形成している。
なお、前記高周波モジュール22に、低雑音増幅器LNA13,14と受信用高周波フィルタ15,16とを追加して形成してもよい。
図2に、このデュアルバンド高周波モジュール22の上面図を示す。
高周波モジュール22は、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
図2に、このデュアルバンド高周波モジュール22の上面図を示す。
高周波モジュール22は、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
多層基板23の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、BPF9,10、GPS用のフィルタ12、送受信用フィルタ3a,4a,3b,4b、及び高周波電力増幅回路7,8などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。
高周波電力増幅回路7,8は、多層基板23上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路7,8の周囲には、高周波電力増幅回路7,8と送受信用フィルタ3a,4aとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路26,27がチップ部品や導体パターンで形成されている。
高周波電力増幅回路7,8は、多層基板23上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路7,8の周囲には、高周波電力増幅回路7,8と送受信用フィルタ3a,4aとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路26,27がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板23の内部には、前記インピーダンス調整回路3c,4cと、分波回路2と、方向性結合器5,6とが内装されている。
構造的にいえば、これらの内部素子を構成する、分布定数線路、結合線路、分布型キャパシタ、抵抗などの導体パターンが、多層基板23の内部の誘電体層中にそれぞれ形成されている。そして、各誘電体層には複数の層にわたって、回路を縦に接続するために必要なビアホール導体が形成されている。
構造的にいえば、これらの内部素子を構成する、分布定数線路、結合線路、分布型キャパシタ、抵抗などの導体パターンが、多層基板23の内部の誘電体層中にそれぞれ形成されている。そして、各誘電体層には複数の層にわたって、回路を縦に接続するために必要なビアホール導体が形成されている。
それぞれの誘電体層は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって導体パターンを形成し、積層して熱硬化させたもの、又は、セラミック材料などの無機系誘電体層に種々の導体パターンを形成し、これらを積層後焼成したものが用いられる。
特に、セラミック材料を用いれば、セラミック誘電体の比誘電率は通常7から25と、樹脂基板に比べて高いので、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内装された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。
特に、セラミック材料を用いれば、セラミック誘電体の比誘電率は通常7から25と、樹脂基板に比べて高いので、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内装された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。
とりわけ、ガラスセラミックスなどの低温で焼成が可能なセラミック材料を用いると、導体パターンを低抵抗の銅、銀などによって形成することができるので望ましい。また、ビアホール導体は誘電体層に形成した貫通孔にメッキ処理するか、貫通孔に導体ペーストを充填するかして形成される。
図3は、デュアルバンド高周波モジュール22の上から透過して見た底面の端子配置図である。図3の比較的上部は800MHz帯の送受信系の端子、図3の比較的下部は1.9GHz帯の送受信系の端子が配列されている。
図3は、デュアルバンド高周波モジュール22の上から透過して見た底面の端子配置図である。図3の比較的上部は800MHz帯の送受信系の端子、図3の比較的下部は1.9GHz帯の送受信系の端子が配列されている。
図1との対応を説明すると、アンテナ1につながる端子Ant、受信用フィルタ4b,3bの出力端子Rx800,Rx1.9、帯域通過フィルタBPF9,10への入力端子Tx800,Tx1.9、GPS用フィルタ端子GPS+,GPS-、方向性結合器5,6のモニタ端子COP800,COP1.9が設けられている。さらに、図1には示していないが、高周波電力増幅回路7に供給する電源端子Vcc1,Vcc2、参照端子Vref1、制御端子Vcont1が設けられ、高周波電力増幅回路8に供給する電源端子Vcc3,Vcc4、参照端子Vref2、制御端子Vcont2が設けられている。
次に、1つの周波数バンドを持ったシングルバンド高周波信号処理回路の構成を説明する。
図4は、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このシングルバンド方式では、PCS方式1.9GHz帯の周波数バンドを持った1つの送受信系と、GPS(Global Positioning System)による測位機能を利用するためGPSの受信バンド1.5GHz帯を持った1つの受信系とから構成される。
図4は、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
このシングルバンド方式では、PCS方式1.9GHz帯の周波数バンドを持った1つの送受信系と、GPS(Global Positioning System)による測位機能を利用するためGPSの受信バンド1.5GHz帯を持った1つの受信系とから構成される。
図1と図4を比較すると、図4では、図1のセルラー方式800MHz帯の送信用フィルタ4a、受信用フィルタ4b、インピーダンス調整回路4c、方向性結合器5、高周波電力増幅回路7、帯域通過フィルタBPF9、低雑音増幅器LNA14、高周波フィルタ16を除外した構成になっている。これら以外のPCS方式1.9GHz帯の回路は、図1に示したのと同じであるので、その再度の構成説明は省略する。
この高周波信号処理回路において、図4で太い実線22aで示したように、分波回路2、送受信用フィルタ3a,3b、高周波電力増幅回路8、方向性結合器6などを含む分波系回路及び送信系回路が、1つの基板に形成された1つの高周波モジュール22aを形成している。
なお、前記高周波モジュール22aに、低雑音増幅器LNA13と受信用高周波フィルタ15とを追加形成してもよいのは、図1の、デュアルバンド高周波信号処理回路と同じである。
なお、前記高周波モジュール22aに、低雑音増幅器LNA13と受信用高周波フィルタ15とを追加形成してもよいのは、図1の、デュアルバンド高周波信号処理回路と同じである。
図5に、シングルバンド高周波モジュール22aの上面図を示す。
高周波モジュール22aは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
多層基板23の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、BPF10、GPS用のフィルタ12、送受信用フィルタ3a,3b及び高周波電力増幅回路8などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。
高周波モジュール22aは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
多層基板23の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、BPF10、GPS用のフィルタ12、送受信用フィルタ3a,3b及び高周波電力増幅回路8などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接合されている。
高周波電力増幅回路8は、多層基板23上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路8の周囲には、高周波電力増幅回路8と送信用フィルタ3aとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路26がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板23の内部には、前記インピーダンス調整回路3cと、分波回路2と、方向性結合器6とが内装されている。
多層基板23の内部には、前記インピーダンス調整回路3cと、分波回路2と、方向性結合器6とが内装されている。
図6は、1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22aの上から透過して見た底面の端子配置図である。図6の比較的下部に1.9GHz帯の送受信系の端子が配列されている。図6の比較的上部には接地端子(白抜きの四角で示す)が配列されている。
図4との対応を説明すると、アンテナ1につながる端子Ant、受信用フィルタ3bの出力端子Rx1.9、帯域通過フィルタBPF10への入力端子Tx1.9、GPS用フィルタ端子GPS+,GPS-、方向性結合器6のモニタ端子COP1.9が設けられている。さらに、図4には示していないが、高周波電力増幅回路8に供給する電源端子Vcc3,Vcc4、参照端子Vref2、制御端子Vcont2が設けられている。
図4との対応を説明すると、アンテナ1につながる端子Ant、受信用フィルタ3bの出力端子Rx1.9、帯域通過フィルタBPF10への入力端子Tx1.9、GPS用フィルタ端子GPS+,GPS-、方向性結合器6のモニタ端子COP1.9が設けられている。さらに、図4には示していないが、高周波電力増幅回路8に供給する電源端子Vcc3,Vcc4、参照端子Vref2、制御端子Vcont2が設けられている。
前記図4では、PCS方式1.9GHz帯のシングルバンドを持った高周波信号処理回路を示したが、これと同様にして、セルラー方式800MHz帯のシングルバンドを持った高周波信号処理回路を構成することもできる。
図7は、セルラー方式800MHz帯のシングルバンド高周波信号処理回路の回路構成図である。
図7は、セルラー方式800MHz帯のシングルバンド高周波信号処理回路の回路構成図である。
その回路構成は、図4で除外された、セルラー方式800MHz帯の送信用フィルタ4a、受信用フィルタ4b、インピーダンス調整回路4c、方向性結合器5、高周波電力増幅回路7、帯域通過フィルタBPF9、低雑音増幅器LNA14、高周波フィルタ16などを含むものとなる。逆に、PCS方式1.9GHz帯の送信用フィルタ3a、受信用フィルタ3b、インピーダンス調整回路3c、方向性結合器3、高周波電力増幅回路8、帯域通過フィルタBPF10、低雑音増幅器LNA13、高周波フィルタ15は含まない。
図8に、シングルバンド高周波モジュール22bの上面図を示す。
高周波モジュール22bは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
多層基板23の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、BPF9、GPS用のフィルタ12、送受信用フィルタ4a,4b及び高周波電力増幅回路7などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接続されている。
高周波モジュール22bは、同一寸法形状の複数の誘電体層が積層された多層基板23に形成されている。
多層基板23の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、BPF9、GPS用のフィルタ12、送受信用フィルタ4a,4b及び高周波電力増幅回路7などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに接続されている。
高周波電力増幅回路7は、多層基板23上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。高周波電力増幅回路7の周囲には、高周波電力増幅回路7と送信用フィルタ4aとの間のインピーダンスマッチングをとる出力整合回路27がチップ部品や導体パターンで形成されている。
多層基板23の内部には、インピーダンス調整回路4cと、分波回路2と、方向性結合器5とが内装されている。
多層基板23の内部には、インピーダンス調整回路4cと、分波回路2と、方向性結合器5とが内装されている。
図9は、800MHz帯シングルバンド高周波モジュール22bの上から透過して見た底面の端子配置図である。図9の比較的上部に800MHz帯の送受信系の端子が配列されている。図9の比較的下部には何もつながっていない端子または接地端子(白抜きの四角で示す)が配列されている。
図7との対応を説明すると、アンテナ1につながる端子Ant、受信用フィルタ4bの出力端子Rx800、帯域通過フィルタBPF9への入力端子Tx800、GPS用フィルタ端子GPS+,GPS-、方向性結合器5のモニタ端子COP800が設けられている。さらに、図7には示していないが、高周波電力増幅回路7に供給する電源端子Vcc1,Vcc2、参照端子Vref1、制御端子Vcont1が設けられている。
図7との対応を説明すると、アンテナ1につながる端子Ant、受信用フィルタ4bの出力端子Rx800、帯域通過フィルタBPF9への入力端子Tx800、GPS用フィルタ端子GPS+,GPS-、方向性結合器5のモニタ端子COP800が設けられている。さらに、図7には示していないが、高周波電力増幅回路7に供給する電源端子Vcc1,Vcc2、参照端子Vref1、制御端子Vcont1が設けられている。
図10は、本発明の高周波モジュールを実装するためのマザー基板の端子レイアウト図である。この端子はレイアウトは、図3のデュアルバンド高周波モジュール22の上から透過して見た底面の端子配置図に完全に対応している。
すなわち、+x方向にある最も外側の一列T+に800MHz帯の端子を配置し、−x方向にある最も外側の一列T-に1.9GHz帯の端子を配置している。そして、前記一列T+と一列T-の除いた、その間の端子に、共通の端子、例えば電源端子Vcc1,Vcc4、アンテナ端子Ant、GPSの受信端子GPS+,GPS-を配置している。図10で、白抜きの四角で示した端子は、全てグランド端子となっている。
すなわち、+x方向にある最も外側の一列T+に800MHz帯の端子を配置し、−x方向にある最も外側の一列T-に1.9GHz帯の端子を配置している。そして、前記一列T+と一列T-の除いた、その間の端子に、共通の端子、例えば電源端子Vcc1,Vcc4、アンテナ端子Ant、GPSの受信端子GPS+,GPS-を配置している。図10で、白抜きの四角で示した端子は、全てグランド端子となっている。
このマザー基板に、デュアルバンド高周波モジュール22(図1〜図3)、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22a(図4〜図6)及び、セルラー方式800MHz帯シングルバンド高周波モジュール22b(図7〜図9)の中から選ばれるいずれの高周波モジュールを搭載する。搭載方法は、マザー基板の端子パッドとモジュールの端子を、半田により接合することが一般的で、通常LGA(Lamd Grid Allay),BGA(Ball Grid Allay)などとして知られている。
搭載にあたっては、高周波モジュールの種類に対応して、搭載位置を決定する。
図11は、このマザー基板28に、デュアルバンド高周波モジュール22を搭載する場合の断面図である。断面は、図10のA−A線にとっている。この場合は、デュアルバンド高周波モジュール22を、図10の二点鎖線で示した全幅Wに対応させて配置する。
図12は、このマザー基板28に、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22aを搭載する場合の断面図である。この場合は、高周波モジュール22aを、図10の二点鎖線で示した幅W1.9に対応させて配置する。つまり、高周波モジュール22aを、マザー基板28の片方に位置をずらして半田で接合する。その結果、マザー基板28の、+x方向にある最も外側の一列T+が空くことになる。この一列T+には、図10に示したように、セルラー方式800MHz帯の端子群が配置されており、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22aでは全く使用しない端子である。
図11は、このマザー基板28に、デュアルバンド高周波モジュール22を搭載する場合の断面図である。断面は、図10のA−A線にとっている。この場合は、デュアルバンド高周波モジュール22を、図10の二点鎖線で示した全幅Wに対応させて配置する。
図12は、このマザー基板28に、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22aを搭載する場合の断面図である。この場合は、高周波モジュール22aを、図10の二点鎖線で示した幅W1.9に対応させて配置する。つまり、高周波モジュール22aを、マザー基板28の片方に位置をずらして半田で接合する。その結果、マザー基板28の、+x方向にある最も外側の一列T+が空くことになる。この一列T+には、図10に示したように、セルラー方式800MHz帯の端子群が配置されており、PCS方式1.9GHz帯シングルバンド高周波モジュール22aでは全く使用しない端子である。
図13は、このマザー基板28に、セルラー方式800MHz帯シングルバンド高周波モジュール22bを搭載する場合の断面図である。この場合は、高周波モジュール22bを、図10の二点鎖線で示した幅W800に対応させて配置する。つまり、高周波モジュール22aを、マザー基板28の片方に位置をずらして半田で接合する。その結果、マザー基板28の、−x方向にある最も外側の一列T-が空くことになる。この一列T-には、図10に示したように、PCS方式1.9GHz帯の端子群が配置されており、セルラー方式800MHz帯シングルバンド高周波モジュール22bでは全く使用しない端子である。
以上のように、同一のマザー基板でデュアルバンド用のモジュール22に全サイズをあわせて、上述のような端子配置にすることにより、シングルバンド用のモジュール22a,22bにも対応することができる。すなわち、最小のマザー基板面積でデュアルバンドとシングルバンドの両方に対応が出来る生産性の良い無線通信機器が実現できる。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではない。例えば、高周波モジュールとして、セルラー方式800MHz帯及びPCS方式1.9GHz帯のものを想定したが、これらの方式・周波数帯以外に、GSM(Global System for Mobil Communication)方式850MHz帯、GSM方式900MHz帯、DCS(Digital Cellular System)方式1800MHz帯、UMTS方式2000MHz帯などの高周波モジュールに適用することが可能である。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではない。例えば、高周波モジュールとして、セルラー方式800MHz帯及びPCS方式1.9GHz帯のものを想定したが、これらの方式・周波数帯以外に、GSM(Global System for Mobil Communication)方式850MHz帯、GSM方式900MHz帯、DCS(Digital Cellular System)方式1800MHz帯、UMTS方式2000MHz帯などの高周波モジュールに適用することが可能である。
また、本発明のマザー基板の端子レイアウトは、図10に示したような長方形状のものとは限らない。例えば円周上に端子パッドを並べて、円周のある角度範囲の端子パッド及びこれに対向する他の角度範囲の端子パッドを各周波数帯の入出力端子に対応する入出力端子パッドとし、両角度範囲の中間の角度範囲に共通端子パッドを形成するような実施も可能である。このマザー基板に搭載される高周波モジュールは、いずれかの入出力端子パッド及び共通端子パッドに合わせた端子配列を持つ。
1:アンテナ
2:分波回路
3a,4a:送信用フィルタ
3b,4b:受信用フィルタ
3c,4c:インピーダンス調整回路
5,6:方向性結合器(カプラ)
7,8:電力増幅回路
9,10:BPF
11:検波回路
12:GPSフィルタ
13,14:LNA
15,16:受信用SAWフィルタ
17:送信用RFIC
18:受信用RFIC
19:べースバンドIC
22,22a,22b:高周波モジュール
23:多層基板
26、27:出力整合回路
28:マザー基板
2:分波回路
3a,4a:送信用フィルタ
3b,4b:受信用フィルタ
3c,4c:インピーダンス調整回路
5,6:方向性結合器(カプラ)
7,8:電力増幅回路
9,10:BPF
11:検波回路
12:GPSフィルタ
13,14:LNA
15,16:受信用SAWフィルタ
17:送信用RFIC
18:受信用RFIC
19:べースバンドIC
22,22a,22b:高周波モジュール
23:多層基板
26、27:出力整合回路
28:マザー基板
Claims (10)
- 複数の周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュール、及び前記複数の周波数帯のうちのいずれかの1つ周波数帯の送受信系に対応した高周波モジュールの中から選ばれる高周波モジュールを搭載可能なマザー基板であって、
前記高周波モジュールを搭載する領域には、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域が含まれており、
前記第1の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、
前記第2の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯に対応した高周波モジュールの入出力端子に対応する入出力端子パッドが形成され、
前記第3の領域には、高周波モジュールの共通端子に対応する共通端子パッドが形成されていることを特徴とするマザー基板。 - 前記第1の領域と第2の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第3の領域が前記第1の領域と第2の領域との中間に存在することを特徴とする請求項1記載のマザー基板。
- 前記共通端子として、アンテナ端子および/または電源端子を有する請求項1または請求項2記載のマザー基板。
- 複数の周波数帯に対応し、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のマザー基板に搭載可能な高周波モジュールであって、
当該高周波モジュールの底面には、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域があり、
前記第1の領域には、前記複数の周波数帯のうちのある1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第2の領域には、前記複数の周波数帯のうちの他の1つ周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。 - 前記第1の領域と第2の領域が互いに対向する位置に形成されてなり、前記第3の領域が前記第1の領域と第2の領域との中間に存在することを特徴とする請求項3記載の高周波モジュール。
- 単一の周波数帯に対応し、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のマザー基板に搭載可能な高周波モジュールであって、
当該高周波モジュールの底面には、第1の領域と、前記第1の領域以外の部分に存在する第3の領域があり、
前記第1の領域には、当該周波数帯に対応した入出力端子が設けられ、前記第3の領域には共通端子が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。 - 送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、送受信系を切り分けるための送受信用フィルタと、複数の周波数帯を切り替える分波回路とを含む請求項4記載の高周波モジュール。
- 送信信号に含まれるある領域の周波数成分を通過させるバンドパスフィルタと、送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、送受信系を切り分けるための送受信用フィルタとを含む請求項6記載の高周波モジュール。
- 前記共通端子として、アンテナ端子および/または電源端子を有する請求項4乃至請求項8のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記請求項1乃至請求項3記載のマザー基板を内蔵するとともに、該マザー基板表面に、前記請求項4乃至請求項9のいずれかに記載の高周波モジュールを搭載した無線通信機器。
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