JP2005347672A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、集積回路12を有する半導体基板10と、第1の導電体22と、第1の導電体22を覆うように設けられた第1の絶縁層32と、第1の絶縁層32上に設けられた保護部材40と、保護部材40を覆うように設けられた第2の絶縁層34と、第2の絶縁層34上に設けられた第2の導電体24とを含む。保護部材40は、第1及び第2の絶縁層32,34よりも延展性が高い。
【選択図】 図1
Description
第1の導電体と、
前記第1の導電体を覆うように設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられた保護部材と、
前記保護部材を覆うように設けられた第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられた第2の導電体と、
を含み、
前記保護部材は、前記第1及び第2の絶縁層よりも延展性が高い。本発明によれば、第1及び第2の絶縁層の間には、保護部材が形成されてなる。そして、保護部材は、第1及び第2の絶縁層よりも延展性が高い。すなわち、保護部材は、第1及び第2の絶縁層に較べて破壊されにくくなっている。そのため、第1及び第2の絶縁層のいずれかが破壊された場合でも、他方の絶縁膜が破壊されることを防止することができる。そのため、第1及び第2の導電体間で電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(2)この半導体装置において、
前記第1及び第2の導電体の重複領域は、前記保護部材とオーバーラップしていてもよい。
(3)この半導体装置において、
前記第1の導電体に与えられる電位と前記第2の導電体に与えられる電位とは異なっていてもよい。
(4)この半導体装置において、
前記第2の導電体は電極パッドであってもよい。
(5)この半導体装置において、
前記電極パッドにはバンプが形成されていてもよい。
(6)この半導体装置において、
前記電極パッドは前記集積回路とオーバーラップするように配置されていてもよい。
(7)この半導体装置において、
前記保護部材は金属で形成されていてもよい。
(8)本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路を有する半導体基板の上方に第1の導電体を形成すること、
前記第1の導電体を覆うように、第1の絶縁層を形成すること、
前記第1の絶縁層上に保護部材を形成すること、
前記保護部材を覆うように、第2の絶縁層を形成すること、及び、
前記第2の絶縁層上に第2の導電体を形成することを含み、
前記保護部材を、前記第1及び第2の絶縁層よりも延展性が高くなるように形成する。本発明によれば、第1及び第2の絶縁層の間に保護部材を形成する。そのため、第1及び第2の導電体間で電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(9)この半導体装置の製造方法において、
前記第1及び第2の導電体並びに前記保護部材を、前記第1及び第2の導電体の重複領域が前記保護部材とオーバーラップするように形成してもよい。
(10)この半導体装置の製造方法において、
前記第1及び第2の導電体を、電気的に接続しないように形成してもよい。
(11)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の導電体は電極パッドであってもよい。
(12)この半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドにバンプを形成することをさらに含んでもよい。
(13)この半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドを、前記集積回路とオーバーラップするように配置してもよい。
(14)この半導体装置の製造方法において、
前記保護部材を金属で形成してもよい。
Claims (14)
- 集積回路を有する半導体基板と、
第1の導電体と、
前記第1の導電体を覆うように設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられた保護部材と、
前記保護部材を覆うように設けられた第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられた第2の導電体と、
を含み、
前記保護部材は、前記第1及び第2の絶縁層よりも延展性が高い半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1及び第2の導電体の重複領域は、前記保護部材とオーバーラップしてなる半導体装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、
前記第1の導電体に与えられる電位と前記第2の導電体に与えられる電位とは異なっている半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2の導電体は電極パッドである半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記電極パッドにはバンプが形成されてなる半導体装置。 - 請求項4又は請求項5記載の半導体装置において、
前記電極パッドは前記集積回路とオーバーラップするように配置されてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置において、
前記保護部材は金属で形成されてなる半導体装置。 - 集積回路を有する半導体基板の上方に第1の導電体を形成すること、
前記第1の導電体を覆うように、第1の絶縁層を形成すること、
前記第1の絶縁層上に保護部材を形成すること、
前記保護部材を覆うように、第2の絶縁層を形成すること、及び、
前記第2の絶縁層上に第2の導電体を形成することを含み、
前記保護部材を、前記第1及び第2の絶縁層よりも延展性が高くなるように形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1及び第2の導電体並びに前記保護部材を、前記第1及び第2の導電体の重複領域が前記保護部材とオーバーラップするように形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項8又は請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1及び第2の導電体を、電気的に接続しないように形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項8から請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の導電体は電極パッドである半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドにバンプを形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項11又は請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドを、前記集積回路とオーバーラップするように配置する半導体装置の製造方法。 - 請求項8から請求項13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護部材を金属で形成する半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168212A JP2005347672A (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2004168212A JP2005347672A (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005347672A true JP2005347672A (ja) | 2005-12-15 |
Family
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117344A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH03108338A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH11307724A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路 |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004168212A patent/JP2005347672A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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