JP4240226B2 - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4240226B2 JP4240226B2 JP2005042340A JP2005042340A JP4240226B2 JP 4240226 B2 JP4240226 B2 JP 4240226B2 JP 2005042340 A JP2005042340 A JP 2005042340A JP 2005042340 A JP2005042340 A JP 2005042340A JP 4240226 B2 JP4240226 B2 JP 4240226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin portion
- resin
- semiconductor substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
前記半導体基板の前記電極が形成された面の中央部に形成された第1の樹脂部と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の前記第1の樹脂部よりも端部に近い領域に形成された複数の第2の樹脂部と、
前記電極上から前記第1の樹脂部上に形成された配線と、
前記配線を覆うように、前記第1の樹脂部上から前記第2の樹脂部の外側に至るように形成された樹脂層と、
を有し、
前記樹脂層は、前記第2の樹脂部の少なくとも上端部が露出するように形成されてなる。本発明によれば、半導体装置は、第1の樹脂部よりも半導体基板の端部に近い領域に形成された第2の樹脂部を有する。そして、樹脂層は、第2の樹脂部の外側に至るように形成されてなる。これによると、樹脂層が収縮することにより発生する力は、第2の樹脂部に吸収される。そのため、樹脂層の収縮による影響を受けにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(2)この半導体装置において、
前記第2の樹脂部は、前記半導体基板のすべての辺のそれぞれに沿って形成されていてもよい。
(3)この半導体装置において、
前記第2の樹脂部は、前記電極を避けて形成されていてもよい。これによれば、電気的な信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(4)この半導体装置において、
前記第2の樹脂部は、前記電極の間を通り前記電極の外側の領域から前記電極の内側の領域に至る仕切り部を有してもよい。これによれば、電極間のマイグレーションの発生を防止することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(5)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
(6)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(7)本発明に係る半導体装置の製造方法は、内部に電気的に接続された電極を有する、集積回路が形成された半導体基板を用意すること、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の中央部に、第1の樹脂部を形成すること、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の前記第1の樹脂部よりも端部に近い領域に、複数の第2の樹脂部を形成すること、
前記電極上から、前記第1の樹脂部上に配線を形成すること、及び、
前記配線を覆う樹脂層を、前記第1の樹脂部上から前記第2の樹脂部の外側に至るように形成することを含み、
前記樹脂層を、前記第2の樹脂部の少なくとも上端部が露出するように形成する。本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板の第1の樹脂部よりも端部に近い領域に第2の樹脂部を形成することを含む。そして、樹脂層は、第2の樹脂部の外側に至るように形成される。これによると、樹脂層が収縮することにより発生する力を、第2の樹脂部に吸収させることが可能な、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(8)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を、前記半導体基板のすべての辺のそれぞれに沿って形成してもよい。
(9)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を、前記電極を避けて形成してもよい。これによれば、電気的な信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(10)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部とを、一括して形成してもよい。これによれば、半導体装置の製造効率を高めることができる。
(11)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を、前記電極の間を通り前記電極の外側の領域から前記電極の内側の領域に至る仕切り部を有するように形成してもよい。これによれば、電極間のマイグレーションを防止することが可能な、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
本発明は以上の実施の形態に限られず、種々の変形例が可能である。図6に示す例では、第2の樹脂部25は、電極14の半導体基板10の周縁側の端部15よりも内側の領域に形成されている。本実施の形態に係る半導体装置では、樹脂層(ソルダーレジスト)は、配線30を覆うように形成される。そのため、第2の樹脂部25が電極14の端部15よりも内側の領域に形成されている場合、配線30を覆うように樹脂層を形成することによって、樹脂層は第2の樹脂部25の外側に至るように形成される。すなわち、配線30を覆う領域に樹脂層を形成することで発明の効果を発揮することができる。そのため、樹脂層の形成領域を小さくすることができ、樹脂層を半導体基板10の端部から離して形成することが可能となる。これにより、樹脂層の収縮応力が半導体基板10の端面にかからないようにすることができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、第2の樹脂部25を集積回路12に近い位置に形成することによって、集積回路12に応力がかかる事を防止することができる。特に、第2の樹脂部25を、集積回路12を構成する特定の素子の近傍に形成すれば、特定の素子を応力から保護することが可能となり、さらに信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、図6に示すように、第2の樹脂部25を、電極14よりも内側の領域に形成してもよい。このとき、図6に示すように、配線30を形成する領域を避けて、第2の樹脂部25を形成してもよい。
18 パッシベーション膜、 20 第1の樹脂部、 25 第2の樹脂部、
30 配線、 32 ランド、 40 樹脂層、 50 外部端子
Claims (9)
- 内部に電気的に接続された電極を有する、集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の中央部に形成された第1の樹脂部と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の前記第1の樹脂部よりも端部に近い領域に、前記半導体基板のすべての辺のそれぞれに沿って形成された複数の第2の樹脂部と、
前記電極上から前記第1の樹脂部上に形成された配線と、
前記配線を覆うように、前記第1の樹脂部上から前記第2の樹脂部の外側に至るように形成された樹脂層と、
を有し、
前記樹脂層は、前記第2の樹脂部の少なくとも上端部が露出するように形成されてなる半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2の樹脂部は、前記電極を避けて形成されてなる半導体装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2の樹脂部は、前記電極の間を通り前記電極の外側の領域から前記電極の内側の領域に至る仕切り部を有する半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
- 内部に電気的に接続された電極を有する、集積回路が形成された半導体基板を用意すること、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の中央部に、第1の樹脂部を形成すること、
前記半導体基板の前記電極が形成された面の前記第1の樹脂部よりも端部に近い領域に、前記半導体基板のすべての辺のそれぞれに沿って複数の第2の樹脂部を形成すること、
前記電極上から、前記第1の樹脂部上に配線を形成すること、及び、
前記配線を覆う樹脂層を、前記第1の樹脂部上から前記第2の樹脂部の外側に至るように形成することを含み、
前記樹脂層を、前記第2の樹脂部の少なくとも上端部が露出するように形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を、前記電極を避けて形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項6又は請求項7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部とを、一括して形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を、前記電極の間を通り前記電極の外側の領域から前記電極の内側の領域に至る仕切り部を有するように形成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042340A JP4240226B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042340A JP4240226B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003184568A Division JP3666495B2 (ja) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136444A JP2005136444A (ja) | 2005-05-26 |
JP4240226B2 true JP4240226B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=34651217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005042340A Expired - Fee Related JP4240226B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4240226B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW480636B (en) * | 1996-12-04 | 2002-03-21 | Seiko Epson Corp | Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment |
JP3957928B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001144217A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003023009A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-18 JP JP2005042340A patent/JP4240226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005136444A (ja) | 2005-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060017161A1 (en) | Semiconductor package having protective layer for re-routing lines and method of manufacturing the same | |
JP2004104102A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP5249080B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001110831A (ja) | 外部接続突起およびその形成方法、半導体チップ、回路基板ならびに電子機器 | |
JP2012028708A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004104103A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3918842B2 (ja) | 半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ | |
JP2008047732A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3804797B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004281898A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2008244383A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4084737B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3666495B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4240226B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4038691B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4038692B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4247611B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4058630B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3726906B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4016276B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JPH11354578A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004172163A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007123426A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4987683B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006019497A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071010 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4240226 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140109 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |